JPS5964372A - 感熱記録ヘツドの製造方法 - Google Patents
感熱記録ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5964372A JPS5964372A JP57174581A JP17458182A JPS5964372A JP S5964372 A JPS5964372 A JP S5964372A JP 57174581 A JP57174581 A JP 57174581A JP 17458182 A JP17458182 A JP 17458182A JP S5964372 A JPS5964372 A JP S5964372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chromium
- silicon
- recording head
- thermal recording
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、感熱記録ヘッドの製造方法に係り、ファクシ
ミリ等の記録装置用薄膜感熱記録ヘッドにおける、特に
その薄膜発熱抵抗体の形成に係る感熱記録ヘッドの製造
方法に関するものである。
ミリ等の記録装置用薄膜感熱記録ヘッドにおける、特に
その薄膜発熱抵抗体の形成に係る感熱記録ヘッドの製造
方法に関するものである。
感熱記録ヘッドにおいては、発熱抵抗体の抵抗値安定性
が寿命を決める一要素であり、ヘッド寿命としては、発
熱抵抗体の抵抗値変化が使用開始時の１０％以下である
ことが要求される。
が寿命を決める一要素であり、ヘッド寿命としては、発
熱抵抗体の抵抗値変化が使用開始時の１０％以下である
ことが要求される。
従来の薄膜発熱抵抗体材料の中で、安定なものとしてＴ
ａ２Ｎ（窒化タンタル）が知られている。
ａ２Ｎ（窒化タンタル）が知られている。
ところが、このＴａ２Ｎの比抵抗は、約３００μΩ−鑞
であり、抵抗値を上げることは、膜厚全非常に薄クシ、
形状全細長くする必要があるだめ限界がある。
であり、抵抗値を上げることは、膜厚全非常に薄クシ、
形状全細長くする必要があるだめ限界がある。
例えばＴａ２Ｎで、縦と横の比が２：１の細長い形状で
、２００Ωの抵抗値にするには、膜厚を２００オングス
トロームにおさえなければならない。
、２００Ωの抵抗値にするには、膜厚を２００オングス
トロームにおさえなければならない。
このように膜を薄くすると、実際に製造する場合、バラ
ツキが大きく、膜厚コントロールがしにくくて、抵抗値
の再現性が悪くなり、特性上では単位面積当シの電力密
度が上るため破壊しゃすくなる。
ツキが大きく、膜厚コントロールがしにくくて、抵抗値
の再現性が悪くなり、特性上では単位面積当シの電力密
度が上るため破壊しゃすくなる。
このような欠点全改善するだめ、感熱記録ヘッドの発熱
抵抗体パターン例示図の第１図（ａ）に示す通常の抵抗
体の形状に対して、同例示図の同図（ｂ）のように、ミ
アンダ形にして、すなわち、単独電極における発熱抵抗
体部分全幅狭く、長さを長くする形状変更で抵抗値を上
げる試みがある。
抵抗体パターン例示図の第１図（ａ）に示す通常の抵抗
体の形状に対して、同例示図の同図（ｂ）のように、ミ
アンダ形にして、すなわち、単独電極における発熱抵抗
体部分全幅狭く、長さを長くする形状変更で抵抗値を上
げる試みがある。
図で、１，１′が薄膜発熱抵抗体、２が共通電極、３が
単独電極である。
単独電極である。
しかし、同図（ａ）のような通常の抵抗体に比較して、
（ｂ）のパターンは、感熱記録ヘッドの解像度が上るほ
ど高度のパターニング技術を必要とし、歩留り低下の原
因となる。
（ｂ）のパターンは、感熱記録ヘッドの解像度が上るほ
ど高度のパターニング技術を必要とし、歩留り低下の原
因となる。
脣た、別の例として、タンタルとシリコン酸化物と？、
薄膜抵抗体に用いるものも提案されている。これは、タ
ンタルの薄膜にシリコン酸化物を混入させて比抵抗を高
くするとともに、シリコン酸化物の量乞コントロールす
ることによって、比抵抗の選択を自由にできるようにし
たものである。
薄膜抵抗体に用いるものも提案されている。これは、タ
ンタルの薄膜にシリコン酸化物を混入させて比抵抗を高
くするとともに、シリコン酸化物の量乞コントロールす
ることによって、比抵抗の選択を自由にできるようにし
