JPS597182A - ナフタセンキノン誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ナフタセシ千ノン誘導体の製造法、更に詳し
くは一般式 〔式中Ｒは水素原子又は低級アルコ＋シ基を示す。Ｒ１
及びＲ２は、一方が水素原子を示し、他の一方が低級ア
ル千しンジオ十シ基を示す。〕で表わされるナフタｔシ
＋ノシ誘導体の製造法に関するっ 上記式（１）で表わされる化合物は、新規化合物であシ
、後記に示す通シ抗癌剤として有用な式α時で表わされ
る４−ヂメト千シタウノマイシン又はタウノマイシシを
合成するための中間体として有用な化合物である。

本発明の方法によれば、上記一般式（１）で表わされる
すフタｔシ十ノシ誘導体は、一般式〔式中Ｒは水素原子
又は低級アルコ士シ基を示す。〕 で表わされるホ七フタル酸無水物と一般式〔式中Ｒ１及
びＲ２は、一方が水素原子を示し、他の一方が低級アル
＋レンジオ＋シ基を示すつＲ３はへ〇ケシ原子を示す。

〕 で表わされる千ノン銹導体とをリチウムシアル千ルア三
ドの存在下に反応させることによシ製造される。

上記本発明の方法によれば、簡便な操作且つ緩和な反応
条件下に高収率、高純度にて式（１）の化合物を製造し
得る。

本明細書において、低級アル＋レンジオ十シ基としては
例えばメチレジジオ千シ、エチレシジオ千シ、トリメチ
レジジオ千シ基を挙けることができ、低級アルコ千シ基
としては例えばメト十シ、エト＋シ、プロポ十シ、イソ
プ０ポ＋シ、ブト千シ、ｔｅｒｔ−フト＋シ、ベシチル
オ千シ、へ千シルオ千シ基等を挙げることができる。ま
た低級アルカノイルオ千シ基としては例えばアｔチルオ
千シ、づ０じオニルオ千シ、プチリルオ十シ、イソプチ
リルオ＋シ、ペシタノイルオ十シ、１ｔｒｔ　＋プチル
カルボニルオ千シ、へ＋サノイルオ千シ基等を挙げるこ
とができる。ハ０ゲシ原子としては、弗素原子、塩素原
子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。

本発明の方法において、一般式（２）の化合物と一般式
（３）の化合物との使用割合としては特に限定されず広
い範囲内から適宜選択できるが、通常前者に対して後者
を少なくとも等モル量程度、好ましくは等七ル〜１．５
倍℃ル量用いるのがよい。

本発明では、反応系内にリチウムアル千ルアミドを存在
させる。斯かるリチウムアル千ルアミドとしては従来公
知のものを広く使用でき、例えばリチウムシイツブ０じ
ルア三ド、リチウムジメチルアミド、リチウムジメチル
アミド等を挙げることができる。リチウムアル千ルアミ
ドの使用量としては特に制限がなく広い範囲内から適宜
選択できるが、通常一般式（２）の化合物に対して少な
くとも等℃ル量、好ましくは等七ル〜１．５倍モル程度
用いるのがよい。

本発明の反応は、例えばジエチルエーテル、ジオ＋サシ
、テトラしドロフラジ、ジメト千シエタン等のエーテル
類、ｎ−へ千サシ、ｎ−へプタシ、シフＤへ千サシ等の
飽和炭化水素類等の溶媒中にて行なうのがよい。該反応
の反応温度としては特に限定されないが、通常−７８℃
〜５０°Ｃ程度、好ましくは一７８°Ｃ〜室温付近とす
るのがよく、一般に０．５〜５時間程度で反応は終了す
る。

本発明において出発原料として用いられる一般式（２）
の化合物は新規化合物であり、例えば下記反応行程式−
１〜２に示す方法によシ製造される。

反応行程式−１ （４）　　　　　　　　　　　　　（６）〔式中Ｘはハ
０ゲシ原子、Ｒ４は低級アル千ル基、Ｒ１は低級アル千
しジジオ千シ基を示す。Ｒ３は前記に同じ。〕 一般式（４）の化合物と一般式向の化合物との反応は、
一般にディールス−アルダ−反応と呼ばれるものである
。この反応には通常のディールス−アルダ−反応の反応
条件を広く適用でき、例えば適当な溶媒中にて両者を反
応させればよい。溶媒としては、前記一般式（２）の化
合物と一般式（３）の化合物との反応に使用される溶媒
をいずれも使用できる。一般式（４）の化合物と一般式
（５）の化合物と・の使用割合としては特に限定されず
広い範囲内から適宜選択することができるが、通常前者
に対して後者を少なくとも等七ル程度、好ましくけ等七
ル〜１．５倍℃ル量使用するのがよい。該反応は通常室
温〜１５０℃程度、好ましくは４０〜１００°Ｃにて行
なわれ、一般に１−４８時間程度で反応は終了する。

