JPS5973496A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS5973496A JPS5973496A JP57183946A JP18394682A JPS5973496A JP S5973496 A JPS5973496 A JP S5973496A JP 57183946 A JP57183946 A JP 57183946A JP 18394682 A JP18394682 A JP 18394682A JP S5973496 A JPS5973496 A JP S5973496A
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- Japan
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- gas
- substrate
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- raw material
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、成長層が均一な半導体結晶層を得ることがで
きる気相成長装置に関するものである０従来例の構成と
その問題点 近年半導体装置の構造は複雑化の傾向があり、特に化合
物半導体の複雑化はめざましいものがある。そのだめ化
合部半導体成長技術として数百Å以下という非常に薄い
成長層厚の制御、混晶を含む多層の形成、量産へ向けで
の高均一で大面積成長といったことが望まれている。こ
のような要求を満たす新しい気相成長法として、有機金
属気相成長（以下ＭＯＣＶＤという）が注目されている
。
きる気相成長装置に関するものである０従来例の構成と
その問題点 近年半導体装置の構造は複雑化の傾向があり、特に化合
物半導体の複雑化はめざましいものがある。そのだめ化
合部半導体成長技術として数百Å以下という非常に薄い
成長層厚の制御、混晶を含む多層の形成、量産へ向けで
の高均一で大面積成長といったことが望まれている。こ
のような要求を満たす新しい気相成長法として、有機金
属気相成長（以下ＭＯＣＶＤという）が注目されている
。
このＭＯＣＶＤ法とは、■族元素のアルキル化物（Ａｔ
、Ｇａ、Ｉｎのメチル化物やエチル化物等）と■族元素
の水素化物（ＰＨ５、人ＢＨｓ、５ｂＨｓ等）を反応炉
に供給し、加熱された基板表面上で熱分解、反応させ、
基板表面に■−■族化合物半導体をエピタキシャル成長
させる気相成長法である。
、Ｇａ、Ｉｎのメチル化物やエチル化物等）と■族元素
の水素化物（ＰＨ５、人ＢＨｓ、５ｂＨｓ等）を反応炉
に供給し、加熱された基板表面上で熱分解、反応させ、
基板表面に■−■族化合物半導体をエピタキシャル成長
させる気相成長法である。
一般的なＭＯＣＶＤ装置の反応炉部を第１図で示す。ｍ
族元素の原料であるアルキル化物は、比較的高い蒸気圧
をもつ液体であるので、水素を通すことによってアルキ
ル化物を水素に含ませて、導入ｖ１から反応炉２に供給
する。一方、Ｖ族元素の原料である水素化物は導入管３
より反応炉２に供給されて、これらの気相成長用ガス（
以下、原料ガスという）が混合される。基板４は黒鉛製
の保持台６に置かれ、高周波コイルらで加熱される。反
応炉２に供給された原料ガスは基板４の表面で熱分解反
応が非可逆的に進行し、Ｉ−Ｖ族化合物半導体結晶（Ｉ
ｎＰ、 ＧａＡｓ、又はこれらの三元、四元混晶等）が
成長する。この熱分解反応は、アルキル基を−Ｒ１Ｒ１
三木元素Ｂ、％Ｉ族元素をＶＢと書くと、形式的には １１［Ｂ−Ｒ＋ ＶｓＨ３−１１６ＶＢ ＋ ３Ｈ−Ｒ
と表わすことができる。なお、７は排気管である。
族元素の原料であるアルキル化物は、比較的高い蒸気圧
をもつ液体であるので、水素を通すことによってアルキ
ル化物を水素に含ませて、導入ｖ１から反応炉２に供給
する。一方、Ｖ族元素の原料である水素化物は導入管３
より反応炉２に供給されて、これらの気相成長用ガス（
以下、原料ガスという）が混合される。基板４は黒鉛製
の保持台６に置かれ、高周波コイルらで加熱される。反
応炉２に供給された原料ガスは基板４の表面で熱分解反
応が非可逆的に進行し、Ｉ−Ｖ族化合物半導体結晶（Ｉ
ｎＰ、 ＧａＡｓ、又はこれらの三元、四元混晶等）が
成長する。この熱分解反応は、アルキル基を−Ｒ１Ｒ１
三木元素Ｂ、％Ｉ族元素をＶＢと書くと、形式的には １１［Ｂ−Ｒ＋ ＶｓＨ３−１１６ＶＢ ＋ ３Ｈ−Ｒ
