JPS5968930A - ウエハ洗浄装置用ウエハ保持具 - Google Patents
ウエハ洗浄装置用ウエハ保持具Info
- Publication number
- JPS5968930A JPS5968930A JP57179303A JP17930382A JPS5968930A JP S5968930 A JPS5968930 A JP S5968930A JP 57179303 A JP57179303 A JP 57179303A JP 17930382 A JP17930382 A JP 17930382A JP S5968930 A JPS5968930 A JP S5968930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- hole
- holder
- base body
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ウェハ洗浄装置用ウェハ保持具に関する。
半導体装置の製造工程の一つであるウェハの洗浄工程で
は、酸、アルカリ、有機溶剤、水等を用いてウェハの洗
浄が行われている。このようなウェハの洗浄処理は、例
えば、第１図に示すようなウェハ洗浄装置用ウェハ保持
具（以下、単に保持具と記す。）に１０枚程度のウェノ
・１を収容し、このウェハ保持具を洗浄装置内に浸漬す
ることによシ行われている。ウェノ・保持具旦は、耐薬
品性、耐熱性に優れた樹脂等の部材で形成されている。
は、酸、アルカリ、有機溶剤、水等を用いてウェハの洗
浄が行われている。このようなウェハの洗浄処理は、例
えば、第１図に示すようなウェハ洗浄装置用ウェハ保持
具（以下、単に保持具と記す。）に１０枚程度のウェノ
・１を収容し、このウェハ保持具を洗浄装置内に浸漬す
ることによシ行われている。ウェノ・保持具旦は、耐薬
品性、耐熱性に優れた樹脂等の部材で形成されている。
洗浄処理は、ウニ／・保持具１０を浸漬した洗浄液に、
通常超音波による振動を加えて、ウェハ１の表面に付着
した物を除去している。ウェハ保持具１ｏは、上部を開
口した箱状体２の対向する内壁面に、ウェハ１の肉厚に
略等しい溝幅のウェハ収容溝３を多数本形成し、このウ
ェハ収容溝３によってウェハ１の縁部を把持するように
なっている。従って、ウェハ１は、立設した状態で洗浄
液内に設置されるようになっている。
通常超音波による振動を加えて、ウェハ１の表面に付着
した物を除去している。ウェハ保持具１ｏは、上部を開
口した箱状体２の対向する内壁面に、ウェハ１の肉厚に
略等しい溝幅のウェハ収容溝３を多数本形成し、このウ
ェハ収容溝３によってウェハ１の縁部を把持するように
なっている。従って、ウェハ１は、立設した状態で洗浄
液内に設置されるようになっている。
而して、超音波振動子は、洗浄装置の洗浄槽の底部等に
設けられている。このため、超音波振動子から発せられ
た振動は、洗浄液を媒介にしてウェハ１の被洗浄面に対
して平行に伝播する。しかも、ウェハ収容溝３の溝幅は
、ウェノ・１の出入操作を容易にするため、ウェハ１の
肉厚よりも僅に大きく設定されている。このため、洗浄
処理の際にウェハ１が確実に固定されていす、振動する
。その結果、ウェハ１の表面の付着物を完全に除去する
ことができない。また、ウェハ１の表面に、例えばレー
ザスクライビング工程で保護用のレジスト膜が被着して
いた場合には、レーザ照射によってし・シスト膜が硬化
して強固にウェハ１の表面に付着している。このため、
スクライビング処理後にウェハ１の表面に残存したレジ
スト膜等の付着物を、洗浄処理の際に確実に除去できな
い。その結果、信頼性の低い不良の半導体製品ができる
問題があった。
設けられている。このため、超音波振動子から発せられ
た振動は、洗浄液を媒介にしてウェハ１の被洗浄面に対
して平行に伝播する。しかも、ウェハ収容溝３の溝幅は
、ウェノ・１の出入操作を容易にするため、ウェハ１の
肉厚よりも僅に大きく設定されている。このため、洗浄
処理の際にウェハ１が確実に固定されていす、振動する
。その結果、ウェハ１の表面の付着物を完全に除去する
ことができない。また、ウェハ１の表面に、例えばレー
ザスクライビング工程で保護用のレジスト膜が被着して
いた場合には、レーザ照射によってし・シスト膜が硬化
して強固にウェハ１の表面に付着している。このため、
スクライビング処理後にウェハ１の表面に残存したレジ
