JPS5965472A - 固体イメ−ジセンサ - Google Patents

固体イメ−ジセンサ

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Publication number
JPS5965472A
JPS5965472A JP57176660A JP17666082A JPS5965472A JP S5965472 A JPS5965472 A JP S5965472A JP 57176660 A JP57176660 A JP 57176660A JP 17666082 A JP17666082 A JP 17666082A JP S5965472 A JPS5965472 A JP S5965472A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
address
picture element
image sensor
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57176660A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Suzuki
信雄 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57176660A priority Critical patent/JPS5965472A/ja
Publication of JPS5965472A publication Critical patent/JPS5965472A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/68Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、多数の感光画素からなる感光部を有する固体
イメージセンサに関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕多数め感光画素
□を有する固体イメージセンサはTVカ□メラ□等多種
の用途があるが、感光画素数が非常に多いため、・白点
キズや黒点キズなどの欠陥画素が全くないものを製造す
ることは困難である。
そこで少数のべ陥画素が存在することを前提として、固
体イメージセンサの検査や使用に当たっては□第1図に
示す構成の装置により欠陥画素を補正するようにしてい
る。欠陥画素を有する固体イメージセンサ1に対してそ
の欠陥画素の位置を検査して記憶回路3に記憶す□る。
固体イメージセンサ1からの出力信号は画像欠陥補正回
路2を介して出力される。画像欠陥補正回路2により、
固体イメージセンサ1の正常な感光画素の出力信号はそ
のまま出力し、記憶回路3から知ることができる欠陥画
素め出力は隣接子る感光画素の出力信号に置換えて出力
して1画像欠陥を補正している。
しかしながら、個々の固体イメージセンサごとに欠陥画
素の番地が異なるので、製造工程による検査や出荷検査
にお%、−ても個々の固体イメージセンサごとに欠陥画
素の番地を調べて記憶回路に記憶する必要があり、工程
検査や出荷検査に時間がかかる。また固体イメージセン
サを用いる場合にも、個々の固体イメージセンサごとに
欠陥画素の番地を調べて記憶回路に誓き込まなければな
らないという問題があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、短時間で
検査でき、使用に当たって再び欠陥画素の番地を調べる
必要のない固体イメージセンナを提供することビ目的と
する。
〔発明の概要〕
この目的を達成するために、本発明による固体イメージ
センサは、感元画素中の欠陥画素の位置を記憶する記憶
部を備えたことを特徴とする。
この記憶部は書込み可能な読出し専用メモリであること
が望ましい。
〔発明の実施例〕
以下、図示の実施例に基づいて1本発明の詳細な説明す
る。第2図に示すよ5に本発明の一一施例による固体イ
メージセンサ4は、多数の感光画素を有するCCDによ
る感光部5に加えて、読出し専用メモリ6を備えている
。この読出し専用メモリ6の詳細は第3図、第4図に示
されており、感光部5と同一半導体基板上にある。そし
て、読出し専用メモリ6は、CODによる単相駆動電荷
転送シフトレジスタ11の各転送段に制御ゲート12を
介して電荷注入部13からの電荷が注入されるように構
成されており、出力部14より記憶された内容が出力″
される。断面構造は第4図に示すようであり、P型半導
体基板214C,P  半導体領域22とN+半導体領
域器があり、絶縁膜冴を介して転送電極5、制御ゲー)
26が設ゆられている。金属配線n、ポリシリコン層加
、金属配a層間にて配線され、この配線は電荷をシフト
レジスタ11に注入する役割を果たす。また全体を光遮
蔽する元遮蔽膜29は、ポリシリコン層(資)の所に開
口部が設けられている。更に固体イメージセンサ4全体
は透明な窓を有する外囲器(図示せず)に収納されてい
る。
次に本実施例の動作について説明する。まず透明な窓を
有する外囲器に収納された固体イメージセンサ4の画像
出力信号を検査して、白点キズや黒点キズなどの欠陥画
素の番地を求め、その番地を2進符号にコード化して読
出し専用メモリ14に書込む。曹込む方法は、シフトレ
ジスタ11の骨転送段に対応するポリシリコン層(至)
を、2進符号が「0」の場合はレーザビームにて切断し
、「1」の場合にはそのまま残すようにする。読出し専
用メモ、す6の記憶容量は、あらかじめ定められており
、この記憶容量を超えるような固体イメージセンサ4は
この検査段階で不良品として処理される。
このようにして欠陥画素の検査段階が終了すると、すべ
ての欠陥画素の番地が書込まれた読出専用メモリ6を有
した固体イメージセンサ4が完成する。
このような固体イメージセンサ4は第2図に示す構成の
装置により、出荷検査時や使用時において画像欠陥の補
正がおこなわれる。固体イメージセンサ4がテレビカメ
ラに用いられている場合を例として説明する。テレビカ
メラが動作状態になると読出し専用メモリ6に記憶され
ている欠陥画素の番地を、垂直ブランキングまたは水平
ブランキング時間を利用し2て読出して、記憶回路8へ
転送する。画像欠陥補正回路7は、記憶回路8に転送さ
