JPS596920B2 - マルチ方式の部分メッキ装置 - Google Patents

マルチ方式の部分メッキ装置

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JPS596920B2
JPS596920B2 JP13449381A JP13449381A JPS596920B2 JP S596920 B2 JPS596920 B2 JP S596920B2 JP 13449381 A JP13449381 A JP 13449381A JP 13449381 A JP13449381 A JP 13449381A JP S596920 B2 JPS596920 B2 JP S596920B2
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plating
plated
hole
nozzle
mask
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好一 島村
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SONITSUKUSU KK
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Publication of JPS596920B2 publication Critical patent/JPS596920B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/225Correcting or repairing of printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing of the conductive pattern
    • H05K3/241Reinforcing of the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus

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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、被メッキ物に極微細のメッキ域を有する部分
メッキを多数箇所同時処理すると共に、各箇所のメッキ
品を均一に保持して実用的に可能としたマルチ方式の部
分メッキ装置に関する。
昨今、被メッキ部材の特定部品にのみメッキ処理を行な
う部分メッキは、その機能性と省資源の点で重要視され
ており、殊に電子工業部門では必要不可欠な存在である
。周知の如く、集積回路素子や各種半導体素子及びプリ
ント基板実装用の微小型化した電子部品並びにディスプ
レイ用素子や高度集積化したプリント基板等では、各端
子や接点或いは電極点に於ける抵抗やリアクタンスを極
力抑制し、不必要な電圧降下及び電力損失やノイズの発
生成いは回路時定数の変化や他の回路等への影響を押え
ることが重要である。
このため上記各電子部品やプリント基板では、その電極
や端子及び接点等の特定箇所に高導電率を有する金属(
例えば、金(At)、白金(pt)、銀(Ag)、ロジ
ウム(Rn)、・・・等の貴金属)を使用する必要があ
るが、これらが極めて高価な素材である処から、真に必
要な部分のみのメッキが可能であり、且つメッキ母材の
使用量が僅少で済む部分メッキ手段によりメッキ処理し
てある。
この一般の部分メッキ手段は、メッキ液噴射ノズルと、
被メッキ部材の特定箇所を囲繞するマスクを有し、この
メッキ液噴射ノズルと被メッキ部材を電極としてある。
叉、メツキ液中の金層イオンの流束は、電界による泳動
と、電極近傍の濃度変化による拡散と、メツキ液の流束
に比例する対流移動との和であるが、特に電極近傍での
濃度変化は反応速度を抑制し、電流効率を悪化させるこ
とになる。
従つて、上記公知手段では以下に述べるような欠陥があ
つた。
(1)メツキ液が被メツキ面に衝突した後、この流束を
制御することは困難であるから、メツキ液の濡れ面積が
マスクの開口面積以上迄広がり、真に必要とする微小面
積部分のみを正確にメツキすることが困難である。
(2)メツキ液中に於ける金属イオンの供給量が低く、
20〜30A/Dm゜程度の低電流密度であるため、メ
