JPS5968151A - 焦電型熱像撮像管タ−ゲツト - Google Patents
焦電型熱像撮像管タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS5968151A JPS5968151A JP57177926A JP17792682A JPS5968151A JP S5968151 A JPS5968151 A JP S5968151A JP 57177926 A JP57177926 A JP 57177926A JP 17792682 A JP17792682 A JP 17792682A JP S5968151 A JPS5968151 A JP S5968151A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- pyroelectric
- film
- secondary electron
- thermal image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/458—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen pyroelectrical targets; targets for infrared or ultraviolet or X-ray radiations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、物体の温度分布を二次元の映像に変換する焦
電型熱像撮像管ターゲットに関するものである。
電型熱像撮像管ターゲットに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来の焦電型熱像撮像管は第１図に示すように赤外線を
透過するゲルマニウム・フェース・プレート１と焦電物
質からなるターゲット２とカソード３から放出される電
子ビーム４を引き出し、集束、加速させるＧ１電極６．
Ｇ２電極６．Ｇ３電極了、およびＧ４電極８から主に構
成されている。
透過するゲルマニウム・フェース・プレート１と焦電物
質からなるターゲット２とカソード３から放出される電
子ビーム４を引き出し、集束、加速させるＧ１電極６．
Ｇ２電極６．Ｇ３電極了、およびＧ４電極８から主に構
成されている。
この動作原理を以下に述べる。被測定物体（図示せず）
表面からその温度に応じて放射される赤外線ヲゲルマニ
ウムレ／ズ９によってターゲット２上に赤外線強度分布
像として結像させる。焦電物質からなるターゲット２は
垂直に分極され、赤外線入射面には信号取り出し電極を
兼ねた赤外線吸収膜（図示せず）が形成されており、タ
ーゲット２の裏面、即ちビーム走査面には焦電効果によ
って赤外線強度分布像に応じた電荷分布像が誘起される
。これを電子ビーム４で走査して温度分布画像信号を得
るわけである。
表面からその温度に応じて放射される赤外線ヲゲルマニ
ウムレ／ズ９によってターゲット２上に赤外線強度分布
像として結像させる。焦電物質からなるターゲット２は
垂直に分極され、赤外線入射面には信号取り出し電極を
兼ねた赤外線吸収膜（図示せず）が形成されており、タ
ーゲット２の裏面、即ちビーム走査面には焦電効果によ
って赤外線強度分布像に応じた電荷分布像が誘起される
。これを電子ビーム４で走査して温度分布画像信号を得
るわけである。
焦電効果は、温度変化によってターゲット２の表面電荷
が変化するものであるため、静止状態で温度変化してい
ない物体の表面温度分布像を焦電型熱像撮像管で得るだ
めには、チョッパ等を用いて入射赤外線を時間的に変調
するか、あるいは焦電型熱像撮像管カメラを動かしパニ
ングする必要がある。
が変化するものであるため、静止状態で温度変化してい
ない物体の表面温度分布像を焦電型熱像撮像管で得るだ
めには、チョッパ等を用いて入射赤外線を時間的に変調
するか、あるいは焦電型熱像撮像管カメラを動かしパニ
ングする必要がある。
焦電型熱像撮像管のターゲット２は一般に高抵抗体であ
り、光チョッパによるターゲット温度の上昇および下降
に対応して電子ビーム走査面の電荷が正負に変化するの
みであるからターゲットの電位をカッ ド電位に近い正
電位にまで上げておくカソード電位安定化（ｃ ｐ ｓ
）モードでは、読み出されない負電荷が蓄積され、電子
ビームがターゲツト面に到達できなくなり、信号を読み
出ずことができなくなる。これを避けるだめには、ター
ゲット２に正のバイアス電流を供給して、ターゲツト面
を中第１１シてやらなければならない。このターゲツト
面中和の方法として、例えは撮像管内に水素ガスを封入
して、電子ビームとの衝突によって生じる陽イオンをタ
ーゲツト面に当て、正のバイアス電流を為え中和する、
陽イオンペデスタルモードと電子ビーム走査の水イまた
は垂直帰線時間のみアノード電位を高ぐするアノード電
位安定化モーニド（Ａ Ｐ Ｓモード）で動作させ、２
次電イを放出させてターゲツト面の負電荷を取り除く、
二次電子放出ペデスタルモードがある。
り、光チョッパによるターゲット温度の上昇および下降
に対応して電子ビーム走査面の電荷が正負に変化するの
みであるからターゲットの電位をカッ ド電位に近い正
電位にまで上げておくカソード電位安定化（ｃ ｐ ｓ