れた欠陥画素の番地を用いて、欠陥画素の出力信号を隣
接する正常な感光画素の出力信号に置換えて出力し、画
像欠陥の補正なおこなう。ここで読出し専用メモリ6か
らのデータの読出しについて説明する。入力端子に半導
体基板21と同一電圧またはそれに近い直流電圧を印加
し、制御入力端子に正の電圧パルスを印加する。この場
合、ポリシリコン層間が切断されている転送段には電荷
が注入されず、s9リシリコン層(資)が切断されてい
ない転送段にはN+半導体領域るより電荷が流入される
。すなわち、ポリシリコン層(資)の切断の有無に応じ
てシフトレジスタ11に電荷が注入される。
次にクロック端子に正の電圧クロック、Rルスを印加し
て、出力部14から順次電荷を読出す。
このように1本実施例によれば、製造工程で一度だけ欠
陥画素の番地を調べるだけでよ(、それ以後は欠陥画素
の番地が書込まれたメモリの内容を読出して処理をおこ
なえばよい。またこのメモリも、感光部と同じCODを
用いているため、新たな製造工程を付加する必要もない
先の実施例においては、固体イメージセンサはエリアイ
メージセンサであったが多数の感光画素を有するリニア
イメージセンサにも本発明を適用できる。
また読出し専用メモリに書込む方法としては。
レーザビームにより切断する方法の他に、高抵抗層にレ
ーザビームを照射して不純物拡散により絶縁配線を導通
させる方法や、短時間に大電流を流すことにより細い配
線を切断する方法でもよい。
また読出し専用メモリの出力端子は1個に限らず複数個
の出力端子により構成してもよい。例えばエリアイメー
ジセンサでは出力端子を2個として、一方からは水平方
向の番地、他方からは垂直方向の番地が出力されるよう
にしてもよい。
また読出し専用メモリのシフトレジスタとしては、単相
駆動に限らず、2相、3相、4相駆動形でもよく、また
CODは埋込みチャネル型でもよい。
また、金属配線に高抵抗体を介して高い正の直流電圧を
印加する構成にして、ポリシリコンが切断されたときN
+半導体領域に発生する暗電流が偽信号とならないこと
にしてもよい。
更に、読出し専用メモリは、欠陥画素の番地が記憶でき
ればよく、CCDメモリ以外のもの例えばCMOSメモ
リ等で構成してもよい。
〔発明の効果〕
以上の通り、本発明によれば、製造工程で一度だけ欠陥
画素の番地を調べて記憶部に書込めば、それ以後の検査
工程や使用時において、記憶部に記憶された欠陥画素の
番地を読み出して欠陥画素の補正をすることができ、検
査工程や使用にあたり簡単に画像欠陥を補正することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の固体イメージセンサを用いた画像欠陥を
補正する装置のブロック図、 第2図は本発明の一実施例による固体イメージセンサを
用いた画像欠陥を補正する装置のブロック図、 第3図は同固体イメージセンサの記憶部を示す構成図、 第4図は同固体イメージセンサの記憶部の■−IV断面
図である。 4・・・固体イメージセンサ、5・・・感光部、61°
読出し専用メモリ、7・・・画像欠陥補正回路、8・・
・記憶回路、 11・・・電荷転送シフトレジスタ、1
2・・・制御ゲート、13・・・電荷注入部、14・・
・出力部、21・・・P型半導体基板、η・・・P+半
導体領域、お・・・N千手導体領域、24・・・絶縁膜
、25・・・転送電極、か・・・制御ゲート、27 、
28・・・金属配線、四・・・元遮蔽膜、刃・・・ポリ
シリコン層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、多数の感光画素からなる感光部を何する固体イメー
    ジセンサにおいて、 前記感光画素中の欠陥画素の位置を記憶する記憶部を備
    えたことビ特徴とする固体イメージセンサ。 2、特許請求の範囲第1項記載の固体イメージセンサに
    おいて。 前記記憶部は書込み可能な読出し専用メモリであること
    を特徴とする固体イメージセンサ。
JP57176660A 1982-10-07 1982-10-07 固体イメ−ジセンサ Pending JPS5965472A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57176660A JPS5965472A (ja) 1982-10-07 1982-10-07 固体イメ−ジセンサ

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JP57176660A JPS5965472A (ja) 1982-10-07 1982-10-07 固体イメ−ジセンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5965472A true JPS5965472A (ja) 1984-04-13

Family

ID=16017467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57176660A Pending JPS5965472A (ja) 1982-10-07 1982-10-07 固体イメ−ジセンサ

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JP (1) JPS5965472A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139957U (ja) * 1984-08-20 1986-03-13 三洋電機株式会社 固体撮像装置
JPS6151670A (ja) * 1984-08-21 1986-03-14 Nec Corp ビデオ信号処理装置
JPH0255777U (ja) * 1988-10-17 1990-04-23

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6139957U (ja) * 1984-08-20 1986-03-13 三洋電機株式会社 固体撮像装置
JPS6151670A (ja) * 1984-08-21 1986-03-14 Nec Corp ビデオ信号処理装置
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