スト膜等の付着物を、洗浄処理の際に確実に除去できな
い。その結果、信頼性の低い不良の半導体製品ができる
問題があった。
本発明は、ウェノ・の表面に付着した付着物を超音波洗
浄工程中に確実に除去することができるウェハ洗浄装置
用ウェノ・保持具を提供することをその目的とするもの
である。
浄工程中に確実に除去することができるウェハ洗浄装置
用ウェノ・保持具を提供することをその目的とするもの
である。
本発明は、ウェノ・の半導体素子形成面を超音波振動子
と対向させ、裏面側からウニ”を固定するようにしたこ
とにより、超音波振動子より発せられる振動を被洗浄面
に対して直角に当てると共に、ウェノ＼の固定を確実に
することによって、ウェノ・の表面に付着した付着物を
超音波洗浄工程中に確実に除去できるようにしたウェハ
洗浄装置用ウェノ・保持共である。
と対向させ、裏面側からウニ”を固定するようにしたこ
とにより、超音波振動子より発せられる振動を被洗浄面
に対して直角に当てると共に、ウェノ＼の固定を確実に
することによって、ウェノ・の表面に付着した付着物を
超音波洗浄工程中に確実に除去できるようにしたウェハ
洗浄装置用ウェノ・保持共である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第２図（Ａ）は、本発明の一実施例の平面図、同図（Ｂ
）は、同実施例の正面図、第３図は、同実施例の斜視図
である。図中２０は、被洗浄体であるウェハ２１の径よ
シも僅に大きい径のｌホ通孔２２を穿設した基体である
。貫通孔２２の内周面には、ウェハ２１の肉厚に略等し
い深さのところに、周面に沿って環状にウェハ支持縁部
２３が突出している。ウェハ支持縁部２３は、環状に限
らず、貫通孔２２の内周面からその中心部に向って突出
して、ウェハ２１の下面を支持する作用を有するもので
あれば如何なるものでも良い。基体２００表面には、貫
通孔２２の近傍に立設したとめ一ンによって一端部を回
動自在に保持されたウェハ固定具２４が１対設けられて
いる。ウェハ固定具２４は、その先端部を貫通孔２２上
に導出することにより、第４図に示す如く、貫通孔２２
内に収納されたウェハ２１の表面を押圧して、ウェハ支
持縁部２３とでウェハ２１の位置を固定するようになっ
ている。このウェハ固定具２４の数及び配置は、ウェハ
２１の大きさ等に応じて適宜設定するのが望ましい。ま
た、基体２０の表面には、相対向するウェハ固定具２０
を結ぶ直線と略直交する位置関係をなす地点に、１対の
支持柱２５が立設している。基体２０の裏面側には、こ
の支持柱２５と対応する位置に１対の支持枝嵌入孔２６
が穿設されている。而して、このように構成されたウェ
ハ洗浄装置用ウェハ保持具１互（以下、単にウェハ保持
具と記す。）は、第５図に示す如く、支持柱２５の先端
部を他のウェハ保持具３０の支持枝嵌入孔２６に嵌入す
ることによって、容易に所望の数だけ積層できるように
なっている。
）は、同実施例の正面図、第３図は、同実施例の斜視図
である。図中２０は、被洗浄体であるウェハ２１の径よ
シも僅に大きい径のｌホ通孔２２を穿設した基体である
。貫通孔２２の内周面には、ウェハ２１の肉厚に略等し
い深さのところに、周面に沿って環状にウェハ支持縁部
２３が突出している。ウェハ支持縁部２３は、環状に限
らず、貫通孔２２の内周面からその中心部に向って突出
して、ウェハ２１の下面を支持する作用を有するもので
あれば如何なるものでも良い。基体２００表面には、貫
通孔２２の近傍に立設したとめ一ンによって一端部を回
動自在に保持されたウェハ固定具２４が１対設けられて
いる。ウェハ固定具２４は、その先端部を貫通孔２２上
に導出することにより、第４図に示す如く、貫通孔２２
内に収納されたウェハ２１の表面を押圧して、ウェハ支
持縁部２３とでウェハ２１の位置を固定するようになっ
ている。このウェハ固定具２４の数及び配置は、ウェハ
２１の大きさ等に応じて適宜設定するのが望ましい。ま
た、基体２０の表面には、相対向するウェハ固定具２０
を結ぶ直線と略直交する位置関係をなす地点に、１対の
支持柱２５が立設している。基体２０の裏面側には、こ
の支持柱２５と対応する位置に１対の支持枝嵌入孔２６
が穿設されている。而して、このように構成されたウェ
ハ洗浄装置用ウェハ保持具１互（以下、単にウェハ保持
具と記す。）は、第５図に示す如く、支持柱２５の先端
部を他のウェハ保持具３０の支持枝嵌入孔２６に嵌入す
ることによって、容易に所望の数だけ積層できるように