ツキ処理時間が長くなり、而かもメツキ処理中の電流変
動が大きいため、メッキ厚が不均一になり易い。
(3)被メッキ部材の形態に対応してマスキングし乍ら
メツキしても、メツキ液流量の制御が難しく、又ノズル
と被メツキ部材間の距離調整も限界である処から、メツ
キ境界面でハレーシヨンを起こし易くメツキ斑やメツキ
境界のだれが生じ、メツキ母材も必要以上消耗する。
(4)被メツキ部材の種類に応じてマスクを変更する際
、マスク交換作業は固より、ノズルやマスク等の設置調
整の手間がかかり、所謂段取り時間がかかり作業性が悪
い処から、多品種小量生産には不向きである。
(5)フープ材のような長尺の秘メツキ部材に、連続的
な部分メツキ処理を行なう際には、ノズル・マスク系も
メツキ液供給制御系と共にマルチシステム化するが、マ
ルチシステム化すると、被メツキ部材とノズル間の距離
のバラツキや、メッキ液の流量や流速及び吸排気量の変
動が生じ易く、而かもこれらの調整が難しいため、メツ
キ処理製品のメツキ品位の品質管理が困難であり、大量
生産上大きな障害となる。
(6)前記の如くメツキ時間が長い処から、メツキ装置
全体が大型化し且つ制御系も複雑化するため、設備費が
嵩み、又設置占有面積の多大化やメンテナンスが面倒な
こともあつて、新設や増改設或いは移設等の際大きな問
題となる。
(7)設備費と相俟つて、メツキ品位のバラツキによる
歩留りの劣化や、工程管理及び品質管理上の稼動要員、
工数、余分な治具や検査設備等を要する処から、ランニ
ングコストが高くなる。
他方、前記した電子部品に於ける通電容量は、通常数μ
A〜数+MA程度であるから、例えば接点部分の貴金属
メツキは、直径11!711以下で且つ数μの厚さで充
分であり、又集積回路素子のリードフレームの如く、微
小幅の導電部が極近接状態で多数配列されたものは、そ
の端子に直径約0.2a程度、厚さ約1μ程度の金メツ
キをつければ充分である。このように微量の部分メツキ
処理で済むのに対し在米の部分メツキ手段では、前記し
たような問題があるため高価な貴金属の消耗量が必要以
上多く、又、メッキ品位や精度が悪く、更には多量生産
性を欠除する処から、廉価な製品の多量生産に大きな支
障をきたすものであつた。
以上の如き問題点に鑑み、先に特願昭54年第1007
72号(特開昭56−102590号)に係る「微少面
積のメツキ方法及びその装置」が提供されているが、こ
れによつて高精度と高品位の部分メツキが可能となつた
以下に、これによつて第1図を参照し乍ら説明する。
加圧されたメツキ液を噴射するノズル2は、所定容量の
チヤンバ一3とこれに連通する排除管4を備えた外套管
5に、着脱自在に固着してある。
又、上記外套管5の頂部には、前記ノズル2の先端を臨
ませる透孔部6が形成されたマスク7を着脱自在に固着
してあり、メツキ処理に際してこのマスク7に被メツキ
部材8を当接する状態で配置し、メツキを施ず場合は、
ノズル2を直流電源の…極に、又、被メツキ部材8を同
じく(へ)極に接続してある。更に、上記ノズル2は外
套管5の底部へ昇降自在に設けたノズル保持具911C
止着してあり、ノズル保持具9を調節してノズル2の高
さを調整する。伺、被メツキ部材8の表面の金属等を溶
解する場合、即ち逆メツキの際には直流電源の極性を反
転すれば良い。上記マスク7には外気と連通する通気路
10を形成し、圧縮された気体(空気や不活性ガス)を
流入する場合には、この通気路10と外部配管(図示せ
ず)を連結する。周又、排除管4は排気ポンプ(図示せ
ず)と連通してある。叙上のメツキ装置1に於いて、メ
ツキ処理に際しては、排気ポンプを駆動することにより
チヤンバ一3乃至排除管4内を負圧状態と成し、直流電
源の印加と共に通気路10から外気又は加圧気体を流入
せしめ、且つノズル2よりメッキ液を噴射させる。この
メツキ液は、ノズル2の内径に近似した太さの柱状のま
kマスク7を介して被メツキ部材8に衝突するが、この
時被メツキ部材8に金属が析出され、透孔部6に対応し
た部分メツキが行なわれる。
又、通気路10から流入した外気又は力旺気体が透孔部
6の近傍に集中し、チヤンバ一3内に流入するので、メ
ツキ液の拡散が防止されて被メツキ部材8への集中度が
高くなり、電流密度も上昇するからメツキ品位が向上安
定する。
更に、排除管4乃至チヤンバ一3が負圧であり、且つ通
