JPS5964372A - Manufacturing method of thermal recording head - Google Patents

Manufacturing method of thermal recording head

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JPS5964372A
JPS5964372A JP57174581A JP17458182A JPS5964372A JP S5964372 A JPS5964372 A JP S5964372A JP 57174581 A JP57174581 A JP 57174581A JP 17458182 A JP17458182 A JP 17458182A JP S5964372 A JPS5964372 A JP S5964372A
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JP
Japan
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chromium
silicon
recording head
thermal recording
thin film
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JP57174581A
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Inventor
Yoshiaki Kita
北 芳明
Hisashi Ando
寿 安藤
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
    • B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
    • B41J2/335—Structure of thermal heads

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To attain to enhance the productivity of a heat sensitive recording head having a stable heat generating resistance body with long life, by a method wherein chromium and silicon are mixed in a time constant ratio and the obtained mixture is sintered to form a sintered body which is, in turn, used as a target to be subjected to sputtering. CONSTITUTION:A sintered body containing chromium and silicon and having a chromium ratio of 19-50atomic%, especialy pref., 22-45atomic% is used as a target and subjected to sputtering in an Argon atmosphere to obtain a thin film heat generaging resistance body. By this method, a homogenous thin film heat generating resistance body. By this method, a homogenous thin film having no irregularity in the compositional ratio of chromium and silicon can be prepared in good efficiency.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、感熱記録ヘッドの製造方法に係り、ファクシ
ミリ等の記録装置用薄膜感熱記録ヘッドにおける、特に
その薄膜発熱抵抗体の形成に係る感熱記録ヘッドの製造
方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a method for manufacturing a thermal recording head, and in particular to a method for manufacturing a thermal recording head for a recording device such as a facsimile, particularly for forming a thin film heating resistor. The present invention relates to a method for manufacturing a head.

〔従来技術〕[Prior art]

感熱記録ヘッドにおいては、発熱抵抗体の抵抗値安定性
が寿命を決める一要素であり、ヘッド寿命としては、発
熱抵抗体の抵抗値変化が使用開始時の10%以下である
ことが要求される。
In a thermal recording head, the stability of the resistance value of the heat generating resistor is one of the factors that determines the lifespan, and the head life requires that the change in resistance value of the heat generating resistor be 10% or less compared to when it was first used. .

従来の薄膜発熱抵抗体材料の中で、安定なものとしてT
a2N(窒化タンタル)が知られている。
Among the conventional thin film heating resistor materials, T is considered to be stable.
a2N (tantalum nitride) is known.

ところが、このTa2Nの比抵抗は、約300μΩ−鑞
であり、抵抗値を上げることは、膜厚全非常に薄クシ、
形状全細長くする必要があるだめ限界がある。
However, the specific resistance of this Ta2N is about 300 μΩ, and increasing the resistance value requires a very thin film.
There is a limit to the need to make the entire shape long and thin.

例えばTa2Nで、縦と横の比が2:1の細長い形状で
、200Ωの抵抗値にするには、膜厚を200オングス
トロームにおさえなければならない。
For example, if Ta2N is to have an elongated shape with a length-to-width ratio of 2:1 and a resistance value of 200Ω, the film thickness must be kept at 200 angstroms.

このように膜を薄くすると、実際に製造する場合、バラ
ツキが大きく、膜厚コントロールがしにくくて、抵抗値
の再現性が悪くなり、特性上では単位面積当シの電力密
度が上るため破壊しゃすくなる。
If the film is made thinner in this way, in actual manufacturing, there will be large variations, it will be difficult to control the film thickness, the reproducibility of the resistance will be poor, and in terms of characteristics, the power density per unit area will increase, making it difficult to prevent destruction. It gets cheaper.

このような欠点全改善するだめ、感熱記録ヘッドの発熱
抵抗体パターン例示図の第1図(a)に示す通常の抵抗
体の形状に対して、同例示図の同図(b)のように、ミ
アンダ形にして、すなわち、単独電極における発熱抵抗
体部分全幅狭く、長さを長くする形状変更で抵抗値を上
げる試みがある。
In order to overcome all of these drawbacks, it is necessary to change the shape of a normal resistor shown in FIG. 1(a), which shows an example of the heating resistor pattern of a thermal recording head, to the shape shown in FIG. 1(b) of the same example. There has been an attempt to increase the resistance value by changing the shape of the heating resistor to a meander shape, that is, by narrowing the overall width and increasing the length of the heating resistor portion of a single electrode.

