JPS596534A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPS596534A JPS596534A JP57115422A JP11542282A JPS596534A JP S596534 A JPS596534 A JP S596534A JP 57115422 A JP57115422 A JP 57115422A JP 11542282 A JP11542282 A JP 11542282A JP S596534 A JPS596534 A JP S596534A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- mask
- lenses
- defect inspection
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（
本発明は、ホトマスクの外観上の欠陥を検査する２テツ
プ比較型欠陥検査装置に関する。
プ比較型欠陥検査装置に関する。
一般に、集積回１２ｉ（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）等のような半導体装置の製造工程においては、ホト
マスク（以下マスクという。）の重ね合せ露光によって
パターンを形成するが、マスクに外観上の欠陥（例えば
、突起、欠撰、黒点、汚れ）があると、デバイス歩留り
が低下する。そこで、半導体装置の製造工程ではマスク
の欠陥検査が行なわれ、人間の目視によらない欠陥検査
装置も使用されている。
Ｉ）等のような半導体装置の製造工程においては、ホト
マスク（以下マスクという。）の重ね合せ露光によって
パターンを形成するが、マスクに外観上の欠陥（例えば
、突起、欠撰、黒点、汚れ）があると、デバイス歩留り
が低下する。そこで、半導体装置の製造工程ではマスク
の欠陥検査が行なわれ、人間の目視によらない欠陥検査
装置も使用されている。
従来のこの種の欠陥検査装置として、例えば第１図に示
すようなものがある。この装置は、マスク９の表側（パ
ターンが形成された面側）Ｋ配された２組の対物レンズ
１，２と、マスクの裏側において対物レンズ１．２にそ
れぞれ対向した２組のセンサ３，４とを備え、図示しな
い光源からの検査光５を両対物レンズ１，２に通してフ
ライングスポットにして異なる２位置あチップをスキャ
ニングしつつそれぞれ照射し、各透過光６をホトセル等
のセンサ３・ ４でそれぞれ受け、雨検出信号を各アン
プ７．８を介して比較器１０に印加し、比較器１０にお
いて２つのチップの同一箇所におけるそれぞれの検出信
号相互を比較し差異信号を欠陥として認識するようＫし
たものである。
すようなものがある。この装置は、マスク９の表側（パ
ターンが形成された面側）Ｋ配された２組の対物レンズ
１，２と、マスクの裏側において対物レンズ１．２にそ
れぞれ対向した２組のセンサ３，４とを備え、図示しな
い光源からの検査光５を両対物レンズ１，２に通してフ
ライングスポットにして異なる２位置あチップをスキャ
ニングしつつそれぞれ照射し、各透過光６をホトセル等
のセンサ３・ ４でそれぞれ受け、雨検出信号を各アン
プ７．８を介して比較器１０に印加し、比較器１０にお
いて２つのチップの同一箇所におけるそれぞれの検出信
号相互を比較し差異信号を欠陥として認識するようＫし
たものである。
すなわち、この種の欠陥検査装置は、マスク上に同一の
チップパターンが周期的に規則正しく整列して形成され
ることを利用し、異なる位置のチップのパターンにおけ
る同一箇所を比較し、差がある状態を欠陥として判別す
ることを原理としている。
チップパターンが周期的に規則正しく整列して形成され
ることを利用し、異なる位置のチップのパターンにおけ
る同一箇所を比較し、差がある状態を欠陥として判別す
ることを原理としている。
そして、パターンが微細化された最近の半導体装置にお
いては、極微細な欠陥も半導体装置の良否に重大な影響
を及ぼすため、外観欠陥の許容サイズも年々小さくなっ
ている。そこで、欠陥許容サイズを小さくする、すなわ
ち欠陥検出性能を向上するため忙、第１図に示したよう
な欠陥検査装置においては、対物レンズ１，２の開口係
数（ＮＡ）等を大きく設定する傾向にある。このように
ＮＡを太き（した対物レンズは外径寸法が太き（なるた
め、両レンズ１． ２の光軸間隔は太き（なってしまう
。
いては、極微細な欠陥も半導体装置の良否に重大な影響
を及ぼすため、外観欠陥の許容サイズも年々小さくなっ
ている。そこで、欠陥許容サイズを小さくする、すなわ
ち欠陥検出性能を向上するため忙、第１図に示したよう
な欠陥検査装置においては、対物レンズ１，２の開口係
数（ＮＡ）等を大きく設定する傾向にある。このように
ＮＡを太き（した対物レンズは外径寸法が太き（なるた
め、両レンズ１． ２の光軸間隔は太き（なってしまう
。
ところで、電子線描画装置を用いてマスクにパターンを
描画する場合、描画効率を向上するため、第２図に示す
ように、マスクにはウェハ土に転写され得る必要なテッ
プのみが描画され、チップが２個のみ並ぶ部分（斜線で
示す部分参照。）が発生することもある。
描画する場合、描画効率を向上するため、第２図に示す
ように、マスクにはウェハ土に転写され得る必要なテッ
プのみが描画され、チップが２個のみ並ぶ部分（斜線で
示す部分参照。）が発生することもある。