一般式（６）の化合物のケタール化反応は、例えば適当
な溶媒中触媒の存在下に一般式（６）の化合物にケター
ル化剤を反応させることによシ行なわれる。

溶媒としては反応に悪影響を及はさない限り公知のもの
を広く使用でき、例えば前記芳香族次化水素類、前記エ
ーテル類、前記飽和度化水素類、前記極性非づ０トシ溶
媒類等をいずれも使用できる。

触媒としては例えば塩酸、硫酸等の鉱酸、パラトルニジ
スルホン酸等の有機酸等、好ましくは塩酸を挙げること
ができる。斯かる触媒の使用量としては特に限定されな
いが、通常一般式（６）の化合物に対してｌ７１００〜
Ｉ／３倍七ル量、好ましくはｌ／２０〜Ｉ１５　　倍℃
ル量用いるのがよい。またケタール化剤としては例えば
エチレシグリコール、メチレジタリコール、トリメチレ
ジグリコール、メタノール、エタノール、イソプロパツ
ール、ｎ−ブタノール等のアルコール類等を挙げること
ができる。斯かるケタール化剤の使用量としては特に限
定されないが、通常一般式（６）の化合物に対して少な
くとも等℃ル量程度、好ましくけ等七ル〜２倍℃ル量用
いるのがよい。該反応は通常室温〜１００°Ｃ程度、好
ましくは室温材゛近にて行なわれ、該反応は一般に１〜
２０時間程時間路了する。

一般式（７）の化合物の脱ハ０ゲシ化水素反応は、塩基
性化合物の存在下適当な溶媒中にて行なわれる。塩基性
化合物としては、前記一般式（２）の化合物と一般式（
３）の化合物との反応に使用される塩基性化合物をいず
れも使用できる。また溶媒としては反応に悪影響を与え
ないもの、例えば前記一般式（２）の化合物と一般式（
３）の化合物との反応に使用される溶媒をいずれも用い
ることができる。該反応は通常０〜５０°Ｃ程度、好ま
しくは室温付近にて好適に進行し、一般に１分〜５時間
程度で反応は終了する。斯くして一般式（２ａ）の化合
物が製造される。

反応行程式−２ （８）　　　　　　　　　　　　　（９）０　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　０（１０Ｃ２ｂ） 〔式中Ｒ２′　は低級アル千しジジオ千シ基を示す。

Ｒ３、Ｘ及びＲＬ′は前記に同じ。〕 一般式（８）の化合物・と一般式（５）の化合物との反
応、一般式（９）の化合物のケタール化及び一般式〇〇
の化合物の脱“ハロゲシ化水素は、それぞれ前記一般式
（４）の化合物と一般式（５）の化合物との反応、一般
式（６）の化合物のケタール化、一般式（７）の化合物
の脱ハＤゲシ化水素と同様の反応条件下に行なうことが
できる。斯くして一般式（２ｂ）の化合物が製造される
。斯くして得られる一般式（２）の化合物を出発原料と
して使用した場合には、本発明の目的化合物を短行程で
簡便な操作でしかも高収率、高純度で得ることができる
。

一般式（１）で表わされるナフタ℃シ＋ノ′：Ｊ誘導体
は下記反応行程式−３に示す方法に従い抗癌剤として有
用な一般式（１１で表わされる４−ヂメト千シタウノマ
イシシ又はダウノマイシシに誘導される。

反応行程式−３ ０ＨＯ Ｑ］） Ｒ００ｆｆ ＠ ＲＯＯＭ （イ） Ｇ 〔式中Ｒは前記に同じ。Ｒ５は低級アルカノイルオ＋シ
基を示す。〕 一般式（１）のアシルオ千シ化反応は、例えば適当な溶
媒中アシルオ＋シ化剤の存在下に行なうことができる。

ここで使用されるアシルオ千シ化剤としては例えばＰｂ
　（ＯＣＯＣＨ３）、　、Ｔｌ　（ＯＣＯＣＨ３）３、
Ｈｆ　（ＯＣＯＣＨ３）２等を挙げることができる。ア
シルオ千シ化剤の使用量としては特に限定されず広い範
囲内から適宜選択することができるが、通常一般式（２
）の化合物に対して少なくとも等七ル量程度、好ましく
け等七ル〜３倍七ル量用いるのがよい。

また溶媒としては例えばベシぜシ、トルニジ、＋シレン
等の芳香族炭化水素類、ジクロ０メタシ、ジクロ０メタ
シ、クロ０ホルム、四塩化炭素等のハｏ）ｆシ化炭化水
素類、ジエチルエーテル、ジオ十サシ、テトラしドロフ
ラジ等のエーテル類、酢酸等やこれらの混合溶媒を挙げ
ることができる。

該反応は通常室温〜＋ｏｏ’ｃ程度、好ましくは室温付
近にて行なわれ、一般に１〜３０時間程度で反応は終了
する。

該アシルオ千シ化反応の場合、一般式（１）の化合物の
うちＲが水素原子の場合は１１位、Ｒが低級アルコ＋シ
基の場合は１２位にのみ選択的にアシルオ＋シ基が導入
され、次で得られる一般式αυ・で表わされる化合物を
加水分解すると一般式＠の化合物が高収率、高純度で得
られる。

