JPS637652B2 - - Google Patents
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- JPS637652B2 JPS637652B2 JP17792682A JP17792682A JPS637652B2 JP S637652 B2 JPS637652 B2 JP S637652B2 JP 17792682 A JP17792682 A JP 17792682A JP 17792682 A JP17792682 A JP 17792682A JP S637652 B2 JPS637652 B2 JP S637652B2
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- target
- secondary electron
- pyroelectric
- film
- metal film
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- Expired
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/458—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen pyroelectrical targets; targets for infrared or ultraviolet or X-ray radiations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、物体の温度分布を二次元の映像に変
換する焦電型熱像撮像管ターゲツトに関するもの
である。
換する焦電型熱像撮像管ターゲツトに関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
従来の焦電型熱像撮像管は第１図に示すように
赤外線を透過するゲルマニウム・フエース・プレ
ート１と焦電物質からなるターゲツト２とカソー
ド３から放出される電子ビーム４を引き出し、集
束、加速させるG1電極５，G2電極６，G3電極
７、およびG4電極８から主に構成されている。
赤外線を透過するゲルマニウム・フエース・プレ
ート１と焦電物質からなるターゲツト２とカソー
ド３から放出される電子ビーム４を引き出し、集
束、加速させるG1電極５，G2電極６，G3電極
７、およびG4電極８から主に構成されている。
この動作原理を以下に述べる。被測定物体（図
示せず）表面からその温度に応じて放射される赤
外線をゲルマニウムレンズ９によつてターゲツト
２上に赤外線強度分布像として結像させる。焦電
物質からなるターゲツト２は垂直に分極され、赤
外線入射面には信号取り出し電極を兼ねた赤外線
吸収膜（図示せず）が形成されており、ターゲツ
ト２の裏面、即ちビーム走査面には焦電効果によ
つて赤外線強度分布像に応じた電荷分布像が誘起
される。これを電子ビーム４で走査して温度分布
画像信号を得るわけである。
示せず）表面からその温度に応じて放射される赤
外線をゲルマニウムレンズ９によつてターゲツト
２上に赤外線強度分布像として結像させる。焦電
物質からなるターゲツト２は垂直に分極され、赤
外線入射面には信号取り出し電極を兼ねた赤外線
吸収膜（図示せず）が形成されており、ターゲツ
ト２の裏面、即ちビーム走査面には焦電効果によ
つて赤外線強度分布像に応じた電荷分布像が誘起
される。これを電子ビーム４で走査して温度分布
画像信号を得るわけである。
焦電効果は、温度変化によつてターゲツト２の
表面電荷が変化するものであるため、静止状態で
温度変化していない物体の表面温度分布像を焦電
型熱像撮像管で得るためには、チヨツパ等を用い
て入射赤外線を時間的に変調するか、あるいは焦
電型熱像撮像管カメラを動かしパニングする必要
がある。
表面電荷が変化するものであるため、静止状態で
温度変化していない物体の表面温度分布像を焦電
型熱像撮像管で得るためには、チヨツパ等を用い
て入射赤外線を時間的に変調するか、あるいは焦
電型熱像撮像管カメラを動かしパニングする必要
がある。
焦電型熱像撮像管のターゲツト２は一般に高抵
抗体であり、光チヨツパによるターゲツト温度の
上昇および下降に対応して電子ビーム走査面の電
荷が正負に変化するのみであるからターゲツトの
電位をカソード電位に近い正電位にまで上げてお
くカソード電位安定化（GPS）モードでは、読
み出されない負電荷が蓄積され、電子ビームがタ
ーゲツト面に到達できなくなり、信号を読み出す
ことができなくなる。これを避けるためには、タ
ーゲツト２に正のバイアス電流を供給して、ター
ゲツト面を中和してやらなければならない。この
ターゲツト面中和の方法として、例えば撮像管内
に水素ガスを封入して、電子ビームとの衝突によ
つて生じる陽イオンをターゲツト面に当て、正の
バイアス電流を与え中和する、陽イオンペデスタ
ルモードと電子ビーム走査の水平または垂直帰線
時間のみアノード電位を高くするアノード電位安
定化モード（APSモード）で動作させ、２次電
子を放出させてターゲツト面の負電荷を取り除
