JPS5964908A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPS5964908A JPS5964908A JP57175203A JP17520382A JPS5964908A JP S5964908 A JPS5964908 A JP S5964908A JP 57175203 A JP57175203 A JP 57175203A JP 17520382 A JP17520382 A JP 17520382A JP S5964908 A JPS5964908 A JP S5964908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- aluminum nitride
- film
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 36
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 31
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 27
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000123069 Ocyurus chrysurus Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003601 intercostal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特性的に憂れた新しい構造の弾性表面ｅ、素
子に関１−るものである。
子に関１−るものである。
弾性表面波（５ｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａ
ｖｅ ）を利用することにより各種の電気的信号を扱う
ための弾性表面波素子を構成する構造（基板）としては
従来、 】、圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板、圧１４
ｔセラミックス県板等）、 ２、非圧電体基板上に圧電膜を形成したＷ４造、３、
半導体基板上に圧電膜を形成した構造、等がり、ＩＪら
れている。
ｖｅ ）を利用することにより各種の電気的信号を扱う
ための弾性表面波素子を構成する構造（基板）としては
従来、 】、圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板、圧１４
ｔセラミックス県板等）、 ２、非圧電体基板上に圧電膜を形成したＷ４造、３、
半導体基板上に圧電膜を形成した構造、等がり、ＩＪら
れている。
ところで上述の２．０多層措造としては、現在のところ
ザファイヤ基板上もしくはガラス基板上にスパンタリン
グ法等により酸化亜鉛（ＺｎＯ）を形成した構造が仰ら
れているが、このＺｎＯ脱は以下のような欠点が存在す
るため問題がある。
ザファイヤ基板上もしくはガラス基板上にスパンタリン
グ法等により酸化亜鉛（ＺｎＯ）を形成した構造が仰ら
れているが、このＺｎＯ脱は以下のような欠点が存在す
るため問題がある。
１、 良質な膜か形成しにくいため圧電性等の点で十分
１り現性のあるものが得られない。
１り現性のあるものが得られない。
２、高周波領域において弾性表ｉ＋’ｎ鼓の伝播損失が
多い。
多い。
３ 弾性表面波伝播特性の分散が大きい。
４、 弾性表面波の遅延時間τの温度変化率（１／τ）
・（ａτ／θ７’ ）の制御が困難である。（Ｔ：周囲
温度） 本発明はこれらの問題点に対処してなされたものであり
、弾性表面波に対する遅延時間温度係数が正である弾性
体基板上に二酸化シリコン膜を形成し、さらにその上に
窒化アルミニウム膜を形成した弾性体構造（基板）を用
いることを根本的特徴とするもので、特にシリコン単結
晶基板を用いた弾性表面波素子を提供することを目的と
′ｆ７Ｎものであ７）、Ｊｕ以下面を参ｊ）６シて本発
明実施例を説明する。
・（ａτ／θ７’ ）の制御が困難である。（Ｔ：周囲
温度） 本発明はこれらの問題点に対処してなされたものであり
、弾性表面波に対する遅延時間温度係数が正である弾性
体基板上に二酸化シリコン膜を形成し、さらにその上に
窒化アルミニウム膜を形成した弾性体構造（基板）を用
いることを根本的特徴とするもので、特にシリコン単結
晶基板を用いた弾性表面波素子を提供することを目的と
′ｆ７Ｎものであ７）、Ｊｕ以下面を参ｊ）６シて本発
明実施例を説明する。
第１図は本発明実施例による弾性表面波集子を示−ｆ
ｌ（ｊ＋而面で、■はシリコン単結晶基板で（１１１）
結晶面、（ｉｌｏ）Ｍｊ結晶面るいは（１００）結晶面
と等１曲な而でカットされたものから成り、２はこのシ
リコン単Ａ、吉晶基板１上に形成された二酸化シリコン
膜（５ｉＯｚ ）、 ３はこの二酸化シリコン膜２（Ｓ
ｉ（Ｊ２）上に形成された類比アルミニウム膜でそのｆ
ｆ、指、Ｉｌ・ｉｌｌ （Ｃ’ｌ市もしくは（０００１
）ｔｆＡＩＩ）は上記シリコンＪ￥１結晶基板ｌに垂直
もしくは平行になるように形成される。４，５は上記類
比アルミニウム膜３表面に形成されたくし型状から成る
弾性表面波発生用ｔ、ｌ、 ’ｌ’ｆＬおよび検出用電
極で、Ｄは二酸化シリコンｌｉ！ａ ２の１漠厚、■■
は類比アルミニウム膜３の膜厚である。
ｌ（ｊ＋而面で、■はシリコン単結晶基板で（１１１）
結晶面、（ｉｌｏ）Ｍｊ結晶面るいは（１００）結晶面
と等１曲な而でカットされたものから成り、２はこのシ
リコン単Ａ、吉晶基板１上に形成された二酸化シリコン
膜（５ｉＯｚ ）、 ３はこの二酸化シリコン膜２（Ｓ
ｉ（Ｊ２）上に形成された類比アルミニウム膜でそのｆ
ｆ、指、Ｉｌ・ｉｌｌ （Ｃ’ｌ市もしくは（０００１
）ｔｆＡＩＩ）は上記シリコンＪ￥１結晶基板ｌに垂直
もしくは平行になるように形成される。４，５は上記類
比アルミニウム膜３表面に形成されたくし型状から成る
弾性表面波発生用ｔ、ｌ、 ’ｌ’ｆＬおよび検出用電
極で、Ｄは二酸化シリコンｌｉ！ａ ２の１漠厚、■■
は類比アルミニウム膜３の膜厚である。
以上の（４Ｊ’ａの連１テに表面波素子に対して、窒化
アルミニウム膜３の出’？＠； ！ｉ’ｌ１１力向と垂
直な方向に弾性表面波を励振（伝播）させた時、第５図
（Ｎ、（旬。
アルミニウム膜３の出’？＠； ！ｉ’ｌ１１力向と垂
直な方向に弾性表面波を励振（伝播）させた時、第５図
（Ｎ、（旬。
（（シ）に７に丁ようなす１４（性表面波の速度分散特