一般式（１１）の化合物の加水分解は、例えば適当な溶
媒中酸の存在下に行なわれる。用いられる溶媒としでは
例えば水、メタノール、エタノール、イソづロバノール
等のアルコール類、ジオ千サシ、テトラしドロフラジ等
のエーテル類、これらの混合溶媒等を挙げることができ
る。また酸としては例えば塩酸、硫酸、臭化水素酸等の
鉱酸、トリフジオ０酢酸、バラトルエシスルホシ酸等の
有機酸等を挙げることができる。斯かる酸の使用量とし
ては一般式（３）の化合物に対して通常大過剰量とする
のがよい。該反応は通常室温〜１００℃程度、好ましく
は室温〜８０°Ｃにて行なわれ、一般に１〜ｌＯ時間程
度で反応は完結する。

一般式（２）の化合物から、一般式Ｑ場の化合物及び一
般式Ｑ４の化合物を経て一般式（ト）で表わされる４−
デメト十シタウノマイシシ又はタウノマイシシに誘導す
る反応は公知であり、例えばテトラヘト□　ｙ　レター
　（Ｆ、Ｆａｒｉｎａ　ａｎｄ　Ｐ、Ｐｒａｄａｓ　。

Ｔｔｔｒａｈｔｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　、　４７７
　（１９７９）　）　、ジャーナル　オプ　ケミカル　
ソサイアテイー〔Ｄ。

Ａ’、Ｇｕｔｌａ　ａｎｄ　Ａ’、Ｋｈａｎ　　、Ｊ、
Ｃｈｔｍ、Ｓａｔ、Ｐｅｒｋｉｎｌ　、６８９（１９８
＋））、ジャーナル　才プ　オーカニツク　　ケミスト
リー（Ｗ、Ｗ、Ｌｅｔ　、　Ａ、Ｐ。

Ｍａｒｔｉｘｅｘ　、　Ｊ、ＨｏＳｍｉｔｈ　ａｎｄ　
Ｄ、　Ｆ、　Ｈｅｎｒｙ　、　Ｊ＋Ｏｒｅ、　Ｃｈｅｓ
ｔ、　、　４］　、　２２９６（１９７６））　、テト
ラヘトｏｙ　１７９−　（Ｊ、　Ａｌｅｘａｎｄｅｒ　
ａｎｄ　Ｌ、　Ａ、Ｍｉｌｓｋｔｒ　。

Ｔｔｔｒａｈｔｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　、　３４Ｑ
３　（１９７８）　）、ジャーナル　才プ　アメリカシ
　ケミカル　ソサイアティー（Ｆ、Ａ、　Ｊ、Ｋｅｒｄ
ｔｓＡｙ　ａｎｄ　Ｍ、Ｐ、Ｃａｔｒａ。

Ｊ、Ａｍ、Ｃｈｔｍ、５ｌｌｔ、、１００．３６３５（
＋９７８））及びテトラヘトＤシレター〔Ａ・５・Ｋｔ
ｎｄｅ・”・′・Ｃｕｒｒａｎ　、　Ｙ、Ｔｓａｙａｎ
ｄＪ＋Ｅ、Ｍｉｌｌｓ　、　ＴｔｔｒａｈｔｄｒｏｎＬ
ｅｔｔｅｒｓ　、３５３７（１９７？））、ジャーナル
　オプアメリカン　ケミカル　ソサイアテイ−（Ａ。

Ｓ、Ｋｅｎｄｔ　、　Ｙ−ｇ　、Ｔｓａｙ　、　／、Ｅ
、　Ｍｉｌｌｓ　、　Ｔ、Ａｍ。

Ｃｈｚｍ、Ｓｏｔ、、９８．１９６７（１９７６））、
米国特許第４．０４６，８７８号明細幣等に記載されて
いる方法に従えばよい。

上記各々の工程で得られる目的化合物は通常の分離手段
により反応混合物から容易に単離精製される。斯かる分
離手段としては、例えば溶媒抽出法、溶媒希釈法、再結
晶法、カラムクロマトタラフィー、づレバラテイプ薄層
りＤマドシラフィー等を挙げることができる。

以下に参考例及び実施例を挙げる。

参考例　ｌ 窒素気流下２，６−ジクロ０ベシソ十ノン９９０■及び
２−トリメチルシリルオキシづタジエシ８００ｑのベシ
セシｌＯｊ＋？溶液を５０〜６０°Ｃにて４時間加温す
る。溶媒を減圧留去し、シロツブ状の２，８αβ−ジグ
０ロー６−ドリメチルシリル１士”Ｊ　−４’　＋　５
　＋　８　＋　８　’　−７トラしドｏ−１．４−ナフ
ト牛ノシ　１．６３１！を得る。ＪＲスペクトル及びＮ
ＭＲスペクトルより同定する。

