JPS596545A - ウエハ乾燥装置 - Google Patents
ウエハ乾燥装置Info
- Publication number
- JPS596545A JPS596545A JP57115433A JP11543382A JPS596545A JP S596545 A JPS596545 A JP S596545A JP 57115433 A JP57115433 A JP 57115433A JP 11543382 A JP11543382 A JP 11543382A JP S596545 A JPS596545 A JP S596545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- drying
- wafers
- loader
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0408—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウェハ乾燥装置に関し、肴に、半導体ウェハを
洗浄した後、該ウェハｉｔ枚ずつ乾燥するウェハ乾燥装
置に関する。
洗浄した後、該ウェハｉｔ枚ずつ乾燥するウェハ乾燥装
置に関する。
従来、半導体製品の製造過程において半導体ウェハ會洗
浄して乾燥する場合、多数のウェハ紫カートリッジ中に
収納し、そのカー） ＩＪッジを乾燥室内にセットして
回転させることにより、一度に多数のウェハｔカー）
ＩＪッジご七に遠心分離方式で乾燥している。
浄して乾燥する場合、多数のウェハ紫カートリッジ中に
収納し、そのカー） ＩＪッジを乾燥室内にセットして
回転させることにより、一度に多数のウェハｔカー）
ＩＪッジご七に遠心分離方式で乾燥している。
ところが、このような従来方式では、多数のウェハｔカ
ートリッジと共に乾燥部に搬入するので、洗浄水かウェ
ハおよびカー） ＩＪッジと共に乾燥部までかなり多量
に持ち込まｎてしまうので、遠心分離による乾燥時にウ
ェハお工びカートリッジから飛び散った水がウェハに再
付着するｏＪ能性か大きい。また、カートリッジから汚
染さｎ７を水がしみ出してウェハに付着し、ウェハの品
質會低下させてしまうという問題がある。その結果、ウ
ェハ乾燥の歩留りが低下することになってしまう。
ートリッジと共に乾燥部に搬入するので、洗浄水かウェ
ハおよびカー） ＩＪッジと共に乾燥部までかなり多量
に持ち込まｎてしまうので、遠心分離による乾燥時にウ
ェハお工びカートリッジから飛び散った水がウェハに再
付着するｏＪ能性か大きい。また、カートリッジから汚
染さｎ７を水がしみ出してウェハに付着し、ウェハの品
質會低下させてしまうという問題がある。その結果、ウ
ェハ乾燥の歩留りが低下することになってしまう。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を腑決し、ウェ
ハへの洗浄水等の再付着等を防止し、つエバを清浄に乾
燥できるウエノ葛乾燥装ｆＪｔｋ提供することにある。
ハへの洗浄水等の再付着等を防止し、つエバを清浄に乾
燥できるウエノ葛乾燥装ｆＪｔｋ提供することにある。
この目的を達成するため、本発明によるウニノー乾燥装
置は、ローダ部からウェハ’Ｉｔ枚ずつ払い出し、その
ウェハ會乾燥部で１枚ごとに乾燥してアンローダに収納
し、１枚処理方式で高品質のウェハｔ４るものである。
置は、ローダ部からウェハ’Ｉｔ枚ずつ払い出し、その
ウェハ會乾燥部で１枚ごとに乾燥してアンローダに収納
し、１枚処理方式で高品質のウェハｔ４るものである。
ル下、本発明を図面に示す一実施例にしたかつて詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明によるウニノー乾燥装置の一実施例を示
す概略的斜視図、第２図はその郡分的略断面図である。
す概略的斜視図、第２図はその郡分的略断面図である。
本実施例において、ウニ）ｓ乾燥装置の架台１の上にＵ
、４ｓＢで示すＬうに２連のウェハ乾燥ラインか設けら
れ、処理能力を向上させるようになっている。
、４ｓＢで示すＬうに２連のウェハ乾燥ラインか設けら
れ、処理能力を向上させるようになっている。
各ウェハ乾燥ラインには、ウェハ搬入側からローダ部２
、乾燥部３、アンローダ部４か設けらｎている。
、乾燥部３、アンローダ部４か設けらｎている。
ローダ鄭２扛ワエハを乾燥部３に払い出丁はＪに仮置４
