JPS5969927A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS5969927A JPS5969927A JP57179851A JP17985182A JPS5969927A JP S5969927 A JPS5969927 A JP S5969927A JP 57179851 A JP57179851 A JP 57179851A JP 17985182 A JP17985182 A JP 17985182A JP S5969927 A JPS5969927 A JP S5969927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- convex mirror
- mirror
- radiation
- width
- synchrotron
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置に係シ、詳しくは大面積のマスク
バーンを高い精度で均一に転写することのできる、Ｘ線
露光装置に関する。
バーンを高い精度で均一に転写することのできる、Ｘ線
露光装置に関する。
Ｘ線リングラフィの原理は第１図に示すごとく、Ｘ線１
をマスク２に照射し、Ｘ線透過性材料３およびＸ線吸収
性材料４から構成されるマスクパターンをマスク後方に
ある感放射線性レジスト膜５に転写するものである。Ｘ
線は通常、電子線励起型のクーリッヂ管方式の点Ｘ線源
から得られるものが利用されるが、輝度が低いうえ、発
散光に起因する半影ボケによシ解像度が低下するという
問題がある。これに対し、シンクロトロン軌道放射光は
点Ｘｉ源に比べ約１０３倍高輝度であり平行性も良いこ
とから、サブミクロン寸法のパターン転与 写を行う上で最も有望Ｊ＄Ｘ線源の一つである。
をマスク２に照射し、Ｘ線透過性材料３およびＸ線吸収
性材料４から構成されるマスクパターンをマスク後方に
ある感放射線性レジスト膜５に転写するものである。Ｘ
線は通常、電子線励起型のクーリッヂ管方式の点Ｘ線源
から得られるものが利用されるが、輝度が低いうえ、発
散光に起因する半影ボケによシ解像度が低下するという
問題がある。これに対し、シンクロトロン軌道放射光は
点Ｘｉ源に比べ約１０３倍高輝度であり平行性も良いこ
とから、サブミクロン寸法のパターン転与 写を行う上で最も有望Ｊ＄Ｘ線源の一つである。
シンクロトロン軌道放射線束の断面積はシンクロトロン
の規模にもよるがシンクロトロン軌道から１０ｍ程離れ
た位置で大略、短径２０〜３０簡。
の規模にもよるがシンクロトロン軌道から１０ｍ程離れ
た位置で大略、短径２０〜３０簡。
長径４０〜６０間程度のだ円状である。しかし、シンク
ロトロン軌道面に垂直な方向に輝度分布があるため、レ
ジスト膜を実効的に均一に露光できる面積は数謳幅の帯
状の面積にすぎず、大口径シリコンウェハを露光するに
は問題があった。これを解決するためにマスク・ウエノ
１の載物台をシンクロトロン軌道放射光に対し移動させ
、等測的にマスク・ウェハ上を該放射光でスキャニング
させることが考えられるが、マスク・ウエノ・の位置合
ぜ機構と上記移動機構が個別に必要となり、装置構造が
複雑となる、露光中の上記移動機構作動によりマスク・
ウェハが撮動し、精密なパターン転゛写が行えない、こ
となど新たな問題が生ずる。
ロトロン軌道面に垂直な方向に輝度分布があるため、レ
ジスト膜を実効的に均一に露光できる面積は数謳幅の帯
状の面積にすぎず、大口径シリコンウェハを露光するに
は問題があった。これを解決するためにマスク・ウエノ
１の載物台をシンクロトロン軌道放射光に対し移動させ
、等測的にマスク・ウェハ上を該放射光でスキャニング
させることが考えられるが、マスク・ウエノ・の位置合
ぜ機構と上記移動機構が個別に必要となり、装置構造が
複雑となる、露光中の上記移動機構作動によりマスク・
ウェハが撮動し、精密なパターン転゛写が行えない、こ
となど新たな問題が生ずる。
また、上記問題を避ける目的から第２図に示すごとく円
筒形凸面ミラー３１によりシンクロトロン軌道放射光３
２を反射ぜしめ、放射光束の断面積を拡大する方法が提
案されている（ＩＢＭＲｅｓｅａｒｃｈ ）ｊｅｐｏ
ｒｔ 、 ＲＣ８２２０，１９８０） ｏ しかし
、シンクロトロン軌道放射光は第３図に示すごとく連続
スペクトルであシ、この方法によれは、第２図中の光束
Ａの上記ミラー３１に対する入射角θＡより小さな全反
射臨界角を有する波長成分は、反射率が極めて低い値と
なるため試料面Ｓ人には殆んど照射されない。一方、光
束Ｂのミラーに対する入射角θＢはθＢ〈θＡであり、
試料面ＳＢには８人に比べ、より短波長の放射光成分が
さらに加わって照射されることになり、したがって、試
料面に照射される放射光に波長分布が生じ、均一な露光
ができないことになる。
筒形凸面ミラー３１によりシンクロトロン軌道放射光３
２を反射ぜしめ、放射光束の断面積を拡大する方法が提
案されている（ＩＢＭＲｅｓｅａｒｃｈ ）ｊｅｐｏ