性が得られた。同図において横軸は窒化アルミニウム膜
３の規格化された厚さを２πＨ／λ（ここでスは弾性表
面波の波長）で示し、縦軸は弾性表面波の位相速度Ｖ、
を示し、二酸化シリコン膜２の規格化された厚さ２πＤ
／λをパラメータにとった場合を示すものである。
性が得られた。同図において横軸は窒化アルミニウム膜
３の規格化された厚さを２πＨ／λ（ここでスは弾性表
面波の波長）で示し、縦軸は弾性表面波の位相速度Ｖ、
を示し、二酸化シリコン膜２の規格化された厚さ２πＤ
／λをパラメータにとった場合を示すものである。
これらのうち第５図（５）はシリコン単結晶基板上の（
１１１）面上で（１１２）軸方向と等価な方向に弾性表
面波を伝播させた時、第５図（Ｂ）はシリコン単結晶基
板１の（１１０）面上で（００１）軸方向と等仙ｌな方
向に弾性表面波を伝播させた時、第５図（Ｃ）はシリコ
ン単結晶基板１の（００１）面上で（１１０）軸方向と
等価な方向に弾性表面波を伝播させた時の各特性を示し
ている。
１１１）面上で（１１２）軸方向と等価な方向に弾性表
面波を伝播させた時、第５図（Ｂ）はシリコン単結晶基
板１の（１１０）面上で（００１）軸方向と等仙ｌな方
向に弾性表面波を伝播させた時、第５図（Ｃ）はシリコ
ン単結晶基板１の（００１）面上で（１１０）軸方向と
等価な方向に弾性表面波を伝播させた時の各特性を示し
ている。
第５図（Ｎ９回、 ＴＱの各特性から明らかなように位
相速度Ｖ、の分散は少なく、しかも非常に大きな値の位
相速度■、が得られる。
相速度Ｖ、の分散は少なく、しかも非常に大きな値の位
相速度■、が得られる。
また第６図（５）はそれによって得られた電気機械結合
係数の特性曲線を示すもので、横軸は２πＨ／λで示し
、縦軸は電気機械結合係数にの二乗Ｋ を百分率で示す
ものである。同図はシリコン単結晶基板１の（０１）１
）面上で（１１０）軸方向と等価な方向に弾性表面波を
伝播させた時の特性を示している。
係数の特性曲線を示すもので、横軸は２πＨ／λで示し
、縦軸は電気機械結合係数にの二乗Ｋ を百分率で示す
ものである。同図はシリコン単結晶基板１の（０１）１
）面上で（１１０）軸方向と等価な方向に弾性表面波を
伝播させた時の特性を示している。
同図において素子Ａが第１図の構造に対応した特性を示
しており、通常弾性表面波を発生および検出させるに充
分なに２が得られ、圧１に性に優れていることを示し７
でいろ。
しており、通常弾性表面波を発生および検出させるに充
分なに２が得られ、圧１に性に優れていることを示し７
でいろ。
さらに第７図（Ａ）、 ｔｎ＋、 （Ｑはそれによって
得られた弾性表面波に対する遅延時間温度係数（ＴＣＤ
）の特性曲線を示すもので、横軸は２πＨ／λで示し、
縦Ｉｍは弾性表面波の遅延時間τの温度変化率（１／τ
）・（ａτ／ａ’ｌ’）をｐｐｍ／Ｃ単位で示すもので
ある。
得られた弾性表面波に対する遅延時間温度係数（ＴＣＤ
）の特性曲線を示すもので、横軸は２πＨ／λで示し、
縦Ｉｍは弾性表面波の遅延時間τの温度変化率（１／τ
）・（ａτ／ａ’ｌ’）をｐｐｍ／Ｃ単位で示すもので
ある。
これらのうち第７図（Ｎはシリコン単結晶基板ｌの（Ｉ
ｌｌ）面上で（１１２）軸方向と等価な方向に弾性表面
波素子播させた時、以下同様に第７図ＩＢ）は（１１Ｏ
）面上で（００１）軸力向と等価な方向に伝播させた時
、第７図＋ｑは（００１）面上で（１１０）軸方向と等
価な方向に＠播させた時の各特性を示している。
ｌｌ）面上で（１１２）軸方向と等価な方向に弾性表面
波素子播させた時、以下同様に第７図ＩＢ）は（１１Ｏ
）面上で（００１）軸力向と等価な方向に伝播させた時
、第７図＋ｑは（００１）面上で（１１０）軸方向と等
価な方向に＠播させた時の各特性を示している。
ここでシリコン単結晶基板ｌは正の遅延時間温度係数を
有しているのに対し、二酸化シリコン膜２および窒化ア
ルミニウム膜３は逆に負の遅延時間温度係数を有してい
るために、各々の総合特性は両者が補償し合った値とな
り、二酸化シリコン膜２の膜厚りおよび望化アルミニウ
ムＩＩ！Ｑ３の膜厚Ｈの変化に応じて変ってくる。膜厚
りおよび１１を適当に選ぶことにより遅延時間の温度変
化率を零に近ずけることができる。
有しているのに対し、二酸化シリコン膜２および窒化ア
ルミニウム膜３は逆に負の遅延時間温度係数を有してい
るために、各々の総合特性は両者が補償し合った値とな
り、二酸化シリコン膜２の膜厚りおよび望化アルミニウ
ムＩＩ！Ｑ３の膜厚Ｈの変化に応じて変ってくる。膜厚
りおよび１１を適当に選ぶことにより遅延時間の温度変
化率を零に近ずけることができる。
次に第１図の構造の弾性表面波素子に対して、窒化アル
ミニウム膜３の圧電軸方向と水平な方向に弾性表面波を
伝播させた時は、第５図（口、（Ｅｌ。
ミニウム膜３の圧電軸方向と水平な方向に弾性表面波を
伝播させた時は、第５図（口、（Ｅｌ。
υつに示すような弾性表面波の速度分散特性が得られた
。
。
これらのうち第５図向はシリコン単結晶基板１の（１１
１）面上で（１１２）軸方向と等価な方向に弾性表面波
を伝播させた時、同様に第５図化）は（１１０）面上で
（００１）軸方向と等価な方向に伝播させた時、８５図
（ＩＩ”）ハ（００１）面上で（１００）軸方向と等価
な方向に伝播させた時の各特性を示している。
１）面上で（１１２）軸方向と等価な方向に弾性表面波
を伝播させた時、同様に第５図化）は（１１０）面上で
（００１）軸方向と等価な方向に伝播させた時、８５図
（ＩＩ”）ハ（００１）面上で（１００）軸方向と等価
な方向に伝播させた時の各特性を示している。
第５図（ＤＪ、 （Ｅｌ、 （Ｐ’ｌの各特性から明ら
かなように位相速度Ｖ の分散は少なく、しがも非常に
大ぎな値の位相速度■ｐが得られる。
かなように位相速度Ｖ の分散は少なく、しがも非常に
大ぎな値の位相速度■ｐが得られる。
また第６図ｆＢ）はその時得られた電気機械結合係数の
特性曲線を示すもので、シリコン単結晶基板１の（００
＋）面上で（１００）軸力向と等価な方向に弾性表面波
を伝播させた時の特性を示している。素子Ａが第１図の
構造に対応した特性χ示しており、通常弾性表面沢乞発
生および検出させるに充分な２ ＋ Ｋか得られ、圧電性に侵れていることを示している。
特性曲線を示すもので、シリコン単結晶基板１の（００
＋）面上で（１００）軸力向と等価な方向に弾性表面波
を伝播させた時の特性を示している。素子Ａが第１図の
構造に対応した特性χ示しており、通常弾性表面沢乞発
