JPS612328A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS612328A JPS612328A JP59121755A JP12175584A JPS612328A JP S612328 A JPS612328 A JP S612328A JP 59121755 A JP59121755 A JP 59121755A JP 12175584 A JP12175584 A JP 12175584A JP S612328 A JPS612328 A JP S612328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- work
- processed
- auxiliary electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はプラズマ処理装置に関し、特にプラズマエツチ
ング、プラズマ成膜等の処理を被処理物の全面に均一に
行なうことのできるプラズマ処理装置に関するものであ
る。
ング、プラズマ成膜等の処理を被処理物の全面に均一に
行なうことのできるプラズマ処理装置に関するものであ
る。
牛導体装置の製造技術としてのエツチング技術や成膜（
デポジション）技術にプラズマを利用したものが提案さ
れている。（例えば、工業調査会発行電子材料１９８１
年１１月号別冊、昭和５６年１１月１０日発行、Ｐ７７
〜Ｐ８４）。例えば、第３図はプラズマエツチング装置
であり、チャンバ１内に平板型の上、下電極２，３を対
向配置し、一方（下側）の電極３に被処理物としてのホ
トマスクプレートやウェーハ４を取着し、かつ両電極２
．３間に高周波電力源を接続する。そして、チャンバ１
内を所定のガス圧に設定した上で両電極２．３間に高周
波電力を印加すれば、両電極間にプラズマＰが発生され
、このプラズマＰによって被処理物４の表面がエツチン
グ処理されることになる。
デポジション）技術にプラズマを利用したものが提案さ
れている。（例えば、工業調査会発行電子材料１９８１
年１１月号別冊、昭和５６年１１月１０日発行、Ｐ７７
〜Ｐ８４）。例えば、第３図はプラズマエツチング装置
であり、チャンバ１内に平板型の上、下電極２，３を対
向配置し、一方（下側）の電極３に被処理物としてのホ
トマスクプレートやウェーハ４を取着し、かつ両電極２
．３間に高周波電力源を接続する。そして、チャンバ１
内を所定のガス圧に設定した上で両電極２．３間に高周
波電力を印加すれば、両電極間にプラズマＰが発生され
、このプラズマＰによって被処理物４の表面がエツチン
グ処理されることになる。
しかしながら、このような平行平板電極構造のプラズマ
処理装置でし言、下電極３上に取着した被処理物４と上
電極２との距離が上、下電極２，３間距離よりも小さく
なり、しかも被処理物４０周縁部が電界集中の生じ易い
角状に形成されているため、プラズマＰと被処理物４０
周縁部との間に同図に示すように放電Ｓが発生され易い
。このため、特に被処理物４０周辺部に対応するプラズ
マの強度分布が不安定になり、被処理物４の全面にわた
って均一なエツチング処理を行なうことができないとい
う問題がある。
処理装置でし言、下電極３上に取着した被処理物４と上
電極２との距離が上、下電極２，３間距離よりも小さく
なり、しかも被処理物４０周縁部が電界集中の生じ易い
角状に形成されているため、プラズマＰと被処理物４０
周縁部との間に同図に示すように放電Ｓが発生され易い
。このため、特に被処理物４０周辺部に対応するプラズ
マの強度分布が不安定になり、被処理物４の全面にわた
って均一なエツチング処理を行なうことができないとい
う問題がある。
本発明の目的は被処理物の周縁におけるプラズマ放電を
防止し、被処理物の全面にわたって均一なプラズマ処理
を行なうことができるプラズマ処理装置を提供すること
にある。
防止し、被処理物の全面にわたって均一なプラズマ処理
を行なうことができるプラズマ処理装置を提供すること
にある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、対向電極の被処理物を支持する側の表面に補
助電極を被処理物を囲むように突設してプラズマ発生時
にこの補助電極と他方の電極との間に放電を生じさせ得
るよう構成することにより、他方の電極と被処理物との
間の放電発生を防止し、これにより被処理物の全面にわ
たって均一なプラズマ処理を可能とするものである。
助電極を被処理物を囲むように突設してプラズマ発生時
にこの補助電極と他方の電極との間に放電を生じさせ得
るよう構成することにより、他方の電極と被処理物との
間の放電発生を防止し、これにより被処理物の全面にわ
たって均一なプラズマ処理を可能とするものである。
第１図は本発明をプラズマエツチング装置に適用した実
施例であり、ホトマスクを形成するためにホトマスクプ
レートの表面のＣｒ膜をパターンエツチングする実施例
である。
施例であり、ホトマスクを形成するためにホトマスクプ
レートの表面のＣｒ膜をパターンエツチングする実施例
である。
図において、チャンバ１０は内部を気密に保持でき、そ
の一部にはＣ℃、、ＣＣへ等のエツチングガスを導入す