ＩＲνＣＨＣ’３　（（’ｆ”）　ｉ　ｌ　５８５．１
６７０．１６９０、ａｒ ７２Ｏ ＮＭＲδＣＣＤＣ１３）　；ｏ、１７（９／／、ｒ）、
２．２〜３．８Ｃ５Ｈ，ｍ）、４．６５−４　、８　（
１＃　、７７　）参考例　２ 上記参考例１で得られる２、８αβ−ジクロ０−６−ド
リメチルシリルオ士シー４ａ、５・８・８ａ−テトラし
ドロー１．４−ｊフト千ノシ　１．６３ｆ及びエチレ、
、グリコール　１．０５９のエーテルｌｏｍｅ溶液に濃
塩酸２〜３滴を加え、室温にて１６時間攪　　　。

拌する。硫酸ナトリウムを用いて乾燥後溶媒を留去して
２，８αβ−ジクロ［１−６，６−エチレシジオ’Ｐシ
ー　４ａ、５．Ｂ、８ａ−テトラしド［］−］１．４−
ナフトキノ、ｔ、４ｙを得る。ＩＲスペクトル及びＮＭ
Ｒスペクトルによシ同定する。

ＩＲνＣＨＣｌ３（グ”）ｉ１５９０．１６５５．１６
７ＯＮＭＲδ（ＣＤＣＲ３）　ｉ　Ｉ　−８４（２”　
、’　、’＝６”’　）、２．５５−３．ｏ＜＋Ｈ，ｍ
）、 ３．９９（４Ｈ，Ｓ）、 ３．８５−４．２（１／／、ｍ）、 ６．８８（１＃、Ｓ　”） 参考例　３ ２．８αβ−ジクｏ　ｏ　−６，６−エチレシジオ千シ
ー４ａ、５．Ｆ３，８’−テトラしドｏ−１．４−ナフ
ト千ノシ　１．６３　Ｆのエーテル５０ｍ１溶液にトリ
エチルア三シ５６５＃を徐々に滴下する。滴下後３時間
攪拌し、水を加えて有機層を分離する。さらに水層なベ
シゼシ５（Ｊｓｌで２回抽出し、先の有機層と併せて、
水洗する。硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去し、次い
で残渣をシリカゲルカラムクロマドクラフィー（溶出液
：クロロホルム）で精製する。ベシゼシか、ら再結晶し
て２−りｏ　ｏ　−６，６−エチレシジオ士シー５，６
，７．８−テトラしドロー１，４−ナフト千ノシ９１８
ＭｆＩを得る。

ｍ戸　１３９．５−１４０℃ １Ｒｙ　””　（ｃｆ”）口５９０．１６５５．１６７
ＯＮＭＲδ＜””Ｉ３）　；１−８６　（２Ｈ９ｔ　、
　Ｊ　＝７Ｈｚ　）、２．５−２．９（４＃、ｆｆ１）
、 ４．００（４＃、ｊ　）、 ６．８２（＋／／、ｊ） 元素分析値（Ｃｌ２Ｈ１ユ０４ＣＩｌとして）Ｃ７／　
　　　　　　Ｃｌｌ 計算値←）５６．６０　　４．３５　　１３．９２実測
値（ト）５６．６０　　４．２７　　１４．０８参考例
　４ ２．２−エチレシジオ＋シー６−しドロ＋シー１１−ア
セチルオ千シー１，２，３．４−テトラしドロー５゜１
２−ナフタｔシ十ノシ１０Ｗｇのトリフジオ０酢酸ｌゴ
溶液に水０．５ｘｌを滴下し、５０°Ｃで３時間加熱す
る。今後、溶媒を減圧留去し、水を加えて９００ホルム
抽出し、水洗後、乾燥、溶媒を留去し得られた残渣をシ
リカゲルカラムクロマドタラフィー（溶出液りＯＤホル
ム：酢酸エチル＝９＝１）で精製する。メタノールで再
結晶して６：５　Ｍｌの２−オ十ソー５，１２−ジしド
ロ士シーｌ、２゜３．４−テトラしドｏ　−６，１１−
すフタｔシ＋ノシを得る。

ｐｎｊ　　２９６〜２９８℃ ＩＲνＣＨ”　（０１１−”）　；１７１０．１６１０
．１５８０ａｚ ＮＭｎ　ａ　（ｃｎｃｔｔ３）　；ｒ３．＋ｓ＜ｌｎ、
ｓ＞、１３．３７（１＃、ｊ）、 ８．２−８．４Ｃ２Ｈｓｎ）、 ７．６５〜７．８５Ｃ２Ｈ，ｍ）、 ３．７６（２Ｈ，り、 ３．４０＜２Ｈ，ｔ　、Ｊ＝７．５ＨＩ’）、２．６４
（２Ｈ，ｔ　、／＝＝７．５／／ｚ　）参考例　５ ４−メト千シー５−しド０十シー９，９−エチレシジオ
千シー１２−アセト千シー７．８，９．１０−テトラし
ドＯ″ｙフタ℃シー６．１１−ジオル１２■のトリフル
オロ酢酸’Ｉｇ？溶液に水０．５ｍｌを滴下後５０℃で
６時間加温する。今後溶媒を留去し、水を加えてジグ０
０メタシ抽出し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウム
で乾燥する。溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲル
クロマドグラフィ　（溶出液ベシｔ！シ：ジエチルエー
テル＝１０：１）で精製する。酢酸で再結晶して、８１
１ｇの４−メト千シー６．１１−ジしドロ士シー７．８
．９．ＩＯ−テトラしド０ナフタセシ−５，９，１２−
ｔ−リオシを得る。

