JPS5967658A - 半導体メモリ素子の電極構造 - Google Patents
半導体メモリ素子の電極構造Info
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- JPS5967658A JPS5967658A JP57177657A JP17765782A JPS5967658A JP S5967658 A JPS5967658 A JP S5967658A JP 57177657 A JP57177657 A JP 57177657A JP 17765782 A JP17765782 A JP 17765782A JP S5967658 A JPS5967658 A JP S5967658A
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- solder ball
- rays
- solder
- semiconductor memory
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/25—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons against alpha rays, e.g. for outer space applications
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半田ｌたは鉛を含む材料で電極の実装配＋Ｗ
ｋ行なった半導体メモリ素子の電極構造に関する。
ｋ行なった半導体メモリ素子の電極構造に関する。
従来、半導体メモリ素子のｔｍの実装配線構造として、
第１図に示すように、半田を用いたＣ０Ｂ （Ｃｏｎｔ
ｒｏｌｌｅｄ Ｃｏ１１ａｐｓｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ ）
方式で笑装配Ｉｗを行なって４ｇ号伝達金行なうものが
俵案芒れている。
第１図に示すように、半田を用いたＣ０Ｂ （Ｃｏｎｔ
ｒｏｌｌｅｄ Ｃｏ１１ａｐｓｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ ）
方式で笑装配Ｉｗを行なって４ｇ号伝達金行なうものが
俵案芒れている。
この場合、基板４とシリコン（ｓｌ）基板５の電極ｌの
間に、鉛（Ｐｂ）と錫（Ｅｌｎ）ｒ主成分とする早出ボ
ール２が置かｎ１両電極１會この半田ボール２で接続し
、８１基板５のメモリ素子部３の信号は該半田ボール２
を通して伝達される。
間に、鉛（Ｐｂ）と錫（Ｅｌｎ）ｒ主成分とする早出ボ
ール２が置かｎ１両電極１會この半田ボール２で接続し
、８１基板５のメモリ素子部３の信号は該半田ボール２
を通して伝達される。
’ｚｆＣ，場合によっては、符号６．７で示す部分が機
能素子としてメモリとなっているものもある。
能素子としてメモリとなっているものもある。
第２図はメモリ素子３の一列であるＤ−ＲＡＭのメモリ
素子の拡大断面構造図である。Ｃの素子は、空乏層領域
１３に電荷がある一定冊存在するか否かに↓シ畳込情報
がゝ０〃かゝゝ１”かの利足全行なう。空乏層領域１３
の横方向のセルサイズは５００〜６００μ−である。な
お、第２図において、符号８に８１０２層、９にｐ型基
板、１０はビット線、ｌｌにワード線、１２は配線であ
る。
素子の拡大断面構造図である。Ｃの素子は、空乏層領域
１３に電荷がある一定冊存在するか否かに↓シ畳込情報
がゝ０〃かゝゝ１”かの利足全行なう。空乏層領域１３
の横方向のセルサイズは５００〜６００μ−である。な
お、第２図において、符号８に８１０２層、９にｐ型基
板、１０はビット線、ｌｌにワード線、１２は配線であ
る。
第２図のメモリ素子に外部からα線１４が照射すると、
α線［よシル型基板９のシリコンが′電離し、電子正孔
対を生じる。その後、電子と正孔が再結合しながら基板