気路10から外気又は加圧気体が流入するので、ノズル
2から噴射されたメツキ液は、用済後速やかに強制排除
される。
従つて、マスク7と被メツキ部材8との接合面が濡れて
メツキ液が外部に浸潤するのを妨げるため、ハレーシヨ
ンを防止できる。
一方、被メツキ部材(固相jとメツキ液(液相)との境
界には、常に新鮮な液相があるため、この境界に生じ易
い拡散層の厚みが極めて薄くなつてイオン濃度が均一と
なり、メッキ液固有の電気的比抵抗のみで形成された電
解液柱を形成したことと同じになつて、電流値が定常安
定化するから金属の析出速度も安定し高品位のメツキが
得られる。
以上の如く、本発明の基礎となるメツキ装置1は、極め
て効果的なものであるが、マルチシステム化すると別の
問題が生じた。例えば、ICのリードフレームのインナ
ーり−ド1本1本に微小部分メツキをする場合、メツキ
作業効率を大巾に引上げるため複数箇所を同時処理する
必要があるが、単に上記メツキ装置を被メッキ対象に対
応して多数配設すると、被メツキ物であるインナーリー
ドの間隙が狭隘であるから.外套管が支障となつて各タ
ーゲツトに対応したノズル配置が不可能である。
従つて、被メツキ対象物に夫々個別的に対応して多数の
透孔が穿設されたマスクを、比較的大型化した外套管に
装着し、この外套管内を負圧状態にすると共に各透孔に
対応して多数のノズルを林立状態で配置し、このノズル
の終端を単一のメツキ液給送管に連結する手段が考慮さ
れる。
処が、各ノズル及びそれに連通するメツキ液送給管が有
する配管容量やインピーダンスの微妙な差異、各ノズル
等の加精度や接続部に起因する流体抵抗の不均等・・・
・・・等により、夫々のノズルからのメツキ液流速及び
流量等にバラツキを生じ各点均一なメツキが難しく歩留
りが低下する。
又、ノズレと被メツキ物との距離(極間距離)を調整す
る場合、前記メツキ装置を利用すると、ノズルが互いに
近接して配設され且つその昇降磯構も各々に付設するた
め、装置全体が極めて複雑になり、而かもそれ等を個別
に一々調整することは難しく、各ノズル共平均的な調整
範囲に妥協せざるを得なかつた。従つて、量産的に処理
する場合は、高精度で品位の高いメツキ処理を効率良く
することは難しいと云う問題があつた。
更に、ノズル同志が接近した状態で配置されると、そこ
から噴射された各メツキ液流が干渉し合つてメッキ電流
密度分布が不均一になる。
即ち、噴射されたメツキ液流は、中心流速の方が外周流
速より大であるから、メツキ液流は外周部が拡開する傾
向があるので、これが互いに接近していると干渉するた
めメツキ液柱の形状が変形し易く、メツキ液濃度が不均
等となりメツキ電流密度分布が不均一になる。
これに対し前記メツキ装置をそのまX使用すると、一旦
ノズルから噴射されたメツキ液流に対しては何等制御機
能が無い為、上記状態を規制できない。
前記メツキ装置に於けるマスクの透孔近傍に外気導入溝
が形成されているが、そこから流入する外気はメツキ液
を撹拌する程度であつてメツキ液流の状態を制御するこ
とは不可能である。本発明は、叙上の問題点に鑑み成さ
れたもので、マルチシステム化した場合でも前記の基本
発明が有する著効を損わずに、量産性を向上できるよう
にしたマルチ方式の部分メツキ装置を提供せんとするも
のである。即ち、本発明の主目的とする処は、メツキ対
象にマスクを用いて密閉空間を形成し、その内部でメツ
キ液を噴射して特定部分のみをメツキする微小部分メツ
キに於いて、ノズル開口部の接線方向に気体を外部から
供給して6ノズルから噴射されるメツキ液柱の外周に偶
力を作用せしめ、該メッキ液流をビーム状に形成し、且
つノズル高さの調整によりメツキ電流密度を補正するよ
うにしたマルチ方式の部分メツキ装置の提供にあり、具
体的には、被メツキ部材の所定箇所に対応する透孔が穿
設されたマスク本体と、外部からの外気又は加圧気体を
導入する長溝が形成されたマスク本体固特用の台座と、
これに対峙して配設された多連ノズルを有し、且つノズ
ルの上面を研磨して電極間距離を調整して、各ノズルに
於ける電流変動を抑制することにより、メツキ品位を高
度安定化すると共に各ノズル共正確な調整が可能であり
、而かもその状態を維持できるようにしたものである。
次に、本発明の実施例について第2図以下を参照し乍ら
説明する。マスク10は、マスク本体11と台座12の
複数部材で構成してあつて、マスク本体11は、薄板状