と表わすことができる。なお、７は排気管である。
さて第１図の装置を用いた結晶成長において、成長速度
は一般にｍ族元素の原料ガスの供給量に比例し、■族元
素の原料ガスの供給量や、基板温度には依存しない。そ
のため、ｍ族元素の原料ガスの供給量の制御によって成
長層厚を容易に、しかも精密に制御することが可能であ
る。また第１図のような反応炉の構成によれば、従来の
液相エピタキシャル成長法に比べ、大面積成長が可能で
あるので、量産することができる。
は一般にｍ族元素の原料ガスの供給量に比例し、■族元
素の原料ガスの供給量や、基板温度には依存しない。そ
のため、ｍ族元素の原料ガスの供給量の制御によって成
長層厚を容易に、しかも精密に制御することが可能であ
る。また第１図のような反応炉の構成によれば、従来の
液相エピタキシャル成長法に比べ、大面積成長が可能で
あるので、量産することができる。
ところがＩｎを含む化合物半導体結晶系（ＩｎＰ。
ＩｎＡｓ等）では、Ｉｎが結晶に取り込まれにくく、そ
のため、従来の第１図のような反応炉をもつ成長装置で
は、成長速度が非常に小さい。これはＩｎのアルキル化
物（主にトリエチルインジウム）が基板に到達するまで
に、室温でもＶ族元素の水素化物と反応し゛Ｃ錯体を形
成し、反応炉２の内壁等に付着しでしまうだめとい、ｂ
れている。
のため、従来の第１図のような反応炉をもつ成長装置で
は、成長速度が非常に小さい。これはＩｎのアルキル化
物（主にトリエチルインジウム）が基板に到達するまで
に、室温でもＶ族元素の水素化物と反応し゛Ｃ錯体を形
成し、反応炉２の内壁等に付着しでしまうだめとい、ｂ
れている。
以上のような点を改善するため、ｍ族元素の原料ガスを
■族元素の原料ガスの反応炉への供給位置より基板近く
で反応炉に供給するような構造をもつたとえば特願昭５
７−１６０１８号にて提案されたＭＯＣＶＤ装置が考え
られた。このようなＭＯＣＶＤ装置の反応炉部の一例を
第２図に示す。
■族元素の原料ガスの反応炉への供給位置より基板近く
で反応炉に供給するような構造をもつたとえば特願昭５
７−１６０１８号にて提案されたＭＯＣＶＤ装置が考え
られた。このようなＭＯＣＶＤ装置の反応炉部の一例を
第２図に示す。
この反応炉の改善点は、ｍ族元素の原料ガスを供給する
導入管１に石英管８を取付けＣ１そのガス噴出口を導入
管３のガス噴出口よりも基板４に近づけて、基板４の数
副手前に位置させている構造をし゛でいる点である。こ
の構造によって、基板４の直前で石英管８からｍ族元素
の原料ガスが反応炉２に：供給さル、すでに導入管３で
供給されて反応炉２の中を満たし′ＣいるＶ族元素の原
料ガスと混合する。したがって石英管８の存在により、
基板４の直前までＩ■族元素の原料ガスは■族元素から
独立しているので、途中で反応してしまうことはなく、
そのためＩｎを含む半導体結晶系の成長に、特に有効で
ある。
導入管１に石英管８を取付けＣ１そのガス噴出口を導入
管３のガス噴出口よりも基板４に近づけて、基板４の数
副手前に位置させている構造をし゛でいる点である。こ
の構造によって、基板４の直前で石英管８からｍ族元素
の原料ガスが反応炉２に：供給さル、すでに導入管３で
供給されて反応炉２の中を満たし′ＣいるＶ族元素の原
料ガスと混合する。したがって石英管８の存在により、
基板４の直前までＩ■族元素の原料ガスは■族元素から
独立しているので、途中で反応してしまうことはなく、
そのためＩｎを含む半導体結晶系の成長に、特に有効で
ある。
しかし、第２図の反応炉をもつ成長装置では、ｍ族元素
と■族元素の原料ガスが基板直前で混合するため、一方
の原料ガスの濃度が基板全面で均一になら力いうちに基
板に吹きつけられて、熱分解反応が始まってしまう。こ
のため成長速度が基板表面上で不均一になってしまうと
いう問題が生じた。すなわち、ｍ族元素が最も多く供給
されると思われる石英管８のガス噴出口に近い部分で成
長層厚が厚くなり、遠くなるほど薄くなるため、基板４
上に大面積で均一な成長層が得られないわけである。し
たがっ゛Ｃデバイスを構成する際、必要な成長層厚が基
板の一部でしか得られないため、求める特性をもつデバ
イスの歩留りが悪いという問題がある。
と■族元素の原料ガスが基板直前で混合するため、一方
の原料ガスの濃度が基板全面で均一になら力いうちに基
板に吹きつけられて、熱分解反応が始まってしまう。こ
のため成長速度が基板表面上で不均一になってしまうと
いう問題が生じた。すなわち、ｍ族元素が最も多く供給
されると思われる石英管８のガス噴出口に近い部分で成
