JPH04120717A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH04120717A JPH04120717A JP2242157A JP24215790A JPH04120717A JP H04120717 A JPH04120717 A JP H04120717A JP 2242157 A JP2242157 A JP 2242157A JP 24215790 A JP24215790 A JP 24215790A JP H04120717 A JPH04120717 A JP H04120717A
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- JP
- Japan
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- synchrotron radiation
- mirror
- blazed
- radiation light
- blazed grating
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- Pending
Links
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置に関し、特に、大きな面積のＸ線
マスクパターンを均一に転写するためのＸ線露光装置に
関する。
マスクパターンを均一に転写するためのＸ線露光装置に
関する。
近年の半導体装置は高集積化が進む傾向にあり、このた
め、サブミクロンオーダのリングラフィ技術が必要にな
ってきている。このような状況において、紫外線のｇ線
やｉ線を用いた従来の半導体露光装置では、光の波長に
よる解像度の限界が０５μｍ程度とされているため、０
．５μｍ以下の微細パターンの転写に対応できる次世代
の露光装置が強く望まれている。
め、サブミクロンオーダのリングラフィ技術が必要にな
ってきている。このような状況において、紫外線のｇ線
やｉ線を用いた従来の半導体露光装置では、光の波長に
よる解像度の限界が０５μｍ程度とされているため、０
．５μｍ以下の微細パターンの転写に対応できる次世代
の露光装置が強く望まれている。
このような次世代の露光装置として、現在、Ｘ線露光装
置が有望視されているが、そのうち、特に高輝度と高指
向性とを特長とするシンクロトロン放射光を利用しなＸ
線露光装置が、スルーブツトと解像度の面から期待され
ている。シンクロトロン放射光は、特に垂直方向の指向
性が高い（広がり角ｌ ｍｒａｄ以下）ため、実用的に
大面積のパターンを転写するためには、何らかの手段に
よってビームを拡大する必要がある。
置が有望視されているが、そのうち、特に高輝度と高指
向性とを特長とするシンクロトロン放射光を利用しなＸ
線露光装置が、スルーブツトと解像度の面から期待され
ている。シンクロトロン放射光は、特に垂直方向の指向
性が高い（広がり角ｌ ｍｒａｄ以下）ため、実用的に
大面積のパターンを転写するためには、何らかの手段に
よってビームを拡大する必要がある。
このための従来の技術としては、振動するＸ線ミラーを
用いた方法が広く用いられているにュークリア・インス
ッルメント・アンド・メソッズ（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉ
ｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ）
２０８巻、 ２８１〜２８６頁 参照）。
用いた方法が広く用いられているにュークリア・インス
ッルメント・アンド・メソッズ（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉ
ｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ）
２０８巻、 ２８１〜２８６頁 参照）。
第３図は、このようなシンクロトロン放射光を利用した
従来のＸ線露光装置の一例を示す模式図である。
従来のＸ線露光装置の一例を示す模式図である。
第３図のＸ線露光装置は、電子蓄積リンク１のシンクロ
トロン放射光＃２から放射されたシンクロトロン放射光
３を上下方向に往復回動運動（矢印Ａ）する振動ミラー
９によって上下方向に拡大し、Ｘ線マスク６上のパター
ンをウェハ７上のＸ線レジスト８に転写する。一般に、
Ｘ線ミラーにおけるＸ線の反射率は、ミラーに対する入
射角θとＸ線の波長に依存している。第４図は、典型的
なＸ線ミラーの一つであるＳｉＣミラニの反射率曲線を
示す図であり、入射角θが大きくなるほど短波長のＸ線
が反射しにくくなることを示している。
トロン放射光＃２から放射されたシンクロトロン放射光
３を上下方向に往復回動運動（矢印Ａ）する振動ミラー
９によって上下方向に拡大し、Ｘ線マスク６上のパター
ンをウェハ７上のＸ線レジスト８に転写する。一般に、
Ｘ線ミラーにおけるＸ線の反射率は、ミラーに対する入
射角θとＸ線の波長に依存している。第４図は、典型的
なＸ線ミラーの一つであるＳｉＣミラニの反射率曲線を
示す図であり、入射角θが大きくなるほど短波長のＸ線
が反射しにくくなることを示している。
上述したように、従来のＸ線露光装置は、振動するミラ
ーによってシンクロトロン放射光を走査して露光領域を
拡大するため、Ｘ線ミラーの振動によってＸ線ミラーに
対するシンクロトロン放射光の入射角が変化する。この
ため、Ｘ線レジストに照射されるＸ線の量か露光領域の
