JPS5963716A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS5963716A JPS5963716A JP17374282A JP17374282A JPS5963716A JP S5963716 A JPS5963716 A JP S5963716A JP 17374282 A JP17374282 A JP 17374282A JP 17374282 A JP17374282 A JP 17374282A JP S5963716 A JPS5963716 A JP S5963716A
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- Japan
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- layer
- carbon layer
- carbon
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、固体電解コンデン・リーの製造方法に関する
。
。
従来からの固体タンタル電解コンデンサでは、弁金属で
あ２）タンタル粉末を成型焼結して成る陽極体表面に陽
極化成によシ誘電体となる酸化皮膜を形成し、その酸化
皮膜上に半導体層である二酸化マンガン層を形成し、こ
の半導体層の上にカーボン層を形成し、さらにその上に
銀の微粉末を含む２ｎ電性塗刺を塗布、硬化し１、それ
に陰極端子を半田１利けして引出している。
あ２）タンタル粉末を成型焼結して成る陽極体表面に陽
極化成によシ誘電体となる酸化皮膜を形成し、その酸化
皮膜上に半導体層である二酸化マンガン層を形成し、こ
の半導体層の上にカーボン層を形成し、さらにその上に
銀の微粉末を含む２ｎ電性塗刺を塗布、硬化し１、それ
に陰極端子を半田１利けして引出している。
このような先行技術では、端子形成のだめの半田付は時
に導ＰＦｒｉ性塗料層中の銀が半田の中に溶は込み、陰
極層の導電性が低下し、その結果コンデンサの電気的特
性即ちインピーダンス、等価直列抵抗、 ｔａｎδが
劣化することになった。
に導ＰＦｒｉ性塗料層中の銀が半田の中に溶は込み、陰
極層の導電性が低下し、その結果コンデンサの電気的特
性即ちインピーダンス、等価直列抵抗、 ｔａｎδが
劣化することになった。
本発明の目的は、電気的特性を劣化さぜることなく、ま
た高価な銀塗料を用いることなく、電解コンデンサを製
造する方法を提供することである。
た高価な銀塗料を用いることなく、電解コンデンサを製
造する方法を提供することである。
本発明実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の固体電解コンデンサ素子
の断面図である。陽極体１は、タンタル粉末を加圧、成
型後、焼結したものである。この［窮（；Ｎ体１からは
、リード線２が引出されている。
の断面図である。陽極体１は、タンタル粉末を加圧、成
型後、焼結したものである。この［窮（；Ｎ体１からは
、リード線２が引出されている。
リード線２はたとえばタンタル線で・ら乙。この陽極体
１の表面（で、化成処理によって誘電体となる酸化皮膜
３を形成する。
１の表面（で、化成処理によって誘電体となる酸化皮膜
３を形成する。
次いで、その表面に公知技術により半導体層である二酸
化マンガン層４を形成する。この半導体層４の−にに第
１カーボン層５ａを形成する。との第１カーボン層５ａ
は、多孔質の半導体層４内に充分しみ込み、このため半
導体層４と等１力−ボン層５ａとは低抵抗で接触し、両
者の導１（性は良好に保たれる。
化マンガン層４を形成する。この半導体層４の−にに第
１カーボン層５ａを形成する。との第１カーボン層５ａ
は、多孔質の半導体層４内に充分しみ込み、このため半
導体層４と等１力−ボン層５ａとは低抵抗で接触し、両
者の導１（性は良好に保たれる。
との第１カーボン層５ａの上には、さらに第２カーボン
層５ｂが形成される。第２カーボン層５ｂは、後の工程
で金属メッキ層形成のため陽極体をメッキ液に浸漬した
