JPS5976874A - 放電処理方法 - Google Patents
放電処理方法Info
- Publication number
- JPS5976874A JPS5976874A JP57188508A JP18850882A JPS5976874A JP S5976874 A JPS5976874 A JP S5976874A JP 57188508 A JP57188508 A JP 57188508A JP 18850882 A JP18850882 A JP 18850882A JP S5976874 A JPS5976874 A JP S5976874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing gas
- discharge treatment
- film
- treatment method
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は放電現象を用いて薄膜形成あるいは薄膜及び旧
材をエツチングする放電処理方法に関するものである。
材をエツチングする放電処理方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来の放電処理方法は第１図にその具体構成を示すよう
に真空容器１に図示しない真空排気手段に接続された真
空排気接続口２、処理ガス供給配た。また７は被放電処
理物である。しかし々から上記のような構成では処理ガ
ス供給配管３から直接に処理ガスが真空容器１に流入し
放電処理されるので処理ガス中に含まれる水分及び処理
ガス供給配管途中に吸着された水分が放電処理結果に悪
影響を及ぼし、例えばＡｌ膜スパッタリングにおいては
、形成されたＡｌ膜の反射率が低下する、Ａｌ 膜エツ
チングにおいては、エツチング開始壕での待ち時間が長
くなると共にエツチング終了後Ａｌ膜が腐食するという
欠点を有していた。
に真空容器１に図示しない真空排気手段に接続された真
空排気接続口２、処理ガス供給配た。また７は被放電処
理物である。しかし々から上記のような構成では処理ガ
ス供給配管３から直接に処理ガスが真空容器１に流入し
放電処理されるので処理ガス中に含まれる水分及び処理
ガス供給配管途中に吸着された水分が放電処理結果に悪
影響を及ぼし、例えばＡｌ膜スパッタリングにおいては
、形成されたＡｌ膜の反射率が低下する、Ａｌ 膜エツ
チングにおいては、エツチング開始壕での待ち時間が長
くなると共にエツチング終了後Ａｌ膜が腐食するという
欠点を有していた。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、処理ガスが真空室に流入する
前に水分を除去し放電処理結果に悪影響を及ぼさない放
電処理方法を提供するものである。
前に水分を除去し放電処理結果に悪影響を及ぼさない放
電処理方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は真空容器、真空排気手段、処理ガス供給手段、
基板電極、対向電極、電源及び脱水機能を有する物質か
ら・構成されており、処理ガスは脱水機能を有する物質
を通過し、処理ガス中に含まれる水分及び処理ガス供給
手段途中に吸着された水分が除去されたのち真空容器に
流入し放電処理−が行なわれるのでＡｌ膜スパッタリン
グにおいては形成されたＡｌ膜の反射率が向上し、また
Ａｌ膜エツチングにおいてはエツチング開始までの待ち
時間が短かくなると共にエツチング終了後、Ａｌ膜の腐
食が発生しないという特有の効果を発揮する０ 実施例の説明 以下本発明の第１の実施例について図面を参照しながら
説明する。
基板電極、対向電極、電源及び脱水機能を有する物質か
ら・構成されており、処理ガスは脱水機能を有する物質
を通過し、処理ガス中に含まれる水分及び処理ガス供給
手段途中に吸着された水分が除去されたのち真空容器に
流入し放電処理−が行なわれるのでＡｌ膜スパッタリン
グにおいては形成されたＡｌ膜の反射率が向上し、また
Ａｌ膜エツチングにおいてはエツチング開始までの待ち
時間が短かくなると共にエツチング終了後、Ａｌ膜の腐
食が発生しないという特有の効果を発揮する０ 実施例の説明 以下本発明の第１の実施例について図面を参照しながら
説明する。
第２図は本発明の第１の実施例で、Ａｌ膜スパッタリン
グにおける放電処理方法に使用した装置の構成を示すも
のである。第２図において８は真空容器、９は図示しな
い真空排気手段に接続された真空排気接続口、１ｏは処
理ガス（Ａｒガス）１１ａハ流鼠コントロールバルブ１
１ｂはガス導入配管、１２は基板電極、１３は対向電極
、１４はＡｄメタ−ット材料、１６は直流電源、１６は
被処理物、１７は脱水機能を有する物質（活性アルミナ
、シリカゲル）である。なお、処理ガス供給手段は処理
ガス（Ａｒカス）１０−ｙ流量コントロールバルブ１１
ａ及びガス導入配管１１ｂからなる。以上のように構成
されたＡｌ膜スパッタリングにおける放電処理方法につ
いて以下その動作を説明する。
