JPS5976429A - 真空室内物品処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプラズマまたは真空場における物品の温度を制
御する技術に関し、より詳細には活性イオン・エツチン
グ・システムマタハイオン書インーファを冷却するため
の方法および装置に関する。

米国特許番号第４２６’１７６２号明細書に記載されて
いる如く、真空室で物品を加熱する場合には、処理中の
物品の温度を制御することが重要である。

例えば、半導体ウエーファのイオン・インプランテーシ
ョンにおいては高エネルギのビームがウエーファを加熱
し例えば光硬化性樹脂コーティングにり゛メージを与え
る如き望ましくない副生効果を多数生せしめる。同様の
望ましくない加熱が活性イオンエツチングにお℃・て起
る。イオンインプラ／チージョン・システムにおいては
真空場におけるガス分子の欠如が熱流に対する熱伝導通
路を実質的に排除しこの結果として高ビーム／ぐワー・
システムにおいては輻射冷却は望ましくないウエーファ
加熱を防止するのに十分ではない６代表的には約５乃至
２００ミリトールの真空圧下で処理するために非常に低
し・ガス濃度のエツチングガス混合体が用いられる活性
イオンエツチングシステムにおいても状況は本質的に同
様である。

ウエーファおよびコンフォーマット間の接触面積を極力
大きくしこれによってコンフォルマットおよびウエーフ
ァを支持する脱熱剤に対する熱移動を促進ずろためにウ
エーファに押付げら、ｈた熱移動コンフォーマットすな
わち軟い柔軟性材料を用℃・てウエーファからの熱移動
を増加させる努力がなされてきた。しかしながらこれら
の努力によっては満足するべき結果が得られず米国特許
第４２６１７６２号明細書に開示されているようにつ工
−ファ温度を制御する助けをする熱移動をもたらすため
にウエーファの外周および支持部材間に設けられるシー
ルを有する支持部拐に対してつ工−ファを押伺ける考え
を与えた。しかしながらガスによって達成される熱消散
は、特に処理プロセスが活性イオンエツチングの場合は
十分ではなかつプこ。

したがって、本発明の主要な目的は前述の従来技術の欠
点を克服し、真空場におり゛る物品の温度を制御するた
めの改善された方法および装置を提供することである。

他の目的は流体熱媒体を用いて、真空場における処理さ
れる物品と物品の支持部材間のすぐれた熱移動を提供す
ることである。

本発明の他の特定の目的はイオンエツチング、プラズマ
エツチングおよびイオンインプランテーションを包含す
る種々の処理プロセスに用いることができる様に米国特
許第４２６１６７２号明細書に開示される方法および装
置を改善することである。

また更に他の特定の目的は、イオンビーム場に物品を出
し入れすることを容易にするようになされたイオンビー
ム場におかれる物品の温度を制御するための方法および
装置を提供することである。

以下に詳細する不発明の装置は、処理される物品を着脱
可能に支持部材に押付ける装置と、物品からの支持部材
に対する優れた熱移動を達成するために物品および支持
部材の間に第１の冷却流体を循環する装置と、支持部材
から熱を取除くために支持部材の部分を通して第２の冷
却流体を循環する装置と、を包含している。本発明の好
ましい実施例において、支持部材は支持部材の角方向位
置を変えるために調整されることができる電極アセンブ
リの１部をなしている。

第１図に示される装置は真空室中で反応性イオン・エツ
チングを行うために設計された装置であって、この装置
は円筒状の側壁２と、頂壁（図示せず）と、側壁２と一
体に形成される環状の底部壁４と、底部壁閉止体と、か
ら成る真空ポンピング・・・ウジング１を包含し［１，
−る。底部壁閉止体は環状のフランジ部６と、円筒状の
首状部８と、環状の底部壁部１０と、を包含している。

環状の底部壁部１０は以下に説明する下側すなわち底部
電極アセンブリ１４を収容する円形の孔１２を有してい
る。真空ポンピング・）・ウジング１は２つのまたはそ
れ以上の支持部材１６によってベース１２の上方で固定
されている。