図で、1,1′が薄膜発熱抵抗体、2が共通電極、3が
単独電極である。
In the figure, 1 and 1' are thin film heating resistors, 2 is a common electrode, and 3 is an individual electrode.

しかし、同図(a)のような通常の抵抗体に比較して、
(b)のパターンは、感熱記録ヘッドの解像度が上るほ
ど高度のパターニング技術を必要とし、歩留り低下の原
因となる。
However, compared to a normal resistor like the one shown in Figure (a),
The pattern (b) requires a more advanced patterning technique as the resolution of the thermal recording head increases, which causes a decrease in yield.

脣た、別の例として、タンタルとシリコン酸化物と?、
薄膜抵抗体に用いるものも提案されている。これは、タ
ンタルの薄膜にシリコン酸化物を混入させて比抵抗を高
くするとともに、シリコン酸化物の量乞コントロールす
ることによって、比抵抗の選択を自由にできるようにし
たものである。
As another example, what about tantalum and silicon oxide? ,
Others have been proposed for use in thin film resistors. This is made by mixing silicon oxide into a tantalum thin film to increase the resistivity, and by controlling the amount of silicon oxide, the resistivity can be freely selected.

しかし この発熱抵抗体は、タンタルとシリコン酸化物
の2成分から成り、シリコンの酸化物を含んでいるため
、所望形状にパターニングする際に、エツチングむらが
生じ、抵抗値のバラツキ、歩留り低下の原因となる欠点
を有するものである。
However, since this heating resistor is made of two components, tantalum and silicon oxide, and contains silicon oxide, uneven etching occurs when patterning it into the desired shape, causing variations in resistance value and a decrease in yield. It has the following drawbacks.

さらに、上記に対処し、薄膜発熱抵抗体として、クロム
とシリコンの合金膜を用いるようにし、その合金膜に係
る薄膜発熱抵抗体を作る方法として、クロム基盤上に短
ざく形のシリコン体全埋め込んだり、あるいは載置した
シしたターゲットを用い、これをスパッタリングする方
法を開発した。
Furthermore, in order to address the above problems, a chromium-silicon alloy film is used as a thin film heating resistor, and as a method for making a thin film heating resistor based on the alloy film, a rectangular silicon body is entirely embedded on a chromium substrate. We have developed a method for sputtering using a fixed target that has been placed or placed on a surface.

しかし、これにおいても、上記ターゲツト体の構造によ
り、クロムとシリコンの組成においてバラツキのある薄
膜音生ずる場合があって、安定なものが得られなかった
ものである。
However, even in this case, due to the structure of the target body, a thin film sound may be produced due to variations in the composition of chromium and silicon, and a stable sound could not be obtained.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、ファクシミリ等のラインプリンタ用感熱記録
ヘッドおよび高速記録に係るものにおいても、安定で長
寿命な発熱抵抗体を有する高品質な感熱記録ヘッドを、
生産性よく供給することができる感熱記録ヘッドの製造
方法の提供ケ、その目的とするものである。
The present invention provides a high-quality thermal recording head having a stable and long-life heating resistor for thermal recording heads for line printers such as facsimiles and those related to high-speed recording.
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thermal recording head that can be supplied with high productivity.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明に係る感熱記録ヘッドの製造方法の構成は、クロ
ムとシリコンを含むターゲットを、アルゴンガス雰囲気
中でスパッタリングして薄膜発熱抵抗体全形成する感熱
記録ヘッドの製造方法において、上記ターゲットとして
、クロムとシリコン全混合して焼成した焼結体であって
、クロムの比率が1L9at%〜50at%の範囲にあ
るものを用いるようにしたものである。
The structure of the method for manufacturing a thermal recording head according to the present invention is that in the method for manufacturing a thermal recording head in which the entire thin film heating resistor is formed by sputtering a target containing chromium and silicon in an argon gas atmosphere, the target includes chromium and silicon. The sintered body is a sintered body made by completely mixing and firing 1L and silicon, and the chromium ratio is in the range of 1L9at% to 50at%.

