JPS5969917A - 半導体ウエハ識別方法 - Google Patents

半導体ウエハ識別方法

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Publication number
JPS5969917A
JPS5969917A JP57180272A JP18027282A JPS5969917A JP S5969917 A JPS5969917 A JP S5969917A JP 57180272 A JP57180272 A JP 57180272A JP 18027282 A JP18027282 A JP 18027282A JP S5969917 A JPS5969917 A JP S5969917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mark
reading
semiconductor
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57180272A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhisa Yoshida
康久 吉田
Hiroshi Matsuzawa
松沢 浩
Hiroshi Kinoshita
博 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57180272A priority Critical patent/JPS5969917A/ja
Publication of JPS5969917A publication Critical patent/JPS5969917A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程における半導体ウェハ
のウェハ情報(pット情報など]の識別方法に関する。
〔発明の技術的背景〕
半導体製造工程の自動化に際して、半導体ウェハのロッ
ト番号などのウェハ情報を自動的に識別し、この識別結
果に基いてプロセス条件の設定およびプロセスQC(品
質管理)データの登録等を行なうことが望ましい。
ところで、従来は上記ウェハ情報として第1図に示すよ
うに半導体ウェハ1のオリエ寸−ションフラット部2に
フォトエツチングあるいはレーザマーキング等の方法に
より数字、記号、アルファベット文字などのマーク3が
刻ff’している。そして、このような数字などのマー
ク3を読み取るためにウェハマーク斬、取p装置の読取
シ部を半導体ウェハ1のマーク3部に所定の向き(マー
ク3の読取p方向に合致する向き)で対向させている。
〔背景技術の問題点〕
しかし、上記したような従来の半導体ウェハ識別方法に
おいては、マーク3の1込みおよび読取りに際してそれ
ぞn半導体ウエノ・1の位置を精密に合わせると共にそ
の向きをマーク3の向きに合わせるための位置合わせ装
置および位置合わせ工程が必要となるので、ウェハ情報
の畏込み、読取や装置が大型化し、書込み、読取シの所
要時間が長くかかる欠点があった。また、半導体装置プ
ロセスの複数の段階でそれぞ九つニf情報會読取るため
に複数台の読取シ装#全使用する場合、各読取シ装置毎
の位置合わせの互換性を持たせようとすると各装置構成
が複雑になり、各装置の保守が面倒であった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の欠点を除去すべくなさルたもので、ウェ
ハ情報の害込みおよび読取シに際してウェハの向き全整
える必要がなく、ウエノ・情報の識別に要する工程が単
純になシ、識別のための所要時間の短縮化および関連装
置の小型化を図9得る半導体ウェハ識別方法を提供する
ものである。
〔発明の概要〕
すなわち、本発明の半導体ウニ/・識別方法は、半導体
ウェハ上にウェハとほぼ同心円状にリング状バーコード
マークヲ書込み、このウェハに対する半導体装置製造過
程で上記ウェハ上のバーコードマーク全読取り、この胱
取り結果に基いてウェハ情報を識別することを特徴とす
るものである。
したがって、ウェハと11は同心円状のバーゴー5ドマ
ークを利用するので、その書込みおよび  −読取シに
際してウェハの向きを整える必要がなくなp1識別のた
めの工程が単純になシ、識別〔発明の実施例〕 以下、図面葡参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
本発明では、先ず、たとえば第2図に示すように半導体
ウエノ・lの裏面(表面でもよい)にウェハ情報として
ウェハ1とほぼ同心円状にリング状のバーコードマーク
4?既知のフォトエツチングあるいはレーザマーキング
等の方法により書込む。この場合、書込み装置による書
込み中心に半導体ウェハlの中心をほぼ合致させる程度
の位置合わせを行なうが、ウェハlの向きつまシフラッ
ト部2の向きは任意でよい。また、上記リング状のバー
コードマーク4におけるリングの本数(1本あるいは複
数本)、リングの幅あるいは各リング幅の組合わせ、リ
ングの相互間隔あるいは各間隔の組合わせ等によつ1て
ウェハ情報の内容を表わすように定めておく。
次に1上記ウエハ情報を読取る必要があるとき(たとえ
ば上記ウェハに対する半導体装置製造過程におけるプロ
セス条件の設定時)には、バーコードマーク読取り装置
の読取り部による読取フ位m: iウェハ1のバーコー
ドマーク4がその半径方向に横切るように、ウエノ・1
全任意の向きで通過させることによってマーク4を読取
らせる。この場合、ウェハlの向きに関係なく同一パタ
ーンのバーコードマーク4”f:H取るようになシ、バ
ーコードマーク4がたとえはレーザマーキングによシウ
エハl上に溝として刻み込まれていた場合には、レーザ
光センサにより上記溝とウェハ面との段差によるレーザ
光往復距離の違いを利用してマーク検出全行なう。
また、読取9位#全ウェハ1のたとえば1つの直径線部
が通るようにしてマーク4を2回読取らせるようにし、
又はウェハ1の1つの半径線部が中心部から外縁部へ向
かっであるいはその逆方向に通るようにして ヌーク4
を1回読取らせるようにしても、マーク読取シ信号全バ
ーコード解読処理装置に導いてマーク内容の識別7行な
わせることは可能である。この場合にウェハlのほぼ中
心全読取り装置の読取シ中心位置に合わせる必要がある
が、通常の半導体プロセスではウェハ中心の位置合わせ
工程を有するので、この工程を利用することができる。
また、@取シ装置による読取シ位青を走査させるように
すnば、読取り装置上にウェハl′に置くだけでマーク
4の読取シが可能である。
なお第3図はウェハ情報全読取ってプロセス条件の設定
を行なうためのシステムの一例を示している。10は半
導体製造装置であり、入カスチージョンに載置さnたキ
ャリア11には複数枚の半導体ウェハ1が収納さnてい
る。このウェハ1の搬送路に対向してウエノS情報読取
り装置12が設置され、この装置12によるバーコード
マーク読取りデータは読取シ装置コントローラ13に導
かれ、ここでウニ/飄番号が解読さ扛る。このウェハ番
号データはホストコンピュータ14に読込まnここでプ
ロセス処理条件が決定され、この決定さn、た条件にし
たがって製造装置コントローラ15が前記製造装置1θ
の条件設定全行なう。なお、16は外部メモリ、17は
上記製造装置10の出カスチージョン上のキャリアであ
る。また、読取り装置12の位置はウェハ1の搬送路上
であれば、ローダ等のキャリアステーション上でも搬送
ベルト上でもかまわない。
上述したような半導体ウエノ・識別方法によnば、ウェ
ハ情報としてウニ/・とtlは同心円状のリング状バー
コードマークを曹込んでおき、マーク読取りに際して読
取シ装置とウニI・とをウェハの向きに関係なく相対向
させることによりしかも上記マークの曹込みおよび読取
りに際して通常のプロセスにおけるウェハ中心位置を定
める工程を利用チルは特別にウェハの位置合わせ金貨な
わなくてもよく、前述したように従来必要であったマー
ク識別のための位置合わせの工程および装置が不要であ
る。したがって、ウェハ情報の識別に要する工程、装置
が単純化さn%識別の所要時間も短かくなり、書込みお
よび祈1取シ装置の小型化およびプロセス処理条件設定
システムの自動−化にも適している。寸た、複数台の読
取り装置を使用する場合にも、そnぞれの位置合わせ装
置は不要であシ、位置合わせ装置の面倒な保守は不要と
なる。
〔発明の効果〕
上述したように本発明のウェハ識別方法によれは、ウェ
ハ情報の有込みおよび読取pに際してウェハの向きを整
える必要がなく、ウェハ情報の識別に要する工程が単純
になり、識別のための所要時間の短縮化および関連装置
の小型化を図ることができ、プロセス処理条件設定シス
テムの自動化に好適である。
【図面の簡単な説明】
第11図は従来の半導体ウェハ上のマークを説明するた
めに示す平面図、第2図および第3図は本発明に係るウ
ェハ識別方法の一実施例?説明するために示すもので、
第2図は半導体ウェハ上にバーコードマークを書込んだ
状態を示す平面図、第3図は第2図のバーコードマーク
を読取って半導体装置製造装置のプロセス条件を設定す
るシステムを示す構成費、切回である。 1・・・半導体ウニ/1.4・・・リング状ノ(−コー
ドマーク。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦57