Ｌ部と下部とで異なり、露光の均一性が得られないとい
う欠点がある。
ーによってシンクロトロン放射光を走査して露光領域を
拡大するため、Ｘ線ミラーの振動によってＸ線ミラーに
対するシンクロトロン放射光の入射角が変化する。この
ため、Ｘ線レジストに照射されるＸ線の量か露光領域の
Ｌ部と下部とで異なり、露光の均一性が得られないとい
う欠点がある。
本発明のＸ線露光装置は、シンクロトロン放射光発生装
置と、前記シンクロトロン放射光発生装置からのシンク
ロトロン放射光を反射するブレーズド格子状ミラーと、
前記ブレーズド格子状ミラーを前後方向に振動させる駆
動装置とを備えている。
置と、前記シンクロトロン放射光発生装置からのシンク
ロトロン放射光を反射するブレーズド格子状ミラーと、
前記ブレーズド格子状ミラーを前後方向に振動させる駆
動装置とを備えている。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第１図のＸ線露光装置は、電子蓄積リング１のシンクロ
トロン放射光源２から放射されたシンクロトロン放射光
３を反射するブレーズド格子状ミラー４と、ブレーズド
格子状ミラー４を前後方向（矢印Ｂ）に振動させる振動
モータ５とを有している。シンクロトロン放射光３のブ
レーズド格子状ミラー４に対する入射角をθ１、ブレー
ズド格子状ミラー４のブレーズド角をθ２ （第２図参
照）とすると、シンクロトロン放射光３の上下方向の幅
は、５ｉｎ（θ１＋２θ２）／ｓｉｎθ１倍に拡大され
る。（例えば、入射角θ、をｌ ｄｅｇ。ブレーズド角
θ２を２ ｄｅｇとすると、露光領域は約５倍に拡大さ
れる。） 第２図は第１図のブレーズド格子状ミラーにおけるシン
クロトロン放射光の反射の状態を詳細に示す側面図であ
る。
トロン放射光源２から放射されたシンクロトロン放射光
３を反射するブレーズド格子状ミラー４と、ブレーズド
格子状ミラー４を前後方向（矢印Ｂ）に振動させる振動
モータ５とを有している。シンクロトロン放射光３のブ
レーズド格子状ミラー４に対する入射角をθ１、ブレー
ズド格子状ミラー４のブレーズド角をθ２ （第２図参
照）とすると、シンクロトロン放射光３の上下方向の幅
は、５ｉｎ（θ１＋２θ２）／ｓｉｎθ１倍に拡大され
る。（例えば、入射角θ、をｌ ｄｅｇ。ブレーズド角
θ２を２ ｄｅｇとすると、露光領域は約５倍に拡大さ
れる。） 第２図は第１図のブレーズド格子状ミラーにおけるシン
クロトロン放射光の反射の状態を詳細に示す側面図であ
る。
第２図に示すように、ブレーズド格子状ミラー４によっ
て反射されたシンクロトロン放射光３は、ブレーズド格
子状ミラー４の格子のピッチに対応した縞状蜀ビームと
なる。ブレーズド格子状ミラー４の格子のピッチがＸ線
（シンクロトロン放射光）の波長と同程度であれば、反
射したＸ線の強度分布はほぼ均一となるが、このような
細かいピッチの格子を製作することは、現在の製造技術
では極めて困難である。このため、本実施例では、ブレ
ーズド格子状ミラー４を前後方向く矢印Ｂ）に振動させ
ることによって露光の均一性を向上させているにのとき
の振動の振幅は、ブレーズド格子状ミラー４の格子の数
ピッチ分でよい。
て反射されたシンクロトロン放射光３は、ブレーズド格
子状ミラー４の格子のピッチに対応した縞状蜀ビームと
なる。ブレーズド格子状ミラー４の格子のピッチがＸ線
（シンクロトロン放射光）の波長と同程度であれば、反
射したＸ線の強度分布はほぼ均一となるが、このような
細かいピッチの格子を製作することは、現在の製造技術
では極めて困難である。このため、本実施例では、ブレ
ーズド格子状ミラー４を前後方向く矢印Ｂ）に振動させ
ることによって露光の均一性を向上させているにのとき
の振動の振幅は、ブレーズド格子状ミラー４の格子の数
ピッチ分でよい。
格子のピッチを細かくする程、ブレーズド格子状ミラー
４を振動させる機構が簡単となり、露光の均一性も向上
する。
４を振動させる機構が簡単となり、露光の均一性も向上
する。
以上のようにしてブレーズド格子状ミラー４によって拡
大されたシンクロトロン放射光３は、Ｘ線マスク６に照
射され、Ｘ線マスク６上のパターンがウェハ７上のＸ線
レジスト８に転写される。
大されたシンクロトロン放射光３は、Ｘ線マスク６に照
射され、Ｘ線マスク６上のパターンがウェハ７上のＸ線
レジスト８に転写される。
本実施例においては、ブレーズド格子状ミラー４に対す
るシンクロトロン放射光３の入射光が常に一定であるた
めその反射率も一定であり、従って露光領域の全領域に
亘って高い露光の均一性が得られる。
るシンクロトロン放射光３の入射光が常に一定であるた
めその反射率も一定であり、従って露光領域の全領域に
亘って高い露光の均一性が得られる。
〔発明の効果〕
以ト説明したように、本発明のＸ線露光装置は、ブレー
ズド格子状ミラーを用い、これを前後方向に振動させる
ことにより、シンクロトロン放射光の入射光を常に一定
に保って露光領域を拡大し、広い露光領域の全領域に亘
って高い露光の均一性が得られるという効果がある。
ズド格子状ミラーを用い、これを前後方向に振動させる
ことにより、シンクロトロン放射光の入射光を常に一定
に保って露光領域を拡大し、広い露光領域の全領域に亘
って高い露光の均一性が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図、第２図は第１
図のブレーズド格子状ミラーにおけるシンクロトロン放
射光の反射の状態を詳細に示す側面図、第３図はシンク
ロトロン放射光を利用した従来のＸ線露光装置の一例を