ハウジング１にはまた管状の伸長部１９（第２図）を有
する孔１７（第１図）が設けられており、この伸長部１
９は室内の圧力を所定のレベル、例えば５乃至２０ロミ
リトールまで低下する能力を有するように適宜に設計さ
れた真空ポンプに連結されるようになされている。通常
の場合この真空ポンプはクライオポンプ（ｃｒｙｏｐｕ
ｍｐ）である。

ハウジング１に取付けられこの中で伸長して（・るのは
上側すなわち頂部電極１８である。電極１８の構成は重
要なことではなくしたがって本発明のいかなる部分も構
成しなし・。電極１８は当業者に周知の種々の形態を取
ることができる。しかしながら電極１８は真空室）・ウ
ジングの中で行われるプロセスに伝導性を有するような
形状にされかつ位置調節されなければならない。（本発
明に関連する電極についての情報は米国特許第４２９７
１６２．４２８３２４９　、ろ９７１６８４゜４２８５
７６ろ、４２８ろ２４９およびろ９４０５０６各号明細
書を参照されたい。）反応イオン・エツチングの場合に
おいては、頂部電極１８は下側電極アセンブリ１４の上
側端面に向い合う平坦な端面を有するのが好ましい。

環状のフランジ部６は底部壁４のねじ穴にねじ込まれた
複数個のボルト２０によって底部壁４に固定されている
。通常の金属／エラストマ気密シール・アセンブリ２２
が底部壁４とフランジ６との間に挾み伺けられている１
゜ 次に第１図および第４図を参照すると、下側の電極アセ
ンブリ１４は中空の導電性の金属管２４を包含しており
、この金属管の上側端部は下側の電極ヘッドアセンブリ
６８に固定され下側端部は円筒形状の断面を有し矩形の
フランジ２８で終る管端部継手２６に固定されている。

下側の電極アセンブリはまた金属管２４に取付けられ継
手２６から少し距離を置いて設けられるカラー６０を包
含している。カラーろ０は球状曲面の下側面３２を有し
ている。２つの部分から成り熱および電気的に絶縁性で
ある円筒状のスリーブろ５が電極管２４を包囲しかつこ
れに取付けられている。カラー３０はプレート６４の球
状曲面の凹部に嵌合しており、プレート６４はまた底部
壁部１０の凹部に嵌合している。カバープレート６６は
プレート６４を覆っている。プレート６４および６６は
互に固定されかつねじろ７によって底部壁部１０に固定
されている。カバープレート３６は中央孔を有しており
この中央孔はカラー６０の傾き運動を収容するために絶
縁スリーブろ５より相対的に大きな寸法を有している。

カバープレート３６はカラー６０と接触して覆っており
上側の電極に対する下側の電極アセンブリの運動を制限
している。

更に第１図および第４図を参照すると、下側の電極アセ
ンブリはレベリングプレート４０によってプレート６４
に対して保持されている。レベリングプレートは管端部
継手２６の円筒状部分を収容する円形の孔および同じく
管端部継手２６の矩形フランジ２８を滑台状態で収容す
るように寸法法めされた矩形の孔を有している。管端部
継手２６はその中央面の部分（Ｃナツト４２を受は入れ
るねじ部を有しており、このナツト４２はレベリングプ
レート４０をワッシャ４４を介してフランジ２８に対し
て緊密に押し付けて保持するように作用している。プレ
ート４０は等間隔に隔置された６つのねじ穴を有してお
り、このねじ穴は底部壁部１０の底部端面を押えつげて
いる６つのレベリングねじ４６を収容している。ねじ４
６を操作することによって管２４の軸線を真空室の側壁
２と平行にしたり傾けたりすることができる。

管端部継手２６の下側端部に取付けられているのは電気
伝導性の中空のフィードスル一体５０およびフィードス
ル一端部キャップ５２を包含するフィードスルー・アセ
ンブリである。フィードスル一体５０は止めねじ５４に
よって管端部継手２６に固定されている。フィードスル
一体５０の下側端部壁および端部キャップ５２の各々は
小径の２つのガス導管５６．５８およびこれらより大径
の油導管６０を収容する６つの孔を有している。