生および検出させるに充分な２ ＋ Ｋか得られ、圧電性に侵れていることを示している。
さらに第７図＋１））、 ｔｌｑ、 ！１”）はその時
得られた弾性表面波に対する遅延時間温度係数（’Ｉ’
ＣＤ）の特性曲線ン示すものである。
得られた弾性表面波に対する遅延時間温度係数（’Ｉ’
ＣＤ）の特性曲線ン示すものである。
これらのうち第７Ｍｌ］）ｌはシリコン単結晶基板ｌの
（１１１）面上で（１１２）軸方向と等価な方向に弾性
表面波を伝播６せた時、同様に第７図（Ｅ）は（１１０
）面上で（００１）軸方向と等価な方向に伝播させた時
第７図１ ｆｌ）は（００１）面上で〔１００〕軸方向
と等仙１な方向に伝播させた時の各特性火水している。
（１１１）面上で（１１２）軸方向と等価な方向に弾性
表面波を伝播６せた時、同様に第７図（Ｅ）は（１１０
）面上で（００１）軸方向と等価な方向に伝播させた時
第７図１ ｆｌ）は（００１）面上で〔１００〕軸方向
と等仙１な方向に伝播させた時の各特性火水している。
第７図（Ａｌ〜０パ）から明らかなように、二酸化シリ
コンＰ、 ２の膜厚■）をＯ（２πＤ／λ〈１０、窒化
アルミニウム膜３の膜厚Ｈを０．１＜２πＨ／λ＜３０
の範囲に各々選ぶことにより、遅延時間の温度変化率を
小さく１−ることができ乙。さらにシリコン単結晶基板
ｌの結晶面と二酸化シリコンＩＩ！ｉ！ ２の膜厚りお
よび窒化アルミニウム膜３の膜厚１■を適当に選んで組
み合わせることにより遅延肋間温度係数を零にすること
ができる。
コンＰ、 ２の膜厚■）をＯ（２πＤ／λ〈１０、窒化
アルミニウム膜３の膜厚Ｈを０．１＜２πＨ／λ＜３０
の範囲に各々選ぶことにより、遅延時間の温度変化率を
小さく１−ることができ乙。さらにシリコン単結晶基板
ｌの結晶面と二酸化シリコンＩＩ！ｉ！ ２の膜厚りお
よび窒化アルミニウム膜３の膜厚１■を適当に選んで組
み合わせることにより遅延肋間温度係数を零にすること
ができる。
第２図乃至第４図は本発明の他の実施例を示す断面図で
、第２図はシリコン単結晶基板ｌ上に二酸化シリコン映
２を形成してその表面部に５１ｊｊ性表面波発生用電極
４および検出用’ｉＵ’、 極５を形成した後、これら
ｔ情うように窒化アルミニウム膜３を形成した構造を示
すものである。また第３図はシリコン単結晶基板ｌ上に
二酸化シリコン膜２ン形成し、その表面部に第２電極と
して一対のしやへい電極６乞形成した後、これらを檄つ
ように窒化アルミニウム膜３を形成しこの表ａ１１に第
１］コ、極として弾性表面波発生用電極４および検出用
柘、極５乞形成した栴造乞示すものである。
、第２図はシリコン単結晶基板ｌ上に二酸化シリコン映
２を形成してその表面部に５１ｊｊ性表面波発生用電極
４および検出用’ｉＵ’、 極５を形成した後、これら
ｔ情うように窒化アルミニウム膜３を形成した構造を示
すものである。また第３図はシリコン単結晶基板ｌ上に
二酸化シリコン膜２ン形成し、その表面部に第２電極と
して一対のしやへい電極６乞形成した後、これらを檄つ
ように窒化アルミニウム膜３を形成しこの表ａ１１に第
１］コ、極として弾性表面波発生用電極４および検出用
柘、極５乞形成した栴造乞示すものである。
さらに第４図はシリコン単結晶基板ｌ上に二酸化シリコ
ン国２乞形成しその表面部に第１電極として弾性表面波
発生用ηＪ、極４および検出用電極５を形成した後、こ
れら２榛うように窒化アルミニウム膜：３を形成しこの
表面に部分的に第２電極として一対のしやへい電極６を
形成した構造を示すものである。
ン国２乞形成しその表面部に第１電極として弾性表面波
発生用ηＪ、極４および検出用電極５を形成した後、こ
れら２榛うように窒化アルミニウム膜：３を形成しこの
表面に部分的に第２電極として一対のしやへい電極６を
形成した構造を示すものである。
以上の各構造のツ１１（性表面波素子に対して、窒化ア
ルミニウムｒ１＝＋ ３の用電軸方向と垂直な方向に弾
性表面波を伝抽さ・せた時、第５図ｔＡＪ、 （ＢＬ
（Ｃ）に示すような弾性表面波の速度分散特性が得られ
た。
ルミニウムｒ１＝＋ ３の用電軸方向と垂直な方向に弾
性表面波を伝抽さ・せた時、第５図ｔＡＪ、 （ＢＬ
（Ｃ）に示すような弾性表面波の速度分散特性が得られ
た。
こｉｔら各特性から明らかなように位相速度Ｖｐの分散
は少な（、しかも非常に大きな値の位相速度■、が侍ら
１シる。
は少な（、しかも非常に大きな値の位相速度■、が侍ら
１シる。
またそれによって第６図（Ｎに示すようなに％性が借ら
れた。
れた。
同図において素子１３は第２図の構造に対応した特性を
、素子Ｃは２１４３図の構造に対応した特性を、素子り
は第４図のオ（τ造に対応した各特性を示しており、仙
常仲、性表向波ケ発生および検出させるに充分なＩ（か
旬ら」し、圧電性に浚れていること７示している。
、素子Ｃは２１４３図の構造に対応した特性を、素子り
は第４図のオ（τ造に対応した各特性を示しており、仙
常仲、性表向波ケ発生および検出させるに充分なＩ（か
旬ら」し、圧電性に浚れていること７示している。
さらにそれによって第７１ａ（Ａ＋、 ＋１３１． ＋
ｃ＋に示すような弾性表面波に対する遅延１９１ｆｌ温
度係数（’Ｊ’ＣＩ））の特性曲線が得られた。
ｃ＋に示すような弾性表面波に対する遅延１９１ｆｌ温
度係数（’Ｊ’ＣＩ））の特性曲線が得られた。
各特性から明らかなように、二酸化シリコン膜２の膜厚
りおよび窒化アルミニウム膜３の膜厚１−１を適当に選
ぶことにより、遅延時間の温度変化率を零に近ずけるこ
とかできる。
りおよび窒化アルミニウム膜３の膜厚１−１を適当に選
ぶことにより、遅延時間の温度変化率を零に近ずけるこ
とかできる。
同様に８１４２図乃至第４図の各ｊｌＦ４造り弾性表向
波素子に対して、窒化アルミニウム膜３の圧霜１軸力向
と水平な方向に弾性表面波を伝１１もさせた後、第５図
（Ｌ）ｌ、 Ｂ）、 ＩＦに示すような弾性表面波の速
度分散特性が得られた。これら各特性から明らかなよう
に位相速度■ｐの分散は少な（、しかも非常に大きな値
の位相速度Ｖ、が得られる。
波素子に対して、窒化アルミニウム膜３の圧霜１軸力向
と水平な方向に弾性表面波を伝１１もさせた後、第５図
（Ｌ）ｌ、 Ｂ）、 ＩＦに示すような弾性表面波の速
度分散特性が得られた。これら各特性から明らかなよう
に位相速度■ｐの分散は少な（、しかも非常に大きな値
の位相速度Ｖ、が得られる。
またそれによって第６図（Ｂｌに示すよりなｋ ７時性
が得られた。各特性から明らかなように、通當弾性表面
波を発生および検出させるに充分なに２が得られ、圧電
性に優れていること７示している。
が得られた。各特性から明らかなように、通當弾性表面