）モードでは、読み出されない負電荷が蓄積され、電子
ビームがターゲツト面に到達できなくなり、信号を読み
出ずことができなくなる。これを避けるだめには、ター
ゲット２に正のバイアス電流を供給して、ターゲツト面
を中第１１シてやらなければならない。このターゲツト
面中和の方法として、例えは撮像管内に水素ガスを封入
して、電子ビームとの衝突によって生じる陽イオンをタ
ーゲツト面に当て、正のバイアス電流を為え中和する、
陽イオンペデスタルモードと電子ビーム走査の水イまた
は垂直帰線時間のみアノード電位を高ぐするアノード電
位安定化モーニド（Ａ Ｐ Ｓモード）で動作させ、２
次電イを放出させてターゲツト面の負電荷を取り除く、
二次電子放出ペデスタルモードがある。
二次電子放出ペデスタルモー ドで動作させる場合、従
来、第２図に示すように焦電物質をターゲット１１とし
だものにターゲット有効径を決定する金属膜１３を形成
しこれを支持台１０にとりつけている。このターゲラｌ
−有効径は焦電物質全面に電子ビームが走査されないと
、正電荷が蓄積されすぎてし甘う関係上ビーム走査可能
範囲すなわちＧ４電極メノンユ内径よりやや小さめに制
限される。このような構造のターゲット１１は、ターゲ
ット１１の表面状態により二次電子放出比にばらつきが
発生し、ペデスタル波形の不均一が生じる。このだめ、
第３図に示すように焦電物質ターゲット１１のビーム走
査側に二次電子放出膜１２を形成し、二次電子放出比の
ばらつきを防止することが行なわれている。しかし、こ
の構造のターゲットは単に金属膜１３を二次電子放出膜
１２の上に積層したのでは、ターゲラｌ−表面に生じる
表面電荷の一部が金属膜１３を通して漏洩し、その結果
ターゲツト面のペデスタル波形にシェーディングが生じ
る欠点がある。すなわち二次電子放出膜１２の形成は、
焦電物質１１表面の不均一性を補償するには有効である
が、一方ペテスタル波形にシェーディングが生じる欠点
を引起す。
来、第２図に示すように焦電物質をターゲット１１とし
だものにターゲット有効径を決定する金属膜１３を形成
しこれを支持台１０にとりつけている。このターゲラｌ
−有効径は焦電物質全面に電子ビームが走査されないと
、正電荷が蓄積されすぎてし甘う関係上ビーム走査可能
範囲すなわちＧ４電極メノンユ内径よりやや小さめに制
限される。このような構造のターゲット１１は、ターゲ
ット１１の表面状態により二次電子放出比にばらつきが
発生し、ペデスタル波形の不均一が生じる。このだめ、
第３図に示すように焦電物質ターゲット１１のビーム走
査側に二次電子放出膜１２を形成し、二次電子放出比の
ばらつきを防止することが行なわれている。しかし、こ
の構造のターゲットは単に金属膜１３を二次電子放出膜
１２の上に積層したのでは、ターゲラｌ−表面に生じる
表面電荷の一部が金属膜１３を通して漏洩し、その結果
ターゲツト面のペデスタル波形にシェーディングが生じ
る欠点がある。すなわち二次電子放出膜１２の形成は、
焦電物質１１表面の不均一性を補償するには有効である
が、一方ペテスタル波形にシェーディングが生じる欠点
を引起す。
発明の目的
本発明は二次電子放出比が均一で、しかもペデスタル波
形にシェーディングが生じない焦電型熱像撮像管ターゲ
ットを提供することを目的とするものである。
形にシェーディングが生じない焦電型熱像撮像管ターゲ
ットを提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明（弓：焦電物質ターゲットの一方の面の周辺部に
ターゲット有効領域を決定するだめの金属膜を閉ルーズ
状に形成し、ターゲツト面およびこの金属膜の一部又は
全部を覆うようにしたものであるＯ 実施例の説明 以下本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第４図に示すように、支持台１ｏに固定されだ焦電
物質ターゲット１１のビーム走査側に、リング状の金属
膜１３を内径がｆｌ に々るように形成し、さらに二
次電子放出膜１２を周縁部が金属膜１３の内周部を含む
一部あるいは全部を積層するように外径がｆ２ になる
ように形成する。ここで、ｆｌ、ｆ２はｆｌ〈子２の関
係にある。
ターゲット有効領域を決定するだめの金属膜を閉ルーズ
状に形成し、ターゲツト面およびこの金属膜の一部又は
全部を覆うようにしたものであるＯ 実施例の説明 以下本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第４図に示すように、支持台１ｏに固定されだ焦電
物質ターゲット１１のビーム走査側に、リング状の金属
膜１３を内径がｆｌ に々るように形成し、さらに二
次電子放出膜１２を周縁部が金属膜１３の内周部を含む
一部あるいは全部を積層するように外径がｆ２ になる
ように形成する。ここで、ｆｌ、ｆ２はｆｌ〈子２の関
係にある。
第４図に示す本発明の構造のターゲットにおいて７＋に
φ１８ｍｍ、 チ２−φ１９ｍｍとし、二次電子放出
膜１２の厚さを例えは５００＾としで形成し、二次電子
放出膜１２上を電子ビームで走査すると、二次電子を放
出した二次電子放出膜１２０表面には正の表面電荷が現
れる。一方、金属膜１３は零電位あるいは零電位より若
干低く電位を保っているだめ、二次電子放出膜１２表面