く、二次電子放出ペデスタルモードがある。
抗体であり、光チヨツパによるターゲツト温度の
上昇および下降に対応して電子ビーム走査面の電
荷が正負に変化するのみであるからターゲツトの
電位をカソード電位に近い正電位にまで上げてお
くカソード電位安定化（GPS）モードでは、読
み出されない負電荷が蓄積され、電子ビームがタ
ーゲツト面に到達できなくなり、信号を読み出す
ことができなくなる。これを避けるためには、タ
ーゲツト２に正のバイアス電流を供給して、ター
ゲツト面を中和してやらなければならない。この
ターゲツト面中和の方法として、例えば撮像管内
に水素ガスを封入して、電子ビームとの衝突によ
つて生じる陽イオンをターゲツト面に当て、正の
バイアス電流を与え中和する、陽イオンペデスタ
ルモードと電子ビーム走査の水平または垂直帰線
時間のみアノード電位を高くするアノード電位安
定化モード（APSモード）で動作させ、２次電
子を放出させてターゲツト面の負電荷を取り除
く、二次電子放出ペデスタルモードがある。
二次電子放出ペデスタルモードで動作させる場
合、従来、第２図に示すように焦電物質をターゲ
ツト１１としたものにターゲツト有効径を決定す
る金属膜１３を形成しこれを支持台１０にとりつ
けている。このターゲツト有効径は焦電物質全面
に電子ビームが走査されないと、正電荷が蓄積さ
れすぎてしまう関係上ビーム走査可能範囲すなわ
ちG4電極メツシユ内径よりやや小さめに制限さ
れる。このような構造のターゲツト１１は、ター
ゲツト１１の表面状態により二次電子放出比にば
らつきが発生し、ペデスタル波形の不均一が生じ
る。このため、第３図に示すように焦電物質ター
ゲツト１１のビーム走査側に二次電子放出膜１２
を形成し、二次電子放出比のばらつきを防止する
ことが行なわれている。しかし、この構造のター
ゲツトは単に金属膜１３を二次電子放出膜１２の
上に積層したのでは、ターゲツト表面に生じる表
面電荷の一部が金属膜１３を通して漏洩し、その
結果ターゲツト面のペデスタル波形にシエーデイ
ングが生じる欠点がある。すなわち二次電子放出
膜１２の形成は、焦電物質１１表面の不均一性を
補償するには有効であるが、一方ペデスタル波形
にシエーデイングが生じる欠点を引起す。
合、従来、第２図に示すように焦電物質をターゲ
ツト１１としたものにターゲツト有効径を決定す
る金属膜１３を形成しこれを支持台１０にとりつ
けている。このターゲツト有効径は焦電物質全面
に電子ビームが走査されないと、正電荷が蓄積さ
れすぎてしまう関係上ビーム走査可能範囲すなわ
ちG4電極メツシユ内径よりやや小さめに制限さ
れる。このような構造のターゲツト１１は、ター
ゲツト１１の表面状態により二次電子放出比にば
らつきが発生し、ペデスタル波形の不均一が生じ
る。このため、第３図に示すように焦電物質ター
ゲツト１１のビーム走査側に二次電子放出膜１２
を形成し、二次電子放出比のばらつきを防止する
ことが行なわれている。しかし、この構造のター
ゲツトは単に金属膜１３を二次電子放出膜１２の
上に積層したのでは、ターゲツト表面に生じる表
面電荷の一部が金属膜１３を通して漏洩し、その
結果ターゲツト面のペデスタル波形にシエーデイ
ングが生じる欠点がある。すなわち二次電子放出
膜１２の形成は、焦電物質１１表面の不均一性を
補償するには有効であるが、一方ペデスタル波形
にシエーデイングが生じる欠点を引起す。
発明の目的
本発明は二次電子放出比が均一で、しかもペデ
スタル波形にシエーデイングが生じない焦電型熱
像撮像管ターゲツトを提供することを目的とする
ものである。
スタル波形にシエーデイングが生じない焦電型熱
像撮像管ターゲツトを提供することを目的とする
ものである。
発明の構成
本発明は焦電物質ターゲツトの一方の面の周辺
部にターゲツト有効領域を決定するための金属膜
を閉ループ状に形成し、ターゲツト面およびこの
金属膜の一部又は全部を覆うようにしたものであ
る。
部にターゲツト有効領域を決定するための金属膜
を閉ループ状に形成し、ターゲツト面およびこの
金属膜の一部又は全部を覆うようにしたものであ
る。
実施例の説明
以下本発明の実施例について図面を用いて詳細
に説明する。第４図に示すように、支持台１０に
固定された焦電物質ターゲツト１１のビーム走査
側に、リング状の金属膜１３を内径が1になるよ
うに形成し、さらに二次電子放出膜１２を周縁部
が金属膜１３の内周部を含む一部あるいは全部を
積層するように外径が2になるように形成する。
ここで、1，2は1＜2の関係にある。
に説明する。第４図に示すように、支持台１０に
固定された焦電物質ターゲツト１１のビーム走査
側に、リング状の金属膜１３を内径が1になるよ
うに形成し、さらに二次電子放出膜１２を周縁部
が金属膜１３の内周部を含む一部あるいは全部を
積層するように外径が2になるように形成する。
ここで、1，2は1＜2の関係にある。
第４図に示す本発明の構造のターゲツトにおい
て1＝φ18mm、2＝φ19mmとし、二次電子放出膜
１２の厚さを例えば500Åとして形成し、二次電
子放出膜１２上を電子ビームで走査すると、二次
電子を放出した二次電子放出膜１２の表面には正
の表面電荷が現れる。一方、金属膜１３は零電位