ｍ戸２５２〜２５６℃（分解） ＩＲνＣＨ”３　（１”）　；　ｌ　７１５．１６１５
．１５９０ａｘ ＮＭＲａ　（ＣＤＣ４，）　ｉ　２．６３（２／／、　
ｔ　、Ｊ＝６．５ＨＫ　）、３．２６（２／ｆ　、　ｔ
　、Ｊ＝６．５１ｆＥ　）、３．６ｏ＜２ｔｔ、ｓ）、 ４．０７（３／／、ｊ）、 ７．２０〜Ｂ、ｌ０Ｃ３Ｂ、”）、 １３．３８（１／／、ｊ）、 １３．８９（ＩＨ，Ｊ） 参考例　６ 窒素気流下２，５−ジクロＯベシリ千ノン３００ダ及び
２−トリメチルシリルオ＋シづタジエシ３００　ｇＩｖ
Ｏヘ：／　ｔ！！：）３　ｙｔｌ　Ｗ’ｊ液を８６−９
０℃ニテ３時間加温する。溶媒を減圧留去し、２，４α
β−ジク００−７−　トリメチルシリルオ千シー４ａ、
５゜８．８ａ−テトラしドロー１．４−ナフト＋ノシ５
４０ダを得る。ＩＲスペクトル及びＮＭＲスペクトルよ
シ同定する。

ＨＣＩ ＩＲＩ”　　（ＣＩＩｒｌ）　　ｉ　１５８５．１６６
５．１６９゜ａｒ ＮＭＲδＣＣＤＣｔｔ３）　；　０．２１（９＃、Ｓ）
、２．４１〜３．２７Ｃ４Ｈ，ｍ）、 ３．６７（ＩＨ，ｔ　、Ｊ＝８＃）、 ４．７２〜４．８７（ＩＨ，ｍ）、 ７．０１（１＃、ｊ） 参考例　７ 上記参考例６で得られる２、４αβ−ジグ００−フード
リメチルシリル１士シー４４．５，８，８ａ−テトラし
ドロー１．４〜ナフト＋ノシ５４０！及びエチし？、、
グリコール１３７ＩＩｇのエーテル５　ｍｌ溶液に濃塩
酸２滴を加え、室温にて１６時間攪拌する。

硫酸ナトリウムを用いて乾燥後溶媒を留去して２．４α
ρ〜ジクＯｒ：Ｊ　−７，７−エチレシジオ↑シー４ａ
、５，８，８ａ−テトラしドｏ−１．４−ナフト千ノシ
４９０〜を得る。Ｉ７２スペクトル及びＮＭＲスペクト
ルによりｎ定する。

ＨＣＩ ＩＲｖ　　　３　（ｃｆ”）　；１５９０．１６５０．
１６９０ａｘ ＮＭＲδ＜ＣＤＣｌ５）　；　２．４４〜４．２０（１
１Ｈ，ｆＰｌ）、６．９３（１／／、ｊ） 参考例　８ ２．４αβ−ジクロローフ、７−エチレシジオ千シー　
４’、５．８．８ａ　−テトラしド０−１．４−ナフト
＋ノシ４９０１Ｉｇのエーテル１５ｇ？溶液にトリエチ
ルア三シ１７２”ｆを滴下する。滴下後３時間攪拌し、
水を加えて有機層を分離する。さらに水層をベシ℃シ１
５ｇ／で２回抽出し、先の有機層と併せて、水洗、飽和
食塩水洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留去
し、次いで残渣をシリカゲルカラムク０マドシラフイー
（溶出液：りＯＯホルム）で精製する。ベシゼシーが−
へ千サシから再結晶して、２−クロロ−７，７〜エチレ
シジオ千シー５．６゜７．８−テトラしドＯ−１．４−
ナフト十ノ）２４１ｑを得る。