ｒｔ 、 ＲＣ８２２０，１９８０） ｏ しかし
、シンクロトロン軌道放射光は第３図に示すごとく連続
スペクトルであシ、この方法によれは、第２図中の光束
Ａの上記ミラー３１に対する入射角θＡより小さな全反
射臨界角を有する波長成分は、反射率が極めて低い値と
なるため試料面Ｓ人には殆んど照射されない。一方、光
束Ｂのミラーに対する入射角θＢはθＢ〈θＡであり、
試料面ＳＢには８人に比べ、より短波長の放射光成分が
さらに加わって照射されることになり、したがって、試
料面に照射される放射光に波長分布が生じ、均一な露光
ができないことになる。
さらに、上記６．面ミラーを用いる方法において、単−
波長化（モノクロ化）した放射光を用いることによジ、
試料面に照射された放射光の前記波長分布を低減させる
場合に於ても光束Ａ、Ｈにおける同一光束幅Δの反射光
の光束幅拡大率が異なるまた、全反射臨界角内にあって
も反射率には入射角依存性があるため、試料面に照射さ
れる放射光に強度分布が生じ、試料全面に亘る均一な露
光ができないことになる。
波長化（モノクロ化）した放射光を用いることによジ、
試料面に照射された放射光の前記波長分布を低減させる
場合に於ても光束Ａ、Ｈにおける同一光束幅Δの反射光
の光束幅拡大率が異なるまた、全反射臨界角内にあって
も反射率には入射角依存性があるため、試料面に照射さ
れる放射光に強度分布が生じ、試料全面に亘る均一な露
光ができないことになる。
本発明の目的は前記問題点を解決し、大面積のマスクパ
ターンをＲｈ光ムラなく高精度で転写できるＸ線露光装
置を提供するものである。
ターンをＲｈ光ムラなく高精度で転写できるＸ線露光装
置を提供するものである。
本発明において用いられる放射線束断面積拡大機構は円
筒形凸面ミラーおよびこれを回転あるいは回転振動させ
る機構部から成る。すなわち、上記凸面ミラーにより反
射しその断面積が拡大された放射線束を上記凸面ミラー
に回転または回転振動を与えることにより、被露光試料
面上を繰力返しスキャニングするごとく振動させ、露光
面積をさらに拡大するとともに、反射放射線束内の放射
線密度分布および波長分布全実効的に低減させる゛もの
である。
筒形凸面ミラーおよびこれを回転あるいは回転振動させ
る機構部から成る。すなわち、上記凸面ミラーにより反
射しその断面積が拡大された放射線束を上記凸面ミラー
に回転または回転振動を与えることにより、被露光試料
面上を繰力返しスキャニングするごとく振動させ、露光
面積をさらに拡大するとともに、反射放射線束内の放射
線密度分布および波長分布全実効的に低減させる゛もの
である。
実施例１
本発明の１実施例全第４図により説明する。
第４図において記号５１は本発明において用いられる円
筒形凸面ミラーを示し、その曲率半径Ｒ＝２ｍの石英円
筒面上にＡＵ層を３０〜５ Ｑ ｎｍの厚さで形成した
ものを使用した。
筒形凸面ミラーを示し、その曲率半径Ｒ＝２ｍの石英円
筒面上にＡＵ層を３０〜５ Ｑ ｎｍの厚さで形成した
ものを使用した。
幅Ｗ二５Ｍのスリット５３を用いて、シンクロトロン軌
道放射光５４のうち、レジスト膜を実効的に均一に露光
できる部分５４′を選択的に通過させ、これを静止状態
にある上記ミラー５１に入射した。
道放射光５４のうち、レジスト膜を実効的に均一に露光
できる部分５４′を選択的に通過させ、これを静止状態
にある上記ミラー５１に入射した。
なお、シンクロトロンの電子加速エネルギＥｆｄ１、
ＯＧｅＶ （１０’ ｅＶ ）、電子偏光強度Ｍ＝ＩＴ
。
ＯＧｅＶ （１０’ ｅＶ ）、電子偏光強度Ｍ＝ＩＴ
。
加速電流値Ｉ＝１００ｍＡとした。
上記放射光５４′のミラー５１への入射角は放射光５４
′の上端部５４′ａがミラー５１の接線となるごとくミ
ラー位置を設定した。このとき、放射光５４′の下端部
５４′ｂのミラー５１への入射角は大略７０’ｍｒａｄ
であシ、波長λ＝ｌ ｎｍの放射線の臨界入射角θＣに
相当するため、これより短波長の放射光の反射率は急激
に低下する。この反射光５５の試料５６上における輝度
分布を第５図に示す。なお、ミラー５１から試料５６ま
での距離はｌ ｒｎとした。
′の上端部５４′ａがミラー５１の接線となるごとくミ
ラー位置を設定した。このとき、放射光５４′の下端部
５４′ｂのミラー５１への入射角は大略７０’ｍｒａｄ
であシ、波長λ＝ｌ ｎｍの放射線の臨界入射角θＣに
相当するため、これより短波長の放射光の反射率は急激
に低下する。この反射光５５の試料５６上における輝度
分布を第５図に示す。なお、ミラー５１から試料５６ま
での距離はｌ ｒｎとした。
栢５図から明らかなように、凸面ミラーが静止している
と、Ｘの増大とともに、各波長ともに相対輝度の低下が
著るしく、ウェーＩ全面ヲ芳１−に照射することは、明
らかに不可能である。
と、Ｘの増大とともに、各波長ともに相対輝度の低下が
著るしく、ウェーＩ全面ヲ芳１−に照射することは、明
らかに不可能である。
これに対し、第６図は上記条件において、ミラー５１を
放射光束５４′ａ上にるる軸５２の周シに矢印５７で示
すように、振幅±１００ｍｒａｄ で回転振動させた