きするものであり、本実施例では、水中槽５の中とその
上方の位置との間で上下動できるローダ用カートリッジ
６、および該ローダ用カートリッジ６にウェハ管送り込
む送込みプッシャー７を有している。乾燥部３への払出
し前のウエノ・ハローダ用カートリッジ６内に収納さｎ
大状態で水中槽５内の純水の中に仮置きされる。
きするものであり、本実施例では、水中槽５の中とその
上方の位置との間で上下動できるローダ用カートリッジ
６、および該ローダ用カートリッジ６にウェハ管送り込
む送込みプッシャー７を有している。乾燥部３への払出
し前のウエノ・ハローダ用カートリッジ６内に収納さｎ
大状態で水中槽５内の純水の中に仮置きされる。
乾燥部３はウェハの遠心分離方式での乾燥上行なうもの
である。この乾燥９３は、第４図と第５図にも示す工う
に、ローダ用カートリッジ６から送り込まれたウェハを
案内するガイド８、乾燥時にウェハ七支持する回転およ
び上下動可能な回転台９、この回転台９ｔ−低速お工び
高速回転さぜるモータｌＯ１乾燥室１１、この乾燥室Ｉ
ｌ内を強制排気する排気ダクト１２、回転台９の上下動
に合せて上下動でき、ウェハ送込み時には第４図の如く
上昇位置にあるか、乾燥時には第５図に示す如く乾燥室
１１ｔ−形成するよう下降位置に米る蓋１３、との儲１
３の中央に回転台９の回転中ＩＬ？に同けて取シ付けら
ｎ１純水諒１４とＮ、ガス源１５から純水および（また
は）Ｎ３ガス會回転乾燥中のウェハ上に切換弁１６を経
て供給するノズル１７、乾燥室１１の下方を密閉できる
シール１８、ラビリンス機ｍｙｔ内賦したラビリンス部
１９、アンローダ部４に払い出さｎるウエノ＼を案内す
るガイドｚＯ會有している。
である。この乾燥９３は、第４図と第５図にも示す工う
に、ローダ用カートリッジ６から送り込まれたウェハを
案内するガイド８、乾燥時にウェハ七支持する回転およ
び上下動可能な回転台９、この回転台９ｔ−低速お工び
高速回転さぜるモータｌＯ１乾燥室１１、この乾燥室Ｉ
ｌ内を強制排気する排気ダクト１２、回転台９の上下動
に合せて上下動でき、ウェハ送込み時には第４図の如く
上昇位置にあるか、乾燥時には第５図に示す如く乾燥室
１１ｔ−形成するよう下降位置に米る蓋１３、との儲１
３の中央に回転台９の回転中ＩＬ？に同けて取シ付けら
ｎ１純水諒１４とＮ、ガス源１５から純水および（また
は）Ｎ３ガス會回転乾燥中のウェハ上に切換弁１６を経
て供給するノズル１７、乾燥室１１の下方を密閉できる
シール１８、ラビリンス機ｍｙｔ内賦したラビリンス部
１９、アンローダ部４に払い出さｎるウエノ＼を案内す
るガイドｚＯ會有している。
また、乾燥部３には、ローダ部２からウニ／”ｋ１枚ず
つ該乾燥部３の回転台９の上に払い出丁払出ブツシャ２
１も設けられている（＠２図）。
つ該乾燥部３の回転台９の上に払い出丁払出ブツシャ２
１も設けられている（＠２図）。
前記回転台９の上に払い出場れたウエノ・に第３図にＷ
で示すように、回転台９上の一対のガイド２２の対向溝
の中に入ｎらｎ１ストツノく−ピン２３で飛出しｔ防止
さｎる。この回転台９は良好な遠心分離作用を得るため
僅かに偏心している。
で示すように、回転台９上の一対のガイド２２の対向溝
の中に入ｎらｎ１ストツノく−ピン２３で飛出しｔ防止
さｎる。この回転台９は良好な遠心分離作用を得るため
僅かに偏心している。
前記アンローダ部４は乾燥を終了したウエノ・ｔ１枚ず
つ収納するもので、七のためにＱ二ノ２を枚ずつ取り込
んで収納するアンローダ用カートリッジ２４に有してｂ
る。このアンローダ用カートリッジ２４に上下動可能で
ｂす、所定枚数のウェハ収納後に往工程に送らｎる。
つ収納するもので、七のためにＱ二ノ２を枚ずつ取り込
んで収納するアンローダ用カートリッジ２４に有してｂ
る。このアンローダ用カートリッジ２４に上下動可能で
ｂす、所定枚数のウェハ収納後に往工程に送らｎる。
また、第１図における符号２５は前記ウェハ乾燥ライン
を清浄状塾に保つためのクリーンユニットであり、架台
ｌの上部はカバー２６で穆われ、ウェハ乾燥ライン忙ゴ
ミ等か侵入するの會防止している。
を清浄状塾に保つためのクリーンユニットであり、架台
ｌの上部はカバー２６で穆われ、ウェハ乾燥ライン忙ゴ
ミ等か侵入するの會防止している。
次に、本実施例の作用について説明する。
洗浄ｔ−終了したウェハは各ウェハ乾燥ラインＡ。
Ｂごとく送込みブツシャ−７によりローダ部２のローダ
用カートリッジ６の中に１枚ずつ送υ込ま几、乾燥部３