ｍ戸　９８〜９８．５℃ ＩＨｖＣ”１３　（ｃＩｓ−１）　；　１６００．１６
５ＯＮＭＲδ（ＣＩ）ＣＪ　３）　蓚１−８２　（２Ｈ
、’　、／　＝６Ｈｚ　）、２．５８−２．８０（４＃
、ｆｆり、 ４．００．（４Ｈ、１）、 ６．８９ＣＩＨ，り 元素分析値（Ｃ１２Ｈ１１’４”として）ＣＨＣ４ 計算値（９）５６．６０　　４．３５　　１３．９２夾
測値（９）５６．６＋　　　４．２７　　１４．０５参
考例　９ ３．３−エチレシジオ士シー６−しドロ士シー１１−ア
セチルオ千シー１，２．３．４−テトラしドＯ−５゜１
２−ナフタｔシ＋ノシｌＯｑのトリフジオ０酢酸１　ｍ
ｌ溶液に水０．５１を滴下し、５０°Ｃにて３時間加熱
する。冷接溶媒を減圧留去し、残漬にボを加えて、クロ
ロホルムで抽出（１０ｇ／Ｘ３）Ｌ、抽出液を水洗し、
硫酸ナトリウムで乾燥する。シリカゲルカラムク０マド
シラフイー（溶出液　クロロホルム：酢酸工千ル＝９：
Ｉ）で精製する。

メタノールよシ再結晶して５．５１１Ｉｊの２−オ＋ソ
ー５．１２−ジしドロ＋シー１，２．，３．４−テトラ
しドＯ−６，１１−ナフタｔニア＋ノコを得る。

ｍ／’２９６〜２９８℃ 実施例　ｌ ホでフタル酸無水物４１１Ｉｇ、２−りＤロー６．６−
エチレシジオ千シー５．６．７．８−テトラしドＤ−１
，４−ナフト＋ノシ６５■及びトリエチルア三シ１３ｑ
のトルニジ２　ｍｌ溶液を封管中１４０〜！５０°Ｃに
て１時間加熱する。冷接溶媒を留去し、残渣をシリカゲ
ルカラムク０マドシラフイー（溶出液エーテル：べ−Ｊ
ｔ！シ＝１：４）で精製する。りＤＯホルムより再結晶
して２８′ｑの２．２−エチレシジオ士シー６−しドロ
＋シー１．２，３．４−テトラしドロー５，１２〜ナフ
タセシ十ノシを得る・ｍ戸２２９〜２３０．５°Ｃ ＩＲｖ　：”、：”３　（ａｐｔ−”）　：　ｌ　６０
５．１６３ｏ、１６５５ＮＭＲδ＜ＣＤＣｌ５）　ｉ　
１．９２＜２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．５Ｈ’）、２．８０−３
．０５（４Ｈ，Ｗｌ）、 ４．０２（４／／、ｊ）、 ７．５０−７．９５（３Ｈ，ｍ）、 ８．０１（］／／、ｓ）、 ８．３５−８．５５ＣＩＨ，ｍ）、 １４．０６（ＩＨ，Ｓ　） 元素分析値（Ｃ２゜Ｈ１６’５として）Ｃ′Ｈ 計算ｆｆ１（％’ｌ　７１．４２　　４．８０実測値（
ト）７１．００　　４．７３ 実施例　２ ホ［７タル酸無水物５０ｑ、２−りｏｏ−７，７−エチ
レシジオ士シー５，６，７．８−テトラしドロー１．４
−ナフト千ノシ７０ダ及びトリエチルア三シ１３ｍｇの
トルニジ２　ｍｌ溶液を封管中１４０−１５０℃にて１
時間加熱する。今後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出液エーテル：ベシ′ｉ！
シ＝Ｉ：４）で精製する。クロロホルムよシ再結晶して
１８ダの３，３−エチレシジオ十シー６−しドＤ＋シー
１．２．３．４−テトラしドロー５．１２−ｊフタｔシ
士ノシを得る。

ｍ戸　２１４−２１６°Ｃ ＩＲｙ　””３　（ｏｒｌ）　；　Ｉ　６０５、＋６３
０．１６５５ＮＭＲδ（ＣＤＣ１，）　ｉ　１．９２＜
２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．５／／ｇ）、２．８０−３．０５　
（４Ｈ，ｍ）、 ４．０２＜４Ｍ、１）、 ７．５０−７．９５（３＃、ｆｆ１）、８．０１（ＩＮ
、Ｓ　）、 ８．３５−８．５５（ｌＨ，ｆｉ）、 １３．９７（ＩＨ，ｊ） 実施例　３ ８−メト士シホ七フタル酸無水物４０り、２−クＯ［］
　−］６．６−エチレ：Ｊジオ↑シー５６・７・８〜テ
トラしドＯ−１．４−ナフ１千ノシ５８．５１４ｇの゛
づ〇ムベ：、Ｉゼｙ１．ｏｔｘｌＮＩＨを蟹素気流下、
ＩＩＯ’Ｃ前後で３０分加熱する。今後、溶媒を留去し
、残渣をシリカゲルカラムクロマトシラフィー（溶出液
べ）シゼｙニジエチルエーテル＝ＩＯ：Ｉ）で精製する
。ジン０ロメタシーメタノールよシ再結晶して１２１ｖ
の４−メト↑シー５−しドロ士シー９．９−エチレシジ
オ士シー？、８，９．１０−テトラしドＯｙフタｔシー
６．１１−ジオルを得る。