波を発生および検出させるに充分なに２が得られ、圧電
性に優れていること７示している。
さらにそれによって第７図Ｕ））、 （Ｅｌ、 ｔＦｌ
に示すような弾性表面波に対する遅延時間温度係数（Ｔ
Ｃ］） ）の特特性線が得られた。各特性から明らか
なように、二酸化シリコン膜２の膜厚Ｄ’ＹＯ＜２πＤ
／λ（１，０、窒化アルミニウム膜３の膜厚■］を０．
１〈２πｌ−１／λ＜３．０の範囲に各々選ふことによ
り、遅延時間の湿度弯化率乞小さくすることができる。
に示すような弾性表面波に対する遅延時間温度係数（Ｔ
Ｃ］） ）の特特性線が得られた。各特性から明らか
なように、二酸化シリコン膜２の膜厚Ｄ’ＹＯ＜２πＤ
／λ（１，０、窒化アルミニウム膜３の膜厚■］を０．
１〈２πｌ−１／λ＜３．０の範囲に各々選ふことによ
り、遅延時間の湿度弯化率乞小さくすることができる。
さらにシリコン単結晶基板１の結晶面と二酸化シリコン
胆２の膜厚１）および窒化アルミニウム膜３の膜厚１１
乞逆当にフ宅んで組み合わせることにより遅延時間温度
変化率を零にすることができる。
胆２の膜厚１）および窒化アルミニウム膜３の膜厚１１
乞逆当にフ宅んで組み合わせることにより遅延時間温度
変化率を零にすることができる。
各実施例で用いられた窒化アルミニウム膜３はバンドギ
ャップが約６．２ｅＶと犬ぎ（、また比抵抗か１０ １
Ｊｔｓ以上のものが容易に得られるので良好な絶縁性を
示す。この窒化アルミニウム膜３はｈ＋ ＜） −ＣＶ
Ｄ法、スパンクリング法等の周矧の技術７用いて容易
に形成することができる。また窒化−アルミニウム−３
は＋１）現時に優れ、膜質が均一なものが得られるので
特に茜周波における伝播損失７小さく抑えることができ
ろ。
ャップが約６．２ｅＶと犬ぎ（、また比抵抗か１０ １
Ｊｔｓ以上のものが容易に得られるので良好な絶縁性を
示す。この窒化アルミニウム膜３はｈ＋ ＜） −ＣＶ
Ｄ法、スパンクリング法等の周矧の技術７用いて容易
に形成することができる。また窒化−アルミニウム−３
は＋１）現時に優れ、膜質が均一なものが得られるので
特に茜周波における伝播損失７小さく抑えることができ
ろ。
上記！−１′：化アルミニウム膜および二酸化シリコン
膜は弾性表面波に対する遅延時間温度係数が負である性
質を有しているので、シリコン単結晶基板のようにそれ
と逆に遅延時間温度係数が止である性質を有している基
板」二に形成１−れば遅延時間温度係数は相互に補０′
ｔされるために、温度変化に対して安定な特性？得るこ
とができる。特に温度変化に対する素子の安定性は共振
器、発擾器等の狭帯域信乞処理素子において最も重要な
性能であるが、上記各実施例構造に」これば温度変化に
約して安定な動作馨行わせることができる。
膜は弾性表面波に対する遅延時間温度係数が負である性
質を有しているので、シリコン単結晶基板のようにそれ
と逆に遅延時間温度係数が止である性質を有している基
板」二に形成１−れば遅延時間温度係数は相互に補０′
ｔされるために、温度変化に対して安定な特性？得るこ
とができる。特に温度変化に対する素子の安定性は共振
器、発擾器等の狭帯域信乞処理素子において最も重要な
性能であるが、上記各実施例構造に」これば温度変化に
約して安定な動作馨行わせることができる。
さらに本発明の各実施例構造によれば大きな弾性表面波
速度が得られ、しかも弾性表面波速度の周波数分散およ
び膜厚変動による周波数変動率２小さく抑えることがで
きると共に良好な圧電性を得ることができる。
速度が得られ、しかも弾性表面波速度の周波数分散およ
び膜厚変動による周波数変動率２小さく抑えることがで
きると共に良好な圧電性を得ることができる。
上記二酸化シリコン膜および窒化アルミニウム膜を形成
丁べき基板としてはシリコン単結晶に限らず、遅延時間
温度係数が負である材料であれば任急のもの乞選択する
ことができる。
丁べき基板としてはシリコン単結晶に限らず、遅延時間
温度係数が負である材料であれば任急のもの乞選択する
ことができる。
以上述べて明らかなように本発明によれは、シ甲性六面
波に夕」′１ろ遅延時間温度係数が正である弾性体基板
−Ｌに二１１β化シリコン膜を形成し、さらにその上に
窒化シリコン腸な形成するようにした弾性体１１咋造ゲ
用いく）ものであるから、特性的に優れた弾性表面波素
子ケ得ることができる。
波に夕」′１ろ遅延時間温度係数が正である弾性体基板
−Ｌに二１１β化シリコン膜を形成し、さらにその上に
窒化シリコン腸な形成するようにした弾性体１１咋造ゲ
用いく）ものであるから、特性的に優れた弾性表面波素
子ケ得ることができる。
以上説明した本発明によれば次のような効果が得られる
。
。
■。 弾性イモ面ｍ＝度か大きいため高周波での波長が
大きくなるので、（し型状′電極等の製造が容易になる
。
大きくなるので、（し型状′電極等の製造が容易になる
。
２ 膜厚賀動による周ｅ、数変動率が小さいので設計し
た動作周波数に合わせた素子の製造が容易となるため、
歩留りか向上しコストダウンを計ることができろ。
た動作周波数に合わせた素子の製造が容易となるため、
歩留りか向上しコストダウンを計ることができろ。
３ デ１（外衣白波素子の遅延時間の温度変化率を零に
することができる。
することができる。
４、 Ｎ＋ Ｕ −ＣＶ ＪＪ法等の技術を用いるこ
とにより絶縁件に冨んだ良質の二酸化シリコン膜および
望化アルミニウム１１％を容易に得ることができる。
とにより絶縁件に冨んだ良質の二酸化シリコン膜および
望化アルミニウム１１％を容易に得ることができる。
な」ｄ本文実施（＋ＩＪ中で示した基板および基板上に
形成された窒化アルミニウム膜の結晶面および弾性表面
波を伝播させる結晶方位は、実施例に限らず適当な選択
を行うことができる。また弾性表面波発生用′＠、極お
よび検出用電極の構造についても同様である。
形成された窒化アルミニウム膜の結晶面および弾性表面
波を伝播させる結晶方位は、実施例に限らず適当な選択
を行うことができる。また弾性表面波発生用′＠、極お
よび検出用電極の構造についても同様である。
第１図乃至第４図はいずれも本発明実施例を示″′ｆ断
面図、第５図（Ｎ〜（０、第６図＋ＡＪ、 （Ｂｌおよ
び第７図（Ａｌ〜Ｗ）はいずれも本発明により得られた
結果を示す特性図である。 ■・・・シリコン単結晶基板、２・・・二酸化シリコン
膜、３°・・窒化アルミニウム膜、４・・・弾性表面波
発生用電極、５・・・弾性表面波検出用電極、６・・・