゛への払出し前にはローダ用カー） ＩＪツジ６と共に
水中槽５内の純水中に仮Ｉｔきさｎる。
用カートリッジ６の中に１枚ずつ送υ込ま几、乾燥部３
゛への払出し前にはローダ用カー） ＩＪツジ６と共に
水中槽５内の純水中に仮Ｉｔきさｎる。
このローダ用カートリッジ６内のウェハは払出しプッシ
ャー２１１Ｃより１一枚ずつ乾燥部３に払い出され、ガ
イド８ｔ−経て、上昇位置にある回転台９上の一対のガ
イド２２の対同溝内に入ｎらｎ１ストツパービン２３で
飛出しｔ防止できる状態でセットされる。ウェハの回転
８９上への払出し時には、蓋１３と回転台９との間の隙
間は第４図に示す如くウェハの払出しに十分な大きさで
ある。
ャー２１１Ｃより１一枚ずつ乾燥部３に払い出され、ガ
イド８ｔ−経て、上昇位置にある回転台９上の一対のガ
イド２２の対同溝内に入ｎらｎ１ストツパービン２３で
飛出しｔ防止できる状態でセットされる。ウェハの回転
８９上への払出し時には、蓋１３と回転台９との間の隙
間は第４図に示す如くウェハの払出しに十分な大きさで
ある。
その後、第５因に示すように、回転台９を下降させると
共に、この下降動作とリンクして蓋１３も下降させ、乾
燥室１１′に形成し、排気ダクト１２で乾燥至１１内？
強制排気下る。
共に、この下降動作とリンクして蓋１３も下降させ、乾
燥室１１′に形成し、排気ダクト１２で乾燥至１１内？
強制排気下る。
この状態で、まず回転台９′ｆｒ、モータ１０で低速回
転させなから、ノズル１７によシ純水源菖４からの純水
を所尾時間だけウエノ・に噴射する。七の後、回転台９
を高速回転させなから、ノズル１７でＮ２ガス源１５か
らのＮ１ガスｔウエハに吹キ付ける。
転させなから、ノズル１７によシ純水源菖４からの純水
を所尾時間だけウエノ・に噴射する。七の後、回転台９
を高速回転させなから、ノズル１７でＮ２ガス源１５か
らのＮ１ガスｔウエハに吹キ付ける。
こｎにより、ウェハに、回転台９の偏心回転に加えて、
Ｎ２ ガスの吹付けによって水を遠／［？力で飛散させ
、乾燥さｎる。ウェハから飛散した水は排気ダクト１２
から排出さｎ１ウエハには再付着しない。
Ｎ２ ガスの吹付けによって水を遠／［？力で飛散させ
、乾燥さｎる。ウェハから飛散した水は排気ダクト１２
から排出さｎ１ウエハには再付着しない。
このようにして１枚ずつ乾燥されたウニ／’ｆ１回転台
９からガイド２０勿経て１枚ずつアンローダ部４のアン
ローダ用カートリッジ２４の中に取υ込んで収納さｎ、
後工程に送らｒＬる。
９からガイド２０勿経て１枚ずつアンローダ部４のアン
ローダ用カートリッジ２４の中に取υ込んで収納さｎ、
後工程に送らｒＬる。
削ｄ己ウェハ乾燥操作はカバー２６でウェハ乾燥ライン
Ａ、Ｂ等ｋｍってクリーンユニット２５で清浄状態會保
ちながら行なわｎる。
Ａ、Ｂ等ｋｍってクリーンユニット２５で清浄状態會保
ちながら行なわｎる。
したがって、本実施例では、ウエノ・ハ遠／Ｌ？分離作
用とＮ！ガスの吹付けにより効率良く乾燥さｎ１ウエハ
への水の再付着を防止して清浄な乾燥ウェハｖｆ−得る
ことができる。
用とＮ！ガスの吹付けにより効率良く乾燥さｎ１ウエハ
への水の再付着を防止して清浄な乾燥ウェハｖｆ−得る
ことができる。
また、ウエノ・乾燥ラインＡ、Ｂか２連設けらｎている
ことにより、能率的なウエノ・乾燥ケ行なうことができ
る。もつとも、ウエノ・乾燥ライン［１連でもよく、あ
るいは３連以上でもより０なお、本実施例では、ウエノ
・乾燥時にノズル１７から純水と１ガスｔウエノ・に吹
き付けたが、Ｎ！ガスのみにしてもよく、またＮ、ガス
の吹付けも省略して遠心分離作用のみで乾燥７行なって
もよい。
ことにより、能率的なウエノ・乾燥ケ行なうことができ
る。もつとも、ウエノ・乾燥ライン［１連でもよく、あ
るいは３連以上でもより０なお、本実施例では、ウエノ
・乾燥時にノズル１７から純水と１ガスｔウエノ・に吹
き付けたが、Ｎ！ガスのみにしてもよく、またＮ、ガス
の吹付けも省略して遠心分離作用のみで乾燥７行なって
もよい。
以上説明したように、本発明によｎは、ウエノ・ｔ１枚
処理方式で清浄に乾燥し、ウエノ・への水の再付着等を
防止できる。
処理方式で清浄に乾燥し、ウエノ・への水の再付着等を
防止できる。
第１図は本発明にＬるウニノー乾燥装置の一実施例の概
略的斜視図、 第２図げ七の部分的略断面図、 第３図はウエノ・上回転台上にセットした状態を示す狛
視図、 第４図はウエノ・搬入時の乾燥部の略田丁面凶、第５図