なっている。
ここで、ウェハ保持具二を構成する基体２０、ウェハ固
定具２４．支持柱２５等の材質は、ウェハ２１の洗浄液
に侵されないものであれば金属、樹脂等如何なるものを
使用しても良い。また、支持柱２５の形状、配置は、ウ
ェハ保持具３０の形状、ウェハ２１の大きさ等に応じて
適宜設定するのが望ましい。基体２０の形状は、ウェハ
２１を収容する貫通孔２２を穿設すると共に、支持柱２
５及びウェハ固定具２４を取付けることができるもので
あれば、如何なるものでも良い。また、貫通孔２２の径
は、ウェハ２１の径の約２％分だけ大きく設定しておく
のが望ましい。基体２０の肉厚は、ウェハ２１の肉厚の
約５〜１０倍とし、基体２０の裏面側での貫通孔２２の
径は、ウェハ２１の径の約２多分だけ小さく設定してお
くのが望ましい。
定具２４．支持柱２５等の材質は、ウェハ２１の洗浄液
に侵されないものであれば金属、樹脂等如何なるものを
使用しても良い。また、支持柱２５の形状、配置は、ウ
ェハ保持具３０の形状、ウェハ２１の大きさ等に応じて
適宜設定するのが望ましい。基体２０の形状は、ウェハ
２１を収容する貫通孔２２を穿設すると共に、支持柱２
５及びウェハ固定具２４を取付けることができるもので
あれば、如何なるものでも良い。また、貫通孔２２の径
は、ウェハ２１の径の約２％分だけ大きく設定しておく
のが望ましい。基体２０の肉厚は、ウェハ２１の肉厚の
約５〜１０倍とし、基体２０の裏面側での貫通孔２２の
径は、ウェハ２１の径の約２多分だけ小さく設定してお
くのが望ましい。
このように構成されたウェハ保持具３０によれば、第４
図に示す如く、ウェハ２１の半導体素子形成面２１ａを
ウェハ支持縁部２３側に向けて、貫通孔２２内に収納し
、ウェハ２１の裏面側をウェハ固定具２４で押圧する。
図に示す如く、ウェハ２１の半導体素子形成面２１ａを
ウェハ支持縁部２３側に向けて、貫通孔２２内に収納し
、ウェハ２１の裏面側をウェハ固定具２４で押圧する。
このようにしてウェハ２１を収納したウェハ保持具ユヱ
の複数個を、第５図に示す如く、ウェハ保持具３０の支
持桟嵌入孔２６内に、他のウェハ保持具ユヱの支持柱を
嵌入して所望段数だけ積層する。これを洗浄装置の洗浄
槽内に設定して、洗浄槽の底部に設けられた超音波振動
子により振動を加え、ウェハ２１の洗浄を行う。洗浄処
理の際に、全てのウェハ２１は、ウェハ固定具２４によ
ってその位置を確実に固定されている。
の複数個を、第５図に示す如く、ウェハ保持具３０の支
持桟嵌入孔２６内に、他のウェハ保持具ユヱの支持柱を
嵌入して所望段数だけ積層する。これを洗浄装置の洗浄
槽内に設定して、洗浄槽の底部に設けられた超音波振動
子により振動を加え、ウェハ２１の洗浄を行う。洗浄処
理の際に、全てのウェハ２１は、ウェハ固定具２４によ
ってその位置を確実に固定されている。
しかも、ウェハ２１は、水平状態で洗浄槽内に設置され
ている。このためウェハ２１の表面と超音波振動子とは
平行状態に配置されるので、振動子から発せられた振動
は、ウェハ２ノの表面に対して垂直に伝播する。その結
果、極めて高い洗浄作用の下にウェハ２１の表面を洗浄
することができる。従って、ウェハ２ノの表面にレーデ
スクライビング処理等によってレノスト膜等が強固に付
着していても、容易にかつ確実に除去することができる
。その結果、信頼性の高い半導体製品を容易に得ること
ができる。
ている。このためウェハ２１の表面と超音波振動子とは
平行状態に配置されるので、振動子から発せられた振動
は、ウェハ２ノの表面に対して垂直に伝播する。その結
果、極めて高い洗浄作用の下にウェハ２１の表面を洗浄
することができる。従って、ウェハ２ノの表面にレーデ
スクライビング処理等によってレノスト膜等が強固に付
着していても、容易にかつ確実に除去することができる
。その結果、信頼性の高い半導体製品を容易に得ること
ができる。
以上説明した如く、本発明に係るウェハ洗浄装置用ウェ
ハ保持具によれば、ウェハの表面に付着した付着物を超
音波洗浄工程中に確実に除去することができるものであ
る。
ハ保持具によれば、ウェハの表面に付着した付着物を超
音波洗浄工程中に確実に除去することができるものであ
る。
第１図は、従来のウェハ洗浄装置用ウェハ保持具の斜視
図、第２図囚は、本発明の一実施例の平面図、同図（Ｂ
）は、同実施例の正面図、第３図゛は、同実施例の斜視
図、第４図は、同実施例のウェハ保持具にウェノ・を収