しやへい電極。 特許出願人 御子柴 置火 坪 内 和 夫 傭７図（Ａ） 汀Ｈ／入 第７図（Ｂ） ２πＨ／入 −一 第７図（Ｃ） ２ ＴＨ／λ −− 第７図（Ｄ） ２ＴＣＨ／入 −一→−− 第７図（Ｅ） ２ＴＨ／入 → 第７図（Ｆ） ２ ｒｔ−Ｈ／入 →
面図、第５図（Ｎ〜（０、第６図＋ＡＪ、 （Ｂｌおよ
び第７図（Ａｌ〜Ｗ）はいずれも本発明により得られた
結果を示す特性図である。 ■・・・シリコン単結晶基板、２・・・二酸化シリコン
膜、３°・・窒化アルミニウム膜、４・・・弾性表面波
発生用電極、５・・・弾性表面波検出用電極、６・・・
しやへい電極。 特許出願人 御子柴 置火 坪 内 和 夫 傭７図（Ａ） 汀Ｈ／入 第７図（Ｂ） ２πＨ／入 −一 第７図（Ｃ） ２ ＴＨ／λ −− 第７図（Ｄ） ２ＴＣＨ／入 −一→−− 第７図（Ｅ） ２ＴＨ／入 → 第７図（Ｆ） ２ ｒｔ−Ｈ／入 →
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、弾性表向波に対する遅延時間温度係数が正であるシ
リコン単結晶を主たる構成要素とする弾性体基板と、こ
の弾性体基板上に形成された二酸化シリコン膜と、この
二酸化シリコン膜上に形成されかつ圧電軸が配回した窒
化アルミニウム膜と、これら所定位置に形成された電極
とを含むことを％徴と′１−る弾性表面波素子。 ２、 上記弾性体基板がシリコン単結晶から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性底面波素子
。 ３、 上記シリコン単結晶が（Ｉｌｌ ）結晶面と等価
な而から成り、窒化アルミニウム膜の圧電軸が上記シリ
コン単結晶上に二酸化シリコン膜を形成した基板面に垂
直あるいは水平になるように形成され、上記窒化アルミ
ニウム膜の圧電軸方向と垂１αｔ）ろいは水平な方向に
弾性表面波を伝播させることを特徴とする特許請求の範
囲第２頂記載の弾性表面波素子。 ４、 上記窒化アルミニウム膜の膜厚Ｈが、２πＶλ（
３，０（ただし、λは弾性表面波の波長を示す）の範囲
に属することな特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
弾性表面波素子。 ５、 上記シリコン単結晶が（１１０）結晶面と等価な
面から成り、窒化アルミニウム模の圧電軸が上記シリコ
ン単結晶上に二酸化シリコン膜を形成した基板面に垂直
あるいは水平になるように形成され、上記窒化アルミニ
ウム膜の圧電軸方向と垂直あるいは水平な方向に弾性表
面波を伝播させることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の弾性表面波素子。 ６、 上記窒化アルミニウム膜の膜厚Ｈが、２π１１／
λ＜６．０の範囲に属することを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の弾性表面波素子。 ７、 上記シリコン単結晶が（１００）結晶面と等価な
面から成り、窒化アルミニウム膜の圧電軸が上記シリコ
ン単結晶上に二酸化シリコン膜を形成した基板面に垂直
あるいは水平になるように形成され、上記窒化アルミニ
ウム膜の圧電軸方向と垂直あるいは水平な方向に弾性表
面波を伝播させることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の弾性表面波素子。 ８、 上記窒化アルミニウム膜の膜厚Ｈが、２πＨ／λ
〈６．０の範囲に川１−ることを特徴とする特許請求の
ｌｉ、ｉ！問第７項記載のす１ｐ性表面波素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175203A JPS5964908A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 弾性表面波素子 |
| US06/536,926 US4516049A (en) | 1982-10-05 | 1983-09-28 | Multi-layer acoustic surface wave device having minimal delay time temperature coefficient |
| GB08326084A GB2130452A (en) | 1982-10-05 | 1983-09-29 | Acoustic surface wave device |
| FR8315873A FR2534089B1 (fr) | 1982-10-05 | 1983-10-05 | Dispositif a onde acoustique de surface |
| DE3336281A DE3336281C2 (de) | 1982-10-05 | 1983-10-05 | SAW-Oberflächenwellenbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175203A JPS5964908A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 弾性表面波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964908A true JPS5964908A (ja) | 1984-04-13 |
| JPH0218614B2 JPH0218614B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=15992090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57175203A Granted JPS5964908A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 弾性表面波素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4516049A (ja) |
| JP (1) | JPS5964908A (ja) |
| DE (1) | DE3336281C2 (ja) |
| FR (1) | FR2534089B1 (ja) |
| GB (1) | GB2130452A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01233819A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス |
| JPH01236712A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス |
| WO1989008949A1 (en) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
| JP2010045752A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Tatung Univ | 高周波表面音響波デバイスおよびその基板 |
| JP2012512597A (ja) * | 2008-12-17 | 2012-05-31 | サンドナイン インコーポレイテッド | 温度補償構造体を備える機械共振構造体 |
| US9762202B2 (en) | 2008-12-17 | 2017-09-12 | Analog Devices, Inc. | Method of manufacturing a mechanical resonating structure |
| US10800649B2 (en) | 2016-11-28 | 2020-10-13 | Analog Devices International Unlimited Company | Planar processing of suspended microelectromechanical systems (MEMS) devices |
| US10843920B2 (en) | 2019-03-08 | 2020-11-24 | Analog Devices International Unlimited Company | Suspended microelectromechanical system (MEMS) devices |
| JP2020205621A (ja) * | 2017-02-14 | 2020-12-24 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2181917B (en) * | 1982-03-11 | 1987-11-18 | Nobuo Mikoshiba | Surface acoustic wave device |
| GB2181918B (en) * | 1982-03-11 | 1987-11-18 | Nobuo Mikoshiba | Surface acoustic wave device |
| JPS60119114A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| US4695986A (en) * | 1985-03-28 | 1987-09-22 | Ultrasonic Arrays, Inc. | Ultrasonic transducer component and process for making the same and assembly |
| JPS6362281A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
| US5235233A (en) * | 1988-03-17 | 1993-08-10 | Fanuc Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JPH0217707A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-22 | Clarion Co Ltd | 広帯域弾性表面波フィルタ |
| US5215546A (en) * | 1990-09-04 | 1993-06-01 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for SAW device passivation |
| JPH04343514A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| US5453652A (en) * | 1992-12-17 | 1995-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with interdigital transducers formed on a holding substrate thereof and a method of producing the same |
| US5446330A (en) * | 1993-03-15 | 1995-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a lamination structure |
| US5576589A (en) * | 1994-10-13 | 1996-11-19 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond surface acoustic wave devices |
| EP0762640B1 (en) * | 1995-09-01 | 2001-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US5831492A (en) * | 1995-09-15 | 1998-11-03 | Sawtek Inc. | Weighted tapered spudt saw device |
| US5818310A (en) * | 1996-08-27 | 1998-10-06 | Sawtek Inc. | Series-block and line-width weighted saw filter device |
| US6049155A (en) * | 1997-10-27 | 2000-04-11 | Lucent Technologies Inc. | Thermally tunable surface acoustic wave devices |
| DE10119293A1 (de) * | 2001-04-19 | 2002-11-21 | Stiftung Caesar | Berührungslose magnetoelastische Sensoren |