中を拡散し、正孔は基板に流れるが、電子は空乏層領域
１３に捕えら扛る。
α線［よシル型基板９のシリコンが′電離し、電子正孔
対を生じる。その後、電子と正孔が再結合しながら基板
中を拡散し、正孔は基板に流れるが、電子は空乏層領域
１３に捕えら扛る。
ＸＸｏ ／／の状態、即ち空乏層領域１３が電子で充ち
ている場合は、α線照射によ）電子の敬が増加するだけ
で、’ｏ”ｉｉ持し、影Ｖｔ受けない。一方、′ｌ”の
状態、即ち空乏層領域１３が１０′判２ｇ基準値の何分
の−かの電荷を保持している場合は、α線照射により電
子の数が増加し、９１”の状態全保持で＠なくなりＩＩ
Ｏ“の状態に情報反転してしｌう（ソフトエラー） Ｅ
［能性がある。
ている場合は、α線照射によ）電子の敬が増加するだけ
で、’ｏ”ｉｉ持し、影Ｖｔ受けない。一方、′ｌ”の
状態、即ち空乏層領域１３が１０′判２ｇ基準値の何分
の−かの電荷を保持している場合は、α線照射により電
子の数が増加し、９１”の状態全保持で＠なくなりＩＩ
Ｏ“の状態に情報反転してしｌう（ソフトエラー） Ｅ
［能性がある。
このようなα線の照射によるソフトエラーの問題は半導
体メモリ素子の集積度が低い時には七ｎ程問題となって
いなかったが、半導体メモリ素子の微細化が進むにつｎ
てα線によるソフトエラーの問題が太きくりａ−ズアソ
プ芒扛て来た。即ち、微細化により１．込み情報カー１
”とＸＸＯ″の時の空乏層領域１３が予め保持する電荷
のむの差が小石〈なった結果、第２図のメモリセルに極
＜少針の、ｆａｌｌえば１個のα線が入射するたけでソ
フトエラーが生じてしｌうというＣとが表面化してさた
。
体メモリ素子の集積度が低い時には七ｎ程問題となって
いなかったが、半導体メモリ素子の微細化が進むにつｎ
てα線によるソフトエラーの問題が太きくりａ−ズアソ
プ芒扛て来た。即ち、微細化により１．込み情報カー１
”とＸＸＯ″の時の空乏層領域１３が予め保持する電荷
のむの差が小石〈なった結果、第２図のメモリセルに極
＜少針の、ｆａｌｌえば１個のα線が入射するたけでソ
フトエラーが生じてしｌうというＣとが表面化してさた
。
ここで、鉛葡會む早出ボール２に：）ｂてみると、従来
は、半田ボール２から図示したα線１４がメモリ３を照
射しても、メモリの０Ｎ−ＯＦＦｉ決める電荷量が多い
ために特に問題ではなかった。
は、半田ボール２から図示したα線１４がメモリ３を照
射しても、メモリの０Ｎ−ＯＦＦｉ決める電荷量が多い
ために特に問題ではなかった。
つ１９．５ＭθＶのα線が８１結晶の中會進む（約３０
μｍ）際に形成する電子−正孔対の趣は１．４ＸＩＯＪ
固であり、その電荷量に２．２４ｘＬＯ−’クーロンに
相当する。一方、メモリとして蓄積芒江る電荷量にその
約３倍以上の６ＸＬＯ−’３クーロンであり、同時に３
個以上のα線が照射テる揶んは無視できる位小さいので
、α線が照射しても問題とならなかった。
μｍ）際に形成する電子−正孔対の趣は１．４ＸＩＯＪ
固であり、その電荷量に２．２４ｘＬＯ−’クーロンに
相当する。一方、メモリとして蓄積芒江る電荷量にその
約３倍以上の６ＸＬＯ−’３クーロンであり、同時に３
個以上のα線が照射テる揶んは無視できる位小さいので
、α線が照射しても問題とならなかった。
メモリの集積度を高めるために、素子の倣＃ｌＩ ｋ行
なうと、メモリ素子の構造は従来と変化しないか各種二
次元的な寸法は小さくなっている。従っで空乏層領域の
面積が圀えは従来の約１／３゜１００〜２００ｐｒｙ／
と小さくなる。七のためゝゝ０“とｐ＋＋定ラーう′直
荷容貸も従来の６×１０〜１３クーロンの約１／３とな
る。結局、果２図で空乏層領域Ｌ３がＬＵＯ〜２０υ／
ｌ ｔｒｉ” Ｙこ相当Ｌ７ｍとき、５ＭｅＶのα線［
４か入射し、七の結果生じた寛子會全て空乏層領域１３
が捕捉すると−」度２．２ＸＬＯ−”クーロンの′ｌｌ
ｊ：荷倉が果ｌる。この′屯荷蓋は５０“に相当する。
なうと、メモリ素子の構造は従来と変化しないか各種二
次元的な寸法は小さくなっている。従っで空乏層領域の