な2、これを要するに、本発明は、クロムの比率f l
 9 a t%〜50at%、特に22at%〜45a
t%とした、2元素に係る、クロムとシリコンを含む焼
結体をスパッタターゲットとして、アルゴンガス雰囲気
中におけるスパッタリングによって薄膜抵抗体を付着し
、これを発熱抵抗体とすることによって、生産性よく、
均一で安定な高品質感熱記録ヘッド?実現するようにし
たものである。
2. In short, the present invention provides a method for adjusting the chromium ratio f l
9at%~50at%, especially 22at%~45a
Using a sintered body containing two elements, chromium and silicon, as a sputtering target, a thin film resistor is attached by sputtering in an argon gas atmosphere, and this is used as a heating resistor. ,
Uniform and stable high quality thermal recording head? It was made to come true.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

本発明に係る感熱記録ヘッドの製造方法の実施例金、第
2図〜第4図を参照して説明する。
Embodiments of the method for manufacturing a thermal recording head according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

ここで、第2図は、各実施例に係るもののサンプルNO
と、その焼結体ターゲット組成比とを示す組成比図、第
3図は、ステップストレス試、験結果ケ示す特性図、第
4図は、連続通電試験の結果を示す特性図である。
Here, FIG. 2 shows sample numbers related to each example.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the results of a step stress test, and FIG. 4 is a characteristic diagram showing the results of a continuous current test.

以下、本発明の各実施例に係るものについて、その材料
、条件、方法工程について説明する。
Hereinafter, materials, conditions, and method steps related to each example of the present invention will be explained.

実施例1(サンプルAl) まず、クロム(Cr)粉末と、シリコン(Si)粉末と
を19at  (原子)%/81at(原子)%の比率
で混合させて、これ全ホットプレスにより焼成した。
Example 1 (Sample Al) First, chromium (Cr) powder and silicon (Si) powder were mixed at a ratio of 19at (atomic)%/81at (atomic)%, and the mixture was fired by hot pressing.

なお、本実施例において、焼成されたターゲットの形状
は、約100てφX 51i1η1の寸法である。
In this example, the shape of the fired target has dimensions of approximately 100 x φX 51i1η1.

この焼結体ヲスパッタターゲットとじ、3×10−’f
’orrまで真空に引いたのち、Ar(アルゴンンガス
を65μHgになるまで導入し、2極DCスパツタで、
電極間距離60mm、Ar分圧4〜6\1の−2’f’
orr 、電力100Wの条件でスパッタリングした。
This sintered body was sputtered with a target of 3×10-'f.
After evacuation to 'orr, Ar gas was introduced until the pressure reached 65 μHg, and
Interelectrode distance 60mm, Ar partial pressure 4~6\1 -2'f'
Sputtering was performed under the conditions of 100 W and 100 W of power.

これを発熱抵抗体として、感熱記録ヘッドを形成し、5
ST(ステップストレステスト)を行なった。
This is used as a heating resistor to form a thermal recording head.
ST (step stress test) was conducted.

その結果、第3図のサンプルA1のような特性ケ有する
ことがわかった。
As a result, it was found that it had characteristics similar to those of sample A1 in FIG.

この結果をもとに、使用電力(感熱紙濃度最大全与える
電力)により連続°して電力を印加する連続通電テスト
を行なったところ、第4図のサンプルA1の結果ケ得た
。
Based on this result, a continuous energization test was conducted in which power was continuously applied at the power used (maximum total power applied to the thermal paper density), and the results for sample A1 in FIG. 4 were obtained.

すなわち、第3図に示すように、通常例の使用時におけ
る6〜8 W /rrrm 2以上に印加電力を増大し
ても、その抵抗値変化は±10%の範囲内という特性を
得たものである。
In other words, as shown in Fig. 3, even if the applied power is increased to 6 to 8 W/rrrm2 or more during normal use, the resistance value change is within ±10%. It is.

甘た、第4図で、印加パルス数10X107二108で
、抵抗変化率は7%程度であり、許容抵抗変化値は、1
08パルスで±10%であるので、サンプルA1は合格
である。
In Figure 4, when the number of applied pulses is 10 x 107 to 108, the resistance change rate is about 7%, and the allowable resistance change value is 1.
Since it is ±10% for 08 pulses, sample A1 passes.

そして、クロム19at%以下シリコン81at%以上
のものでは、その抵抗1的が高く々って、発熱抵抗体と
しての使用時に、その電力消費が大となって不適当々も
のである。
If the material is less than 19 at % chromium and more than 81 at % silicon, its resistance is too high, and its power consumption is unsuitable when used as a heat generating resistor.

実施例2(サンプルA2) クロム粉末と、シリコン粉末とi、22at%/ 78
 a t%の比率で混合させて、これをホットプレスに
より焼成した。形状は、実施例1と同様である。
Example 2 (Sample A2) Chromium powder, silicon powder and i, 22 at%/78
The mixture was mixed at a ratio of at% and fired using a hot press. The shape is the same as in Example 1.