のセラミツク等で成形し、メツキ対象物である被メツキ
部材のメツキパターンに応じた多数の透孔13を穿設し
てあり、この透孔13の裏面側(後述のノズル側)には
円錐状の皿穴14を形成してある。
又、台座12は、上記マスク本体11を固定するための
ものであつて、比較的厚目のステンレス鋼板やセラミツ
ク等の素材により平板状に形成してあり、そこに前記透
孔13と対応し且つこれより口径の大きい孔部15を穿
設してある。
この各孔部15には、その接線方向に複数の長溝16を
穿つてあり、外気又は図示しない加圧気体供給路と連通
してあるが、この長溝16は予めその断面積又は形状を
メッキの種類や対象物に応じて設定する。
即ち、研磨により上記長溝16の断面積を調整して、外
気又は高圧気体の流速、流量、及び外気又は高圧気体が
メツキ液柱に与える偶力を制御する。
この結果、噴射メツキ液流が旋回流となり拡開状態が殆
んど皆無のビーム状に形成される。
これにより各メッキ液流同志が互いに干渉しない状態を
保持することができる。これによつて被メツキ面に於け
るメツキ液の高速撹拌効果及び用済後のメツキ液排除効
率を高めると共に、被メツキ部材とマスク本体11との
接合面に於ける外部への浸潤を防止する効果を高めるこ
とができる。
従つて、この長溝16の断面積の調整は、本発明にとつ
て重要な手段となる。
肯、長溝16の断面積調整手段は、研磨に特定されず他
の手段、例えばスペーサ(図示せず)等の介装等の手段
を用いて可変しても良く、又、長溝16の断面形状もメ
ツキ対象に合わせて適宜設定するものである。
上記台座12と前記マスク本体11は、エポキシ樹脂系
等の接着剤で接着しマスク10を形成してある。
他方、メツキ液を噴射するノズル部17は、外套管18
のチヤンバ一19内に着脱自在に固着してあつて、白金
等の金属で一体的に形成したベース20に前記透孔13
と対応する噴射口21を穿設してある。
周、チャンバ一19には排除口22を連通してある。
前記マスク10は、上記外套管18の開口部に着脱自在
に固着するもので、必要に応じてマスク10及び外套管
18にガイドホール23とガイドピン24を設け、両者
の嵌合で正確に位置決めできるようにしても良い。
次に上述の構成に基づき作用を説明する−。
先ず、上記ノズル部17のベース20の上面を、各噴射
口21毎に予め所定量切削研磨することにより、被メツ
キ部材との距離(電極間距離′)を微調整する。ちなみ
に、在来の静止浴メツキの場合は、第4図に示すように
、メツキ電流1と通電時間tは指数函数的に変動してい
くが、本実施例の如く電極間距離lを可変すると、これ
がパラメータとなり、電極間距離1,1′,17・・・
(l″くl′くl・・・)に対応した所定レベルのメツ
キ電流特性が得られる。
(第5図参照)前記したように、各噴射口21に於ける
メツキ液の流速のバラツキは微小であるため、上記の如
く研磨する量も微量であるから、このような調整作業は
容易にできる。
又、流速の差を噴射口21の高低差で吸収させるように
した調斃精度はかなり高いものとなる。今、排除口22
、介してチヤンバ一19内を負圧状態とし、各噴射口2
1からメツキ液を、又長溝1611Cは、外気又は加圧
された空気や不活性ガス等を夫々供給する。
各噴射口21から孔部15乃至透孔13を介して被メツ
キ部材へ噴射されたメツキ液流には、先ず長溝16から
流入された気体によりその外周面に偶力が作用し、その
外周は柱状旋回流となり拡散が防止されたビーム状にな
る。これは、前記基本発明の場合等の如く、単にメッキ
液の拡散防止を図るものより、透孔13に対する正確な
噴射が可能である。
このようにして被メツキ部材と衝突したメツキ液は、そ
の後は負圧により排除口22から強制排除されるので、
マスク本体11の他処にはメツキ液が殆んど濡れずに済
み、メツキ液の外部浸出が略完全に抑制されてハレーシ
ヨンを防止できる上、微小面積への正確な部分メッキが
可能である。又、各噴射口21の高さが予め調整されて
いるので、流路インピーダンス等により各噴射口21に
於いて個々に流速の差を生じても、それを電極間距離で
補償し常時安定電流の下で金属析出が行なわれる結果、
前記メツキ液柱への偶力付与作用と相俟つて、メツキ層
断面がメサ(Mesa)形となり、且つこの厚さが均一
な高品位のメツキを極短時間に生成できる。
従つて、極めて接近した間隔の微小面積の処にも均一な