たものである。
しかし この発熱抵抗体は、タンタルとシリコン酸化物
の２成分から成り、シリコンの酸化物を含んでいるため
、所望形状にパターニングする際に、エツチングむらが
生じ、抵抗値のバラツキ、歩留り低下の原因となる欠点
を有するものである。
の２成分から成り、シリコンの酸化物を含んでいるため
、所望形状にパターニングする際に、エツチングむらが
生じ、抵抗値のバラツキ、歩留り低下の原因となる欠点
を有するものである。
さらに、上記に対処し、薄膜発熱抵抗体として、クロム
とシリコンの合金膜を用いるようにし、その合金膜に係
る薄膜発熱抵抗体を作る方法として、クロム基盤上に短
ざく形のシリコン体全埋め込んだり、あるいは載置した
シしたターゲットを用い、これをスパッタリングする方
法を開発した。
とシリコンの合金膜を用いるようにし、その合金膜に係
る薄膜発熱抵抗体を作る方法として、クロム基盤上に短
ざく形のシリコン体全埋め込んだり、あるいは載置した
シしたターゲットを用い、これをスパッタリングする方
法を開発した。
しかし、これにおいても、上記ターゲツト体の構造によ
り、クロムとシリコンの組成においてバラツキのある薄
膜音生ずる場合があって、安定なものが得られなかった
ものである。
り、クロムとシリコンの組成においてバラツキのある薄
膜音生ずる場合があって、安定なものが得られなかった
ものである。
本発明は、ファクシミリ等のラインプリンタ用感熱記録
ヘッドおよび高速記録に係るものにおいても、安定で長
寿命な発熱抵抗体を有する高品質な感熱記録ヘッドを、
生産性よく供給することができる感熱記録ヘッドの製造
方法の提供ケ、その目的とするものである。
ヘッドおよび高速記録に係るものにおいても、安定で長
寿命な発熱抵抗体を有する高品質な感熱記録ヘッドを、
生産性よく供給することができる感熱記録ヘッドの製造
方法の提供ケ、その目的とするものである。
本発明に係る感熱記録ヘッドの製造方法の構成は、クロ
ムとシリコンを含むターゲットを、アルゴンガス雰囲気
中でスパッタリングして薄膜発熱抵抗体全形成する感熱
記録ヘッドの製造方法において、上記ターゲットとして
、クロムとシリコン全混合して焼成した焼結体であって
、クロムの比率が１Ｌ９ａｔ％〜５０ａｔ％の範囲にあ
るものを用いるようにしたものである。
ムとシリコンを含むターゲットを、アルゴンガス雰囲気
中でスパッタリングして薄膜発熱抵抗体全形成する感熱
記録ヘッドの製造方法において、上記ターゲットとして
、クロムとシリコン全混合して焼成した焼結体であって
、クロムの比率が１Ｌ９ａｔ％〜５０ａｔ％の範囲にあ
るものを用いるようにしたものである。
な２、これを要するに、本発明は、クロムの比率ｆ ｌ
９ ａ ｔ％〜５０ａｔ％、特に２２ａｔ％〜４５ａ
ｔ％とした、２元素に係る、クロムとシリコンを含む焼
結体をスパッタターゲットとして、アルゴンガス雰囲気
中におけるスパッタリングによって薄膜抵抗体を付着し
、これを発熱抵抗体とすることによって、生産性よく、
均一で安定な高品質感熱記録ヘッド？実現するようにし
たものである。
９ ａ ｔ％〜５０ａｔ％、特に２２ａｔ％〜４５ａ
ｔ％とした、２元素に係る、クロムとシリコンを含む焼
結体をスパッタターゲットとして、アルゴンガス雰囲気
中におけるスパッタリングによって薄膜抵抗体を付着し
、これを発熱抵抗体とすることによって、生産性よく、
均一で安定な高品質感熱記録ヘッド？実現するようにし
たものである。
本発明に係る感熱記録ヘッドの製造方法の実施例金、第
２図〜第４図を参照して説明する。
２図〜第４図を参照して説明する。
ここで、第２図は、各実施例に係るもののサンプルＮＯ
と、その焼結体ターゲット組成比とを示す組成比図、第
３図は、ステップストレス試、験結果ケ示す特性図、第
４図は、連続通電試験の結果を示す特性図である。
と、その焼結体ターゲット組成比とを示す組成比図、第
３図は、ステップストレス試、験結果ケ示す特性図、第
４図は、連続通電試験の結果を示す特性図である。
以下、本発明の各実施例に係るものについて、その材料
、条件、方法工程について説明する。
、条件、方法工程について説明する。
実施例１（サンプルＡｌ）
まず、クロム（Ｃｒ）粉末と、シリコン（Ｓｉ）粉末と
を１９ａｔ （原子）％／８１ａｔ（原子）％の比率
で混合させて、これ全ホットプレスにより焼成した。
を１９ａｔ （原子）％／８１ａｔ（原子）％の比率