第２図に示すようなマスク９について、前述した両レン
ズ１，２の光軸間隔りが大きい欠陥検査装置を用いて前
記のような２テツプを比較する欠陥検査を実施すると、
第２図中斜線で示したチップについては、いずれか一方
のレンズの光軸がチップから外れるため、他方のチップ
において比較相手が得られないこと罠なり、欠陥検査が
できなくなる。
ズ１，２の光軸間隔りが大きい欠陥検査装置を用いて前
記のような２テツプを比較する欠陥検査を実施すると、
第２図中斜線で示したチップについては、いずれか一方
のレンズの光軸がチップから外れるため、他方のチップ
において比較相手が得られないこと罠なり、欠陥検査が
できなくなる。
そのため、従来の欠陥検査装置にあっては、このような
場合、マスクを９０度回動させて検査不能の斜線部分チ
ップにつき検査し直す必要があり、欠陥検査の作業性が
極めて悪化するという欠点があった。
場合、マスクを９０度回動させて検査不能の斜線部分チ
ップにつき検査し直す必要があり、欠陥検査の作業性が
極めて悪化するという欠点があった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解決し、対物レ
ンズが大径化しても２チツプ比較による欠陥検査を全チ
ップ忙ついて確保することができる欠陥検査装置を提供
するにある。
ンズが大径化しても２チツプ比較による欠陥検査を全チ
ップ忙ついて確保することができる欠陥検査装置を提供
するにある。
この目的を達成するため、本発明による欠陥検査装置は
、２組の対物レンズをマスクの表裏にそれぞれ配するこ
とにより、大径化による互の干渉を回避するようにした
ものである。
、２組の対物レンズをマスクの表裏にそれぞれ配するこ
とにより、大径化による互の干渉を回避するようにした
ものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第３図は本発明による欠陥検査装置の一與施例を示す概
略的構成図であり、第３図において、第１対物レンズ１
はマスク９の表側に配され、第１センサ３はマスク９の
裏側において第ルンズＩＫ対向するように配されている
。また、第２対物レンズ２はマスク９の裏側に配され、
第２センサはマスク９の表側において第２レンズ２に対
向するように配されている。第１センサ３はアングアを
介して比較器ｌＯに接続されているが、第２センサ４は
アンプ８と比較器１０との間に裏表反転器１１を介設さ
れている。
略的構成図であり、第３図において、第１対物レンズ１
はマスク９の表側に配され、第１センサ３はマスク９の
裏側において第ルンズＩＫ対向するように配されている
。また、第２対物レンズ２はマスク９の裏側に配され、
第２センサはマスク９の表側において第２レンズ２に対
向するように配されている。第１センサ３はアングアを
介して比較器ｌＯに接続されているが、第２センサ４は
アンプ８と比較器１０との間に裏表反転器１１を介設さ
れている。
前記構成にかかる欠陥検査装置において、第ルンズ１と
第２レンズ２とはマスク９′の表裏に別々に配されて互
に隣り合わないので、互に干渉し合うことはない。した
がって、第ルンズ１の光軸と第２レンズ２の光軸とは可
及的に接近させることができる。すなわち、両対物レン
ズ１． ２は警マスク９上において相隣り合う２つのチ
ップに検査光５．５をそれぞれ照射することができる。
第２レンズ２とはマスク９′の表裏に別々に配されて互
に隣り合わないので、互に干渉し合うことはない。した
がって、第ルンズ１の光軸と第２レンズ２の光軸とは可
及的に接近させることができる。すなわち、両対物レン
ズ１． ２は警マスク９上において相隣り合う２つのチ
ップに検査光５．５をそれぞれ照射することができる。
隣位のチップにそれぞれ検査光を照射することができれ
ば、第２図に示すようにチップが２個のみ並ぶ部分を有
するマスク９であっても、当核２個のチップにそれぞれ
検査光を照射できること忙なり、互に比較相手を得るこ
とができるから、チップが２個のみ並ぶ部分についても
２テツプ比較検査が爽現できる。
ば、第２図に示すようにチップが２個のみ並ぶ部分を有
するマスク９であっても、当核２個のチップにそれぞれ
検査光を照射できること忙なり、互に比較相手を得るこ
とができるから、チップが２個のみ並ぶ部分についても
２テツプ比較検査が爽現できる。
ここで、センサ３，４はレンズ１，２に比べて小径で、
しかも、上下忙位置をずらすことが可能であるから、レ
ンズ１，２の隣位のチップへの光軸設定の障害とならな
い。
しかも、上下忙位置をずらすことが可能であるから、レ
ンズ１，２の隣位のチップへの光軸設定の障害とならな
い。
ところで、第２レンズ２および第１センサ３と第２レン
ズ２および第２セｙす４との関係は正反対になっている
ため、第１センサ３と第２センサ゛ ４とで得られるパ
ターン像は互忙逆向きになる。
ズ２および第２セｙす４との関係は正反対になっている
ため、第１センサ３と第２センサ゛ ４とで得られるパ
ターン像は互忙逆向きになる。
したがって、第１センサ３と第２センサ４との検出信号
をそのまま比較したのでは比較検査が不能テする。そこ
で、本実施例では、第２センサ４側に裏表反転器１１を
介設し、第２センサ４の検出信号を第１センサ３の検出
信号と対応するように反転させるものとした。これによ
り、第１．第２センサの検出信号についての比較検査が
実現できる。
をそのまま比較したのでは比較検査が不能テする。そこ
