JPS5963716A - Manufacturing method of solid electrolytic capacitor - Google Patents

Manufacturing method of solid electrolytic capacitor

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JPS5963716A
JPS5963716A JP17374282A JP17374282A JPS5963716A JP S5963716 A JPS5963716 A JP S5963716A JP 17374282 A JP17374282 A JP 17374282A JP 17374282 A JP17374282 A JP 17374282A JP S5963716 A JPS5963716 A JP S5963716A
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layer
carbon layer
carbon
electrolytic capacitor
solid electrolytic
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俊夫 今井
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Matsuo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、固体電解コンデン・リーの製造方法に関する
。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing solid electrolytic condensate.

従来からの固体タンタル電解コンデンサでは、弁金属で
あ2)タンタル粉末を成型焼結して成る陽極体表面に陽
極化成によシ誘電体となる酸化皮膜を形成し、その酸化
皮膜上に半導体層である二酸化マンガン層を形成し、こ
の半導体層の上にカーボン層を形成し、さらにその上に
銀の微粉末を含む2n電性塗刺を塗布、硬化し1、それ
に陰極端子を半田1利けして引出している。
In conventional solid tantalum electrolytic capacitors, an oxide film that becomes a dielectric is formed on the surface of the anode body made by molding and sintering tantalum powder, which is a valve metal, through anodization, and a semiconductor layer is formed on the oxide film. A manganese dioxide layer is formed, a carbon layer is formed on top of this semiconductor layer, a 2N electroconductive coating containing fine silver powder is applied and cured, and a cathode terminal is soldered to it. I'm pulling it out.

このような先行技術では、端子形成のだめの半田付は時
に導PFri性塗料層中の銀が半田の中に溶は込み、陰
極層の導電性が低下し、その結果コンデンサの電気的特
性即ちインピーダンス、等価直列抵抗、  tanδが
劣化することになった。
In such prior art, when soldering the terminals, the silver in the conductive PFri paint layer dissolves into the solder, reducing the conductivity of the cathode layer and, as a result, changing the electrical characteristics of the capacitor, i.e., the impedance. , equivalent series resistance, and tan δ deteriorated.

本発明の目的は、電気的特性を劣化さぜることなく、ま
た高価な銀塗料を用いることなく、電解コンデンサを製
造する方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing electrolytic capacitors without deteriorating electrical characteristics and without using expensive silver paint.

本発明実施例を図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例の固体電解コンデンサ素子
の断面図である。陽極体1は、タンタル粉末を加圧、成
型後、焼結したものである。この[窮(;N体1からは
、リード線2が引出されている。
FIG. 1 is a sectional view of a solid electrolytic capacitor element according to an embodiment of the present invention. The anode body 1 is made by pressurizing tantalum powder, molding it, and then sintering it. A lead wire 2 is drawn out from this body 1.

リード線2はたとえばタンタル線で・ら乙。この陽極体
1の表面(で、化成処理によって誘電体となる酸化皮膜
3を形成する。
Lead wire 2 is, for example, a tantalum wire. On the surface of this anode body 1, an oxide film 3 which becomes a dielectric is formed by chemical conversion treatment.

次いで、その表面に公知技術により半導体層である二酸
化マンガン層4を形成する。この半導体層4の−にに第
1カーボン層5aを形成する。との第1カーボン層5a
は、多孔質の半導体層4内に充分しみ込み、このため半
導体層4と等1力−ボン層5aとは低抵抗で接触し、両
者の導1(性は良好に保たれる。
Next, a manganese dioxide layer 4, which is a semiconductor layer, is formed on the surface by a known technique. A first carbon layer 5a is formed on the negative side of this semiconductor layer 4. the first carbon layer 5a with
penetrates into the porous semiconductor layer 4, and therefore the semiconductor layer 4 and the bond layer 5a come into contact with a low resistance, maintaining good conductivity between them.