納した状態を示す断面図、第５図は、同つェノ・保持共
を多段に積層した状態を示す斜視図である。 ２０・・・基体、２１・・・ウニ”、２１ａ・・・半導
体素子形成面、２２・・・貫通孔、２３・・・ウェノ・
支持縁部、２４・・・ウェノ・固定具、２５・・・支持
柱、２６・・・支持枕嵌入孔、３０・・・ウェノ・保持
具。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第７図 秒 第３閏
図、第２図囚は、本発明の一実施例の平面図、同図（Ｂ
）は、同実施例の正面図、第３図゛は、同実施例の斜視
図、第４図は、同実施例のウェハ保持具にウェノ・を収
納した状態を示す断面図、第５図は、同つェノ・保持共
を多段に積層した状態を示す斜視図である。 ２０・・・基体、２１・・・ウニ”、２１ａ・・・半導
体素子形成面、２２・・・貫通孔、２３・・・ウェノ・
支持縁部、２４・・・ウェノ・固定具、２５・・・支持
柱、２６・・・支持枕嵌入孔、３０・・・ウェノ・保持
具。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第７図 秒 第３閏
Claims (2)
- （１） ウェハの径より僅に大きい径の貫通孔を穿設
した基体と、該基体の表面側から前記ウェハの肉厚に略
等しい深さで前記貫通孔の内周面部分に突出したウェハ
支持縁部と、前記貫通孔の近傍の前記基体の表面上に回
動自在に取付けられたウェハ固定具とを具備することを
特徴とするウェハ洗浄装置用ウェハ保持具。 - （２）基体の表面上に支持柱が着脱自在に立設されてお
り、かつ、基体の裏面側に該支持柱の配置に対応した配
置で支持枕嵌入孔が形成されている特許請求の範囲第１
項記載のウェハ洗浄装置用ウェハ保持具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179303A JPS5968930A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ウエハ洗浄装置用ウエハ保持具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179303A JPS5968930A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ウエハ洗浄装置用ウエハ保持具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968930A true JPS5968930A (ja) | 1984-04-19 |
Family
ID=16063465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57179303A Pending JPS5968930A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ウエハ洗浄装置用ウエハ保持具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968930A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115738U (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-29 | 島田理化工業株式会社 | ウエ−ハ保持装置 |
| JPH03263823A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理用ボート |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57179303A patent/JPS5968930A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115738U (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-29 | 島田理化工業株式会社 | ウエ−ハ保持装置 |
| JPH03263823A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理用ボート |
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