端部キャップ５２の絶縁スリーブ６２は導管５６゜５８
および６０を包囲しかつこれらの導管の回りに電気的絶
縁性および気密シールをもたらしている。フィードスル
一体５０は第２の油導管６４を収容するねじ付側部孔を
有している。導管５６および５８は適宜な循環ポンプ（
図示せず）を介してヘリウムの如き冷却ガス源（図示せ
ず）に連結されている。導管６０および６４は適宜な循
環ポンプ（図示せず）を介して冷却油源（図示せず）に
連結されている。導管５６．５８および６０は管２４の
頂端部まで伸長し電極ヘッドアセンブリ６８に連結され
ている（第１図および第４図）。

本発明のこの特定の実施例において、フィードスル一体
５０（したがって下側電極１４も）はＲＦ発振器５９の
高電位側に電気的に結合される。発振器５９の他方の側
は接地されている。このような場合は上側の電極１８は
接地される。しかしながら他の応用例にお℃・ては電極
１８をＲＦ発振器５９の高電位側に連結しフィードスル
一体５０はしたがって下側の電極１４を接地することが
できることは理解されなければならな℃・。

電極ヘッドアセンブリ６８は６つの導電性金属プレート
７０．７２および７４を包含している。

これらのプレートは上から７４．７２．７０の順に配列
される。（第５図乃至第１０図においてはプレー４７０
．７２．７４は第４図に示す位置から９０°転置されて
いることに注意しなければならない。）下側プレー）７
０は油冷却アセンブリの下側部分であると同時にプレー
ト７４および７４０台座の役割を果している。プレート
７２はプレート７０にはんだ付けきれていてプレート７
４の支持台の役割を果すと同時に油冷却アセンブリの上
側部分となっている。プレート７４は下側の電極アセン
ブリに対する対向面でありガス冷却通路部材および脱熱
器の役割を果す。

次に第４図乃至第６図を参照すると、プレート７０は管
２４の上側端部の中で伸長しはんだ付は又は溶接等の適
宜な手段で管２４に固定される円形のステム７８を有し
ている。プレー）７０はその中心線の両側に並行にして
設けられる細長い２対の貫通孔８０．８２を有しており
さらにその周辺部に隣接する２つの貫通孔８４を有して
いる。

貫通孔８４はプレート７０をプレート７２および７４に
固定するのに用いられるねじ８８（第４図）を収容して
℃・る。プレー）７０はその中央に４つの貫通孔９０．
９２．９４および９６を有している。導管５６および５
８は孔９ｏおよび９２をそれぞれ貫通して伸長し、一方
導管６ｏは孔９乙の中に固定される。孔９４は開口して
おり管２４の内部と連通している。

次に第４，７および８図を参照するとプレート７２は同
一寸法および同一形状を有しプレート７０の孔８０．８
２と整合する細長い２対の貫通孔８０Ａおよび８２Ａを
有して℃・る。プレート７２はまたプレート７０の孔８
４と整合する２つの貫通孔８４Ａと、プレート７０の孔
９０および９２と同一寸法で同一位置の２つの貫通孔９
０Ａ２よび９２Ａと、を有している。プレート７２ばそ
の上側に円形の座ぐり孔すなわち凹部１００を有してい
る。プレート７２はその下側に溝１０２を有しており、
この溝１０２＋ｆｌ田長い孔８０Ａおよび８２Ａを完全
に包みかつプレートの４方に伸長するようになされた曲
りくねった形状を有している。溝１０２０２つの端部１
０４および１０６は互に隔置されるが孔９ＯＡおよび９
２Ａの間で互に向い合っている。これらの端部はプレー
ト７０の孔９４および９６に合致してその上で終端して
いてかつ孔９４およ゛び９６の半径よりもわずかに大き
な曲率半径で第８図の如く丸められている。この結果溝
１０２とプレート７ｏの＠接面は孔９４および９６を連
結する回旋状のすなわち曲りくねった通路を形成してい
る。したがって導管６０を介して導入された油は溝１０
２によって形成されるプレート７０とプレート７２の間
を流れついで孔９４、管２４の内部および出口導管６４
を介して電極ヘッド６８から流出する。