面積が圀えは従来の約１／３゜１００〜２００ｐｒｙ／
と小さくなる。七のためゝゝ０“とｐ＋＋定ラーう′直
荷容貸も従来の６×１０〜１３クーロンの約１／３とな
る。結局、果２図で空乏層領域Ｌ３がＬＵＯ〜２０υ／
ｌ ｔｒｉ” Ｙこ相当Ｌ７ｍとき、５ＭｅＶのα線［
４か入射し、七の結果生じた寛子會全て空乏層領域１３
が捕捉すると−」度２．２ＸＬＯ−”クーロンの′ｌｌ
ｊ：荷倉が果ｌる。この′屯荷蓋は５０“に相当する。
従って、１”の状態全保持しているメモ＋７−１＝ルに
α線が１個入射すれば、七のメモリセルの保持する奄Ｍ
蓋にゝ１０“の状態に４’ｌＪ肖する値に互で増加して
し互う。このような状態では、α線照射によシ、ソフト
エラーが確実に発生することになる。
α線が１個入射すれば、七のメモリセルの保持する奄Ｍ
蓋にゝ１０“の状態に４’ｌＪ肖する値に互で増加して
し互う。このような状態では、α線照射によシ、ソフト
エラーが確実に発生することになる。
この゛ように、上述のような微細化により、半田ポール
２からのα線もソフトエラーを生じせしめる一因と考え
ら几るようになってきたことに鑑み、本発明者が半田ボ
ールについて検討した結果、次のようなことがわかった
。
２からのα線もソフトエラーを生じせしめる一因と考え
ら几るようになってきたことに鑑み、本発明者が半田ボ
ールについて検討した結果、次のようなことがわかった
。
＝’４” ｌイ」（生成分Ｐｂ−８ｎ）’ｉ素子ノ＊
極接合に使った時、生産性は高くなるが２１０ｐｂに関
与する２ １０ ｐ ｏ からのα線が他の材料より
も多いため、素子によってはソフトエラーが高くなるこ
とが判った１、この対策として、半田を使用しない製造
工程の開発、α線を多く放出する伽となる２ １０ ｐ
ｂを除去したＰｂＴｈ使用した半田の使用およびα線
１１α射に傭い素子設計・製作が考えらｎる。しかし、
生）壁性回上の点で、一部の素子でに半田の利用が不用
欠である。
極接合に使った時、生産性は高くなるが２１０ｐｂに関
与する２ １０ ｐ ｏ からのα線が他の材料より
も多いため、素子によってはソフトエラーが高くなるこ
とが判った１、この対策として、半田を使用しない製造
工程の開発、α線を多く放出する伽となる２ １０ ｐ
ｂを除去したＰｂＴｈ使用した半田の使用およびα線
１１α射に傭い素子設計・製作が考えらｎる。しかし、
生）壁性回上の点で、一部の素子でに半田の利用が不用
欠である。
Ｐｂ中に原子砒化″ｆ、７ｊは重量比いずルでも極値！
（０，１％以下）含１ｎる２ １０ ｐ ｂｒＪ、ソ
フトエラーの発生の根源となるα線ケ多量に放出する。
（０，１％以下）含１ｎる２ １０ ｐ ｂｒＪ、ソ
フトエラーの発生の根源となるα線ケ多量に放出する。
２１０ ｐ ｂば、ウラン系列の壊変に工りｚｓｓ Ｕ
。
。
Ｔｈ−＋ Ｕ−Ｊ） Ｔｈ−＋ Ｒ
ａ−＋ Ｒｎ→ Ｒｏ→ Ｐｂ−＋
Ｂｉ→ ＰＯ→の系列の一部として存在する。
ａ−＋ Ｒｎ→ Ｒｏ→ Ｐｂ−＋
Ｂｉ→ ＰＯ→の系列の一部として存在する。
１１０ ｐ ｂ に２段階のβ壊変にエリ２１０ｐｏ
となった後、２１°ＰＯがα崩壊して２０６ｐｂ （安
定Ｙなる。ウラン系列で、Ｐｂの同位元素として上記の
２１０ ｐｂ、 ２０６ ｐｂのは力・に２１４ｐｂが
あるが、この２１４ｐｂの牛減ル］は２６゜８分である
ため、Ｕとｐｂとの分離中に壊変するのでソフトエラー
の問題にはならない。結局２１０ｐｂが問題である。２
１０ｐｂの半減期は１９．４年であり、β崩壊し、２１
０Ｂ１になる。２１０ＢＬの半減期は５．１４日であシ
、同じくβ崩壊で２１０ＰＯとなる。２１０ｐＯの半減
期は１３８．４日であり、α崩壊しくα線のエネルキ−
は５．３０５ ＭｅＶ） 。
となった後、２１°ＰＯがα崩壊して２０６ｐｂ （安
定Ｙなる。ウラン系列で、Ｐｂの同位元素として上記の
２１０ ｐｂ、 ２０６ ｐｂのは力・に２１４ｐｂが
あるが、この２１４ｐｂの牛減ル］は２６゜８分である
