JPS5967951U - ＧａＡｓ単結晶の電極構造 - Google Patents
ＧａＡｓ単結晶の電極構造Info
- Publication number
- JPS5967951U JPS5967951U JP16286582U JP16286582U JPS5967951U JP S5967951 U JPS5967951 U JP S5967951U JP 16286582 U JP16286582 U JP 16286582U JP 16286582 U JP16286582 U JP 16286582U JP S5967951 U JPS5967951 U JP S5967951U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- electrode structure
- gaas single
- crystal electrode
- gaas
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図及び第２図は従来例を示す断面図、第３図は本考
案の実施例を示す断面図である。 １・・・ＧａＡｓ単結晶（基板）、２・・・絶縁層、１
１・・・第１層、１２・・・第２層。
案の実施例を示す断面図である。 １・・・ＧａＡｓ単結晶（基板）、２・・・絶縁層、１
１・・・第１層、１２・・・第２層。
Claims (1)
- ＧａＡｓ単結晶、該単結晶上に積層された絶縁層、該絶
縁層の一部を除去することにより上記単結晶の一部が露
出するように形成された開口部、該開口部内の上記Ｇａ
Ａｓ単結晶表面に積層されたＺｎからなる第１層、該第
１層上及び上記絶縁層上に積層された、Ａｕ−Ｃｒから
なる第２層を具備したことを特徴とするＧａＡｓ単結晶
の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16286582U JPS5967951U (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | ＧａＡｓ単結晶の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16286582U JPS5967951U (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | ＧａＡｓ単結晶の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967951U true JPS5967951U (ja) | 1984-05-08 |
Family
ID=30357524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16286582U Pending JPS5967951U (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | ＧａＡｓ単結晶の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967951U (ja) |
-
1982
- 1982-10-26 JP JP16286582U patent/JPS5967951U/ja active Pending
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