るガス供給口１１と、チャンバ１０内を排気して所嶽の
真空圧に設定するガス排気口１２とを開設している。前
記チャンバ１０内には平板型の上部電極１３と下部電極
１４を対向するように平行配置しており、上部電極１３
には高周波電力源１５を接続し、下部電極１４は接地し
ている。そして、下部電極１４の上面には被処理物支持
部を形成し、ここに被処理物としてのホトマスクプレー
ト１６を載置支持している。このホトマスクプレート１
６は第２図に示すように石英ガラス基板１７０表面にＣ
ｒ膜１８を形成し、パターニングしたホトレジスト（図
示せず）をマスクとして形成しているものであることは
言うまでもない。更に、前記下部電極１４は前記被処理
物支持部を包囲するようにその表面に補助電極１９を形
成している。本例にあっては、この補助電極１９は断面
を三角形状に形成して前記支持部の周囲の全周にわたっ
て延設し、その頂部は尖鋭でかつ前記ホトマスクプレー
ト１６表面よりも上方に突出されるように形成している
。この場合、補助電極１９は下部電極１４と一体形成し
ても別体に形成したものを取着した構成としてもよい。
の一部にはＣ℃、、ＣＣへ等のエツチングガスを導入す
るガス供給口１１と、チャンバ１０内を排気して所嶽の
真空圧に設定するガス排気口１２とを開設している。前
記チャンバ１０内には平板型の上部電極１３と下部電極
１４を対向するように平行配置しており、上部電極１３
には高周波電力源１５を接続し、下部電極１４は接地し
ている。そして、下部電極１４の上面には被処理物支持
部を形成し、ここに被処理物としてのホトマスクプレー
ト１６を載置支持している。このホトマスクプレート１
６は第２図に示すように石英ガラス基板１７０表面にＣ
ｒ膜１８を形成し、パターニングしたホトレジスト（図
示せず）をマスクとして形成しているものであることは
言うまでもない。更に、前記下部電極１４は前記被処理
物支持部を包囲するようにその表面に補助電極１９を形
成している。本例にあっては、この補助電極１９は断面
を三角形状に形成して前記支持部の周囲の全周にわたっ
て延設し、その頂部は尖鋭でかつ前記ホトマスクプレー
ト１６表面よりも上方に突出されるように形成している
。この場合、補助電極１９は下部電極１４と一体形成し
ても別体に形成したものを取着した構成としてもよい。
以上の構成によれば、ガス供給口１１からチャンバ１０
内に処理ガスを供給する一方、排気口１２から真空引き
を行なえばチャンバ１０内は所要のガス圧雰囲気に設定
される。その上で上、下の電極１３．１４に高周波電力
を印加すれば、両電極１３．１４間が活性化され第１図
のようにプラズマＰが発生される。そしてこのプラズマ
Ｐの作用によりホトマスクプレート１６０表面にエツチ
ングガス粒子が衝突して表面Ｃｒ膜１８をエツチングし
、所謂ドライエツチングが行なわれること冗なる。この
とき、プラズマＰの一部は接地電位に向かって流れて放
電が発生されるが、本例では下部電極１４０表面に設け
た補助電極１９がプラズマＰに対して最も近接して形成
されているため、この放電はプラズマＰと補助電極１９
との間に行なわれる。したがって、従来のように被処理
物（ホトマスクプレート）の角部において放電が発生さ
れることはなく、ホトマスクプレート１６０表面に対し
ては放電の影響が全くない状態でプラズマが作用され、
エツチングが進行されることになる。この結果、ホトマ
スクプレート１６の全面忙わたって均一なエツチングが
進行され、良質なエツチング効果が得られることになる
。
内に処理ガスを供給する一方、排気口１２から真空引き
を行なえばチャンバ１０内は所要のガス圧雰囲気に設定
される。その上で上、下の電極１３．１４に高周波電力
を印加すれば、両電極１３．１４間が活性化され第１図
のようにプラズマＰが発生される。そしてこのプラズマ
Ｐの作用によりホトマスクプレート１６０表面にエツチ
ングガス粒子が衝突して表面Ｃｒ膜１８をエツチングし
、所謂ドライエツチングが行なわれること冗なる。この
とき、プラズマＰの一部は接地電位に向かって流れて放
電が発生されるが、本例では下部電極１４０表面に設け
た補助電極１９がプラズマＰに対して最も近接して形成
されているため、この放電はプラズマＰと補助電極１９
との間に行なわれる。したがって、従来のように被処理
物（ホトマスクプレート）の角部において放電が発生さ
れることはなく、ホトマスクプレート１６０表面に対し
ては放電の影響が全くない状態でプラズマが作用され、
エツチングが進行されることになる。この結果、ホトマ
スクプレート１６の全面忙わたって均一なエツチングが
進行され、良質なエツチング効果が得られることになる
。
（１） プラズマ処理装置の被処理物を支持する側の
電極に被処理物を囲むように補助電極を形成しているの
で、プラズマにより発生される放電はこの補助電極との
間に生じることになり被処理物に対して生じることが防
止されるので、被処理物表面に対する放電の影響をなく
して被処理物全面に均一にプラズマを作用させることが
でき、これにより均一なプラズマ処理を行なうことがで
きる。
電極に被処理物を囲むように補助電極を形成しているの
で、プラズマにより発生される放電はこの補助電極との
間に生じることになり被処理物に対して生じることが防