で混合させて、これ全ホットプレスにより焼成した。
なお、本実施例において、焼成されたターゲットの形状
は、約１００てφＸ ５１ｉ１η１の寸法である。
は、約１００てφＸ ５１ｉ１η１の寸法である。
この焼結体ヲスパッタターゲットとじ、３×１０−’ｆ
’ｏｒｒまで真空に引いたのち、Ａｒ（アルゴンンガス
を６５μＨｇになるまで導入し、２極ＤＣスパツタで、
電極間距離６０ｍｍ、Ａｒ分圧４〜６＼１の−２’ｆ’
ｏｒｒ 、電力１００Ｗの条件でスパッタリングした。
’ｏｒｒまで真空に引いたのち、Ａｒ（アルゴンンガス
を６５μＨｇになるまで導入し、２極ＤＣスパツタで、
電極間距離６０ｍｍ、Ａｒ分圧４〜６＼１の−２’ｆ’
ｏｒｒ 、電力１００Ｗの条件でスパッタリングした。
これを発熱抵抗体として、感熱記録ヘッドを形成し、５
ＳＴ（ステップストレステスト）を行なった。
ＳＴ（ステップストレステスト）を行なった。
その結果、第３図のサンプルＡ１のような特性ケ有する
ことがわかった。
ことがわかった。
この結果をもとに、使用電力（感熱紙濃度最大全与える
電力）により連続°して電力を印加する連続通電テスト
を行なったところ、第４図のサンプルＡ１の結果ケ得た
。
電力）により連続°して電力を印加する連続通電テスト
を行なったところ、第４図のサンプルＡ１の結果ケ得た
。
すなわち、第３図に示すように、通常例の使用時におけ
る６〜８ Ｗ ／ｒｒｒｍ ２以上に印加電力を増大し
ても、その抵抗値変化は±１０％の範囲内という特性を
得たものである。
る６〜８ Ｗ ／ｒｒｒｍ ２以上に印加電力を増大し
ても、その抵抗値変化は±１０％の範囲内という特性を
得たものである。
甘た、第４図で、印加パルス数１０Ｘ１０７二１０８で
、抵抗変化率は７％程度であり、許容抵抗変化値は、１
０８パルスで±１０％であるので、サンプルＡ１は合格
である。
、抵抗変化率は７％程度であり、許容抵抗変化値は、１
０８パルスで±１０％であるので、サンプルＡ１は合格
である。
そして、クロム１９ａｔ％以下シリコン８１ａｔ％以上
のものでは、その抵抗１的が高く々って、発熱抵抗体と
しての使用時に、その電力消費が大となって不適当々も
のである。
のものでは、その抵抗１的が高く々って、発熱抵抗体と
しての使用時に、その電力消費が大となって不適当々も
のである。
実施例２（サンプルＡ２）
クロム粉末と、シリコン粉末とｉ、２２ａｔ％／ ７８
ａ ｔ％の比率で混合させて、これをホットプレスに
より焼成した。形状は、実施例１と同様である。
ａ ｔ％の比率で混合させて、これをホットプレスに
より焼成した。形状は、実施例１と同様である。
−ｔＬで、この焼結体をスパッタターゲットとし、実施
例１と同態様、同条件でスパッタリングした。
例１と同態様、同条件でスパッタリングした。
これケ発熱抵抗体として、感熱記録ヘッドを形成し、実
施例１と同様のテストヲ行なって、第３図、第４図のＡ
２のような結果を得たものである。
施例１と同様のテストヲ行なって、第３図、第４図のＡ
２のような結果を得たものである。
これにより、サンプルＡ２はサンプルＡ１と同様に合格
である。
である。
実施例３（サンプルＡ３）
クロム粉末と、シリコン粉末とｔ、３１ ａ １％／６
９ａｔ％の比率で混合させて、これ全ホットプレスによ
り焼成した。形状は、実施例１と同様である。
９ａｔ％の比率で混合させて、これ全ホットプレスによ
り焼成した。形状は、実施例１と同様である。
そして、この焼結体音スノくツタターゲットとし、実施
例１と同態様、同条件によりスノくツタリングし、これ
を発熱抵抗体として、感熱記録ヘッド全形成し、実施例
１と同様のテスト’（５行なって、第３図、第４図のＡ
３のような結果を得たものである。
例１と同態様、同条件によりスノくツタリングし、これ
を発熱抵抗体として、感熱記録ヘッド全形成し、実施例
１と同様のテスト’（５行なって、第３図、第４図のＡ
３のような結果を得たものである。
これにより、サンプルＡ３も、サンプルＡ２と同様に合
格である。
格である。
実施例４（サンプルＡ４）・
クロム粉末と、シリコン粉末と’ｒ、４５ａｔ％／ ５
５ ａ ｔ％の比率で混合させて、これをホットプレ
スにより焼成した。形状は、実施例１と同様である。
５ ａ ｔ％の比率で混合させて、これをホットプレ
スにより焼成した。形状は、実施例１と同様である。
そして、実施例１と同体にして感熱記録ヘッドｋ ７＋