ときに、メッキ液がしみ込まない組成を有する。もしも
メッキ液のしみ込みを阻止しえない第１カーボン層５ａ
のみを有するコンデンサ素子を、メッキ液内に浸漬した
とすれば、メッキ液が第１カーボン層５ａを通って半導
体層４にしみ込んで、電解コンデンサの特性が低下する
ことになる。そしてメッキ液が浸透した場合にに１、通
常メッキ液を洗い流すべく洗浄したが、半シ、ツ体層お
よび多孔質陽極体内部に浸透したものの洗？７＋＆；ｌ
：困へ１［であり、長時間を要し、尚かつ不完全であっ
た。本発明では、第１カーボン層５ａの上に第２カーボ
ン層５ｂを形成したので、メッキ液が第１カーボン層５
ａから半導体層４内にしみ込むことが防がれている。
層５ｂが形成される。第２カーボン層５ｂは、後の工程
で金属メッキ層形成のため陽極体をメッキ液に浸漬した
ときに、メッキ液がしみ込まない組成を有する。もしも
メッキ液のしみ込みを阻止しえない第１カーボン層５ａ
のみを有するコンデンサ素子を、メッキ液内に浸漬した
とすれば、メッキ液が第１カーボン層５ａを通って半導
体層４にしみ込んで、電解コンデンサの特性が低下する
ことになる。そしてメッキ液が浸透した場合にに１、通
常メッキ液を洗い流すべく洗浄したが、半シ、ツ体層お
よび多孔質陽極体内部に浸透したものの洗？７＋＆；ｌ
：困へ１［であり、長時間を要し、尚かつ不完全であっ
た。本発明では、第１カーボン層５ａの上に第２カーボ
ン層５ｂを形成したので、メッキ液が第１カーボン層５
ａから半導体層４内にしみ込むことが防がれている。
第１カーボン層５ａは、グラファイトと少ｉ侶のバイン
ダーと１〜での樹脂成分とを水に分散させたものを塗布
、乾燥させたものであり、第２カーボン５５１３ ｋｌ
：グラファイトと耐熱性樹脂成分とを有（プ”３溶ｉＩ
、ｊに分散させたものを塗布し、熱硬化させたものであ
る。なお１本件明細■：および図面では第１および第２
カーボン層５ａ、５ｂを総括的に参照符５で表わすこと
にする。
ダーと１〜での樹脂成分とを水に分散させたものを塗布
、乾燥させたものであり、第２カーボン５５１３ ｋｌ
：グラファイトと耐熱性樹脂成分とを有（プ”３溶ｉＩ
、ｊに分散させたものを塗布し、熱硬化させたものであ
る。なお１本件明細■：および図面では第１および第２
カーボン層５ａ、５ｂを総括的に参照符５で表わすこと
にする。
このカーボン層５が形成されたコンデンサ素子は、熱雷
、解ニッケルメッキ液内に浸漬され、ニラ−ケルメッキ
層６が形成される。
、解ニッケルメッキ液内に浸漬され、ニラ−ケルメッキ
層６が形成される。
尚、図示しなかったが、このメッキ層６に陰極端子を半
田伺けして引出す。また陽極端子はリード＆ｉ１２に溶
接して引出す。そして必要に応じて金属ケース２に封入
し、或いは合成樹脂外装を施してコンデンサを完成する
。
田伺けして引出す。また陽極端子はリード＆ｉ１２に溶
接して引出す。そして必要に応じて金属ケース２に封入
し、或いは合成樹脂外装を施してコンデンサを完成する
。
従来技術では、カーボン層５ａ上に銀の微粒子を含む導
電性塗料を塗付し、その層に陰極端子を半田伺けしてい
る。このような先行技術では、導電性塗料層中の銀微粒
子が半田内にいわば食われることになシ、そのため導電
性塗料層の導電性が低下して、コンデンサの特性が劣化
することになった。１、これを防ぐために従来では高価
な銀入シはんだを用りだが、それでも上記現象を完全に
防ぐことはできなかった。また陰極端子の半田付けの際
、従来の銀塗料層では熱しすぎると、よシ多くの銀が半
田内に溶は込むので、半田伺けの温度、時間にきびしい
制限を必要とした。
電性塗料を塗付し、その層に陰極端子を半田伺けしてい
る。このような先行技術では、導電性塗料層中の銀微粒
子が半田内にいわば食われることになシ、そのため導電
性塗料層の導電性が低下して、コンデンサの特性が劣化
することになった。１、これを防ぐために従来では高価
な銀入シはんだを用りだが、それでも上記現象を完全に
防ぐことはできなかった。また陰極端子の半田付けの際
、従来の銀塗料層では熱しすぎると、よシ多くの銀が半
田内に溶は込むので、半田伺けの温度、時間にきびしい