ｔｎｆｉ　　２５２〜２５４℃ ＩＲν：”、、’Ｐ’３　（（：ｌＩｌ’−１）　；　
Ｉ　５７５．１６００．１６３０゜６５Ｏ ＮＭＲδ（ＣＩ）ＣＩＩ３　）　；　ｌ　、３９　（２
Ｈ、ｔ　、　Ｊ　＝　６．５　Ｈｚ　）、２．７６〜３
．００＜４Ｈ，ｔＮ）、 ４．００（７／／、ｂｊ）、 ６．９１−７．７０（３／／、ｆｆり、７．９３＜ＩＮ
、Ｋ）、 １５．１１（１＃、ｆ） 元素分析値（Ｃ２１Ｈ１８０６として）ＣＩｆ 計算値（ト）　６８．８４　　４．９５実測値（ト）　
６８．６１　　４．８６実施例　今 窒素気流下、０°Ｃにて、シイツブ０じルア三シ０・２
９７℃ル１ｎ−ブチルリチウム　０．２９　ｍ七ルより
、リチウムジイソづ口じルアミドを生成する。

この反応混合物を一７８℃に冷却し、テトラしドロフラ
ジ１．５ｍｌを加える。この反応混合物に３−メト＋シ
ホｔフタル酸無水物４８１ｖのテトラしドＯフラｖ　２
．０ｍ？溶液、２−　りＯＯ−６，６−エチレシジオ士
シー５．６，７．８−テトラしド［１−１，４−ナフト
千ノシ６３．５＃のテトラしド０フラジ２．０ｍｌ溶液
の順に滴下する。滴下後、反応混合物を一７８℃で２０
分間攪拌し、徐々に室温までもどす。室温で１時間攪拌
後、飽和塩化アシ七ニウム溶液を加え、ジクロロメタシ
で抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去後、
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトシラフィー（
溶出液ベシぜシ：ジエチルエーテル＝ｌＯ：１）で精製
して、ジクｏｏメタシーメタノールより再結晶して、５
７ダの４−メト十シー５−しドロ士シー９．９−エチレ
シジオ士シー７．８，９．１０−テトラしドロナフタｔ
シー６．１１−ジオルを得る。

ｍ戸２５２−２５４°Ｃ 実施例　５ 音素気流下、０°Ｃにて、ジイソづ０じルアミシ０．５
６　ｆｎｎシルｎ−ブチルリチウム　０．５６　”七ル
よシ、リチウムジイソ″ｊＯピルア三ドを生成する。

この反応混合物を一７８°Ｃに冷却し、テトラしドロフ
ラジ２．０ｍ＋／を加える。この反応混合物に、ホモフ
タル酸無水物８　’１　ｑのテトラしドロフラ。

３、ＣＪｘｌ溶液、２−りＯロー６．６−エチレシジオ
千シー５．６，７．８−テトラしドｏ−１．４−ナフト
千ノシ１２７岬のテトラしドロフラジ３．０πを溶液の
順に滴下する。滴下後、反応混合物を一７８°Ｃで２０
分間攪拌し、徐々に室温までもどす。室温で１時間攪拌
後、飽和塩化アシ七ニウム溶液を加え、ジクロＤメタシ
で抽出する。有機層を１０％ＭＣＩ。

水、飽和食塩水の順に洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥す
る。溶媒を留去し、りＯＯホルムよシ再結晶して１５８
■の２，２−エチレシジオ千シー６−しド０千シー１，
２，３．４−テトラしド０〜５．１２−ナフタｔシ千ノ
シを得る。

ｍ　、１’　２２９−２３０．５°Ｃ 実施例５と同様にして、適当な出発原料を用いて前記実
施例２の化合物を得る。

実施例　６ ２．２−エチレシジオ士シー６−しドロ士シー１゜２．
３．４−テトラしドロー５，１２−すフタｔシ士ノシ２
２■と四酢酸鉛６０ダを酢酸：ジクロロメタシ＝２：ｌ
の混合溶媒４．５解／に溶解し、室温で１６時間攪拌す
る。反応後溶媒を減圧留去し、残渣に水を加えり００ホ
ルム抽出する。クロロホルムを留去後得られた残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液クロロホル
ム：酢酸エチル＝３０　：　Ｉ　）で精製する。ＩＩｍ
ｇの出発原料である２、２−エチレシジオ士シー６−し
ドロ士シー１．２．３．４−テトラしドロー５．１２−
ナフタセシ＋ノシと８ダの２．２−■チレシジオ士シー
６−しドロ十シー１１−アセチルオ＋シー１，２，３．
４−テトラじドＯ−５．１２−ナフタｔシ千ノシを得る
。