ときの同様の輝度分布を示したものである。第６図から
明らかなようにλ）ｌｎｍの放射光で均一な露光ができ
る範囲が大略５０陥幅となυ、入射光５４′の幅”ｖＶ
＝ ５ ｔｔａｎに対し１０倍拡大される。
放射光束５４′ａ上にるる軸５２の周シに矢印５７で示
すように、振幅±１００ｍｒａｄ で回転振動させた
ときの同様の輝度分布を示したものである。第６図から
明らかなようにλ）ｌｎｍの放射光で均一な露光ができ
る範囲が大略５０陥幅となυ、入射光５４′の幅”ｖＶ
＝ ５ ｔｔａｎに対し１０倍拡大される。
゛まだ、λ＝５陥のときは幅１０ｃ１ノ＋以上の範囲内
で、極めてコイシーな相対輝度の得られることが認め・
られた。
で、極めてコイシーな相対輝度の得られることが認め・
られた。
なお、上記実施例におけるミラー５１の回転軸か゛
ｆ入射光束５４′の光Ｍｉｌｌよりずれた場合は均一な
露光輝度を得る面積が減少するため好ましくない。
露光輝度を得る面積が減少するため好ましくない。
実施例２
上記実施例１の放射光束反射ミラー機構によりし、現像
したのちのレジスト残存膜厚の光束拡大方向の分布を調
べた結果を第７図に示す。第６図の放射光輝度分布に比
し、均一な露光ができる範囲が約８０朔幅と極めて大き
くなっていることが判る。これは上記Ｐ Ｍ Ｉｋ４
Ａレジストがかなり広い波長領域に亘って感度を有する
ため長波長成分の影響によって、極めて高い均一性が広
範囲にわたつて得られたものと推定される。
したのちのレジスト残存膜厚の光束拡大方向の分布を調
べた結果を第７図に示す。第６図の放射光輝度分布に比
し、均一な露光ができる範囲が約８０朔幅と極めて大き
くなっていることが判る。これは上記Ｐ Ｍ Ｉｋ４
Ａレジストがかなり広い波長領域に亘って感度を有する
ため長波長成分の影響によって、極めて高い均一性が広
範囲にわたつて得られたものと推定される。
上記のように、本発明は凸面ミラーを回転もしくは回転
振動させることによって、照射光度の均一性全向上させ
るものである。
振動させることによって、照射光度の均一性全向上させ
るものである。
上記回転もしくは回転振動は、凸面ミラーの中心軸（円
筒状凸面ミラーの中心軸）と平行で、かつ、中心より細
心した軸を回転ＩＰＩＩとして行なわれる。これによシ
、凸面ミラーからの反射光は、あたかも走査するように
、マスクやレジスト膜に照射され、その結果、極めて均
一な照射強度分布が広い範囲にわたって得られるのであ
る。凸面ミラーを上下もしくは斜め方向に振動させても
、上記照射強度分布の均一性を向上させることができ、
動させることの方が容易なことが多いので、通常の場合
は、凸面ミラーを回転もしくは回転振動させることが多
い。
筒状凸面ミラーの中心軸）と平行で、かつ、中心より細
心した軸を回転ＩＰＩＩとして行なわれる。これによシ
、凸面ミラーからの反射光は、あたかも走査するように
、マスクやレジスト膜に照射され、その結果、極めて均
一な照射強度分布が広い範囲にわたって得られるのであ
る。凸面ミラーを上下もしくは斜め方向に振動させても
、上記照射強度分布の均一性を向上させることができ、
動させることの方が容易なことが多いので、通常の場合
は、凸面ミラーを回転もしくは回転振動させることが多
い。
本発明によれば、均一に露光できる面積を大幅に増大す
ることができる。本発明において用いられる凸面ミラー
の放射線の反射率は、例えはＸ線リングラフィに有効な
波長領域１〜５ｎｍの超短波長においてはほぼ１０％程
度であるが、シンクロトロン軌道放射光の強度がクーリ
ッヂ管方式な・ど従来のＸ線源に比べてほぼ３桁高いた
め、所要露光時間はマスク・ワエハのアライメント時間
に比し無視できる程度となり、この結果、スループット
は著るしく向上した。このほか、前述したマスク・ウェ
ハ移動による露光面積拡大方式に比べ、振動が大幅に低
減できるため、サブミクロ／パターンの転写都度９合せ
精度が向上する効果が得られる。凸面ミラーの回転によ
り発生する振動は従来方式のそれよりも少なくすること
ができ、また、ミラー機構部とマスク・ウェハアライメ
ント機構部とは真空ベローズ等を介することによシ軟結
合とすることができるため、振動をさらに少なくするこ
とが可能である。
ることができる。本発明において用いられる凸面ミラー
の放射線の反射率は、例えはＸ線リングラフィに有効な
波長領域１〜５ｎｍの超短波長においてはほぼ１０％程
度であるが、シンクロトロン軌道放射光の強度がクーリ
ッヂ管方式な・ど従来のＸ線源に比べてほぼ３桁高いた
め、所要露光時間はマスク・ワエハのアライメント時間
に比し無視できる程度となり、この結果、スループット
は著るしく向上した。このほか、前述したマスク・ウェ
ハ移動による露光面積拡大方式に比べ、振動が大幅に低
減できるため、サブミクロ／パターンの転写都度９合せ
精度が向上する効果が得られる。凸面ミラーの回転によ
り発生する振動は従来方式のそれよりも少なくすること
ができ、また、ミラー機構部とマスク・ウェハアライメ
ント機構部とは真空ベローズ等を介することによシ軟結