次に第４，９および１０図を参照すると、プレート７４
の下側は２つのねじ付めくら孔８４Ｂを有しており、こ
のめくら孔８４Ｂはプレート７４をプレート７２に固定
するねじ８８（第４図）を収容する。プレート７４はま
た同一寸法で同一形状を有しかつプレート７０・の孔’
８Ｄ！おｉよび８２とプレート７２の孔８０Ａおよび８
２Ａと整合する２対の貫通孔８０Ｂおよび８２Ｂを有し
ている。プレート７４はまたプレート７０およびプレー
ト７２のそれぞれの孔９２および９２Ａと同一寸法でか
つ孔９２，９２Ａと整合される貫通孔９２Ｂを有してい
る。プレート７４はその上側の周辺部近くに溝１０８を
有しており、この溝１０８は弾力性のある０　’Ｊソン
グ１０（第４図）を収容している。プレート７４はその
直径方向に相対向する２つの貫通孔１１２を有しまたそ
の頂面に溝１１４を有している。溝１１４は１つの孔１
１２を１つの孔８２Ｂに連結する第１の部分１１４Ａと
、孔８２Ｂを隣接する孔８０Ｂに連結する第２の部分１
１４Ｂと、孔８０Ｂを第２の同様の孔８０Ｂに連結する
第６の部分１１４Ｃと、第２の孔８０Ｂを第２の孔８２
Ｂに連結する第４の部分１１４Ｄと、第２の孔８２Ｂを
第２の孔１１２に連結する第５の部分と、を包含してい
る。溝部分１１４Ｃは孔９４Ｂを横切り符号１１５に示
すようにこの孔の回りでわずかに拡大されている。

プレート７４ばその底辺の周辺部に他の円形の溝１１６
を有しており、この溝１１６はプレート７４とプレート
７２の間の密封性をもたらすＯＩＪング（第４図）を収
容している。プレート７４の下側辺部ぼまた回旋状のす
なわち曲りくねった形状の溝１２０を有しており、この
溝１２０は孔１１２から始まり約９０°にわたってその
周辺部近（を伸長し、　ここからプレート７４を横断し
さらに約９０′にわたってその周辺部（を伸長して第２
の孔１１２で停っている。溝１２０は孔９２Ｂを横断し
プレート７２の孔９０Ａと連通ずる通路をもたらすため
に孔９２Ｂの領域で符号１２１で示すように拡大されて
いる。

導管５６はグレート７２および７４の孔９２Ａおよび９
２Ｂを貫通して溝１１４の底部を形成する面で丁度終端
している。導管５８はグレート７２の孔９０Ａを貫通し
空所１００の底部で丁度終端している。プレート７２の
空所１００は溝１２０の拡大された部分１２１と整合さ
れる。この結果、もしウエーファがプレート７４の上側
部を覆いかつこれに対して挟みつげられると、導管５６
を介して導入された冷却ガスは溝１１４によってウエー
ファとプレート７４の上側面との間に形成された通路の
中に流入し、溝１１４の端部まで流れて孔１１２を通っ
て溝１２０の中に流入し７、溝１２０を通って拡大され
た領域１２１に達しさらに孔９２Ａの中の導管５８を介
して下側電極ヘッドの外部へ流出する。