との第1カーボン層5aの上には、さらに第2カーボン
層5bが形成される。第2カーボン層5bは、後の工程
で金属メッキ層形成のため陽極体をメッキ液に浸漬した
ときに、メッキ液がしみ込まない組成を有する。もしも
メッキ液のしみ込みを阻止しえない第1カーボン層5a
のみを有するコンデンサ素子を、メッキ液内に浸漬した
とすれば、メッキ液が第1カーボン層5aを通って半導
体層4にしみ込んで、電解コンデンサの特性が低下する
ことになる。そしてメッキ液が浸透した場合にに1、通
常メッキ液を洗い流すべく洗浄したが、半シ、ツ体層お
よび多孔質陽極体内部に浸透したものの洗?7+&;l
:困へ1[であり、長時間を要し、尚かつ不完全であっ
た。本発明では、第1カーボン層5aの上に第2カーボ
ン層5bを形成したので、メッキ液が第1カーボン層5
aから半導体層4内にしみ込むことが防がれている。
A second carbon layer 5b is further formed on the first carbon layer 5a. The second carbon layer 5b has a composition that prevents the plating solution from penetrating when the anode body is immersed in the plating solution to form a metal plating layer in a later step. If the first carbon layer 5a cannot prevent the plating solution from penetrating
If a capacitor element having only the above-mentioned electrolytic capacitor is immersed in a plating solution, the plating solution will penetrate into the semiconductor layer 4 through the first carbon layer 5a, and the characteristics of the electrolytic capacitor will deteriorate. If the plating solution penetrates, 1. Normally, the plating solution is washed away, but what happens if the plating solution penetrates into the body layer and the inside of the porous anode body? 7+&;l
: It was difficult, took a long time, and was incomplete. In the present invention, since the second carbon layer 5b is formed on the first carbon layer 5a, the plating solution is applied to the first carbon layer 5a.
It is prevented from penetrating into the semiconductor layer 4 from a.

第1カーボン層5aは、グラファイトと少i侶のバイン
ダーと1〜での樹脂成分とを水に分散させたものを塗布
、乾燥させたものであり、第2カーボン5513 kl
:グラファイトと耐熱性樹脂成分とを有(プ”3溶iI
、jに分散させたものを塗布し、熱硬化させたものであ
る。なお1本件明細■:および図面では第1および第2
カーボン層5a、5bを総括的に参照符5で表わすこと
にする。
The first carbon layer 5a is obtained by applying and drying a mixture of graphite, a binder containing a small amount of binder, and the resin components from 1 to 1 dispersed in water, and drying the second carbon layer 5513 kl.
: Contains graphite and heat-resistant resin component (P"3 melt iI)
, j was applied and heat cured. In addition, 1. The details of this case: and the 1st and 2nd in the drawings.
The carbon layers 5a and 5b will be collectively designated by the reference numeral 5.

このカーボン層5が形成されたコンデンサ素子は、熱雷
、解ニッケルメッキ液内に浸漬され、ニラ−ケルメッキ
層6が形成される。
The capacitor element on which this carbon layer 5 has been formed is immersed in a hot lightning-decomposed nickel plating solution to form a nickel plating layer 6.

尚、図示しなかったが、このメッキ層6に陰極端子を半
田伺けして引出す。また陽極端子はリード&i12に溶
接して引出す。そして必要に応じて金属ケース2に封入
し、或いは合成樹脂外装を施してコンデンサを完成する
。
Although not shown, a cathode terminal is soldered to this plating layer 6 and pulled out. Also, the anode terminal is welded to the lead &i12 and pulled out. Then, if necessary, the capacitor is completed by enclosing it in a metal case 2 or by applying a synthetic resin exterior.

従来技術では、カーボン層5a上に銀の微粒子を含む導
電性塗料を塗付し、その層に陰極端子を半田伺けしてい
る。このような先行技術では、導電性塗料層中の銀微粒
子が半田内にいわば食われることになシ、そのため導電
性塗料層の導電性が低下して、コンデンサの特性が劣化
することになった。1、これを防ぐために従来では高価
な銀入シはんだを用りだが、それでも上記現象を完全に
防ぐことはできなかった。また陰極端子の半田付けの際
、従来の銀塗料層では熱しすぎると、よシ多くの銀が半
田内に溶は込むので、半田伺けの温度、時間にきびしい
制限を必要とした。
In the conventional technique, a conductive paint containing fine silver particles is applied onto the carbon layer 5a, and a cathode terminal is soldered to the layer. In such prior art, the silver particles in the conductive paint layer were not eaten into the solder, so the conductivity of the conductive paint layer decreased and the characteristics of the capacitor deteriorated. . 1. In order to prevent this, expensive silver-containing solder has been used in the past, but it has not been possible to completely prevent the above phenomenon. Furthermore, when soldering the cathode terminal, if the conventional silver paint layer gets too hot, more silver will melt into the solder, so strict limits must be placed on the soldering temperature and time.