合とすることができるため、振動をさらに少なくするこ
とが可能である。
さらに、凸面ミラーの曲率学徒あるいは回転振動撮幅を
選定することにより、放射線の入射角を限定できるため
、被露光試料の特性劣化を誘起する短波長の放射線全遮
断することができる。
選定することにより、放射線の入射角を限定できるため
、被露光試料の特性劣化を誘起する短波長の放射線全遮
断することができる。
また、上記本発明の効果はシンクロトロン軌道放射光を
用いた場合に限らず、単結晶に入射した電子が発生させ
る、いわゆるレプトンチャネリング放射光（応用物理、
第４９巻第１０号、１９８０）やレーザ光など指向性が
強く、線束断面積の小さな光源についても有効である。
用いた場合に限らず、単結晶に入射した電子が発生させ
る、いわゆるレプトンチャネリング放射光（応用物理、
第４９巻第１０号、１９８０）やレーザ光など指向性が
強く、線束断面積の小さな光源についても有効である。
第１図はＸ線リングラフィの原理説明図、第２図は凸面
ミラーによる放射線束の断面拡大方法を示す模式図、第
３図は電子シフクロトロン放射光の波長特性線図、第４
図は本発明の詳細な説明するための模式図、第５図は従
来法における反射光輝度分布を示す曲線図、第６図およ
び第７図（は本発明の効果を示す曲線図である。 １・・・Ｘ線束、２・・・Ｘ線マスク、３・・・Ｘ線透
過メンブレン、４・・・Ｘ線吸収体、５・・・レジスト
、３１・・・凸面ミラー、３２・・・入射放射線束、３
３・・・反射後の放射線束、５１・・・凸面ミラー、５
２・・・凸面ミラ−の回転軸、５３・・・スリット、５
４・・・入射放射線束、５４’ 、５４’ａ、５４’ｂ
−スリット通過後の放射線束、５５・・・反射後の放射
線束、５６・・・露光第 １ 図 丞２図 第 ３ 図 液４（／９″） 第 ５ 図 ／（竺処ジ 宿 ２ 図 面 χ （θ八Ｉηε〕
ミラーによる放射線束の断面拡大方法を示す模式図、第
３図は電子シフクロトロン放射光の波長特性線図、第４
図は本発明の詳細な説明するための模式図、第５図は従
来法における反射光輝度分布を示す曲線図、第６図およ
び第７図（は本発明の効果を示す曲線図である。 １・・・Ｘ線束、２・・・Ｘ線マスク、３・・・Ｘ線透
過メンブレン、４・・・Ｘ線吸収体、５・・・レジスト
、３１・・・凸面ミラー、３２・・・入射放射線束、３
３・・・反射後の放射線束、５１・・・凸面ミラー、５
２・・・凸面ミラ−の回転軸、５３・・・スリット、５
４・・・入射放射線束、５４’ 、５４’ａ、５４’ｂ
−スリット通過後の放射線束、５５・・・反射後の放射
線束、５６・・・露光第 １ 図 丞２図 第 ３ 図 液４（／９″） 第 ５ 図 ／（竺処ジ 宿 ２ 図 面 χ （θ八Ｉηε〕
Claims (1)
- １、所望の光径を有するシンクロトロン放射線束を凸面
ミラーに入射する手段と、上記凸面ミラ段をそなえたも
のにおいて、上記凸面ミラーを、上記凸面ミラーの中心
輪と平行で、かつ、偏心した軸を回転軸として回転もし
くは回転振動させる手段をそなえたことを特徴とするＸ
線露光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179851A JPS5969927A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光装置 |
| US06/541,447 US4514857A (en) | 1982-10-15 | 1983-10-13 | X-Ray lithographic system |
| KR1019830004846A KR920001171B1 (ko) | 1982-10-15 | 1983-10-13 | X선 노출 장치 |
| EP83306244A EP0109193B1 (en) | 1982-10-15 | 1983-10-14 | X-ray lithographic system |
| DE8383306244T DE3379915D1 (en) | 1982-10-15 | 1983-10-14 | X-ray lithographic system |
| CA000439140A CA1192673A (en) | 1982-10-15 | 1983-10-17 | X-ray lithographic system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179851A JPS5969927A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969927A true JPS5969927A (ja) | 1984-04-20 |
| JPH0324769B2 JPH0324769B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=16073018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57179851A Granted JPS5969927A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4514857A (ja) |