で、本実施例では、第２センサ４側に裏表反転器１１を
介設し、第２センサ４の検出信号を第１センサ３の検出
信号と対応するように反転させるものとした。これによ
り、第１．第２センサの検出信号についての比較検査が
実現できる。
また、第２対物レンズ２はマスク９の裏側に配されるが
、その焦点がマスク９の表面におけるパターンに合うよ
うに焦点距離を調整する必要がある。なぜなら、第１対
物レンズｌと第２対物レンズ２とのパターンについての
関係が等しくなっていなければ、互に等しく対応する検
出信号が得られず、結局、２チツプの比較検査が不能に
なるからである。
、その焦点がマスク９の表面におけるパターンに合うよ
うに焦点距離を調整する必要がある。なぜなら、第１対
物レンズｌと第２対物レンズ２とのパターンについての
関係が等しくなっていなければ、互に等しく対応する検
出信号が得られず、結局、２チツプの比較検査が不能に
なるからである。
本実施例によれば、第１対物レンズと第２対物レンズと
をマスクの表ＪＩＫそれぞれ配したので互に干渉し合う
ことを回避でき、したがって、第１対物レンズの光軸と
第２対物レンズの光軸とを相隣り合うチップにそれぞれ
一致させることができ、これにより、２つのチップのみ
が並ぶ場合であっても、２チツプの比較検査の実施を確
保することができ、しかも、レンズの口径を大径化する
ことができるため、ＮＡを大きく設定でき、検査性能を
向上することができる。また、２つのチップのみが並ぶ
部分についても検査が実行できるので、このような部分
について再検査をする必要がなくなり、作業性が向上す
る。
をマスクの表ＪＩＫそれぞれ配したので互に干渉し合う
ことを回避でき、したがって、第１対物レンズの光軸と
第２対物レンズの光軸とを相隣り合うチップにそれぞれ
一致させることができ、これにより、２つのチップのみ
が並ぶ場合であっても、２チツプの比較検査の実施を確
保することができ、しかも、レンズの口径を大径化する
ことができるため、ＮＡを大きく設定でき、検査性能を
向上することができる。また、２つのチップのみが並ぶ
部分についても検査が実行できるので、このような部分
について再検査をする必要がなくなり、作業性が向上す
る。
なお、前記実施例では、反転器を第２センサ側に介設し
た場合につき説明したが、第１センサのパターン像と第
２センサのそれとは相対的に正逆関係にあるから、反転
器は第１センサ側に介設してもよい。
た場合につき説明したが、第１センサのパターン像と第
２センサのそれとは相対的に正逆関係にあるから、反転
器は第１センサ側に介設してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、２つのチップの
みが並ぶ場合でも比較検査を実行することができる。
みが並ぶ場合でも比較検査を実行することができる。
第１図は従来例を示す概略的構成図、
第２図はマスクの一例を示す平面図、
第３図は本発明による欠陥検査装置の一実施例を示す概
略的構成図である。 １・・・第１対物レンズ、２・・・第２対物レンズ、３
・・・第１センサ、４・・・第２センサ、５・・・検査
光、６・・・透過光、９・・・マスク、１０・・・比較
器、１１・・・反転器。 第 １ 図 第 ２ 図
略的構成図である。 １・・・第１対物レンズ、２・・・第２対物レンズ、３
・・・第１センサ、４・・・第２センサ、５・・・検査
光、６・・・透過光、９・・・マスク、１０・・・比較
器、１１・・・反転器。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- １、同一ガラス基板上に同期的に規則正しく整列された
パターン群の２つのパターンの同一箇所に検査光をそれ
ぞれ照射する２組のレンズと、両レンズに対向してそれ
ぞれ配され、前記ガラス基板を透過した光をそれぞれ検
出する２組のセンサとを備え、両センサの差異信号を欠
陥として認識する欠陥検査装置において、一方のレンズ
および一方のセンサをガラス基板の表側に、かつ、他方
のレンズおよび他方のセンサをガラス基板の裏側にそれ
ぞれ配設したことを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115422A JPS596534A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115422A JPS596534A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596534A true JPS596534A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14662173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57115422A Pending JPS596534A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596534A (ja) |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57115422A patent/JPS596534A/ja active Pending
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