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェハ上にウェハとほぼ同心円状にリング状バー
    コードマークをマーク書込み装置により書込み、このバ
    ーコードマークが書込まn友つェハに対する半導体装置
    製造過程でバーコードマーク読取り装置により上記ウェ
    ハ上のバーコードマークを読取り、この読取ら牡たバー
    コードマークに基いて前記ウェハのウェハ情報を識別す
    ることを%徴とする半導体ウェハ識別方法。
JP57180272A 1982-10-14 1982-10-14 半導体ウエハ識別方法 Pending JPS5969917A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57180272A JPS5969917A (ja) 1982-10-14 1982-10-14 半導体ウエハ識別方法

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JP57180272A JPS5969917A (ja) 1982-10-14 1982-10-14 半導体ウエハ識別方法

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JPS5969917A true JPS5969917A (ja) 1984-04-20

Family

ID=16080322

Family Applications (1)

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JP57180272A Pending JPS5969917A (ja) 1982-10-14 1982-10-14 半導体ウエハ識別方法

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JP (1) JPS5969917A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62500960A (ja) * 1984-11-27 1987-04-16 カツプナ−,ヘルム−ト ア− 物体を識別マ−キングし認識するための方法及び装置
JPS63110744A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Tokyo Electron Ltd プロ−ブ装置
US5445271A (en) * 1992-11-17 1995-08-29 Kabushiki Kaisha Kakizaki Seisakusho Resin-made basket for thin sheets
JPH08227925A (ja) * 1995-12-27 1996-09-03 Tokyo Electron Ltd プロービィング方法

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