JPS5969934A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
- Publication number
- JPS5969934A JPS5969934A JP57180775A JP18077582A JPS5969934A JP S5969934 A JPS5969934 A JP S5969934A JP 57180775 A JP57180775 A JP 57180775A JP 18077582 A JP18077582 A JP 18077582A JP S5969934 A JPS5969934 A JP S5969934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- groove
- thermal expansion
- hydrogen peroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はエツチング方法に関し、特にＧａＡｌ！ＡＢ系
材料のエツチング方法に関する。
材料のエツチング方法に関する。
〈従来技術〉
第１図乃至第３図は従来のエツチング方法全説明するた
めのものである。
めのものである。
図中、（１１は例えばＧａＡ、８（ガリウム砒素）単結
晶基板、Ｉ２１は該基板の一主面に形成された例えば５
１０２からなるエツチングマスクであり、該マスクには
上記基板ｉｌ＋の一部が露出するように窓（３）が形成
され−Ｃいる。その後折るマスク（２１が形成された基
板１１Ｊ、Ｙ適当な例えば硫酸：酸化水素水：水が３：
１ ：１となるエツチング液【二浸漬テることにより、
第２図に示す如（表面開口部が上記窓（３）形状に対応
した溝（４）が得られる。
晶基板、Ｉ２１は該基板の一主面に形成された例えば５
１０２からなるエツチングマスクであり、該マスクには
上記基板ｉｌ＋の一部が露出するように窓（３）が形成
され−Ｃいる。その後折るマスク（２１が形成された基
板１１Ｊ、Ｙ適当な例えば硫酸：酸化水素水：水が３：
１ ：１となるエツチング液【二浸漬テることにより、
第２図に示す如（表面開口部が上記窓（３）形状に対応
した溝（４）が得られる。
゛ところが斯る従来方法では溝幅ｉＢとし、Ｒ深さｉＤ
としかつＢ ＜Ｄとなるような溝を得ることは不可能で
あった。つまり第３図に示す如く窓（３）の幅）２Ｂと
してエツチング液に浸漬して深さＤの溝を得ようとして
もマスク（２）においてアンダーエツチングが生じ、開
口部の溝幅ｌはＢより大となる。
としかつＢ ＜Ｄとなるような溝を得ることは不可能で
あった。つまり第３図に示す如く窓（３）の幅）２Ｂと
してエツチング液に浸漬して深さＤの溝を得ようとして
もマスク（２）においてアンダーエツチングが生じ、開
口部の溝幅ｌはＢより大となる。
例えば溝幅２戸ｍ、溝深さ１０メｍ程度の溝をつと溝の
深さが１０／Ｉｍとなるとき斯！の開口部付近の幅はア
ンダーエツチングＣ二より８〜１０メｍ程度となる。
深さが１０／Ｉｍとなるとき斯！の開口部付近の幅はア
ンダーエツチングＣ二より８〜１０メｍ程度となる。
従って従来は溝幅が狭く、恭溝深さの深い溝は得られな
かった。
かった。
〈発明の目的〉
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、ＧａＡｌ！Ａ
Ｓ系単結晶からなる基板に幅が狭くかつ深い溝を形成可
能なエツチング方法を提供せんとするものである。
Ｓ系単結晶からなる基板に幅が狭くかつ深い溝を形成可
能なエツチング方法を提供せんとするものである。
〈発明の構成〉
本発明エツチング方法の特徴はＧａＡＪＡｓ系唾結晶材
料からなる基板上に将来形成される溝の一端に沿い形成
されると共に少なくとも上記基板とＭ〜膨張係数が異な
る材料からなるマスクが形成される工程、上記マスクが
形成された基板をアンモニア−過酸化水素水系溶液に浸
漬することにある。
料からなる基板上に将来形成される溝の一端に沿い形成
されると共に少なくとも上記基板とＭ〜膨張係数が異な
る材料からなるマスクが形成される工程、上記マスクが
形成された基板をアンモニア−過酸化水素水系溶液に浸
漬することにある。
〈実施例〉
第４図及び第５図は本発明の一実施例を示し、ｔｌ １
１ バー主面が（１００）面とｑるｃａＡｓ基板、０２
は該基板上２二積層されたマスクであり、該マスクは上