グにおける放電処理方法に使用した装置の構成を示すも
のである。第２図において８は真空容器、９は図示しな
い真空排気手段に接続された真空排気接続口、１ｏは処
理ガス（Ａｒガス）１１ａハ流鼠コントロールバルブ１
１ｂはガス導入配管、１２は基板電極、１３は対向電極
、１４はＡｄメタ−ット材料、１６は直流電源、１６は
被処理物、１７は脱水機能を有する物質（活性アルミナ
、シリカゲル）である。なお、処理ガス供給手段は処理
ガス（Ａｒカス）１０−ｙ流量コントロールバルブ１１
ａ及びガス導入配管１１ｂからなる。以上のように構成
されたＡｌ膜スパッタリングにおける放電処理方法につ
いて以下その動作を説明する。
まず真空排気接続口ｉに接続された真空排気手段により
、真空容器８内を１０ Ｔｏｒｒ以下に真空排気し次
に処理ガスを済宜流量コントロールパルプ１１ａによっ
て流量を調整しながら導入し、真空容器８内を適宜の真
空度に保つ、、次に直流電源１５から適宜の電力を供給
することにより被処理物１６上にＡｌ膜を形成する。
、真空容器８内を１０ Ｔｏｒｒ以下に真空排気し次
に処理ガスを済宜流量コントロールパルプ１１ａによっ
て流量を調整しながら導入し、真空容器８内を適宜の真
空度に保つ、、次に直流電源１５から適宜の電力を供給
することにより被処理物１６上にＡｌ膜を形成する。
以上のように本実施例によれば処理ガス供給手段の途中
に脱水機能を持つ物質を挿入することにより処理ガス中
に含まれる水分及び処理ガス供給手段途中に吸着された
水分が除去され水分によるＨ、ＯＨの混入がないので被
処理物１６」二に形成されるＡｌ膜の反射率を向上する
ことができる。
に脱水機能を持つ物質を挿入することにより処理ガス中
に含まれる水分及び処理ガス供給手段途中に吸着された
水分が除去され水分によるＨ、ＯＨの混入がないので被
処理物１６」二に形成されるＡｌ膜の反射率を向上する
ことができる。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。第３図は本発明の第２の実施例でＡｌｌトド
ライエツチングおける放電処理方法に使用した装置の構
成を示すものである。第３図において１８は真空容器、
１９は図示しない真空排気手段に接続された真空排気接
続口、２ｏは処理ガス（ＣＣ１４）、２１ａは流量コン
トロールバルブ、２１ｂはガス導入配管２３は基板電極
、２３は対向電極、２４は高周波電極（１３，５６ＭＨ
ｚ）、２６は被処理物、２６は脱水機能を有する物質（
活性アルミナ、シリカゲル）である。なお、処理ガス供
給手段は処理ガス２０、流量コントロールバルブ２１ａ
及びガス導入配管２１ｂから在る。
説明する。第３図は本発明の第２の実施例でＡｌｌトド
ライエツチングおける放電処理方法に使用した装置の構
成を示すものである。第３図において１８は真空容器、
１９は図示しない真空排気手段に接続された真空排気接
続口、２ｏは処理ガス（ＣＣ１４）、２１ａは流量コン
トロールバルブ、２１ｂはガス導入配管２３は基板電極
、２３は対向電極、２４は高周波電極（１３，５６ＭＨ
ｚ）、２６は被処理物、２６は脱水機能を有する物質（
活性アルミナ、シリカゲル）である。なお、処理ガス供
給手段は処理ガス２０、流量コントロールバルブ２１ａ
及びガス導入配管２１ｂから在る。
以上のように構成されたＡｌｌトドライエツチングおけ
る放電処理方法について以下その動作を説明する。まず
、真空排気接続口１９に接続された真空１−ｉ１気手段
により真空容器１８内を１０−’Ｔｏｒｒ以下に真空排
気し、次に処理ガス流量を適宜流量コントロールパルプ
２１ａによって調整しながら真空容器１日内を適宜の真
空度に保つ。次に高周波電源２４から適宜の電力を供給
することにより被処理物２５上のＡ７膜を除去する。
る放電処理方法について以下その動作を説明する。まず
、真空排気接続口１９に接続された真空１−ｉ１気手段
により真空容器１８内を１０−’Ｔｏｒｒ以下に真空排
気し、次に処理ガス流量を適宜流量コントロールパルプ
２１ａによって調整しながら真空容器１日内を適宜の真
空度に保つ。次に高周波電源２４から適宜の電力を供給
することにより被処理物２５上のＡ７膜を除去する。
以上のように本実施例によれば処理ガス供給手段の途中
に脱水機能を有する物質を挿入することにより処理ガス
中に含寸れる水分、及び処理ガス供給手段途中に吸着さ
れた水分が除去されるので、（１）式に示すようなＡ１
２０３（酸化アルミニウム）が形成されないので、被処
理物２６上のＡｌ膜がエツチング開始される壕での待ち
時間が短縮できる。
に脱水機能を有する物質を挿入することにより処理ガス
中に含寸れる水分、及び処理ガス供給手段途中に吸着さ
れた水分が除去されるので、（１）式に示すようなＡ１
２０３（酸化アルミニウム）が形成されないので、被処
理物２６上のＡｌ膜がエツチング開始される壕での待ち
時間が短縮できる。
さらにはエツチング終了後、被処理物２５上のレジスト
、下地基板に吸着された塩素と水分との反応による塩酸
が生成されないのでＡ７膜の腐食を防止できる。