次に第１図および第２図を参照すると、真空室の環状の
フランジ部分は２？の径方向に対向する孔１２０を有し
ており、これらの孔１２０はリンク１２４によって枢動
的に連結される上側および下側クランプ・ガイドロッド
１２２Ａおよび１２２Ｂから各々成るクランプ・ガイド
ロッド・アセンブリを収容している。ガイドロッド１２
２Ａはワーククランプ・アセンブリの１部を形成するク
ランクプレーにに連結され、ガイドロッド１２２Ｂは以
下に述べるようにカムプレート１５１に連結されている
。各々の孔１２０においてフランジ部分乙に取付けられ
ているのはベローズ・アセンブリ１２６であって、この
ベローズ・アセンブリ１２６はフランジ６′にボルト止
めされた環状の固定されりベローズ支持フランジ１２８
と、支持フランジ１２８に溶接された可撓性の金属ベロ
ーズ１３０と、ベローズの下側部に溶接付けされた環状
の可動ベローズ支持フランジ１３２と、支持フランンシ
１３２にボルト止めされかつガイドロッド１２２Ｂに溶
接例けされた環状のベローズ、駆動プレート１６４と、
フランジ部乙に係合する支持フランジ１２８の溝に設け
られるＯリング１ろ５と、５駆動プレート１ろ４と係合
する支持フランジの下側部の溝に設けられる別のＯリン
グ１３６と、駆動プレート１３４および支持フランジ１
３２，１２８の整合する孔を貫通して摺動可能に伸長し
フランジ部乙のねじ大の中に固定された径方向に対向す
る１対のガイドボルト１６８と、ボルト１６８を摺動可
能に包囲する管状のスペーサ１４０と、スペーサ１４０
およびフランジ１３２に係合しこの間で伸長する圧縮ば
ね１４２と、を包含している。

ボルト１６８は以下に説明する態様でワーククランプ・
アセンブリの運動を受入れるに必要なだけベローズが曲
ることを許容するように十分な長さになされている。ば
ね１４２が支持フランジ１２Ｂおよび１ろ２を押し付け
てベローズを長手方向に伸長させて℃・る。明らかなよ
うに、２つのベローズ・アセンブリはフランジ部の孔１
２０を介しての流体圧力のワークを防止しながらクラン
プガイトロンド・アセンブリの上下運動を許容する。

次に第１，３および１１乃至１５図を参照す不と、ワー
ククランプ・アセンブリはクランププレート１４８と、
クランププレートに取付けられかつクランクトップ１５
２を支持ずろクランプベース１５０と、を包含している
。クラッププレート１４８は２つの耳部１４９を有して
おり、この耳部１４９はガイドロッド１２２への上側端
部を収容する孔を有している。ガイドロッド１２２Ａは
止めねじ（図示せず）ＶＣよってクランププレート１４
８に固定されて（・る。クランププレ−１−１４８はま
た電極ヘット・アセンブリ６８を収容するに十分な大ぎ
さの中央孔１５１を有している。クランププレー１・１
４８はクランクベース１５０に対してねじによって取付
けられている。

クランプベース１５０は円筒形状でありかつプレート１
４８の孔１５１と同一の内径を有する。

クランプベース１５０はベースの一方の端部で終端する
スロット１５２および１５４を有しており、これらのス
ロツ）１５２，１５４は長手方向に伸長し径方向におい
て相対向している。スロット１５２および１５４は周方
向に沿って測った同一の幅とベースの軸に沿って測った
同一の長さを有している。第２のスロット１５６はスロ
ット１５２の頂部でかつこれと対称にしてベースに形成
される。スロット１５６はスロット１５２よりも幅が広
い。

クランプトップ１５２はベース１５０のねじ穴１６０に
ねじ込まれたねじによってクランクベース１５４にボル
ト止めされる。クランプトップ１５２は中央孔１６２を
有しかつその底辺部にＵ型の空所１６４を有している。

空所１６４はクランププレート１４８の孔１５１と同軸
上の半円形部１６４Ａと、相対向する直線側部を有する
第２の部分１６４Ｂとを包含している。この直線側部は
半円形状部分１６４Ａに接しかつ頂部の周辺部で終端し
ているが部分１６４Ａから間隔が広がる状態で末広型に
なっている。部分１６４Ａの対向する直線部分は、その
頂部の周辺部において、スロット１５４の対向する側部
間の距離と同じたけ互に間隔を置くようになされている
。したがって第１１図および１２図に示すようにクラン
プアセンブリはベースの上側面１５３である開口の底部
を有し頂部１５２の空所１６４によって１側部に形成さ
れる第１の開口と、クランプ頂部１５２の空所の形成さ
れない下側面である開口の頂部である空所１５６によっ
て他側部に形成される第２の開口１７２と、を有してい
る。開口１７０および１７２はほぼ同一の高さを有しか
つベース１５０の外側周部において同一の幅を有してい
る。しがしながら開口１７２は開口１７２の上側縁部が
開口１７０の下側縁部と同一レベルであるので開口１７
０よりも低い。以下に記載するように開口１７０は半導
体ウェーファを上側の電極１８および下側の電極の間の
領域に送出するための入口通路の役割を果し、一方開口
１７２は半導体ウエーファを電極間から除去するための
出口通路の役割を果す。