はウニ／％乾燥時の乾燥部の略晧面図である。 ２・・・ｏ−ｆｆ、ＶＳ、３・・・乾燥部、４・・・ア
ンロータ部、６・・・ローダ用カートリッジ、９・・・
回転台、１０・・・モータ、１１・・・乾燥室、１２・
・・排気ダク）、１３・・・蓋、１５・・・Ｎ２ガス源
、１７・・・ノズル、２１・・・払出しプッシャー、２
２・・・ガイド、２３・・・ストッパーピン、２４・・
・アンローダ用カートＩＪツジ、Ｗ・・・ウエノ、、Ａ
、Ｂ・・・ウエノ１乾燥ライン。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 ｙ 第 ４ 図 第 ５ 図 −１！
略的斜視図、 第２図げ七の部分的略断面図、 第３図はウエノ・上回転台上にセットした状態を示す狛
視図、 第４図はウエノ・搬入時の乾燥部の略田丁面凶、第５図
はウニ／％乾燥時の乾燥部の略晧面図である。 ２・・・ｏ−ｆｆ、ＶＳ、３・・・乾燥部、４・・・ア
ンロータ部、６・・・ローダ用カートリッジ、９・・・
回転台、１０・・・モータ、１１・・・乾燥室、１２・
・・排気ダク）、１３・・・蓋、１５・・・Ｎ２ガス源
、１７・・・ノズル、２１・・・払出しプッシャー、２
２・・・ガイド、２３・・・ストッパーピン、２４・・
・アンローダ用カートＩＪツジ、Ｗ・・・ウエノ、、Ａ
、Ｂ・・・ウエノ１乾燥ライン。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 ｙ 第 ４ 図 第 ５ 図 −１！
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １゜ ウェハを送り込ｔｆ′Ｌるローダと、該ローダか
らウェハを１枚ずつ払い出丁手段と、前記ローダから前
記払出手段で供給さｎたウェハ七１枚ずつ遠心力で乾燥
する乾燥部と、この乾燥部からウェハ七１枚ずつ取シ込
んで収納するアンローダとからなるウェハ乾燥装置。 ２、削配乾燥部は、偏心回転する上下動可能な回転台と
、この回転体の上下動に合せて上下動可能で、該回転台
上のウェハにガスを吹き付けるノズルと？ｌＩ″有して
いることｔ特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェ
ハ乾燥装置。 ３、前記ローダ、払出手段、乾燥部、アンローダかＦ！
！数連設けらｎてｂることｔ％徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項記載のウェハ乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115433A JPS596545A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | ウエハ乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115433A JPS596545A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | ウエハ乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596545A true JPS596545A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14662442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57115433A Pending JPS596545A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | ウエハ乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596545A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194457U (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-25 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハ−研摩装置 |