厚さのメツキ処理が可能であつて、本発明者が得た実験
結果では、間隔が0.611r!!lで直径0.21r
!11の円形の微小部分メツキが量産ベースで可能とな
り、且つメツキ厚さが1μのメサ形メツキ層が生成され
たことも顕微鏡写真で判定できた。
このように、ICやLSI等のような集積回路素子等の
リードフレームのような処にも、真に必要な量のメツキ
をつけることが量産ベースでできるので、高価な貴金属
の消耗量を格段と相蒲uし得る。但し、IC等のリード
フレームに上記のメツキを行なう場合には、互いに近接
し且つ微細な多数の被メツキ箇所を同時に処理するため
、被メツキ部に対応してマスク本体11の透孔13と、
ノズル部17の位置関係と各々の加工精度を厳しく押え
ることが重要である。
又、このようなマルチ方式によるメツキ処理の際には、
多数のメツキ処理部が精度良く且つ確実に行なわれてい
るか否かをモニタリングする必要がある。
このためマスタ10は、精密な加工を要すると共に、耐
メツキ液性及び電気的絶縁を必要とする。
一般の部分メツキのマスクは、プラスチツク製品が用い
られているが、本実施例ではセラミツク製のプレートに
前記透孔13を穿設して、高度の加工精度と高度の耐久
性を具備せしめ、特にIC等のリードフレームの如く高
精度を有する多点部分メツキ処理を極めて多量に行ない
且つ高度のメツキ品質を保持することができるようにし
てある。又、他の実施例に係るマスク本体11′として
は、第6図に示ずように、ステンレス鋼板のように耐蝕
性を有する金属板31に予めメツキ対象に対応した透孔
13′を穿設し、この透孔13′の内周面を含め金属板
31の外表面に、セラミツクと同等の性能を有するコー
テイング材32をコーテイングしたものでも良い。他方
、,前記したメッキ液噴射用のノズル部17は、それ自
体をメツキ処理時のアノードとして使用すると共に、モ
ニタリングの電極端子としても使用するため、本実施例
では前記した如く、不溶解性の金属、例えば白金で形成
したベース20に微細な噴射口21を穿設してあるが、
マルチ方式の場合は、上記ベース20を多数連設すると
共に各々の間に絶縁物(図示せず)を介在する。
又、他の実施例としては、第7図に図示の如く、セラミ
ック等の絶縁性素材で成形したプロツク41に予め所定
間隔乃至位置に必要な数の噴射口2Vを穿設し、且つこ
の噴射口2Vの内周面と上下両開口端部の所定箇所にメ
タライズした後白金を無電解メツキでつけ、アノード部
42を形成する。これにより、噴射口21′の内部及び
開口部がメツキ液で浸されることを防止できる上噴射口
21/の開口部を研磨し被メツキ部材との電極間距離の
調整と、こ.のアノード部42をモニタリングの際検出
用電極として用いることができる。
前記の如く、マルチ方式の場合は、各噴射口21,21
′毎に研磨して電極間距離を微調整することが、メツキ
品位の保持のため極めて重要であるが、精密な研磨力旺
性と6高度の耐久性を有し且つ良好な絶縁性を有するセ
ラミツクを主材としているので、白金製のプロツクに加
工したものより実用性と低廉さに於いて優れたものと云
える。このように、マルチ化したノズル部17では、各
噴射口21,21′毎に図示しないモニターを電気的に
配設可能であるから、多数の噴射口21,2Vのうちど
れかに、メツキ液が噴射して来なかつたり或いはメツキ
液流量乃至流速の変化を生じ、メツキ不良が発生した場
合でも確実に検出できる。勿論、本発明は上記実施例に
特定されるものでは無く、ノズル部や透孔等の配置状態
、及び長溝の形態や断面形状並びに各要素の素材形状等
もその技術的範囲内では如何様にも変更できる。
叙上の如く本発明によれば、ノズル部に於けるメッキ液
流速を電極間距離で吸収すると共に、マスク本体により
メツキ対象域を設定し、又それに固着した台座によつて
メツキ液柱に偶力を作用せしめるようにしてあり6而か
も上記各部材共メツキ対象物に対応して着脱交換自在と
してあるので、以下に述べるような著効を奏する。(1
)微少な間隔で接近し且つ極めて微小な面積の処に正確
なメッキ処理を施すことができる。
(2)メツキ液の流束がビーム状となり、流量も安定す
るため、低電流密度のメツキ液でも電流変動が無くなり
メツキ厚が均一化した高品位のメツキができる。(3)
被メツキ対象物の大小を問わず、そのメツキ境界に於け