記基板（１１）と熱膨張係数の異なる例えば５ｉ０２等
からなる。斯るマスクＯ２が形成された基板■をアンモ
ニア−過酸化水素水系溶液、好適には１％のアンモニア
を含有する３ ０！ｉｔ％の過酸化水素水からな声液に
釣６分間浸漬すると、第５図に示Ｔｍ＜、深さＤ＝＝１
［］、ａｍ、溝幅Ｂ−＝２ｐｍと幅が狭くかつ深いＶ字
溝０３１が上記マスク（１２１に沿って得られた。尚上
記溶液のＧａＡｓ基板に対するエツチング力は非常に弱
い。
１ バー主面が（１００）面とｑるｃａＡｓ基板、０２
は該基板上２二積層されたマスクであり、該マスクは上
記基板（１１）と熱膨張係数の異なる例えば５ｉ０２等
からなる。斯るマスクＯ２が形成された基板■をアンモ
ニア−過酸化水素水系溶液、好適には１％のアンモニア
を含有する３ ０！ｉｔ％の過酸化水素水からな声液に
釣６分間浸漬すると、第５図に示Ｔｍ＜、深さＤ＝＝１
［］、ａｍ、溝幅Ｂ−＝２ｐｍと幅が狭くかつ深いＶ字
溝０３１が上記マスク（１２１に沿って得られた。尚上
記溶液のＧａＡｓ基板に対するエツチング力は非常に弱
い。
このようｒ（Ｖ字溝が形成されるメカニズムははっきり
しないが基板０υとマスクＯａとの熱膨張係数が異なる
ため斯るマスク［＋２１形成後基板旧］−に特に上記マ
スク０２１に沿った部分にストノスが生じ斯る部分の結
晶間の結合力が弱まり、従って斯る部分のみ上記溶液に
よりエツチングされるためだと考えられる。、 尚実施例では基板としてＣａ Ａｓを用いたがＧａＡＪ
Ａｓからなる基板を用いて同様な効雫が得られる。また
マスク材料もＳｉＯ２に限らずＧａＡＲＡＢ系材料と熱
膨張係数がＰ、なりかつ上記溶液によりエツチングされ
ない材料であればよい。
しないが基板０υとマスクＯａとの熱膨張係数が異なる
ため斯るマスク［＋２１形成後基板旧］−に特に上記マ
スク０２１に沿った部分にストノスが生じ斯る部分の結
晶間の結合力が弱まり、従って斯る部分のみ上記溶液に
よりエツチングされるためだと考えられる。、 尚実施例では基板としてＣａ Ａｓを用いたがＧａＡＪ
Ａｓからなる基板を用いて同様な効雫が得られる。また
マスク材料もＳｉＯ２に限らずＧａＡＲＡＢ系材料と熱
膨張係数がＰ、なりかつ上記溶液によりエツチングされ
ない材料であればよい。
く応用例〉
本発明の応用として好適例は、基板−ヒにｐｎ接合が形
成されたＧａＪ’Ａｓ系４３光ダイオードウェハをベレ
ット単位に分離の際に用いられる。斯る’１ＮＩｔに本
発明を用いると溝幅ン小さく分離可能であるため一枚の
ウニへから得られるベレットの有効面積比が人となる・ また、他の応用例としＣは、第６図に示す如く半導体レ
ーザの壌流鋏窄用の溝の形成に用いられる。図中２１１
はｎ坐ＧａＡｓ基板、 ＋７２１は該基板上に積層され
た発振層であり、該発振層は活性層Ｑ、（ｌと該活性層
を挟装する＠１．第２クラッド層ｆ２１１１２５１から
なる。また斯る活性層（２３１及び第１、第２クラブト
層（ｌｒｈｔ２５１１ｄ Ｇ ａ Ａ ｌ Ａ ｓ糸材
料カラ７１ ｉＪ、カッ第１、第２クラッド層１２４＋
１２５１は活性周回）よりバンドギャップが人であるｎ
型及びＰ型となる。Ｃ２６）はト記発振層（２２１上に
形成されたＰ型ＧａＡＳからなるキャップ層、開は該キ
ャップ層上に形成されたオーミック性の電極であり、該
電極は紙面垂直方向に延在するストライプ形状ｔなＴ、
ｆ２８１は上記電極Ｃ２Ｌ両側に設けられた溝であり、
該溝は第２クラッド１ 層のに達する。Ｃ２９１絶縁層であり、Ｕ絶縁層は上記
ハ 電極Ｃ２７＋の形成されていないキャップ層シロ）表面
及び上記溝（５内に形成され、刀）つ５ｉＯｚ刀＼らな
る。
成されたＧａＪ’Ａｓ系４３光ダイオードウェハをベレ
ット単位に分離の際に用いられる。斯る’１ＮＩｔに本
発明を用いると溝幅ン小さく分離可能であるため一枚の
ウニへから得られるベレットの有効面積比が人となる・ また、他の応用例としＣは、第６図に示す如く半導体レ
ーザの壌流鋏窄用の溝の形成に用いられる。図中２１１
はｎ坐ＧａＡｓ基板、 ＋７２１は該基板上に積層され
た発振層であり、該発振層は活性層Ｑ、（ｌと該活性層
を挟装する＠１．第２クラッド層ｆ２１１１２５１から
なる。また斯る活性層（２３１及び第１、第２クラブト
層（ｌｒｈｔ２５１１ｄ Ｇ ａ Ａ ｌ Ａ ｓ糸材
料カラ７１ ｉＪ、カッ第１、第２クラッド層１２４＋
１２５１は活性周回）よりバンドギャップが人であるｎ