ため、Ｕとｐｂとの分離中に壊変するのでソフトエラー
の問題にはならない。結局２１０ｐｂが問題である。２
１０ｐｂの半減期は１９．４年であり、β崩壊し、２１
０Ｂ１になる。２１０ＢＬの半減期は５．１４日であシ
、同じくβ崩壊で２１０ＰＯとなる。２１０ｐＯの半減
期は１３８．４日であり、α崩壊しくα線のエネルキ−
は５．３０５ ＭｅＶ） 。
２０６ｐｂになる。
実際に、半ＵＪ］から放出さ扛るα線を計測すると０．
５α／ ｃＡ ” ｈ ｒの場合があった。そして、こ
のエネルギー分布ケ測定すると第３図に示すように、最
大が約５．３ＭθＶで、−ｆａｎ、以下Ｏθｔ２でほぼ
一様に分布していた。ただし、試料に半田４５０μｍｌ
１ｌ塗布したものである。５．３ＭｅＶのα線は半田の
表面から放出さｎたものである。それ以下、ＯＭｅＶ
’Ｊでのα線ハ、当初的５，３ＭθＶのエネルギーのも
のが半田の内部でエネルギー損失したものに相当する。
５α／ ｃＡ ” ｈ ｒの場合があった。そして、こ
のエネルギー分布ケ測定すると第３図に示すように、最
大が約５．３ＭθＶで、−ｆａｎ、以下Ｏθｔ２でほぼ
一様に分布していた。ただし、試料に半田４５０μｍｌ
１ｌ塗布したものである。５．３ＭｅＶのα線は半田の
表面から放出さｎたものである。それ以下、ＯＭｅＶ
’Ｊでのα線ハ、当初的５，３ＭθＶのエネルギーのも
のが半田の内部でエネルギー損失したものに相当する。
（α線の発生場所が深い程、エネルギー損失は大きくな
る。） 結局、ｓ、 ３ Ｍθ■のα線葡放田する２１０ｐｏの
伽となる！１ｏｐｂばｐｂの同位体であり、ｐｂ紮オＡ
ｈしてＵ？除去しても約２０年１１ｊ１７ｊつても、
梢Ｎ時点の約１７２しか減少できないことになる。（１
−Ｎ製の効果が余りな”ｏ） 勿論、Ｐｂｔ買Ｍ分析計で質爺分離し ２１Ｏｐｂケ除
去する方式が原理的に考えら１するが、１采的に高仙１
とな９、得策でにない。特に、ウランの崩壊系列で放射
平衡が成り立っているときには、２１０ｐｂは２８８Ｈ
の含有量紮１とすると約４．３×１０−９の割合で存在
する。ウラ７ケ除去した後のｐｂは２０４ ｐｂ、 ２
０６ Ｐｂ、 ２０８ Ｐｂおよび２０？ｐｂでほぼｌ
００ ’Ｘ盆占め、２１０Ｐｂのｈｌは上記数イ直よ
りわかるように輛〈倣量（ｔｏ−’〜ＬＯ−６オーダー
）となる。このような倣雇の２１０ｐｂを２０４ ｐｂ
、 ２０６ ｐｂ、２０８ ｐｂ、 ２０７ ｐｂと区
別するのにイ０策でなくかつ実際上手−ｏＪ能である。
る。） 結局、ｓ、 ３ Ｍθ■のα線葡放田する２１０ｐｏの
伽となる！１ｏｐｂばｐｂの同位体であり、ｐｂ紮オＡ
ｈしてＵ？除去しても約２０年１１ｊ１７ｊつても、
梢Ｎ時点の約１７２しか減少できないことになる。（１
−Ｎ製の効果が余りな”ｏ） 勿論、Ｐｂｔ買Ｍ分析計で質爺分離し ２１Ｏｐｂケ除
去する方式が原理的に考えら１するが、１采的に高仙１
とな９、得策でにない。特に、ウランの崩壊系列で放射
平衡が成り立っているときには、２１０ｐｂは２８８Ｈ
の含有量紮１とすると約４．３×１０−９の割合で存在
する。ウラ７ケ除去した後のｐｂは２０４ ｐｂ、 ２
０６ Ｐｂ、 ２０８ Ｐｂおよび２０？ｐｂでほぼｌ
００ ’Ｘ盆占め、２１０Ｐｂのｈｌは上記数イ直よ
りわかるように輛〈倣量（ｔｏ−’〜ＬＯ−６オーダー
）となる。このような倣雇の２１０ｐｂを２０４ ｐｂ
、 ２０６ ｐｂ、２０８ ｐｂ、 ２０７ ｐｂと区
別するのにイ０策でなくかつ実際上手−ｏＪ能である。
結局、鹸１０年前［Ｕ系統のもの紮除去した２６１便用
することか考えらルるか、七のようなものは殆んどなく
、実際上困難である。約２０年前ＫＵをＰｂから除去（
硝岬）したとしても、２１０ｐｂはｌ／２に減少するた
けであり、抜本的にα線によるソフトエラー防止とはな
Ｖ難い。
することか考えらルるか、七のようなものは殆んどなく
、実際上困難である。約２０年前ＫＵをＰｂから除去（
硝岬）したとしても、２１０ｐｂはｌ／２に減少するた
