JPS5968744A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS5968744A JPS5968744A JP57179464A JP17946482A JPS5968744A JP S5968744 A JPS5968744 A JP S5968744A JP 57179464 A JP57179464 A JP 57179464A JP 17946482 A JP17946482 A JP 17946482A JP S5968744 A JPS5968744 A JP S5968744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- glass substrate
- photoresist
- layer
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主に半導体及び集積回路等の製造工程で使用
するフォトマスクの製造方法に関するものである。
するフォトマスクの製造方法に関するものである。
従来、フォトマスクはガラス基板に例えば金纏層ヲ形成
し、しかるのちフォトレジスト工程等で選択的に窓開け
をおこない該ガラス基板上に所望のパターンを形成して
いた。かかる方法においてはガラス基板より該金属層が
突出しており、例えば微小パターンを半導体基板上に転
写する場合には、フォトマスクと前記半涛体万、＆を密
看させて紫外線を照射する。このとき、前記ガラス基板
上に形成された突出した該金属層の周辺領域は前記該フ
ォトレジスト面と平行にならず、紫外線の乱反射のため
所望の領域以外にも紫外線がまわり込みパターンの歪が
生ずると共に突出部の該金属層が厚い場合にはフォトレ
ジストにクラックを生ずる可能性がある等の欠点があっ
た。
し、しかるのちフォトレジスト工程等で選択的に窓開け
をおこない該ガラス基板上に所望のパターンを形成して
いた。かかる方法においてはガラス基板より該金属層が
突出しており、例えば微小パターンを半導体基板上に転
写する場合には、フォトマスクと前記半涛体万、＆を密
看させて紫外線を照射する。このとき、前記ガラス基板
上に形成された突出した該金属層の周辺領域は前記該フ
ォトレジスト面と平行にならず、紫外線の乱反射のため
所望の領域以外にも紫外線がまわり込みパターンの歪が
生ずると共に突出部の該金属層が厚い場合にはフォトレ
ジストにクラックを生ずる可能性がある等の欠点があっ
た。
そこでこの欠点をとりのぞくため、ガラス基板の所望部
全フォトレジストで選択的に開孔し、しかるのち該ガラ
ス基板を選択的に所望の深さまでエツチング除去し金属
層を形成していた。
全フォトレジストで選択的に開孔し、しかるのち該ガラ
ス基板を選択的に所望の深さまでエツチング除去し金属
層を形成していた。
従って、本方法によれば、金属層が前記ガラス基板のエ
ツチングされた領域にのみ形成されるため突出部がなく
なりパターンの形成されたフォトマスクが平らになる。
ツチングされた領域にのみ形成されるため突出部がなく
なりパターンの形成されたフォトマスクが平らになる。
しかしながら本方法においても、前記パターンの歪及び
フォトレジストのクラック全完全に解決することは出来
なかった。その理由は、該ガラス基板のエツチング除去
が均一になされなかったためであり、本発明の目的は上
記欠廣を解決するためになされたものであり、所望のパ
ターンを精度良く形成する方法を提供することにある。
フォトレジストのクラック全完全に解決することは出来
なかった。その理由は、該ガラス基板のエツチング除去
が均一になされなかったためであり、本発明の目的は上
記欠廣を解決するためになされたものであり、所望のパ
ターンを精度良く形成する方法を提供することにある。
以下本発明の一実施例を図面を参照して詳しく説明する
。第１図乃至第４図は本発明の一実施例の断面図を示し
たものである。
。第１図乃至第４図は本発明の一実施例の断面図を示し
たものである。
まず第１図に示すように、ガラス基板１にフォトレジス
トエ８２で所望の窓開け３をおこない選択的にカラス基
板を露出させる本実施例においてフォトレジストはＯＦ
Ｐ ＦＬ ５ｏｏｃ （東京応化工業■製） ３０
Ｃ１）を５００Ｏｒｐｍで回転塗布をしフォトレジスト
工程をおこなった。所望のパターンが形成されたガラス
基板を熱処理（本実施例では１２０℃３０分）する。
トエ８２で所望の窓開け３をおこない選択的にカラス基
板を露出させる本実施例においてフォトレジストはＯＦ
Ｐ ＦＬ ５ｏｏｃ （東京応化工業■製） ３０
Ｃ１）を５００Ｏｒｐｍで回転塗布をしフォトレジスト
工程をおこなった。所望のパターンが形成されたガラス
基板を熱処理（本実施例では１２０℃３０分）する。
しかるのちフレオンガスを主成分としたドライエツチン
グをおこなう本実施例ではフレオンガスに酸素ガスを２
〜４％混合したものを使用４００Ｗの出力で約４分間の
エツチングをすることによりガラス基板が２００ｏ±１
００Ａの精度で選択的にかつ均一に除去できた（第２図
）。
グをおこなう本実施例ではフレオンガスに酸素ガスを２
〜４％混合したものを使用４００Ｗの出力で約４分間の
エツチングをすることによりガラス基板が２００ｏ±１
００Ａの精度で選択的にかつ均一に除去できた（第２図
）。
しかるのち金属層５を本実施例では真空蒸着法によりク
ロムを２０００±１００Ａの精度で該ガラス基板１及び
該フォトレジスト２上に形成した（第３図）。
ロムを２０００±１００Ａの精度で該ガラス基板１及び
該フォトレジスト２上に形成した（第３図）。
第４図は前記金属層５を形成したのち該ガラス基板１上
の７オトレジスト２のみを除去したものであり、とれは
例えばクント系の溶剤にカラス基板を浸漬し綿花等で機
械的にこすることにより所望領域のみ除去することがで
きる。
の７オトレジスト２のみを除去したものであり、とれは
例えばクント系の溶剤にカラス基板を浸漬し綿花等で機
械的にこすることにより所望領域のみ除去することがで
きる。
以上の方法によりフォトマスクのガラス基板に突出部を
生じることなく金属層領域（暗部）５′を形成すること
ができる。本方法を採用することにより紫外線の乱反射
を極力おさえることが可能となり十分な紫外線を照射し
て残膜を十分にしだ状態で、かつフォトマスクパターン
通りの寸法で半導体基板に転写することができる。
生じることなく金属層領域（暗部）５′を形成すること
ができる。本方法を採用することにより紫外線の乱反射
を極力おさえることが可能となり十分な紫外線を照射し
て残膜を十分にしだ状態で、かつフォトマスクパターン
通りの寸法で半導体基板に転写することができる。
なお本実施例ではガラス基板のパターンニングにポジ型
の７オトレジスト０ＦＰＥＬ８ｏｏｏを用いた場合につ
いて述べたが、これに限らず他のポジ型フォトレジスト
又はネガ型フォトレジストでも実現可能である。また金
属層とし′Ｃはクロムの例を示したが、これに限らずチ
タン、タングステン。