本発明の利点は真空室の中で伸長するウェーフア移送メ
カニズムと組合せて用いられるようになされていること
である。より詳細には上側と下側の電極間の領域に対す
るウエーファの流出入が適宜な移送メカニズム（図示せ
ず）によって達成される。この移送メカニズムは開口１
７０および１７２に従って真空室の内部に設けられかつ
真空室を水平に伸長していて口孔１８０および１８２（
第１図）を介して真空室の外側に設けられる移送メカニ
ズムに作用的に連結される。口孔１８０および１８２に
は真空室からの真空圧またはガスの損失を防止するだめ
の真空シール（図示せず）が設けられている。真空室の
中の移送メカニズムはウエーファを運ぶ往復動する複数
個のエレメントを有するようになされる。この点におい
て、互に整合される各一対の孔８０と８２．８０Ａと８
２Ａ、および８０Ｂと８２Ｂは上側および下側の電極間
の領域にウエーファを流出入させるために用いられる移
送メカニズムの往復動エレメントを収容するようになさ
れている。移送メカニズムのこれ以上の詳細は本発明の
一部を構成するものではないので省略する。しかしなが
ら本発明と共に用いることのできる移送装置には種々の
形態のものがあることは留意されなければならない。移
送メカニズムは米国特許第４２７５９７８号明細書に開
示される構成を有するのが好ましい。米国特許第３９７
３６６５号明細書は本発明と共に用いられるようになさ
れた他の移送装置を開示している。

クランプアセンブリは６重の機能を有して℃・る。

すなわち、第１にウエーファが２つの電極に従う時に移
送メカニズム上のウエーファを停止する作用をし、第２
に下側の電極のヘソｌ−に対して停止されたウエーファ
を挟みつけ、第６に２つの電極間から外部へウエーファ
を移動させる。この機能を達成するためにモータ駆動型
カム機構が設けられており、このカム機構はクランプ・
アセンブリを選択された６つの部分の１つに垂直に動か
す。

第１図に示すように、カム機構は６つのカム１５６Ａ１
５６Ｂ、１５６Ｃを支持するカム軸１５４に対する支持
構造１５２と、電気的に作動されるクラッチ１５８と、
クラッチ軸上のスプロケットギア１６０と、モーター６
２と、モータ軸上のスプロケットギア１６４と、２つの
スズロケットを連結するチェーン１６６と、を包含して
いる。クラッチは指令によりモータがカムを回転させる
ように適宜な装置（図示せず）によって選択的に活性化
される。カムは全て円形であり同一の直径を有している
がカム１５６Ａは中心に設けられカム１５６Ｂ１５６Ｃ
は１方向に治って中心から外されて設けられている。カ
ム１５６Ｃの回転軸線はカム１５６Ｂの偏心距離を越え
る値だけその形状中心から隔っている。カム１５６Ｂお
よび１５６Ｃに望まれる正確な偏心量は取扱うウエーフ
ァの厚みおよびウエーファをクランプ頂部１５２とプレ
ート７４の上側面の間を通過させるに必要な間隙に依存
する。

カムは軸１５４上において、軸が回転すると各々のカム
が交互にカムプレート１５１に係合しこれカ によってカムプレート１５１を上昇させまたはとによっ
てクランプアセンブリを下降するように配列される。カ
ム１５６Ａはその下降すなわちクランクアセンブリのウ
エーファ締め付は位置を決定する。カム１５６Ｂはその
ハイスボット（ｈｉｇｈｓｐｏｔ）　　がカム軸のスタ
ート位置から１２０°取除かれるように配列されており
またクランプアセンブリのウエーファ停止位置を決定す
る。カム１５６Ｃばそのハイスボットがカム１５６Ｂの
ハイスボットから１２００取除かれるようにかつカム軸
のスタート位置から２４０°取除かれるようになされま
たクランプアセンブリの上昇すなわちウェーファ排出位
置を決定する。

