JPS5975652A - 半導体用リ−ドフレ−ムの製法 - Google Patents
半導体用リ−ドフレ−ムの製法Info
- Publication number
- JPS5975652A JPS5975652A JP57185576A JP18557682A JPS5975652A JP S5975652 A JPS5975652 A JP S5975652A JP 57185576 A JP57185576 A JP 57185576A JP 18557682 A JP18557682 A JP 18557682A JP S5975652 A JPS5975652 A JP S5975652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- frame
- heat treatment
- wound
- stainless steel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、集積回路（以下、ＩＣと略記する）を形成
するリードフレームの熱処理工程に改良を施した製法に
関し、リードフレームをコイル状に巻回して熱処理する
際に、リードフレームの巻回層間に剥離材を介在するこ
とにより、熱処理侵のリードフレーム巻回肋間の貼り付
きを防止するようにしたｂのである。
するリードフレームの熱処理工程に改良を施した製法に
関し、リードフレームをコイル状に巻回して熱処理する
際に、リードフレームの巻回層間に剥離材を介在するこ
とにより、熱処理侵のリードフレーム巻回肋間の貼り付
きを防止するようにしたｂのである。
従来、この秤の半導体用リードフレーム、所謂” Ｉ
Ｃフレーム″と称されるリードフレームにおいては、Ｆ
ｅ−Ｎ１−ｃｏ金合金商標名：コバール）、４２合金あ
るいはＣｕ系合金（Ｆｅまたは３ｎ少吊含有）等の単体
をフレーム素材として薄板化し、この薄板にＩｃの各種
パターンをフＡ１−レジストを使用しＩ形成するととも
に、１ツヂング装置により化学：Ｌツヂングづるか、ま
たはプレス加工を施ＪことにＪ：り製造されている。
Ｃフレーム″と称されるリードフレームにおいては、Ｆ
ｅ−Ｎ１−ｃｏ金合金商標名：コバール）、４２合金あ
るいはＣｕ系合金（Ｆｅまたは３ｎ少吊含有）等の単体
をフレーム素材として薄板化し、この薄板にＩｃの各種
パターンをフＡ１−レジストを使用しＩ形成するととも
に、１ツヂング装置により化学：Ｌツヂングづるか、ま
たはプレス加工を施ＪことにＪ：り製造されている。
しかしながら、このような従来のリードフレームはコバ
ールあるいは４２合金自体が高価で、しかも電気伝導性
が低く、耐蝕性も悪いなどの欠点を有し、またＣｕ系合
金にあっては、安価で電気伝導性が良い反面、強度的に
弱く、このためリード部の折曲げに対りる耐久性に劣る
など、種々の不具合があ・）だ。
ールあるいは４２合金自体が高価で、しかも電気伝導性
が低く、耐蝕性も悪いなどの欠点を有し、またＣｕ系合
金にあっては、安価で電気伝導性が良い反面、強度的に
弱く、このためリード部の折曲げに対りる耐久性に劣る
など、種々の不具合があ・）だ。
゛ぞこＣ１上記した従来のリードフレームの諸欠点を補
うために、本出願人が＋ｉｒｔ和５７年４月３０に１１
；Ｊり出願の特願昭５−／−７４１５８号に記載の発明
のＪこうに、ステンレススチール基板（以下、ｓ ｖ
ｓ ｇ＋板と略記する）をエツチング装置により化学］
エツチングするか、またはプレス加工を施すことにＪ、
す、所望のフレーム形状に成形加工し、かつ該フレーム
の全表面にＣｕメッキを施しＩ、ｌ：後、塑性加工また
は熱処理、あるいは塑性加工と熱処理などを施してなる
製法が提案されているが、周知のように、リードフレー
ムは複雑な形状をなし、特にＡフセツ１−を深く入れた
形状のものにあっては、前処即時の変形に問題があるば
かり′Ｃなく、加熱炉への材料の出し入れの際、形状の
複雑化によるシール竹が悪く、しかも加熱炉の設備を大
きくする必要があったり、温度調整も難しいなどの不具
合があった。
うために、本出願人が＋ｉｒｔ和５７年４月３０に１１
；Ｊり出願の特願昭５−／−７４１５８号に記載の発明
のＪこうに、ステンレススチール基板（以下、ｓ ｖ
ｓ ｇ＋板と略記する）をエツチング装置により化学］