’−成し、同様にテストして、第３，４図のＡ４のよう
な結果を得たものである。
’−成し、同様にテストして、第３，４図のＡ４のよう
な結果を得たものである。
これにより、サンプルＡ４も合格である。
実施例５（サンプルＡ．５）
クロム粉末と、シリコン粉末とｉ、５Ｑａｔ％／ ５
０ ａ ｔ％の比率で混合させて、これをホットプレス
により焼成した。形状は、実施例１と同様である。
０ ａ ｔ％の比率で混合させて、これをホットプレス
により焼成した。形状は、実施例１と同様である。
そして、実施例１と同様にして感熱記録ヘッドを形成し
、同様にテストして、第３．４図のＡ５のような結果を
得たものである。
、同様にテストして、第３．４図のＡ５のような結果を
得たものである。
これにより、サンプルＡ５も合格である。
しかして、クロム５Ｑａｔ％以上、シリコン５０ａｔ％
以下のものでは、その抵抗値が低くなって、発熱させる
ためには大きな電力を必要とし、これも不適当のもので
ある。
以下のものでは、その抵抗値が低くなって、発熱させる
ためには大きな電力を必要とし、これも不適当のもので
ある。
以上の各実施例により、スパッタターゲットの使用可能
範囲は、クロム（Ｃｒ）／シリコン（Ｓｌ）組成比が、
ａｔ（原子）％で、１９／８１〜５０１５０の範囲で混
合焼成したものが、発熱抵抗膜のスパッタターゲットと
じて適しているものである。
範囲は、クロム（Ｃｒ）／シリコン（Ｓｌ）組成比が、
ａｔ（原子）％で、１９／８１〜５０１５０の範囲で混
合焼成したものが、発熱抵抗膜のスパッタターゲットと
じて適しているものである。
そして、上記の範囲のなかでも、クロム（Ｃｒ）／シリ
コ・ン（Ｓｉ）組成比が２ ２／７ ８〜４５１５５の
範囲が最適であることば、第３，４図の結果かられかる
ものである。
コ・ン（Ｓｉ）組成比が２ ２／７ ８〜４５１５５の
範囲が最適であることば、第３，４図の結果かられかる
ものである。
以上述べたような各実施例に係るものによれば、特に、
その抵抗値ケ上げるために、第１図（ｂ）のような特殊
形状とすることを必要とせず、同図（ａ）のごとき単純
形状のものですみ、生産性のよい結果を招来するもので
あり、発熱抵抗体のクロムとシリコンの薄膜になったと
きの混合比、比抵抗の均一性が向上し、したがって各組
成比のもの全選択することによる、発熱抵抗体の抵抗値
のコントロールが容易となり、使用においては、高熱達
成による高速の可能性、高電圧、高加熱においても安定
で、長寿命、高信頼性外感熱記録ヘッドを提供できるも
のである。
その抵抗値ケ上げるために、第１図（ｂ）のような特殊
形状とすることを必要とせず、同図（ａ）のごとき単純
形状のものですみ、生産性のよい結果を招来するもので
あり、発熱抵抗体のクロムとシリコンの薄膜になったと
きの混合比、比抵抗の均一性が向上し、したがって各組
成比のもの全選択することによる、発熱抵抗体の抵抗値
のコントロールが容易となり、使用においては、高熱達
成による高速の可能性、高電圧、高加熱においても安定
で、長寿命、高信頼性外感熱記録ヘッドを提供できるも
のである。
また、上記各実施例に係るものでは、焼成ターゲットの
形状、大きさ孕、約１００ｍ＋ｎφ×５胴のものとした
が、この形状５寸法は、これに限定されるものではなく
、円筒状以外の各形状で、上記の寸法と大小のものとす
ることができるものである。
形状、大きさ孕、約１００ｍ＋ｎφ×５胴のものとした
が、この形状５寸法は、これに限定されるものではなく
、円筒状以外の各形状で、上記の寸法と大小のものとす
ることができるものである。
本発明により、ファクシミリ等のラインプリンおいても
、安定で長寿命な発熱抵抗体金有する高品質な感熱記録
ヘッド？生産性よく供給することができるもので、すぐ
れた効果を奏する発明ということができる。
、安定で長寿命な発熱抵抗体金有する高品質な感熱記録
ヘッド？生産性よく供給することができるもので、すぐ
れた効果を奏する発明ということができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、感熱記録ヘッドの発熱抵
抗体パターン例示図、第２図は、各実施例に係るものの
のザンブルＮＯと、その焼結体ターゲット組成比を示す
組成比図、第３図は、ステップストレス試験結果を示す
特性図、第４図は、連続通電試験の結果を示す特性図で
ある。 １．１′・・・発熱抵抗体、２・・・共通電極、３・・