第１７図はクランプアセンブリの作動の１部を概略的に
示している。ウエーファＷが下側の電極上の適所に供給
される時に、カム軸はそのスタート位置にあり、クラン
プアセンブリは第１７図に実線で示される位置にある。

この位置においてクランプ頂部１５２の底部末端部の空
所の形成されていない部分はプレート７４の頂面と合致
しこれによってウエーファＷは開口１７０を通って頂部
１５２と下側の電極の間の空間に自由に入る。ウエーフ
ァは空所１６４の部分１６４Ａの曲面と係合することに
よって停止する。この後カム１５６Ａはクランプアセン
ブリを下降させてウエーファをプレート７４に挟み付け
る。この位置において例えば活性イオンエツチングの如
き選択される処理に供される。カム軸の回転に従って、
カム１５６Ｂはクランプアセンブリをウエーファを離す
に十分なだけ上昇させかつ開ロア２を介してクランプ頂
部および下側の電極の間からウェーファを通過させる。

カム軸１５４の作動はクランプアセンブリが上下動して
ウエーファを停止させ、ウェーファを下側の電極に挟み
付け、さらにウエーファを離してハウジング１０室外へ
移送させる周期がつ工−ファの従うべき処理に必要とさ
、ｌ−１る時間に合うように制御される。

本発明に従って作られた装置は米国特許第４２８６２４
９．４２８５７６３．３９４０５０６　。

３９７１６８４の各号明細書に示される活性イオンエツ
チング技術に特に有用である。ここには示されてはいな
いが真空室にはクランプ頂部１５２によってプレート７
４の頂面に挟み付けられるウェーファの上側面のエツチ
ング又は他の処理法において用いられる１つ又はそれ以
上の種々のガス源に連結されるガス入口部が形成される
ことは理解されるであろう。クランプ頂部の開口１６２
はガスを挟まれたウエーファに直接接触させる。

本発明の明白な利点は、 （ａ）　　電極に対して処理される各々のウェーファ又
は他の物品を所定の位置に自動的に挟み付けてエツチン
グ、イオンインブランチ−７ヨンまたはクリーニング等
の処理法を容易にすることができ；（＋））　　ウエー
ファ又は他の処理される物品からの熱移動がプレート７
４の上側端部の溝によってもたらされる冷却ガス通路に
よって改善され；（Ｃ）　　プレート７２の溝を介して
冷却流体又は加熱流体を循環させることにより電極ヘッ
ド６８を所定の温度に保つことができ； （ｄ）　　密封部材１１０の使用によって、加熱される
べき物品がクランプアセンブリによって電極ヘッド５８
に対して保持されている時のプレート７４と物品（例え
ばウエーファ）間の気密シールを確実にすることができ
； （ｅ）　　ウエーファを移送させることができかつ自動
的にまたシーケンシャルにウエーファを停止し、把みま
た離すことができることによって自動化されたウエーフ
ァ処理ラインに用いることができ；（ｆ）　　プレート
ろＯおよび６４によってもたらされる枢軸の回りで下側
の電極を回転させこれによって電極の上側面の平面が移
送装置からウエーファを受入れるのに必要な垂直調整（
レベリング）又は傾斜調整（テイルテイング）を行うこ
とができる； ことである。