| JP2005176152A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP4279271B2 (ja) | 2005-06-01 | 2009-06-17 | アルプス電気株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JPWO2009098840A1 (ja) * | 2008-02-05 | 2011-05-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| JP2010187373A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
| US9232315B2 (en) | 2011-03-16 | 2016-01-05 | Phonon Corporation | Monolithically applied heating elements on saw substrate |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1363519A (en) * | 1972-08-17 | 1974-08-14 | Standard Telephones Cables Ltd | Acoustic surface wave device |
| GB1440950A (en) * | 1973-10-12 | 1976-06-30 | Mullard Ltd | Acoustic surface-wave devices |
| US3965444A (en) * | 1975-01-03 | 1976-06-22 | Raytheon Company | Temperature compensated surface acoustic wave devices |
| DE2607837C2 (de) * | 1975-03-04 | 1984-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Mehrschichten-Interdigital-Wandler für akustische Oberflächenwellen |
| US4037176A (en) * | 1975-03-18 | 1977-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-layered substrate for a surface-acoustic-wave device |
| US4194171A (en) * | 1978-07-07 | 1980-03-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Zinc oxide on silicon device for parallel in, serial out, discrete fourier transform |
| JPS55158720A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-10 | Clarion Co Ltd | Surface elastic wave device |
| SU805918A1 (ru) * | 1979-09-28 | 1982-03-30 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср | Преобразователь поверхностных акустических волн |
| JPS56100510A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Clarion Co Ltd | Elastic surface wave device |
| US4358745A (en) * | 1981-03-16 | 1982-11-09 | International Business Machines Corporation | Semiconductor surface acoustic wave device |
| GB2120037B (en) * | 1982-03-11 | 1987-11-18 | Nobuo Mikoshiba | Surface acoustic wave device |
-
1982
- 1982-10-05 JP JP57175203A patent/JPS5964908A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-28 US US06/536,926 patent/US4516049A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-09-29 GB GB08326084A patent/GB2130452A/en not_active Withdrawn
- 1983-10-05 FR FR8315873A patent/FR2534089B1/fr not_active Expired
- 1983-10-05 DE DE3336281A patent/DE3336281C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01233819A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス |
| JPH01236712A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス |
| WO1989008949A1 (en) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
| JP2010045752A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Tatung Univ | 高周波表面音響波デバイスおよびその基板 |
| JP2012512597A (ja) * | 2008-12-17 | 2012-05-31 | サンドナイン インコーポレイテッド | 温度補償構造体を備える機械共振構造体 |
| US8629599B2 (en) | 2008-12-17 | 2014-01-14 | Sand 9, Inc. | Mechanical resonating structures including a temperature compensation structure |