エツチングするか、またはプレス加工を施すことにＪ、
す、所望のフレーム形状に成形加工し、かつ該フレーム
の全表面にＣｕメッキを施しＩ、ｌ：後、塑性加工また
は熱処理、あるいは塑性加工と熱処理などを施してなる
製法が提案されているが、周知のように、リードフレー
ムは複雑な形状をなし、特にＡフセツ１−を深く入れた
形状のものにあっては、前処即時の変形に問題があるば
かり′Ｃなく、加熱炉への材料の出し入れの際、形状の
複雑化によるシール竹が悪く、しかも加熱炉の設備を大
きくする必要があったり、温度調整も難しいなどの不具
合があった。
この発明は、上記先願発明に（１３ける熱処理工程段階
の不具合を解消することを目的としたものである。
の不具合を解消することを目的としたものである。
すなわら、この発明は、第１図に承りように、所望のフ
レーム形状に打扱き加工されかつその全表面にＣＩＪメ
ッキが施されたＳ Ｕ Ｓ Ｗ板１を巻取り芯材２にコ
イル状に巻回するにおいて、該ＳＵＳ基板１の巻回層間
に中性紙等からなる剥離材３を介在し、これをそのまま
加熱炉（図示せず）に挿入することにより熱処理してな
るもので、熱処理後、加熱炉から取出されたＳＵＳ基板
１を巻き戻して炭化した剥１１ｔ ＋Ａの残渣を取除い
てなるものである。
レーム形状に打扱き加工されかつその全表面にＣＩＪメ
ッキが施されたＳ Ｕ Ｓ Ｗ板１を巻取り芯材２にコ
イル状に巻回するにおいて、該ＳＵＳ基板１の巻回層間
に中性紙等からなる剥離材３を介在し、これをそのまま
加熱炉（図示せず）に挿入することにより熱処理してな
るもので、熱処理後、加熱炉から取出されたＳＵＳ基板
１を巻き戻して炭化した剥１１ｔ ＋Ａの残渣を取除い
てなるものである。
ところで、上記実施例において使用されるステンレスス
チールは、どんな種類のものを用いても良く、またフレ
ームの全表面に被覆形成されるＣｕメッギ層の厚さは片
面当り２１１ｍ以［、好ましくは５μｍ以上で全体の板
厚の２５％までとＪ゛るもので、厚さが２μｍ以下では
電気伝導性が劣り、全体の板厚の２５％以上では強度的
に弱くなるから（・ある３、さらにル−ムを塑性１〕１
ド１−リ゛る理由は、表面のＣ１１メツキ層の結晶が塑
性側１−されて密度を晶″もめることがぐき、１０製造
■稈、４”ｉにリード線に、Ｊ：るボンディング工程に
お番ノる熱による変化（拡散）を減少さＵるしので、そ
の塑性側」−吊は２〜２０％、好ましくは５〜１０％の
範囲なら良く、２％以−トでは密度を高めさける効果が
ない。さらにまＩ、：、熱処理を施す理由は０１１３７
１層の加熱によっ゛Ｃ結晶の結合が強化され、ＩＣの製
造工程にお【Ｊる熱にＪ：る変化（拡散）を減少させる
ことができるためで、使用ガスとしてはメッキ直後のメ
ッキ層はピンホール等の微小孔がおいているため、Ｓ
ＩＪ Ｓ ）Ｆ、板の表面の酸化を防ぐため不活性ガス
またはＮ２などの非酸化性ガスを用い、処理濡磨は３５
０〜９；１０℃、時間は１０秒〜３０分まＣである。
チールは、どんな種類のものを用いても良く、またフレ
ームの全表面に被覆形成されるＣｕメッギ層の厚さは片
面当り２１１ｍ以［、好ましくは５μｍ以上で全体の板
厚の２５％までとＪ゛るもので、厚さが２μｍ以下では
電気伝導性が劣り、全体の板厚の２５％以上では強度的
に弱くなるから（・ある３、さらにル−ムを塑性１〕１
ド１−リ゛る理由は、表面のＣ１１メツキ層の結晶が塑
性側１−されて密度を晶″もめることがぐき、１０製造
■稈、４”ｉにリード線に、Ｊ：るボンディング工程に
お番ノる熱による変化（拡散）を減少さＵるしので、そ
の塑性側」−吊は２〜２０％、好ましくは５〜１０％の
範囲なら良く、２％以−トでは密度を高めさける効果が
ない。さらにまＩ、：、熱処理を施す理由は０１１３７
１層の加熱によっ゛Ｃ結晶の結合が強化され、ＩＣの製
造工程にお【Ｊる熱にＪ：る変化（拡散）を減少させる
ことができるためで、使用ガスとしてはメッキ直後のメ
ッキ層はピンホール等の微小孔がおいているため、Ｓ
ＩＪ Ｓ ）Ｆ、板の表面の酸化を防ぐため不活性ガス
またはＮ２などの非酸化性ガスを用い、処理濡磨は３５
０〜９；１０℃、時間は１０秒〜３０分まＣである。
また、−ル−ムを塑性加工した後゛、熱処理づ−る手段
で（，１、上記した塑性加工効果と熱処理効果とによる