しかるに本発明では陰極を金属メッキ層6としたので、
この温度や時間の制限は、銀塗料層の場合に比べてきび
しくなくても良く、したがって作業が容易になった。本
実施例では、ニッケルメッキ層6を形成したが、その他
の金属たとえば銅などのメッキが施されてもよい。
However, in the present invention, since the metal plating layer 6 is used as the cathode,
These temperature and time restrictions did not have to be as severe as in the case of silver paint layers, thus making the work easier. In this embodiment, a nickel plating layer 6 is formed, but other metals such as copper may be plated.

本発明の第2の実施例を第2図に示す。陽極酸化皮膜3
の形成された陽極体1のリード線2の引出されている面
に、側熱性かつ電気絶縁性の合成樹脂層7を塗布形成す
る。その後、第1実施例と同様に、半導体層4、第1カ
ーボン層5a、第2カーボン層5bを順次形成し、その
後、金属メッキ層6を形成する。本実施例では、上記半
導体層4、カーボン層5及び金属メッキ層6の各層の周
縁は合成4r11脂層7に接して形成されている。即ち
、これらの層4,5.6は陽極体1上の全表面上にわた
って均一厚みで形成されるので、メッキ液の半導体層4
への浸透がよシ確実に阻止される。即ちメッキ層6形成
のためメッキ液に浸漬する際、メッキ層6が第2カーボ
ン層5b′5c超えて直接第1カーボン層5aや半導体
層4に触れることのないよう、その液面を厳密に管理す
る必要d、なく。
A second embodiment of the invention is shown in FIG. Anodic oxide film 3
A heat-resistant and electrically insulating synthetic resin layer 7 is coated on the surface of the anode body 1 on which the lead wires 2 are drawn out. Thereafter, similarly to the first embodiment, a semiconductor layer 4, a first carbon layer 5a, and a second carbon layer 5b are sequentially formed, and then a metal plating layer 6 is formed. In this embodiment, the periphery of each of the semiconductor layer 4, carbon layer 5, and metal plating layer 6 is formed in contact with the synthetic 4R11 fat layer 7. That is, since these layers 4, 5, and 6 are formed with a uniform thickness over the entire surface of the anode body 1, the semiconductor layer 4 of the plating solution is
Penetration is reliably prevented. That is, when immersing in the plating solution to form the plating layer 6, the liquid level must be carefully adjusted so that the plating layer 6 does not go beyond the second carbon layer 5b'5c and directly touch the first carbon layer 5a or the semiconductor layer 4. There is no need to manage it.

メッキ液面が合成樹脂層を超えてリード線2へ触れない
ようにさえすればよいので、液面の調整が容易である。
Since it is only necessary to prevent the plating liquid level from exceeding the synthetic resin layer and touching the lead wire 2, the liquid level can be easily adjusted.

尚栄導体層4の形成は、陽極酸化皮膜;(の形成さ)1
.た陽極体1を硝酸マンガン水溶液に浸清し、熱分解に
より二酸化マンガン層に変換する操作を数回くり返して
なされる。第2図示の合成樹脂層7は、この操作が2〜
3回くり返された後に塗布してもよい。
The formation of the SHOEI conductor layer 4 is an anodic oxide film; (formation of) 1
.. The anode body 1 is immersed in an aqueous manganese nitrate solution and converted into a manganese dioxide layer by thermal decomposition, which is repeated several times. The synthetic resin layer 7 shown in the second figure is formed by this operation from 2 to 3.
It may be applied after repeating three times.