制限を必要とした。
しかるに本発明では陰極を金属メッキ層６としたので、
この温度や時間の制限は、銀塗料層の場合に比べてきび
しくなくても良く、したがって作業が容易になった。本
実施例では、ニッケルメッキ層６を形成したが、その他
の金属たとえば銅などのメッキが施されてもよい。
この温度や時間の制限は、銀塗料層の場合に比べてきび
しくなくても良く、したがって作業が容易になった。本
実施例では、ニッケルメッキ層６を形成したが、その他
の金属たとえば銅などのメッキが施されてもよい。
本発明の第２の実施例を第２図に示す。陽極酸化皮膜３
の形成された陽極体１のリード線２の引出されている面
に、側熱性かつ電気絶縁性の合成樹脂層７を塗布形成す
る。その後、第１実施例と同様に、半導体層４、第１カ
ーボン層５ａ、第２カーボン層５ｂを順次形成し、その
後、金属メッキ層６を形成する。本実施例では、上記半
導体層４、カーボン層５及び金属メッキ層６の各層の周
縁は合成４ｒ１１脂層７に接して形成されている。即ち
、これらの層４，５．６は陽極体１上の全表面上にわた
って均一厚みで形成されるので、メッキ液の半導体層４
への浸透がよシ確実に阻止される。即ちメッキ層６形成
のためメッキ液に浸漬する際、メッキ層６が第２カーボ
ン層５ｂ′５ｃ超えて直接第１カーボン層５ａや半導体
層４に触れることのないよう、その液面を厳密に管理す
る必要ｄ、なく。
の形成された陽極体１のリード線２の引出されている面
に、側熱性かつ電気絶縁性の合成樹脂層７を塗布形成す
る。その後、第１実施例と同様に、半導体層４、第１カ
ーボン層５ａ、第２カーボン層５ｂを順次形成し、その
後、金属メッキ層６を形成する。本実施例では、上記半
導体層４、カーボン層５及び金属メッキ層６の各層の周
縁は合成４ｒ１１脂層７に接して形成されている。即ち
、これらの層４，５．６は陽極体１上の全表面上にわた
って均一厚みで形成されるので、メッキ液の半導体層４
への浸透がよシ確実に阻止される。即ちメッキ層６形成
のためメッキ液に浸漬する際、メッキ層６が第２カーボ
ン層５ｂ′５ｃ超えて直接第１カーボン層５ａや半導体
層４に触れることのないよう、その液面を厳密に管理す
る必要ｄ、なく。
メッキ液面が合成樹脂層を超えてリード線２へ触れない
ようにさえすればよいので、液面の調整が容易である。
ようにさえすればよいので、液面の調整が容易である。
尚栄導体層４の形成は、陽極酸化皮膜；（の形成さ）１
．た陽極体１を硝酸マンガン水溶液に浸清し、熱分解に
より二酸化マンガン層に変換する操作を数回くり返して
なされる。第２図示の合成樹脂層７は、この操作が２〜
３回くり返された後に塗布してもよい。
．た陽極体１を硝酸マンガン水溶液に浸清し、熱分解に
より二酸化マンガン層に変換する操作を数回くり返して
なされる。第２図示の合成樹脂層７は、この操作が２〜
３回くり返された後に塗布してもよい。
以上のように本発明によれば、銀塗料あるいは銀入りは
んだを用いないので、安価となり、半田付けの際の銀く
われ現象にょシミ急曲特性を劣化させる恐れはない。ま
た、金属メッキ層としたので、半田伺けの温度１時間の
コントロールに、在来の銀塗料層の形成時のようなきび
し−コントロールを本発明では必要としない。そのため
、コンデンサの製造が容易となった。さらに半導体層の
上に低抵抗で接触する第１カーボン層を形成し、その上
にメッキ液の浸透を防止する第２カーボン層を設け、そ
の上に金属メッキ層を形成するので、メッキ後の長時間
の洗浄が不要となり、かつメッキ液の半導体層等の中へ
の浸入による正解コンデンサの市、気的特性の低下が防
がれている。そして本方法により製されたコンデンサは
、銀塗料を用いた場合に比べて、より高温度で使用でき
る。
んだを用いないので、安価となり、半田付けの際の銀く
われ現象にょシミ急曲特性を劣化させる恐れはない。ま
た、金属メッキ層としたので、半田伺けの温度１時間の
コントロールに、在来の銀塗料層の形成時のようなきび
し−コントロールを本発明では必要としない。そのため
、コンデンサの製造が容易となった。さらに半導体層の