型及びＰ型となる。Ｃ２６）はト記発振層（２２１上に
形成されたＰ型ＧａＡＳからなるキャップ層、開は該キ
ャップ層上に形成されたオーミック性の電極であり、該
電極は紙面垂直方向に延在するストライプ形状ｔなＴ、
ｆ２８１は上記電極Ｃ２Ｌ両側に設けられた溝であり、
該溝は第２クラッド１ 層のに達する。Ｃ２９１絶縁層であり、Ｕ絶縁層は上記
ハ 電極Ｃ２７＋の形成されていないキャップ層シロ）表面
及び上記溝（５内に形成され、刀）つ５ｉＯｚ刀＼らな
る。
斯る半導体レーザではＲ１滲及び絶縁層６により電極（
２７）より印加される磁流が狭窄されるため活性層Ｉ２
３１において高効率のレーザ発振が得られる。
２７）より印加される磁流が狭窄されるため活性層Ｉ２
３１において高効率のレーザ発振が得られる。
また、−上記溝１２＆は電極（ｚ７）をマスクとして溝
幅の、小なるものが得られるので斯る溝ケ埋込むための
５ｉＯｚの箪も少なくなる。
幅の、小なるものが得られるので斯る溝ケ埋込むための
５ｉＯｚの箪も少なくなる。
く効 東〉
ｊヅ上の説明から明らかな如く、本発明によれば幅が小
で深さが大である溝が簡単に得られるのでペレットの分
離等に応用して効果が人となる。
で深さが大である溝が簡単に得られるのでペレットの分
離等に応用して効果が人となる。
第１図乃至第６図は従来例７示す断面図、第４図及び第
５図は本発明の実施例を示す断面図、第６図は本発明の
一応用例乞示す断面図である。 旧］・・・基板、 ０帽・・マスク、 （１３１・・
・溝第１図 ｊ 第３図 第５図 第２図 第４図 Ｉｅ？ 第６図 １３５−
５図は本発明の実施例を示す断面図、第６図は本発明の
一応用例乞示す断面図である。 旧］・・・基板、 ０帽・・マスク、 （１３１・・
・溝第１図 ｊ 第３図 第５図 第２図 第４図 Ｉｅ？ 第６図 １３５−
Claims (1)
- Ｉｌｌ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ系単結晶拐料からな
る基板上に将来形成される溝の一端に沿い形成されると
共に少なくとも上記基板と熱膨張係数が異なる材料から
ｆＩるマスクが形成される工程、上記マスクが形成され
た基板？アンモニアー過酸化水素水系の溶液ζ二浸漬Ｔ
ることを特徴とするエツチング方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180775A JPS5969934A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180775A JPS5969934A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969934A true JPS5969934A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16089106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57180775A Pending JPS5969934A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969934A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168771A (en) * | 1974-12-11 | 1976-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Heterokozohandotaino sentakufushokuhoho |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP57180775A patent/JPS5969934A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168771A (en) * | 1974-12-11 | 1976-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Heterokozohandotaino sentakufushokuhoho |
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