長層厚が厚くなり、遠くなるほど薄くなるため、基板４
上に大面積で均一な成長層が得られないわけである。し
たがっ゛Ｃデバイスを構成する際、必要な成長層厚が基
板の一部でしか得られないため、求める特性をもつデバ
イスの歩留りが悪いという問題がある。
発明の目的
本発明は、気相成長法により、半導体、特にＩｎを含ん
だ化合物半導体結晶系のエピタキシャル成長層厚の均一
性の向上を目的とする。
だ化合物半導体結晶系のエピタキシャル成長層厚の均一
性の向上を目的とする。
発明の構成
本発明は、第１の導入管のガス噴出口が第２の導入管の
ガス噴出口よりも基板近くに設置さｉ”Ｌ’Ｃいる気相
成長装置において、少なくとも第１の導入管のガス噴出
口に、ガス拡散器をそのガス噴出口またはその近傍に設
置することにより、第１の原料ガスを、第２の原料ガス
ですでに満たされている反応炉内に広範囲に四散するよ
うに基板の直前で供給し、両原料ガスを均一に混合させ
ることで、半導体エピタキシャル成長層の均一性の向上
が達成できる。
ガス噴出口よりも基板近くに設置さｉ”Ｌ’Ｃいる気相
成長装置において、少なくとも第１の導入管のガス噴出
口に、ガス拡散器をそのガス噴出口またはその近傍に設
置することにより、第１の原料ガスを、第２の原料ガス
ですでに満たされている反応炉内に広範囲に四散するよ
うに基板の直前で供給し、両原料ガスを均一に混合させ
ることで、半導体エピタキシャル成長層の均一性の向上
が達成できる。
実施例の説明
第３図に本発明の一実施例を示し、これに基づい′Ｃ本
発明の詳細な説明する。まだ第４図に本発明の要部、す
なわち石英管８のガス噴出口付近の拡大図を示す。説明
を容易にするため、第３図。
発明の詳細な説明する。まだ第４図に本発明の要部、す
なわち石英管８のガス噴出口付近の拡大図を示す。説明
を容易にするため、第３図。
第４図では従来例と共通の構成要素の番号は第１図、第
２図と同じにしである。石英管８は第２図と同様、その
ガス噴出口が基板４から数□□□以内になるように導入
管１に取付けられている。これはガス噴出口と基板との
距離が１ｏｃｒｎ以上離れると、■族元素と■族元素と
が基板到達までに反応して錯体を生成してしまうため、
結晶成長速度が急激に悪くなってしまうためである。ガ
ス拡散器９は石英管８のガス噴出口に設置されている。
２図と同じにしである。石英管８は第２図と同様、その
ガス噴出口が基板４から数□□□以内になるように導入
管１に取付けられている。これはガス噴出口と基板との
距離が１ｏｃｒｎ以上離れると、■族元素と■族元素と
が基板到達までに反応して錯体を生成してしまうため、
結晶成長速度が急激に悪くなってしまうためである。ガ
ス拡散器９は石英管８のガス噴出口に設置されている。
■族元素の原料ガスは、水素ボンベ２１からマスフロー
２２を通った水素を■族元素のアルキル化物の入った容
器２３へ導入して、その蒸気を含ませて導入管１、更に
石英管８から反応炉２へ供給する。
２２を通った水素を■族元素のアルキル化物の入った容
器２３へ導入して、その蒸気を含ませて導入管１、更に
石英管８から反応炉２へ供給する。
一方、Ｖ族元素の原料ガスは、その原料ガスのボンベ２
４からマスフロー２６を通って導入管３から反応炉２へ
供給される。高周波コイル６には高周波電源２６が接続
されており、黒鉛製の保持台６とともに基板４を加熱す
る。反応後のガスは排気管７及び廃ガス処理装置２７を
通って排気される０ さらにガス拡散器ｅについて、第４図を用いて詳しく説
明する。石英管８のガス噴出口にあるガス拡散器９は、
中心に孔のあいた円錐形をしており、その底面、すなわ
ち断面の広い方を基板４の方向に、断面の狭い側をガス
の流れてくる方向に向けて設置されている。なお、支柱
１ｏはガスの流れを乱さない程度で、かつガス拡散器９
をしっかり支えるのに必要な本数で石英管８とつながっ
ている。
４からマスフロー２６を通って導入管３から反応炉２へ
供給される。高周波コイル６には高周波電源２６が接続
されており、黒鉛製の保持台６とともに基板４を加熱す
る。反応後のガスは排気管７及び廃ガス処理装置２７を
通って排気される０ さらにガス拡散器ｅについて、第４図を用いて詳しく説
明する。石英管８のガス噴出口にあるガス拡散器９は、
中心に孔のあいた円錐形をしており、その底面、すなわ
ち断面の広い方を基板４の方向に、断面の狭い側をガス
の流れてくる方向に向けて設置されている。なお、支柱
１ｏはガスの流れを乱さない程度で、かつガス拡散器９