の７オトレジスト０ＦＰＥＬ８ｏｏｏを用いた場合につ
いて述べたが、これに限らず他のポジ型フォトレジスト
又はネガ型フォトレジストでも実現可能である。また金
属層とし′Ｃはクロムの例を示したが、これに限らずチ
タン、タングステン。
等信のあらゆる金属及びこれらの合金又多層形成をおこ
なってもよい。
なってもよい。
さらにこれらの金属層の形成は真空蒸着法のみならずス
パッタによる方法等を用いてもよい。なお、金属層以外
に紫外線を透過しない物質例えばエマルジョンを用いて
も実現可能である。
パッタによる方法等を用いてもよい。なお、金属層以外
に紫外線を透過しない物質例えばエマルジョンを用いて
も実現可能である。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を説明するための
各工程の断面図である。 ■・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・フォトレジ
スト（ＯＦＰ”５ｏｏｃ ） ｓ ３・・・・・・開
口部（フォトレジストエ５− 程）、４・・・・・・ドライエツチングによるプラズマ
、５．５／・・・・・・金属層（クロム）。 ６−
各工程の断面図である。 ■・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・フォトレジ
スト（ＯＦＰ”５ｏｏｃ ） ｓ ３・・・・・・開
口部（フォトレジストエ５− 程）、４・・・・・・ドライエツチングによるプラズマ
、５．５／・・・・・・金属層（クロム）。 ６−
Claims (1)
- ガラス基板上に７オトレジストエ程で選択的に窓開けす
る工程と、該窓開は領域のガラス基板のみ選択的にかつ
均一な深さでエツチング除去する工程と、しかるのち例
えば真空蒸着法等により前記選択的開孔領域及び前記フ
ォトレジスト領域を含むガラス基板上に金属層を形成す
る工程と、しかるのち該フォトレジスト及び該フォトレ
ジスト上の金属層のみを選択的に除去することを特徴と
するフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179464A JPS5968744A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179464A JPS5968744A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968744A true JPS5968744A (ja) | 1984-04-18 |
Family
ID=16066306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57179464A Pending JPS5968744A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62201444A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-05 | Sharp Corp | フオトマスクおよびその製造方法 |
| US5087535A (en) * | 1986-02-28 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57179464A patent/JPS5968744A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62201444A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-05 | Sharp Corp | フオトマスクおよびその製造方法 |
| US5087535A (en) * | 1986-02-28 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| US5457006A (en) * | 1986-02-28 | 1995-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4315984A (en) | Method of producing a semiconductor device | |
| US4174219A (en) | Method of making a negative exposure mask | |
| US3510371A (en) | Method of making an ultraviolet sensitive template | |
| JPH0466345B2 (ja) | ||
| JPS5968744A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JP3400525B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01142721A (ja) | ポジ型感光性パターン形成材料およびパターン形成方法 | |
| WO1983003485A1 (en) | Electron beam-optical hybrid lithographic resist process | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS589944B2 (ja) | フオトマスク | |
| JPS59128540A (ja) | フオトマスク | |
| JPS599659A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS5829619B2 (ja) | シヤシンシヨツコクヨウホトマスク | |
| JPS588131B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2712407B2 (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPH0281048A (ja) | パターン形成方法及びその材料 | |
| JP2930604B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2666420B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS646448B2 (ja) | ||
| JPS61209450A (ja) | ホトマスク | |
| JPH04304452A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH0651490A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| JPS5836494B2 (ja) | シヤシンシヨツコクヨウホト マスクノセイゾウホウホウ |