−１／’２　＋　５−２１７°Ｃ（再結晶溶ｎメタ）−
１，）ＩＲｖ””　（ＣＭｒｌ）　；　Ｉ　７６０．１
６６５．１６３ＯＮＭＲδ＜ＣＤＣ（１３）　；　１３
．５６（＋／／、ｊ）、７．９０−８．２０（２＃、ｆ
ｆ１）、７．４０−７．７０Ｃ２ＨＩｎ）、 ３．９８（４Ｈ，Ｓ）、 ３．０２Ｃ２Ｈ，ｔ　、Ｊ＝７Ｈｚ　）、２．８３（２
／／、ｊ）、 ２．４７（３／／、ｆ）、 １．９５＜’２Ｈ，ｔ　、Ｊ＝７Ｈｚ）実施例　７ ３．３−エチしシジオ千シー６−しドロ士シーｌ。

２．３．４−テトラしドロー５．１２−ｊ−フタｔシ千
ノシ４２りと四酢酸鉛１１０ＩＩｇを酢酸：ジクＤロメ
タシ＝２＝１の混合溶媒４．５簿ｊに溶解し、室温で１
６時間攪拌する。反応後溶媒を減圧留去し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトタラフィー（溶出液クロロホルム
：酢酸エチル＝３０　：　Ｉ　）で精製する。８．５■
の出発原料である３、３−エチレシジオ士シー６−しド
ロ士シー１，２．３．４−テトラしドロー５，１２−ナ
フタｔシ千ノシと３５Ｍｇの３，３一エチレシジオ士シ
ー６−しドロ士シー１１−アｔチルオ＋シー１，２，３
．４−テトラしドＤ−５．１２−ナフタｔシ＋ノシを得
る。

ｍ７２２６〜２２８℃（再結晶溶媒メタノール）ＣＨ（
４ ＩＲν　　　３（イ１）？　　＋７６０．１６６５．１
６３ＯＮＭＲδ＜ＣＤＣ１，）；　　１３．５７（１＃
、ｊ）、８．０５〜８．３５（２Ｉ１．Ｍ）、 ７．５５−７．８０（２／／、ｆｆ１）、４．０２Ｃ４
Ｈ，ｂＳ）、 ３．００Ｃ２Ｎ、１）、 ２．８１（２／／、ｌ、／＝７．５／／ｊ）、２．４８
（３Ｈ，Ｅ）、 ｉ、９３（２Ｈ，’、Ｊ＝７．５Ｎ’）突側倒　８ ４−メト十シー５−しドロ千シー９．９−エチレシジオ
千シー？、８．９．ＩＯ−テトラしド０ナフタｔシー６
．１１−ジオン２８ダと四酢酸鉛８５ｑを酢酸：ジグ０
０メ５＋）＝２　：　１の混合１Ｂ　’ＩＸ　１２　ｍ
ｅ　ｔｃ溶解し、室温で１６時間攪拌する。反応後溶媒
を減圧留去し、残渣に水を加えて、ジクｏＯメタルで抽
出する。有機層を飽和水塩水で洗浄後、硫酸ナトリウム
で乾燥し、溶媒を留去する。得られた残渣をシリカゲル
カラムク０マドグラフイー（溶出液ベシゼン：ジエチル
エーテＩｂ＝１０：１）で精製し、ツク００メタシーメ
タノールより再結晶して、　！９．７ダの４−メト十シ
ー５−しドロ千シー９．９−エチレシジオ千シー１２−
アｔチルオ千シー７．８．９．ｌＯ−テトラしドＯナフ
タ℃シー６゜１１−ジオンを得る。

ｆＦＬ／　　２４４．５〜２４６°Ｃ （Ｒｖ　ＣＨ”！　（ｃｓｒ’）　Ｓ　１５９０．１６
３０．１６６０、７６Ｏ ＮＭＲδ＜Ｃ’ＤＣＩ３）　ｉ　１．９３（２Ｈ，ｌ、
／＝６．５＃Ｊ）、２．４６（３／／、ｊ）、 ２．８４＜２Ｈ，ｂり、 ３．０４Ｃ２Ｈ，ｔ　、／＝６．５／／ｊ）、４．０３
＜４１１．１＞、 ４．０４（３７ｆ、！’）、 ７．２０−７．９０（３＃、ｆｆ’）、１３．８４（＋
／／、ｊ） 元素分析、値（Ｃ２３Ｈ２ｏＯ８として）Ｃ／／ 計算値（ト）　６５．０９　　４．７５実測値（９）　
６５．０７　　４．５９（以　上） ７３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　一般式 〔式中Ｒは水素原子又は低級アルコ千シ基を示す。〕 で表わされるホモフタル酸無水物と一般式〔式中Ｒ１及
   びＲ２は、一方が水素原子を示し、他の一方が低級アル
   千しジジオ士シ基を示す・Ｒ３はハＤゲシ原子を示す。 〕 で表わされる千ノシ銹導体とをリチウムシアル十ルアミ
   ドの存在下に反応させて一般式〔式中Ｒ，Ｒ’及びＲ２
   け前記に同じ。〕で表わされるナフタｔシ士ノシ誘導体
   を得ることを特徴とするナフタセシ十ノシ銹導体の製造
   法。