相乗効果を図ってなるもので、この場合の前処理条ｆｌ
は、塑性加工でＣｕ層の密度が１αくなっているため、
３００〜９５０℃で１０秒〜３０分までであり、また熱
処理した後に塑性側」−する手段でも同様な相乗効果を
得る、もので、その熱処理条件は熱処理にお（〕る条（
’＋ど同じである。
で（，１、上記した塑性加工効果と熱処理効果とによる
相乗効果を図ってなるもので、この場合の前処理条ｆｌ
は、塑性加工でＣｕ層の密度が１αくなっているため、
３００〜９５０℃で１０秒〜３０分までであり、また熱
処理した後に塑性側」−する手段でも同様な相乗効果を
得る、もので、その熱処理条件は熱処理にお（〕る条（
’＋ど同じである。
以上説明したように、この発明に係るリードフレームの
製法によれば１、ＳＵＳ基板からなるフレームの全表面
にＣｕメッキを施してコイル状に巻回し、かつイの巻回
層間に剥ｗｉ材を介在して熱処理することから、剥離材
の介在によってＳＵＳ基板の巻回居間の貼りイ］きを防
止でき、また得られた製品は従来の４２合金と比較して
安価で、電気伝導性、伸び、折曲げ性及び耐蝕性にづ”
ぐれ、Ｃ１ｌ系のものと比較しても、引張り強さ、伸び
、硬度及び折曲げ性にりぐれ、ステンレスとＱｕとの特
性を含んだ強度的にかつ電気的に良好な作用を及ぼすも
のぐあり、さらに２１板の表面に（、Ｕメッキ層を被覆
形成するに際して、０１１３７１層の塑性加工により微
視的な凹凸面が平滑化され、メッキ層の結晶構造も改善
されるため、ＩＣ製造工程におりる熱による変化（拡散
）を減少さけることができる。さらにまた、フレーム成
形加工後ＣＵメッキを施してなることから、加工により
基板の断面が露出状態にあっても、メッキ処理で該断面
を覆うために、この１′Ｊ１分への半田付特性が良いな
ど加工性にも１ぐた効果を奏するものである
製法によれば１、ＳＵＳ基板からなるフレームの全表面
にＣｕメッキを施してコイル状に巻回し、かつイの巻回
層間に剥ｗｉ材を介在して熱処理することから、剥離材
の介在によってＳＵＳ基板の巻回居間の貼りイ］きを防
止でき、また得られた製品は従来の４２合金と比較して
安価で、電気伝導性、伸び、折曲げ性及び耐蝕性にづ”
ぐれ、Ｃ１ｌ系のものと比較しても、引張り強さ、伸び
、硬度及び折曲げ性にりぐれ、ステンレスとＱｕとの特
性を含んだ強度的にかつ電気的に良好な作用を及ぼすも
のぐあり、さらに２１板の表面に（、Ｕメッキ層を被覆
形成するに際して、０１１３７１層の塑性加工により微
視的な凹凸面が平滑化され、メッキ層の結晶構造も改善
されるため、ＩＣ製造工程におりる熱による変化（拡散
）を減少さけることができる。さらにまた、フレーム成
形加工後ＣＵメッキを施してなることから、加工により
基板の断面が露出状態にあっても、メッキ処理で該断面
を覆うために、この１′Ｊ１分への半田付特性が良いな
ど加工性にも１ぐた効果を奏するものである
第１図はこの発明に係るＩＣ用リードフレームの製法に
おりる熱処理段階峙の一実施例を示１説明図である。 １・・・リードフレーム、 ２・・・ステンレススヂール基板、 ３・・・（ｌメッキ層。 特許出願人 日本楽器製造株式会社 第１図
おりる熱処理段階峙の一実施例を示１説明図である。 １・・・リードフレーム、 ２・・・ステンレススヂール基板、 ３・・・（ｌメッキ層。 特許出願人 日本楽器製造株式会社 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〈１）所望のフレーム形状に打抜き加１が施されたスデ
ンレススヂール基板をコイル状に巻回して前処Ｊ里をｆ
ｊなうにあノζす、 該コイル状に巻回された基板の巻回層間に剥離材を介在
さｌることを特徴とする半導体用リードフレームの製法
。 （２、特許請求の範囲第１項に記載の半導体用リードフ
レームの製法において、 該１１抜さ加１後のスデンレススヂール基板の全表１７
１１に（’、 Ｂ＋メツ−１″を施すことを特徴とする
製法。 （：３）狛ｆｆＴ ：ｊ’ｊ求の範囲第１項に記載の半
）９体用リードフレ・−ムの製法において、 ７１へ７．１１阿口ＡＧＪ、中１１紙からなることを特