| US8937425B2 (en) | 2008-12-17 | 2015-01-20 | Sand 9, Inc. | Mechanical resonating structures including a temperature compensation structure |
| US9602074B2 (en) | 2008-12-17 | 2017-03-21 | Analog Devices, Inc. | Mechanical resonating structures including a temperature compensation structure |
| US9762202B2 (en) | 2008-12-17 | 2017-09-12 | Analog Devices, Inc. | Method of manufacturing a mechanical resonating structure |
| US10800649B2 (en) | 2016-11-28 | 2020-10-13 | Analog Devices International Unlimited Company | Planar processing of suspended microelectromechanical systems (MEMS) devices |
| JP2020205621A (ja) * | 2017-02-14 | 2020-12-24 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
| US10843920B2 (en) | 2019-03-08 | 2020-11-24 | Analog Devices International Unlimited Company | Suspended microelectromechanical system (MEMS) devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4516049A (en) | 1985-05-07 |
| FR2534089A1 (fr) | 1984-04-06 |
| GB8326084D0 (en) | 1983-11-02 |
| JPH0218614B2 (ja) | 1990-04-26 |
| FR2534089B1 (fr) | 1988-11-04 |
| DE3336281C2 (de) | 1995-04-20 |
| GB2130452A (en) | 1984-05-31 |
| DE3336281A1 (de) | 1984-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5964908A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| CN101292423B (zh) | 兰姆波器件 | |
| WO2007138844A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| CN101644611A (zh) | 一种低损耗高温度稳定性的表面声波传感器 | |
| Shen et al. | Structure with thin SiOx/SiNx bilayer and Al electrodes for high-frequency, large-coupling, and low-cost surface acoustic wave devices | |
| US6310424B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| Laidoudi et al. | Numerical investigation of rayleigh, sezawa and love modes in c-axis tilted zno/si for gas and liquid multimode sensor | |
| JP4127170B2 (ja) | 表面波装置 | |
| JP3485832B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPS6341449B2 (ja) | ||
| CN101213743B (zh) | 声边界波装置 | |
| Tanaka et al. | Propagation characteristics of shear horizontal surface acoustic waves in (11 2 0) ZnO film/silica glass substrate structures | |
| CN101227178A (zh) | 声表面波复合结构材料和应用 | |
| Nakagawa | Elastic‐surface‐wave temperature coefficients of delay line with ZnO thin film | |
| CN101018045A (zh) | 弹性表面波元件及电子设备 | |
| JPS58156217A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPS6041315A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2000278086A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPS58156215A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP3495659B2 (ja) | 弾性表面波デバイス用基板および弾性表面波デバイス | |
| JPS58156216A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2007295504A (ja) | 超低速薄膜を用いた弾性表面波基板及び弾性波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子及び弾性波機能素子 | |
| JPS60259011A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH0228921B2 (ja) | ||
| HK40109094A (zh) | 弹性波器件 |