単独、″、・ −゛（ （ほか１名）−”” 宅１図 ５７図 兎ω口
抗体パターン例示図、第２図は、各実施例に係るものの
のザンブルＮＯと、その焼結体ターゲット組成比を示す
組成比図、第３図は、ステップストレス試験結果を示す
特性図、第４図は、連続通電試験の結果を示す特性図で
ある。 １．１′・・・発熱抵抗体、２・・・共通電極、３・・
単独、″、・ −゛（ （ほか１名）−”” 宅１図 ５７図 兎ω口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 クロムとシリコンを含むターゲット全、アルゴン
ガス雰囲気中でスパッタリングして薄膜発熱抵抗体全形
成する感熱記録ヘッドの製造方法において、上記ターゲ
ットとして、クロムとシリコン全混合して焼成した焼結
体であって、クロムの比率が１９ａｔ％〜５０ａｔ％の
範囲にあるものを用いること全特徴とする感熱記録ヘッ
ドの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、クロム
の比率が２２ａｔ％〜４５ａｔ％の範囲にあるものを用
いるようにしたものである感熱記録ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174581A JPS5964372A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 感熱記録ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174581A JPS5964372A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 感熱記録ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964372A true JPS5964372A (ja) | 1984-04-12 |
Family
ID=15981053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57174581A Pending JPS5964372A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 感熱記録ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5964372A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541901A (en) * | 1977-05-02 | 1979-01-09 | Dechitsupuman Mekaniku E Idoro | Device for mining submarine oil field |
| JPS56130374A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Thermal head |
| JPS5739976A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-05 | Hitachi Ltd | Thermal head |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57174581A patent/JPS5964372A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541901A (en) * | 1977-05-02 | 1979-01-09 | Dechitsupuman Mekaniku E Idoro | Device for mining submarine oil field |
| JPS56130374A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Thermal head |
| JPS5739976A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-05 | Hitachi Ltd | Thermal head |
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