示す模式図、第４図はＸ線ミラーの一つのＳｉＣミラー
の反射率曲線を示す特性図である。 図において、 １・・・・・・電子蓄積リング、２・・・・・・シンク
ロトロン放射光源、３・・・・・・シンクロトロン放射
光、４・・・・・・ブレーズド格子状ミラー、５・・・
・・・振動モータ、６・・・・・・Ｘ線マスク、７・・
・・・ウェハ、８・・・・・・Ｘ線しジス ト ９・・・・・・振動ミラー
図のブレーズド格子状ミラーにおけるシンクロトロン放
射光の反射の状態を詳細に示す側面図、第３図はシンク
ロトロン放射光を利用した従来のＸ線露光装置の一例を
示す模式図、第４図はＸ線ミラーの一つのＳｉＣミラー
の反射率曲線を示す特性図である。 図において、 １・・・・・・電子蓄積リング、２・・・・・・シンク
ロトロン放射光源、３・・・・・・シンクロトロン放射
光、４・・・・・・ブレーズド格子状ミラー、５・・・
・・・振動モータ、６・・・・・・Ｘ線マスク、７・・
・・・ウェハ、８・・・・・・Ｘ線しジス ト ９・・・・・・振動ミラー
Claims (1)
- シンクロトロン放射光発生装置と、前記シンクロトロン
放射光発生装置からのシンクロトロン放射光を反射する
ブレーズド格子状ミラーと、前記ブレーズド格子状ミラ
ーを前後方向に振動させる駆動装置とを備えることを特
徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242157A JPH04120717A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242157A JPH04120717A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120717A true JPH04120717A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17085178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2242157A Pending JPH04120717A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04120717A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081712A3 (de) * | 2002-03-21 | 2004-03-04 | Zeiss Carl Smt Ag | Gitterelement zum filtern von wellenlängen ≤ 100nm |
| JP2010004001A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-01-07 | Komatsu Ltd | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
| JP2010004002A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-01-07 | Komatsu Ltd | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
| WO2017145385A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | ギガフォトン株式会社 | ビーム伝送システム、露光装置および露光装置の照明光学系 |
-
1990
- 1990-09-12 JP JP2242157A patent/JPH04120717A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081712A3 (de) * | 2002-03-21 | 2004-03-04 | Zeiss Carl Smt Ag | Gitterelement zum filtern von wellenlängen ≤ 100nm |
| JP2010004001A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-01-07 | Komatsu Ltd | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
| JP2010004002A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-01-07 | Komatsu Ltd | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
| WO2017145385A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | ギガフォトン株式会社 | ビーム伝送システム、露光装置および露光装置の照明光学系 |
| US10739686B2 (en) | 2016-02-26 | 2020-08-11 | Gigaphoton Inc. | Beam transmission system, exposure device, and illumination optical system of the exposure device |
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