−tLで、この焼結体をスパッタターゲットとし、実施
例1と同態様、同条件でスパッタリングした。
-tL, this sintered body was used as a sputtering target, and sputtering was performed in the same manner and under the same conditions as in Example 1.

これケ発熱抵抗体として、感熱記録ヘッドを形成し、実
施例1と同様のテストヲ行なって、第3図、第4図のA
2のような結果を得たものである。
A heat-sensitive recording head was formed as the heat-generating resistor, and the same test as in Example 1 was conducted.
The results shown in 2 were obtained.

これにより、サンプルA2はサンプルA1と同様に合格
である。
As a result, sample A2 passes the test like sample A1.

実施例3(サンプルA3) クロム粉末と、シリコン粉末とt、31 a 1%/6
9at%の比率で混合させて、これ全ホットプレスによ
り焼成した。形状は、実施例1と同様である。
Example 3 (Sample A3) Chromium powder, silicon powder and t, 31a 1%/6
They were mixed at a ratio of 9 at % and fired by hot pressing. The shape is the same as in Example 1.

そして、この焼結体音スノくツタターゲットとし、実施
例1と同態様、同条件によりスノくツタリングし、これ
を発熱抵抗体として、感熱記録ヘッド全形成し、実施例
1と同様のテスト’(5行なって、第3図、第4図のA
3のような結果を得たものである。
Then, using this sintered body as a sonic ivy target, it was subjected to snotting in the same manner and under the same conditions as in Example 1. Using this as a heating resistor, the entire thermal recording head was formed, and the same test as in Example 1 was carried out. (Do 5 lines and
The results shown in Figure 3 were obtained.

これにより、サンプルA3も、サンプルA2と同様に合
格である。
As a result, sample A3 passed the test as well as sample A2.

実施例4(サンプルA4)・ クロム粉末と、シリコン粉末と’r、45at%/ 5
 5 a t%の比率で混合させて、これをホットプレ
スにより焼成した。形状は、実施例1と同様である。
Example 4 (Sample A4) Chromium powder, silicon powder and 'r, 45at%/5
The mixture was mixed at a ratio of 5 at% and fired using a hot press. The shape is the same as in Example 1.

そして、実施例1と同体にして感熱記録ヘッドk 7+
’−成し、同様にテストして、第3,4図のA4のよう
な結果を得たものである。
Then, a thermal recording head k7+ is used as the same as in Example 1.
'- was made and tested in the same manner, and the results shown in A4 in Figs. 3 and 4 were obtained.

これにより、サンプルA4も合格である。Accordingly, sample A4 was also passed.

実施例5(サンプルA.5) クロム粉末と、シリコン粉末とi、5Qat%/ 5 
0 a t%の比率で混合させて、これをホットプレス
により焼成した。形状は、実施例1と同様である。
Example 5 (Sample A.5) Chromium powder, silicon powder and i, 5Qat%/5
The mixture was mixed at a ratio of 0 at% and fired using a hot press. The shape is the same as in Example 1.

そして、実施例1と同様にして感熱記録ヘッドを形成し
、同様にテストして、第3.4図のA5のような結果を
得たものである。
Then, a thermal recording head was formed in the same manner as in Example 1 and tested in the same manner, and the results shown in A5 in FIG. 3.4 were obtained.

これにより、サンプルA5も合格である。Accordingly, sample A5 was also passed.

しかして、クロム5Qat%以上、シリコン50at%
以下のものでは、その抵抗値が低くなって、発熱させる
ためには大きな電力を必要とし、これも不適当のもので
ある。
Therefore, chromium 5Qat% or more, silicon 50at%
The following ones have low resistance values and require a large amount of power to generate heat, which is also inappropriate.

以上の各実施例により、スパッタターゲットの使用可能
範囲は、クロム(Cr)/シリコン(Sl)組成比が、
at(原子)%で、19/81〜50150の範囲で混
合焼成したものが、発熱抵抗膜のスパッタターゲットと
じて適しているものである。
According to each of the above examples, the usable range of the sputter target is such that the chromium (Cr)/silicon (Sl) composition ratio is
A mixture and sintered mixture having a concentration of at (atomic) % in the range of 19/81 to 50,150 is suitable as a sputter target for a heat-generating resistive film.