以上のように本発明によれば、銀塗料あるいは銀入りは
んだを用いないので、安価となり、半田付けの際の銀く
われ現象にょシミ急曲特性を劣化させる恐れはない。ま
た、金属メッキ層としたので、半田伺けの温度1時間の
コントロールに、在来の銀塗料層の形成時のようなきび
し−コントロールを本発明では必要としない。そのため
、コンデンサの製造が容易となった。さらに半導体層の
上に低抵抗で接触する第1カーボン層を形成し、その上
にメッキ液の浸透を防止する第2カーボン層を設け、そ
の上に金属メッキ層を形成するので、メッキ後の長時間
の洗浄が不要となり、かつメッキ液の半導体層等の中へ
の浸入による正解コンデンサの市、気的特性の低下が防
がれている。そして本方法により製されたコンデンサは
、銀塗料を用いた場合に比べて、より高温度で使用でき
る。
As described above, according to the present invention, since silver paint or silver-containing solder is not used, the cost is low, and there is no risk of deterioration of the sharp bending characteristics due to the silver curling phenomenon during soldering. Furthermore, since the metal plating layer is used, the present invention does not require strict control to control the temperature during soldering for one hour, as is the case when forming a conventional silver paint layer. Therefore, manufacturing of capacitors has become easier. Furthermore, a first carbon layer is formed on top of the semiconductor layer in contact with a low resistance, a second carbon layer is provided on top of that to prevent penetration of the plating solution, and a metal plating layer is formed on top of that, so that after plating This eliminates the need for a long period of cleaning, and prevents the plating solution from penetrating into the semiconductor layer and the like, thereby preventing deterioration of the capacitor's mechanical characteristics. Capacitors manufactured by this method can be used at higher temperatures than those using silver paint.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すコンデンサ素子の断面
図、第2図は他の実施例によるコンデンサ素子の断面図
である。 ■・・陽極体、3・・・酸化皮膜、4・・・半導体層、
5a・・mlカーボン層、5b・・・第2カーボン層、
6・・・ニッケルメッキ層、7・・・合成樹脂層代理人
   弁理士 西教圭一部 ′1 、〜二 3 4
FIG. 1 is a sectional view of a capacitor element according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a capacitor element according to another embodiment. ■... Anode body, 3... Oxide film, 4... Semiconductor layer,
5a... ml carbon layer, 5b... second carbon layer,
6...Nickel plating layer, 7...Synthetic resin layer Agent Patent Attorney Kei Nishi Part'1,~23 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】 +1+弁金属から成シ、陽極酸化によシ誘電体酸化屋膜
を形成した陽極体の酸化皮膜上に半導体層を形成し、そ
の半導体層の上に、それと低抵抗で接触する第1カーボ
ン層を形成し、第1カーボン層の上にメッキ液の浸透を
防止する第2カーボン層を形成し、その上に陰極層とな
芯金属メッキ層を形成することを特徴とする固体電解コ
ンデンーリ゛の製造方法。 (2、特許請求の範囲第1項に記載の固体電解コンデン
サの製造方法において、誘電体酸化皮膜を形成した陽極
体のリード純の引出されている面に側熱□性かつ電気絶
縁性の合成樹脂層を形成し、その後に形成される半導体
層、第1カーボン層、v、2力−ボン層および金属メッ
キ層の各層の周縁が前記合成樹脂層に接触していること
を特徴とする方法。
[Claims] +1+ A semiconductor layer is formed on the oxide film of the anode body, which is made of a valve metal and has a dielectric oxidizer film formed by anodization. A first carbon layer in contact with the carbon layer is formed, a second carbon layer is formed on the first carbon layer to prevent penetration of a plating solution, and a core metal plating layer serving as a cathode layer is formed on top of the second carbon layer. A method for manufacturing solid electrolytic capacitor. (2. In the method for manufacturing a solid electrolytic capacitor as set forth in claim 1, a side heat-resistant and electrically insulating composite is applied to the surface of the anode body on which the dielectric oxide film is formed, from which the lead wire is drawn out. A method characterized in that a resin layer is formed, and the peripheries of each of the semiconductor layer, first carbon layer, v-bond layer, and metal plating layer that are formed thereafter are in contact with the synthetic resin layer. .
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52154070A (en) * 1976-06-16 1977-12-21 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor
JPS58200523A (en) * 1982-05-18 1983-11-22 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 Method of producing solid electrolytic condenser

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52154070A (en) * 1976-06-16 1977-12-21 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor
JPS58200523A (en) * 1982-05-18 1983-11-22 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 Method of producing solid electrolytic condenser

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