をしっかり支えるのに必要な本数で石英管８とつながっ
ている。
第４図のような装置構成において、■族元素の原料ガス
は石英管８のガス噴出口のところでガス拡散器９に当り
、一部のガスはその中心孔を通って行くと共に、他のガ
スは、ガス拡散器９に沿っていき、反応炉２の中へ広が
るように拡散されて供給される。したがって、すでに導
入管３で供給され、反応炉２を満たしている■族元素の
原料ガスと基板４の直前で広い範囲にわたって濃度的に
均一に混合することとなる０ なおガス拡散器９は第４図に示すもの以外にも様々な形
状が考えられる。そこで第６図、第６図にガス拡散器が
他の形状をしている場合の本発明の実施例を示す。これ
らの図では石英管８のガス噴出口部のみを示し、他の部
分は第３図と同様なので省略する。第６図のガス拡散器
９は、石英管８の内径より小さい径の底面をもつ円錐形
で、その底面は基板方向に向き、支柱１０で石英管８に
固定されている。また第６図のガス拡散器９は、敬ケ所
に穴のあいた石英製の平板で、大きさは石英管８のガス
噴出口の径より数咽大きいか、それ以下であり、そのガ
ス噴出口の直前を横切って、支柱１０で石英管８に固定
されている。したがって第３図の実施例と同様、■族の
原料ガスはこれらのガス拡散器に当り、図の矢印のよう
に広く拡散されて反応炉へ供給され、■族の原料ガスと
広範囲に均一に混合することとなる０ 以上のように本実施例によれば、大面積で成長層厚が均
一なエピタキシャル成長が得られる。
は石英管８のガス噴出口のところでガス拡散器９に当り
、一部のガスはその中心孔を通って行くと共に、他のガ
スは、ガス拡散器９に沿っていき、反応炉２の中へ広が
るように拡散されて供給される。したがって、すでに導
入管３で供給され、反応炉２を満たしている■族元素の
原料ガスと基板４の直前で広い範囲にわたって濃度的に
均一に混合することとなる０ なおガス拡散器９は第４図に示すもの以外にも様々な形
状が考えられる。そこで第６図、第６図にガス拡散器が
他の形状をしている場合の本発明の実施例を示す。これ
らの図では石英管８のガス噴出口部のみを示し、他の部
分は第３図と同様なので省略する。第６図のガス拡散器
９は、石英管８の内径より小さい径の底面をもつ円錐形
で、その底面は基板方向に向き、支柱１０で石英管８に
固定されている。また第６図のガス拡散器９は、敬ケ所
に穴のあいた石英製の平板で、大きさは石英管８のガス
噴出口の径より数咽大きいか、それ以下であり、そのガ
ス噴出口の直前を横切って、支柱１０で石英管８に固定
されている。したがって第３図の実施例と同様、■族の
原料ガスはこれらのガス拡散器に当り、図の矢印のよう
に広く拡散されて反応炉へ供給され、■族の原料ガスと
広範囲に均一に混合することとなる０ 以上のように本実施例によれば、大面積で成長層厚が均
一なエピタキシャル成長が得られる。
なお上記の説明において、ｌ−Ｖ族化合物半導体のＭＯ
ＣＶＤ装置について述べたが、本発明はＭＯＣＶＤ装置
と同様に２種類以上のガスを混合させて結晶成長させる
半導体気相成長装置、例えばｕ−ｖｔ族半導体の気相成
長装置にも適用できる。
ＣＶＤ装置について述べたが、本発明はＭＯＣＶＤ装置
と同様に２種類以上のガスを混合させて結晶成長させる
半導体気相成長装置、例えばｕ−ｖｔ族半導体の気相成
長装置にも適用できる。
また、上記の説明においては横型の反応炉で説明したが
、別にこれに限ることはなく、例えば縦型の反応炉でも
適当することができる。
、別にこれに限ることはなく、例えば縦型の反応炉でも
適当することができる。
発明の効果
以上のように本発明は、基板の近くまで延長した導入管
のガス噴出口にガス拡散器を設置することで、互いに反
応しやすい原料ガスの混合を広範囲で均一にすることが
でき・、そのだめ半導体の気相成長層が均一になる効果
がある。したがってデバイスを構成する際、その歩留り
の向上につながる０
のガス噴出口にガス拡散器を設置することで、互いに反
応しやすい原料ガスの混合を広範囲で均一にすることが
でき・、そのだめ半導体の気相成長層が均一になる効果
がある。したがってデバイスを構成する際、その歩留り
の向上につながる０
第１図は一般的なＭＯＣＶＤ装置の反応炉の概略断面構
造図、第２図は改善されたＭＯＣＶＤ装置の反応炉の概
略断面構造図、第３図は本発明の一実施例であるＭＯＣ
ＶＤ装置の概略断面図、第４図は第３図における石英管
ガス噴出口部の拡大断面図、第６図、第６図は本発明の
他の実施例を用いた石英管ガス噴出口の概略断面図であ