他の利点および応用例は当業者によって容易に推察され
るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の好ましい実施例を構成する活性イオン
・エツチング装置の断面図、第２図は真空ボンピング・
ハウジングの１部を形成するフランジの平面図、第３図
は第１図の装置の１部を形成するフラングプレートの平
面図、第４図は下側の電極アセンブリの断面図、第５図
および第６図は下側の電極の支持プレートの上方および
下方から見た平面図、第７図および第８図は下側の電極
の中間冷却プレートの上方および下方から見た平面図、
第９図および第１０図は下側の電極の上側冷却プレート
の上方および下方から見た平面図、第１１図はクランプ
アセンブリの上側端部の側面図、第１２図は第１１図に
対して直角に取ったクランプアセンブリの上側端部の側
面図、第１６図はクランプアセンブリの上側端部の斜視
図、第１４図はクランプ頂部の平面図、第１５図は第１
４図の線１５−１５に沿った断面図、第１６図はフィー
ドスルーキャップ部材の平面図、第１７図はクランプア
センブリの状態を示す概略斜視図である。 １４・・・・・・第１の電極　　１８・・・・・第２の
電極４０・・・・・・レヘリンクフレート ５６．５８・・・・・・ガス導管　　６０・・・・・・
油　導管７０．７２．７４・・・・・・プレート８０　
、８２・・・・・孔　　　　８０Ａ、、８２Ａ・・・・
・・孔８０Ｂ、　８２Ｂ・・・・・・孔 １０２．１１４，１２０・・・・・・溝１３０・・・・
・・ベローズ％許１−ＩＪｌｉ人　　　アーリコンーノ
く−ルルＩニー・ニス・ＦＩ６．　３ Ｆ／θ　５ Ｆ／θ　６ Ｆ／Ｇ、７ ７６８ Ｆ／θ　９ Ｆ／θ　１０ ＦＩＧ　　／／ ＦＩＧ、　　／２ 第１頁の続き ０発　明　者　アレツクス・ネフ アメリカ合衆国ニューハンプシ ャー州ナシュア・ウオルトン・ ロード８ ０発　明　者　リチャード・エル・バリルアメリカ合衆
国ニューハンプシ ャー州ナシュア・アルフォード ・レイン３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）物品支持面を有する支持装置と；前記支持面に対
   して処理される物品を着脱可能に挟み付ける装置と；前
   記物品支持面と該物品支持面に挟み付けられる物品の間
   に第１の冷却流体を循環するための第１の循環装置と；
   前記支持装置から熱を除去するために前記支持装置を介
   して第２の冷却流体を循環するだめの第２の循環装置と
   ；から構成される真空室内物品処理装置。 （２、特許請求の範囲第１項に記載の装置において、前
   記支持装置が第１の電極であることを特徴とする真空室
   内物品処理装置。 （３）特許請求の範囲第２項に記載の装置において、前
   記第１の電極が長手方向の軸線を有し、前記物品支持面
   が前記軸線をほぼ横断して伸長することを特徴とする真
   空室内物品処理装置。 （４）特許請求の範囲第６項に記載の装置において、該
   装置が更に前記物品支持面から離れて向い合う第２の電
   極と、前記第１の電極の角方向位置を前記第２の電極に
   対して変えるための可変装置と、を包含することを特徴
   とする真空室内物品処理装置。 （５）特許請求の範囲第４項に記載の装置において、該
   装置は前記電極が内側に突出する開口を有する真空室を
   有しており、前記第１の電極は該開口を介して前記真空
   室の外側へ伸長する装置を有しており、さらに前記可変
   装置は前記真空室の外側に設けられる装置を有している
   ことを特徴とする真空室内物品処理装置。 （６）特許請求の範囲第５項に記載の装置において、前
   記可変装置が前記第１の電極に取イ」けられたレベリン
   グプレートと、該レベリングプレートに数個けられかつ
   前記室と係合して前記室に対する前記レベリングプレー
   トの位置を変えるための力賦与装置と、を包含すること
   を特徴とする真空室内物品処理装置。 （７）４￥許請求の範囲第２項に記載の装置にお℃・て
   、前記第１の電極が互に数句けられる第１、第２および
   第６のプレートを有しており、前記物品支持面は前記第
   １のプレートの第１の面であり、さらに前記第１の循環
   装置が前記第１の面に設けられる溝を包含していること
   を特徴とする真空室内物品処理装置。 （８）特許請求の範囲第７項に記載の装置において、前
   記第２の循環装置が前記第２および第３のプレートによ
   って該グレート間に形成される通路を有することを特徴
   とする真空室内物品処理装置。 （９）特許請求の範囲第８項に記載の装置におし・て、
   前記第１の電極が前記物品支持面に対して直角に伸長す
   る中空の管を包含しており、更に前記管内に設けられ前
   記溝および前記通路を介して冷却流体を循環するだめの
   導管装置を包含していることを特徴とする真空室内物品
   処理装置。