上に低抵抗で接触する第１カーボン層を形成し、その上
にメッキ液の浸透を防止する第２カーボン層を設け、そ
の上に金属メッキ層を形成するので、メッキ後の長時間
の洗浄が不要となり、かつメッキ液の半導体層等の中へ
の浸入による正解コンデンサの市、気的特性の低下が防
がれている。そして本方法により製されたコンデンサは
、銀塗料を用いた場合に比べて、より高温度で使用でき
る。
第１図は本発明の一実施例を示すコンデンサ素子の断面
図、第２図は他の実施例によるコンデンサ素子の断面図
である。 ■・・陽極体、３・・・酸化皮膜、４・・・半導体層、
５ａ・・ｍｌカーボン層、５ｂ・・・第２カーボン層、
６・・・ニッケルメッキ層、７・・・合成樹脂層代理人
弁理士 西教圭一部 ′１ 、〜二 ３ ４
図、第２図は他の実施例によるコンデンサ素子の断面図
である。 ■・・陽極体、３・・・酸化皮膜、４・・・半導体層、
５ａ・・ｍｌカーボン層、５ｂ・・・第２カーボン層、
６・・・ニッケルメッキ層、７・・・合成樹脂層代理人
弁理士 西教圭一部 ′１ 、〜二 ３ ４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１＋弁金属から成シ、陽極酸化によシ誘電体酸化屋膜
を形成した陽極体の酸化皮膜上に半導体層を形成し、そ
の半導体層の上に、それと低抵抗で接触する第１カーボ
ン層を形成し、第１カーボン層の上にメッキ液の浸透を
防止する第２カーボン層を形成し、その上に陰極層とな
芯金属メッキ層を形成することを特徴とする固体電解コ
ンデンーリ゛の製造方法。 （２、特許請求の範囲第１項に記載の固体電解コンデン
サの製造方法において、誘電体酸化皮膜を形成した陽極
体のリード純の引出されている面に側熱□性かつ電気絶
縁性の合成樹脂層を形成し、その後に形成される半導体
層、第１カーボン層、ｖ、２力−ボン層および金属メッ
キ層の各層の周縁が前記合成樹脂層に接触していること
を特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17374282A JPS5963716A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17374282A JPS5963716A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963716A true JPS5963716A (ja) | 1984-04-11 |
| JPH0129049B2 JPH0129049B2 (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=15966282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17374282A Granted JPS5963716A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963716A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154070A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
| JPS58200523A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP17374282A patent/JPS5963716A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154070A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
| JPS58200523A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129049B2 (ja) | 1989-06-07 |
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