る。 １・・・・・・第１の導入管、２・・・・・・反応炉、
３・・・・・・第２の導入管、４・・・・・・基板、８
・・・・・・ガス導入用石英管、９・・・・・・ガス拡
散器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第４図 第５図 第６図
造図、第２図は改善されたＭＯＣＶＤ装置の反応炉の概
略断面構造図、第３図は本発明の一実施例であるＭＯＣ
ＶＤ装置の概略断面図、第４図は第３図における石英管
ガス噴出口部の拡大断面図、第６図、第６図は本発明の
他の実施例を用いた石英管ガス噴出口の概略断面図であ
る。 １・・・・・・第１の導入管、２・・・・・・反応炉、
３・・・・・・第２の導入管、４・・・・・・基板、８
・・・・・・ガス導入用石英管、９・・・・・・ガス拡
散器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第４図 第５図 第６図
Claims (3)
- （１）気相成長用反応炉内に基板を載置し、第１の導入
管のガス噴出口を、第２の導入管のガス噴出口よりも前
記基板近くに設置し、前記第１の導入管から第１の気相
成長用ガスを、また前記第２の導入管から第２の気相成
長用ガスを前記反応炉内に供給し、前記基板表面上に半
導体層を成長させるとともに、少なくとも前記第１の導
入管のガス噴出口にガス拡散器を設置したことを特徴と
する気相成長装置。 - （２） ガス拡散器が第１の気相成長用ガス流の上流
側から下流側すなわち基板側へ断面が広がっていく形状
をしていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の気相成長装置。 - （３） ガス拡散器が第１のガス導入管のガス噴出口
のすぐ前を横断する平面板の形状をしていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57183946A JPS5973496A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57183946A JPS5973496A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5973496A true JPS5973496A (ja) | 1984-04-25 |
Family
ID=16144575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57183946A Pending JPS5973496A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5973496A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6171625A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Fujitsu Ltd | 縦型ｃｖｄ装置 |
| JPS61174624A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Nec Corp | 半導体成長装置 |
| JPS62112137U (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-17 | ||
| JPS62188309A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長方法および装置 |
| JPS62291020A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置および気相成長方法 |
| EP0289963A1 (en) * | 1987-05-04 | 1988-11-09 | General Signal Corporation | Apparatus for, and methods of, obtaining the movement of a substance to a substrate |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP57183946A patent/JPS5973496A/ja active Pending
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