あるいは零電位より若干低く電位を保つているた
め、二次電子放出膜１２表面に現れた正の電荷
は、二次電子放出膜１２の膜厚を介してクーロン
力で結合しており、表面からの漏洩はほとんど見
られない。又、二次電子放出膜周辺部からの若干
の漏洩は考えられるが、その大きさは非常に小さ
く、ペデスタル波形の均一さを乱すものではな
い。
て1＝φ18mm、2＝φ19mmとし、二次電子放出膜
１２の厚さを例えば500Åとして形成し、二次電
子放出膜１２上を電子ビームで走査すると、二次
電子を放出した二次電子放出膜１２の表面には正
の表面電荷が現れる。一方、金属膜１３は零電位
あるいは零電位より若干低く電位を保つているた
め、二次電子放出膜１２表面に現れた正の電荷
は、二次電子放出膜１２の膜厚を介してクーロン
力で結合しており、表面からの漏洩はほとんど見
られない。又、二次電子放出膜周辺部からの若干
の漏洩は考えられるが、その大きさは非常に小さ
く、ペデスタル波形の均一さを乱すものではな
い。
発明の効果
以上説明したように、本発明はターゲツト有効
領域を決定する金属膜との関係において、金属膜
上に積層させて二次電子放出膜を形成する構造に
することにより、従来の二次電子放出膜を形成す
る構造に比べ、ペデスタル波形の均一な、二次電
子放出ペデスタルモードの焦電型熱像撮像管を提
供するものである。なお、形状において円形のも
のの例をあげたが、長方形、正方形、たる形など
任意の形状においても本発明の効果が失われない
ことは無論である。
領域を決定する金属膜との関係において、金属膜
上に積層させて二次電子放出膜を形成する構造に
することにより、従来の二次電子放出膜を形成す
る構造に比べ、ペデスタル波形の均一な、二次電
子放出ペデスタルモードの焦電型熱像撮像管を提
供するものである。なお、形状において円形のも
のの例をあげたが、長方形、正方形、たる形など
任意の形状においても本発明の効果が失われない
ことは無論である。
第１図は通常の焦電型熱像撮像管の構造を示す
側面図、第２図および第３図は、従来の焦電型熱
像撮像管ターゲツトの断面図、第４図は本発明に
よる焦電型撮像管ターゲツトの実施例を示す断面
図である。 １…ゲルマニウム・フエース・プレート、２…
ターゲツト、３…カソード、４…電子ビーム、５
…G1電極、６…G2電極、７…G3電極、８…G4
電極、９…ゲルマニウムレンズ、１０…支持台、
１１…焦電物質ターゲツト、１２…二次電子放出
膜、１３…金属膜。
側面図、第２図および第３図は、従来の焦電型熱
像撮像管ターゲツトの断面図、第４図は本発明に
よる焦電型撮像管ターゲツトの実施例を示す断面
図である。 １…ゲルマニウム・フエース・プレート、２…
ターゲツト、３…カソード、４…電子ビーム、５
…G1電極、６…G2電極、７…G3電極、８…G4
電極、９…ゲルマニウムレンズ、１０…支持台、
１１…焦電物質ターゲツト、１２…二次電子放出
膜、１３…金属膜。
Claims (1)
- １ 焦電物質ターゲツトのビーム走査側の面の周
辺部に閉ループを形成するように金属膜を形成
し、前記ターゲツト面の残余の部分および、前記
金属膜の内周部を含む一部又は全部を覆つて二次
電子放出膜を形成したことを特徴とする焦電型熱
像撮像管ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177926A JPS5968151A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 焦電型熱像撮像管タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177926A JPS5968151A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 焦電型熱像撮像管タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968151A JPS5968151A (ja) | 1984-04-18 |
| JPS637652B2 true JPS637652B2 (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=16039476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57177926A Granted JPS5968151A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 焦電型熱像撮像管タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968151A (ja) |
-
1982
- 1982-10-08 JP JP57177926A patent/JPS5968151A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5968151A (ja) | 1984-04-18 |
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