| EP (1) | EP0109193B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5969927A (ja) |
| KR (1) | KR920001171B1 (ja) |
| CA (1) | CA1192673A (ja) |
| DE (1) | DE3379915D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2155201B (en) * | 1984-02-24 | 1988-07-13 | Canon Kk | An x-ray exposure apparatus |
| US4788698A (en) * | 1984-04-15 | 1988-11-29 | Hitachi, Ltd. | X-ray exposure system |
| JPS62222634A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光方法 |
| DE3639346A1 (de) * | 1986-11-18 | 1988-05-26 | Siemens Ag | Verfahren und anordnung zur aenderung des abbildungsmassstabes in der roentgenlithografie |
| US4890309A (en) * | 1987-02-25 | 1989-12-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Lithography mask with a π-phase shifting attenuator |
| JPH0196600A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| US5365561A (en) * | 1988-03-25 | 1994-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure control in an X-ray exposure apparatus |
| JP2770960B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| US5003567A (en) * | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
| JP2731955B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| US5285488A (en) * | 1989-09-21 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| DE68921341T2 (de) * | 1989-10-30 | 1995-08-17 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Ausrichtevorrichtung und eine damit versehene Synchrotron-Röntgenbelichtungsvorrichtung. |
| US5214685A (en) * | 1991-10-08 | 1993-05-25 | Maxwell Laboratories, Inc. | X-ray lithography mirror and method of making same |
| US5458999A (en) * | 1993-06-24 | 1995-10-17 | Szabo; Gabor | Interferometric phase shifting method for high resolution microlithography |
| US6558878B1 (en) * | 1999-07-08 | 2003-05-06 | Korea Electronics Technology Institute | Microlens manufacturing method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4242588A (en) * | 1979-08-13 | 1980-12-30 | American Science And Engineering, Inc. | X-ray lithography system having collimating optics |
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