けであり、抜本的にα線によるソフトエラー防止とはな
Ｖ難い。
本発明の目的は、Ｎ！Ｊｉｊじした課題に鑑みλ α線
によるメモリのソフトエラー？著しく低減できる半導体
メモリ素子の電極構造ケ提供するＣとにある。
によるメモリのソフトエラー？著しく低減できる半導体
メモリ素子の電極構造ケ提供するＣとにある。
以下、本発明を図面に示す実１１ｉｆＪ（＋すにしたが
ってｉｆ卸１ｖｃ説りＪする。
ってｉｆ卸１ｖｃ説りＪする。
第４図は本発明による半導体メモリ素子の電極布造の一
実施例を示す部分断面図である、。
実施例を示す部分断面図である、。
この実り山り１」においては、半導体メモリ素子の電極
の実装配線のために半田ボールによるＣＣＢ方式の電極
（１°ｑ造が用いら７１ている。
の実装配線のために半田ボールによるＣＣＢ方式の電極
（１°ｑ造が用いら７１ている。
七のため、基板４と８１基板５との両電極１間Ｖ′Ｃは
半Ｈ］ボール２が弁設芒ｔして論る。そして、この半［
］ｊボール２の左右両側の外側に、たとえば１模１’ｉ
３ Ｕμ７４以上のα線シールド材１５で↑染わｔし
ている。
半Ｈ］ボール２が弁設芒ｔして論る。そして、この半［
］ｊボール２の左右両側の外側に、たとえば１模１’ｉ
３ Ｕμ７４以上のα線シールド材１５で↑染わｔし
ている。
このα線シールド制御５の拐質は、４１機物、半導体、
絶縁物互たｅユ金属のいずｎでも工ぐ、七のもの自体が
Ｕ、Ｔｈ等の如くα［株］牙放出する放射性元累ｋｌ）
ｐｂ〜ｐｐｔのオーダ以下の量しか含ｌなりものである
。このα線シールド材１５として好互しい高シールド拐
科としては、ポリイミド系樹脂、シリコーンゲル、アル
ミキレート等のＭｔｄＭ化合物、Ａｕ等の金属、必るい
ばＳｌやＧｅ等の半導体等が挙げらｆ’Ｌる。
絶縁物互たｅユ金属のいずｎでも工ぐ、七のもの自体が
Ｕ、Ｔｈ等の如くα［株］牙放出する放射性元累ｋｌ）
ｐｂ〜ｐｐｔのオーダ以下の量しか含ｌなりものである
。このα線シールド材１５として好互しい高シールド拐
科としては、ポリイミド系樹脂、シリコーンゲル、アル
ミキレート等のＭｔｄＭ化合物、Ａｕ等の金属、必るい
ばＳｌやＧｅ等の半導体等が挙げらｆ’Ｌる。
前記α輸シールド相１５′＋ｃ設ける方式としては、予
め電極１の上に筒状のα線シールド材１５奮置き、その
中に半田ボール２を入ｎる方式、あるいに予め半田ボー
ル２に図示の如きα線シールド材１５（５かぶせておく
方式等がある。
め電極１の上に筒状のα線シールド材１５奮置き、その
中に半田ボール２を入ｎる方式、あるいに予め半田ボー
ル２に図示の如きα線シールド材１５（５かぶせておく
方式等がある。
本実施例においてに、半田ボール２中の２１８Ｐｂから
放出されたα＋ｍ（５，３ＭｅＶ以下のエネルギー）は
α緋シールド材１．５によりエネルギー損失するので、
該α線シールド拐１５から外に出ることはできなくなる
。本発明者の実験Ｖこよれば、α線シールドｌ’１５の
外側におけるα線のエネルギー分布ケ測足したところ、
α線は検出さ７’Ｌず（０゜００１α／ｃｄ−ｈｒ以下
）、半田ボール２ｔ′電極１の実装配線に用Ａても、半
田からのα線に起因するソフトエラーは問題にならなく
なった。
放出されたα＋ｍ（５，３ＭｅＶ以下のエネルギー）は
α緋シールド材１．５によりエネルギー損失するので、
該α線シールド拐１５から外に出ることはできなくなる
。本発明者の実験Ｖこよれば、α線シールドｌ’１５の
外側におけるα線のエネルギー分布ケ測足したところ、
α線は検出さ７’Ｌず（０゜００１α／ｃｄ−ｈｒ以下
）、半田ボール２ｔ′電極１の実装配線に用Ａても、半
田からのα線に起因するソフトエラーは問題にならなく
なった。
第５図に本発明の池の１つの実施［＋ｌ−示す部分断面
図である。
図である。
この実施し１」においてに、半田ポール２０表面全体は
電極ｌとの接触面（図の上下面）も含めてα線シールド
Ｕ’Ｌ５ａで株わｎている。このα線シールド拐１５ａ
の月質は、たとえば金塊元累、合金の如き背体の高シー