そして、上記の範囲のなかでも、クロム(Cr)/シリ
コ・ン(Si)組成比が2 2/7 8〜45155の
範囲が最適であることば、第3,4図の結果かられかる
ものである。
From the results shown in Figures 3 and 4, it can be concluded that, within the above range, a chromium (Cr)/silicon (Si) composition ratio in the range of 2 2/7 8 to 45155 is optimal. be.

以上述べたような各実施例に係るものによれば、特に、
その抵抗値ケ上げるために、第1図(b)のような特殊
形状とすることを必要とせず、同図(a)のごとき単純
形状のものですみ、生産性のよい結果を招来するもので
あり、発熱抵抗体のクロムとシリコンの薄膜になったと
きの混合比、比抵抗の均一性が向上し、したがって各組
成比のもの全選択することによる、発熱抵抗体の抵抗値
のコントロールが容易となり、使用においては、高熱達
成による高速の可能性、高電圧、高加熱においても安定
で、長寿命、高信頼性外感熱記録ヘッドを提供できるも
のである。
According to each of the embodiments described above, in particular,
In order to increase the resistance value, it is not necessary to have a special shape as shown in Figure 1 (b), but a simple shape as shown in Figure 1 (a) is sufficient, resulting in good productivity. This improves the uniformity of the mixture ratio and specific resistance when the thin film of chromium and silicon is used for the heat generating resistor, and therefore the resistance value of the heat generating resistor can be controlled by selecting all the composition ratios. In use, it is possible to achieve high speeds by achieving high heat, and it is possible to provide an external thermal recording head that is stable even under high voltage and high heat, has a long life, and has high reliability.

また、上記各実施例に係るものでは、焼成ターゲットの
形状、大きさ孕、約100m+nφ×5胴のものとした
が、この形状5寸法は、これに限定されるものではなく
、円筒状以外の各形状で、上記の寸法と大小のものとす
ることができるものである。
In addition, in each of the above embodiments, the shape and size of the firing target was approximately 100 m + nφ x 5 cylinders, but the 5 dimensions are not limited to this, and may be other than cylindrical. Each shape can have the above-mentioned dimensions and sizes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明により、ファクシミリ等のラインプリンおいても
、安定で長寿命な発熱抵抗体金有する高品質な感熱記録
ヘッド?生産性よく供給することができるもので、すぐ
れた効果を奏する発明ということができる。
According to the present invention, a high-quality thermal recording head with a stable and long-life heating resistor metal can be used even in line printers such as facsimile machines. It can be supplied with high productivity and can be said to be an invention with excellent effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a) 、 (b)は、感熱記録ヘッドの発熱抵
抗体パターン例示図、第2図は、各実施例に係るものの
のザンブルNOと、その焼結体ターゲット組成比を示す
組成比図、第3図は、ステップストレス試験結果を示す
特性図、第4図は、連続通電試験の結果を示す特性図で
ある。 1.1′・・・発熱抵抗体、2・・・共通電極、3・・
単独、″、・ −゛( (ほか1名)−”” 宅1図 57図 兎ω口
FIGS. 1(a) and (b) are illustrations of heating resistor patterns of a thermal recording head, and FIG. 2 is a composition ratio showing the ZAMBLE NO and its sintered target composition ratio according to each example. 3 is a characteristic diagram showing the results of a step stress test, and FIG. 4 is a characteristic diagram showing the results of a continuous energization test. 1.1'...heating resistor, 2...common electrode, 3...
Alone, ″,・−゛( (1 other person)−”” House 1 Figure 57 Rabbit ω mouth

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 クロムとシリコンを含むターゲット全、アルゴン
ガス雰囲気中でスパッタリングして薄膜発熱抵抗体全形
成する感熱記録ヘッドの製造方法において、上記ターゲ
ットとして、クロムとシリコン全混合して焼成した焼結
体であって、クロムの比率が19at%〜50at%の
範囲にあるものを用いること全特徴とする感熱記録ヘッ
ドの製造方法。 2、特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、クロム
の比率が22at%〜45at%の範囲にあるものを用
いるようにしたものである感熱記録ヘッドの製造方法。
[Claims] 1. A method for manufacturing a thermal recording head in which the entire thin film heating resistor is formed by sputtering a target containing chromium and silicon in an argon gas atmosphere, wherein the target is a mixture of chromium and silicon. A method for manufacturing a thermal recording head, characterized in that a fired sintered body having a chromium ratio in the range of 19 at% to 50 at% is used. 2. A method of manufacturing a thermal recording head according to claim 1, wherein a chromium ratio is in the range of 22 at% to 45 at%.
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