| JPH0332428U (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-29 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57115433A patent/JPS596545A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194457U (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-25 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハ−研摩装置 |
| JPH0332428U (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10395915B2 (en) | Nozzle assembly, substrate treatment apparatus including the nozzle assembly, and method of treating substrate using the assembly | |
| US9869941B2 (en) | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, and computer-readable storage medium | |
| KR102033791B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
| US8651121B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
| JP4324527B2 (ja) | 基板洗浄方法及び現像装置 | |
| TWI596686B (zh) | 基板處理方法 | |
| KR19990037548A (ko) | 도포방법 | |
| US12046485B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of cleaning substrate processing apparatus | |
| JP6775638B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP2004066212A (ja) | 洗浄乾燥装置 | |
| US20180117621A1 (en) | Spin Dispenser Module Substrate Surface Protection System | |
| US6129100A (en) | Wafer cleaning apparatus and structure for holding and transferring wafer used in wafer cleaning apparatus | |
| JPS605530A (ja) | 半導体ウエハ洗浄装置 | |
| CN110064607A (zh) | 可转位刀片的清洁装置 | |
| US6503335B2 (en) | Centrifuge and method for centrifuging a semiconductor wafer | |
| JP2003077808A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH08267328A (ja) | 置換槽を有する切削加工装置及び切削対象ワークの加工、処理方法 | |
| KR102461996B1 (ko) | 서보제어 체인구동식 부품 자동 세척건조장치 | |
| JP2021190561A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP5937028B2 (ja) | 現像処理方法、現像処理装置及び現像処理用記録媒体 | |
| CN209729871U (zh) | 基板处理装置 | |
| JPH08213352A (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
| US4607588A (en) | Parts coating apparatus and method | |
| JPS5923517A (ja) | レジスト除去方法および装置 | |
| JP4000341B2 (ja) | 半導体基板のメッキ方法およびメッキ装置 |