に現れた正の電荷は、二次電子放出膜１２の膜厚を介し
てクーロン力で結合しており、表面からの漏洩はほとん
ど見られない。又、二次電子放出膜周辺部からの着圧の
漏洩は考えられるが、その大きさは非常に小さく、ペデ
スタル波形の均一さを乱すものではない。
φ１８ｍｍ、 チ２−φ１９ｍｍとし、二次電子放出
膜１２の厚さを例えは５００＾としで形成し、二次電子
放出膜１２上を電子ビームで走査すると、二次電子を放
出した二次電子放出膜１２０表面には正の表面電荷が現
れる。一方、金属膜１３は零電位あるいは零電位より若
干低く電位を保っているだめ、二次電子放出膜１２表面
に現れた正の電荷は、二次電子放出膜１２の膜厚を介し
てクーロン力で結合しており、表面からの漏洩はほとん
ど見られない。又、二次電子放出膜周辺部からの着圧の
漏洩は考えられるが、その大きさは非常に小さく、ペデ
スタル波形の均一さを乱すものではない。
発明の詳細
な説明したように、本発明はターゲット有効領域を決定
する金属膜との関係において、金属膜十に積層させて二
次電子放出膜を形成する構造にすることにより、従来の
二次電子放出膜を形成する構造に比べ、ペデスタル波形
の均一な、二次電子放出ペデスタルモードの焦電型熱像
撮像管を提供するものである。なお、形状において円形
のものの例をあげだが、長方形、正方形、だる形々ど任
意の形状においても本発明の効果が失われないことは熱
論である。
する金属膜との関係において、金属膜十に積層させて二
次電子放出膜を形成する構造にすることにより、従来の
二次電子放出膜を形成する構造に比べ、ペデスタル波形
の均一な、二次電子放出ペデスタルモードの焦電型熱像
撮像管を提供するものである。なお、形状において円形
のものの例をあげだが、長方形、正方形、だる形々ど任
意の形状においても本発明の効果が失われないことは熱
論である。
第１図は通常の焦電型熱像撮像管の構造を示す仙ｊ面図
、第２図および第３図は、従来の焦電型熱像撮像管ター
ゲットの断面図、第４図は本発明による焦電撮像管ター
ゲットの実施例を示す断面図である。 １ ・・ゲルマニウム・フェース・プレート、２・・タ
ーゲット、３ カソード、４ 電子ビーム、６ ０
１電極、６−− Ｇ ２電極、７Ｇ３電極、８−− Ｇ
４電極、９ ゲルマニウムレンズ、１０ 支持台
、１１・・ 焦電物質ターゲット、１２ 二次電子放
出膜、１３ 金属膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
、第２図および第３図は、従来の焦電型熱像撮像管ター
ゲットの断面図、第４図は本発明による焦電撮像管ター
ゲットの実施例を示す断面図である。 １ ・・ゲルマニウム・フェース・プレート、２・・タ
ーゲット、３ カソード、４ 電子ビーム、６ ０
１電極、６−− Ｇ ２電極、７Ｇ３電極、８−− Ｇ
４電極、９ ゲルマニウムレンズ、１０ 支持台
、１１・・ 焦電物質ターゲット、１２ 二次電子放
出膜、１３ 金属膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）焦電物質ターゲットのビーム走査側の面の周辺部
に閉ループを形成するように金属膜を形成し、前記ター
ゲツト面の残余の部分および、前記金属膜の内周部を含
む一部又は全部を覆って二次型イ放出膜を形成したこと
を特徴とする焦電型熱像撮像管ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177926A JPS5968151A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 焦電型熱像撮像管タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177926A JPS5968151A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 焦電型熱像撮像管タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968151A true JPS5968151A (ja) | 1984-04-18 |
| JPS637652B2 JPS637652B2 (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=16039476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57177926A Granted JPS5968151A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 焦電型熱像撮像管タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968151A (ja) |
-
1982
- 1982-10-08 JP JP57177926A patent/JPS5968151A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637652B2 (ja) | 1988-02-17 |
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