るハレーシヨンの防止が可能であるから、極めて近接し
た多数の微細なメツキ対象物にも鮮映なメツキができる
(4)メッキ対象物に対応したマスクやノズルの交換設
定作業が極めて容易であり、段取り工程を含め作業性が
頗る良い。
(5)連続的に多数箇所を同時メツキ処理できる上、量
産工程中に於いても調整の変動が無いため常に安定した
品質のメッキ処理品を多量生産的に得られ、メツキ処理
工費を大巾に低減可能であ(6)マスクやノズルも含め
全体を小型化することができるので、装置の設置費が低
廉であり、又メンテナンスも容易である。
(7)メッキ処理品の歩留りが大巾に改善され且つ特別
な工程管理や品質管理を要しないので、ランニングコス
トも廉価である。
(8)マルチシステムに於いて、個々のノズルからのメ
ツキ液流速の差異を、電極間距離の微調整で補償し、多
数のメツキ対象物に対し極めて高品位で且つ個々のバラ
ツキを無くしたメツキ処理ができる。
(9)メツキ層の断面がメサ形であり6且つ極微小面積
のメツキができるため、殊に集積回路素子等の部分メツ
キ処理に最適であり、メツキ母材である貴金属の消耗量
の低減化と前項各効果と相俟つて、省資源とメツキ処理
費の大巾な低減が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の基本となる公知の発明に係るメツキ
装置の構成を示す要部縦断面正面図、第2図は本発明の
実施例に係るマルチ方式の部分メッキ装置を示す分解斜
視図であり、第3図は同上縦断面正面図である。 又、第4図は在来の静止浴メツキに於けるメツキ電流と
通電時間の相関性を示す特性図で、第5図は本発明に係
る微小部分メツキ装置のメツキ電流と通電時間及び電極
間距離の相関性を示す特性図であり、第6図はマスク本
体の他の実施例に係る要部縦断面図、第7図は他の実施
例に係るノズル部の斜視図である。10・・・・・・マ
スク、11・・・・・・マスク本体、12...・・・
台座、13・・・・・・透上 15・・・・・・孔部、
16・・・・・・長溝、17・・・・・・ノズル部、1
8・・・・・・外套管、19・・・・・・チヤンバ一、
20・・・・・・ ベース 21・・・・・・噴射口、
22・・・・・・排除口。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 メッキ対象に対応して透孔が穿設されたマスク本体
    に、この透孔に対応する孔部及び孔部に接線状態で連通
    し且つ断面積及び/又は形状を可変自在な長溝が形成さ
    れた台座を着脱自在に固着し、この台座に連結して密閉
    空間を形成する外套管と、上記密閉空間内を負圧化する
    と共に、メッキ液を気液混合状態で排除する排除管とを
    具備し、更に終端をメッキ液給送管に連通せしめた任意
    数の噴射口を前記孔部に対応して形成し、且つ噴射口の
    上端面を夫々個別に切削研磨自在としたノズル部を設け
    て成るマルチ方式の部分メッキ装置。 2 マスク本体は、セラミック製のプレートにメッキ対
    象と対応する透孔を穿設したことを特徴と徴とする特許
    請求の範囲第1項記載のマルチ方式の部分メッキ装置。 3 マスク本体は、ステンレス等の耐蝕性金属板にメッ
    キ対象と対応する透孔を穿設し、且つその外表面上には
    セラミック又はこれと同等の特性を有するコーティング
    材でコーティングしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載のマルチ方式の部分メッキ装置。 4 ノズル部は、白金等の不溶解性の素材で形成したベ
    ースに噴射口を穿設したことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項乃至第3項のいづれかに記載したマルチ方式の
    部分メッキ装置。 5 ノズル部は、セラミック等の絶縁物で形成したブロ
    ックに噴射口を穿設し、且つその表面をメタライズした
    後白金等の不溶解性の素材でメッキしたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項乃至第3項のいづれかに記載し
    たマルチ方式の部分メッキ装置。
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