、下地基板に吸着された塩素と水分との反応による塩酸
が生成されないのでＡ７膜の腐食を防止できる。
なお、第１の実施例及び第２の実施例における脱水機能
を有する物質１７及び２６は流量コントロールバルブ１
１ａ及び２１ａの出口側に保持したが、脱水機能を有す
る物質１７及び２６は流量コントロールバルブ１１ａ及
び２１ａの人に１側でも良く、あるいは両方に保持して
も良い。
を有する物質１７及び２６は流量コントロールバルブ１
１ａ及び２１ａの出口側に保持したが、脱水機能を有す
る物質１７及び２６は流量コントロールバルブ１１ａ及
び２１ａの人に１側でも良く、あるいは両方に保持して
も良い。
発明の効果
以上のように本発明は放電処理において処理ガス供給手
段の途中に脱水機能を有する物質を挿入することに」：
すＡｌ膜スパッタリングにおいてはＡｌ膜の反射率を向
上させ、Ａｌｌトドライエツチングおいては、エツチン
グ開始までの待ち時間を短縮しさらにはエツチング後の
Ａｌ膜腐食を発生させないことができ、その実用的効果
は大なるものがある。
段の途中に脱水機能を有する物質を挿入することに」：
すＡｌ膜スパッタリングにおいてはＡｌ膜の反射率を向
上させ、Ａｌｌトドライエツチングおいては、エツチン
グ開始までの待ち時間を短縮しさらにはエツチング後の
Ａｌ膜腐食を発生させないことができ、その実用的効果
は大なるものがある。
第１図は従来の放電処理装置の概略図、第２図は本発明
の第１の実施例におけるＡＩ膜スパッタリングにおける
放電処理装置の概略図、第３図は本発明の第２の実施例
におけるＡｌｌトドライエツチングおける放電処理装置
の概略図である。 １７．２６・・・・・・脱水機能を有する物質、１０゜
２０・・・・・・処理ガス、１１ａ、２１ａ・・・・・
・流量コントロールバルブ、１１ｂ、２１ｂ・・・・・
・ガス導入配管Ｏ
の第１の実施例におけるＡＩ膜スパッタリングにおける
放電処理装置の概略図、第３図は本発明の第２の実施例
におけるＡｌｌトドライエツチングおける放電処理装置
の概略図である。 １７．２６・・・・・・脱水機能を有する物質、１０゜
２０・・・・・・処理ガス、１１ａ、２１ａ・・・・・
・流量コントロールバルブ、１１ｂ、２１ｂ・・・・・
・ガス導入配管Ｏ
Claims (1)
- 処理ガス供給手段の途中に脱水機能を有する物質をあら
かじめ挿入し、この脱水機能を有する物質を通過した処
理ガスによる放電現象を用いて薄膜形成あるいは薄膜お
″よび材料をエツチング処理する放電処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188508A JPS5976874A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 放電処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188508A JPS5976874A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 放電処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976874A true JPS5976874A (ja) | 1984-05-02 |
Family
ID=16224944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57188508A Pending JPS5976874A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 放電処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976874A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03147317A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ処理における汚染を抑制するための方法及び装置 |
-
1982
- 1982-10-26 JP JP57188508A patent/JPS5976874A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03147317A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ処理における汚染を抑制するための方法及び装置 |
| US5367139A (en) * | 1989-10-23 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | Methods and apparatus for contamination control in plasma processing |
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