徴どりる製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185576A JPS5975652A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185576A JPS5975652A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975652A true JPS5975652A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16173222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57185576A Pending JPS5975652A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975652A (ja) |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57185576A patent/JPS5975652A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5185066B2 (ja) | 屈曲性に優れた銅箔、その製造方法及びフレキシブル銅貼積層板 | |
| US4767049A (en) | Special surfaces for wire bonding | |
| US5167794A (en) | Method for producing lead frame material | |
| US3259526A (en) | Method of heat treatment | |
| JPS5975652A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ムの製法 | |
| US3973716A (en) | Process for making a piece of hollow jewelry | |
| JPH0259109A (ja) | チタン極細線の製造方法 | |
| JPH07109552A (ja) | 極薄軟質銅箔の製造方法 | |
| JPS5943973B2 (ja) | Ａｇメッキ用リ−ドフレ−ム素材の製法 | |
| JP2529774B2 (ja) | 半導体装置リ―ドフレ―ム材料及びその製造方法 | |
| JPS58191456A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 | |
| JP3232529B2 (ja) | リードフレーム用Ｆｅ−Ｎｉ系合金及びその製造方法 | |
| JPH0344454A (ja) | 電子部品および機器用リード線の製造方法 | |
| JP2879725B2 (ja) | ＴａとＣｕのクラッド板の製造方法 | |
| JPH0438860A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
| JPS5943972B2 (ja) | Ａｇメッキ用リ−ドフレ−ム素材の製法 | |
| JPS58169947A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 | |
| JPS60177991A (ja) | インレイクラツド材およびその製造方法 | |
| DE1936425C (de) | Kaltgewalztes, kohlenstoffarmes Trans formatorband mit (100) (001) Textur aus einer Eisen Silizium Legierung | |
| JPH03294467A (ja) | 低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 | |
| JPH02197595A (ja) | 銀めっき線材の製造方法 | |
| JPH0344453A (ja) | 電子部品および機器用リード線の製造方法 | |
| JPH10230303A (ja) | 硬質銅箔の製造方法 | |
| JPH1022445A (ja) | 打ち抜き性および耐食性に優れたリードフレーム材並びにその製造方法 | |
| JP2812879B2 (ja) | 電気電子部品用板条材及びその製造方法 |