ルド材料であれば良く、α線放射元素がｐｐｂ〜ｐｐｔ
のオーダ以下しか金子ないものが好１しく、七の埋さは
半田ボール２からのα線エネルギー會外部に放出８せな
いようエネルギー損失’ｔＯ−＠起こ８せるのに十分な
埋さ、たとえは３０μｍ以上であｎば良い。
電極ｌとの接触面（図の上下面）も含めてα線シールド
Ｕ’Ｌ５ａで株わｎている。このα線シールド拐１５ａ
の月質は、たとえば金塊元累、合金の如き背体の高シー
ルド材料であれば良く、α線放射元素がｐｐｂ〜ｐｐｔ
のオーダ以下しか金子ないものが好１しく、七の埋さは
半田ボール２からのα線エネルギー會外部に放出８せな
いようエネルギー損失’ｔＯ−＠起こ８せるのに十分な
埋さ、たとえは３０μｍ以上であｎば良い。
このα線シールド材１５ａ ’ｆ設ける方式としては、
めっき’Ｅ ７（は機械的付着方式等がある。
めっき’Ｅ ７（は機械的付着方式等がある。
本実施輿」においても、半田ボール２から放出さｎたα
線はα線シールド材１５ａ中でエネルギー損失し、メモ
リ３には入射δルず、α線によるソフトエラーを防止す
ることができる。
線はα線シールド材１５ａ中でエネルギー損失し、メモ
リ３には入射δルず、α線によるソフトエラーを防止す
ることができる。
本発明に半田に限らず、一般に鉛會含む拐料たとえは鉛
ガラスとメモリとの間にα線シールド相を置く場合にも
適用でさ、メモリのα？ＩＭによるソフトエラーを著し
く低減できる。ｌた、その他にも、セラミックパンケー
ジ、リード線等からのα線か問題となる場合［は、それ
らとメモリとの間にα線シールドＩｌ’に置くのが良い
。七の場合にも、シールド材の厚さはα線のエネルギー
損失ケ十分に起こすものであるのが良いっ なお、前記両実施し１ｊでは、α線シールド材として１
層の膜のものを用いているが、同−材料互たは異質月科
の多層膜でも同様の効果が得られる。
ガラスとメモリとの間にα線シールド相を置く場合にも
適用でさ、メモリのα？ＩＭによるソフトエラーを著し
く低減できる。ｌた、その他にも、セラミックパンケー
ジ、リード線等からのα線か問題となる場合［は、それ
らとメモリとの間にα線シールドＩｌ’に置くのが良い
。七の場合にも、シールド材の厚さはα線のエネルギー
損失ケ十分に起こすものであるのが良いっ なお、前記両実施し１ｊでは、α線シールド材として１
層の膜のものを用いているが、同−材料互たは異質月科
の多層膜でも同様の効果が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、半導体メモリ素
子の電極の実装配線として半田または鉛全含む材料音用
いた場合でも、α線によるメモリのソフトエラーを著し
く低減できる。
子の電極の実装配線として半田または鉛全含む材料音用
いた場合でも、α線によるメモリのソフトエラーを著し
く低減できる。
第１図は半田を利用したＯＯＢ構造を持つメモリ素子の
部分断面図、 第２図は、ｐ型基板のダイナミックメモリ素子のメモリ
部の拡大部分断面図、 第３図は、半田（Ｐｂ−８ｎ）からのα線のエネルギー
スペクトルに示す図、 第４図は本発明による半導体メモリ素子の奄極描造の一
実施列を示ア部分断面図、 第５図は本発明の他の１つの実施列を示す部分断面図で
ある。 ｌ・・・−極、２・・・半田ボール、３・・・メモリ、
４・・・基板、５・・・８１基板、１４・・・α線、ｌ
５ 、１５ａ・・・α線シールド材。 第 １ 図 第 ２ 図 ／４
部分断面図、 第２図は、ｐ型基板のダイナミックメモリ素子のメモリ
部の拡大部分断面図、 第３図は、半田（Ｐｂ−８ｎ）からのα線のエネルギー
スペクトルに示す図、 第４図は本発明による半導体メモリ素子の奄極描造の一
実施列を示ア部分断面図、 第５図は本発明の他の１つの実施列を示す部分断面図で
ある。 ｌ・・・−極、２・・・半田ボール、３・・・メモリ、
４・・・基板、５・・・８１基板、１４・・・α線、ｌ
５ 、１５ａ・・・α線シールド材。 第 １ 図 第 ２ 図 ／４
Claims (1)
- ■、半田またに鉛を含む材料で電極の実装配線構造なう
半導体メモリ素子において、実装配線の外側にα線シー
ルドＩを配置することを特徴とする半導体メモリ素子の
電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177657A JPS5967658A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体メモリ素子の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177657A JPS5967658A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体メモリ素子の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967658A true JPS5967658A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16034817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57177657A Pending JPS5967658A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体メモリ素子の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967658A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0662870U (ja) * | 1993-02-12 | 1994-09-06 | 公三 下村 | 高さを変えることができる安眠枕 |
| JPH0684967U (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-06 | 香川 マス | 健康枕 |
| US5767009A (en) * | 1995-04-24 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure of chip on chip mounting preventing from crosstalk noise |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57177657A patent/JPS5967658A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0662870U (ja) * | 1993-02-12 | 1994-09-06 | 公三 下村 | 高さを変えることができる安眠枕 |
| JPH0684967U (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-06 | 香川 マス | 健康枕 |
| US5767009A (en) * | 1995-04-24 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure of chip on chip mounting preventing from crosstalk noise |
| US5821625A (en) * | 1995-04-24 | 1998-10-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure of chip on chip mounting preventing from crosstalk noise |
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