止されるので、被処理物表面に対する放電の影響をなく
して被処理物全面に均一にプラズマを作用させることが
でき、これにより均一なプラズマ処理を行なうことがで
きる。
］２） 一方の電極に補助電極を設けておけば、被処
理物の処理手順は従来と全く同じでよく、処理効率が低
下されることがない一方で前述のように良好な処理が実
現できる。
理物の処理手順は従来と全く同じでよく、処理効率が低
下されることがない一方で前述のように良好な処理が実
現できる。
（３）補助電極は別体に形成してこれを取着することが
可能であり、既存のプラズマ装置にそのまま適用するこ
とができる。
可能であり、既存のプラズマ装置にそのまま適用するこ
とができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、補助電極は
被処理物の周囲の全周囲に設けずに断続的に設けてもよ
い。また、被処理物はウェーハでもよく、この場合には
補助電極を円環状に形成すればよい。更に、上部電極に
被処理物を支持する方式の装置では、上部電極に補助電
極を設ければよい。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、補助電極は
被処理物の周囲の全周囲に設けずに断続的に設けてもよ
い。また、被処理物はウェーハでもよく、この場合には
補助電極を円環状に形成すればよい。更に、上部電極に
被処理物を支持する方式の装置では、上部電極に補助電
極を設ければよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
のプラズマエツチング装置に適用した場合について説明
したが、それに限定されるものではなく、プラズマ成膜
装置等、プラズマを利用する処理装置であれば同様に適
用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
のプラズマエツチング装置に適用した場合について説明
したが、それに限定されるものではなく、プラズマ成膜
装置等、プラズマを利用する処理装置であれば同様に適
用できる。
第１図は本発明の実施例装置の全体構成図、第２図は下
部電極部位の一部破断斜視図、第３図は従来の不具合を
説明するための全体構成図である。 １０・・チャンバ、１１・・ガス供給口、１２・・・ガ
ス排気口、１３・上部電極、１４・・・下部電極、１５
・・高周波電力源、１６・・被処理物（ホトマスクプレ
ート）、１９・・補助電極、Ｐ・・プラズマ、Ｓ・・放
電。 第 ２ 図
部電極部位の一部破断斜視図、第３図は従来の不具合を
説明するための全体構成図である。 １０・・チャンバ、１１・・ガス供給口、１２・・・ガ
ス排気口、１３・上部電極、１４・・・下部電極、１５
・・高周波電力源、１６・・被処理物（ホトマスクプレ
ート）、１９・・補助電極、Ｐ・・プラズマ、Ｓ・・放
電。 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一対の対向電極を備え、一方の電極に被処理物を支
持し他方の電極との間にプラズマを発生させてこの被処
理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前
記一方の電極には前記被処理物の周囲に補助電極を突設
し、この補助電極を放電電極として構成したことを特徴
とするプラズマ処理装置。 ２、補助電極は断面三角形状に形成し、その尖った先端
を被処理物の表面よりも前方に突出位置させてなる特許
請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。 ３、補助電極は被処理物の全周囲に形成してなる特許請
求の範囲第１項又は第２項記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59121755A JPS612328A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59121755A JPS612328A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612328A true JPS612328A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14819081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59121755A Pending JPS612328A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612328A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194526A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Minoru Sugawara | プラズマ発生装置 |
| JP2007296592A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Shin Caterpillar Mitsubishi Ltd | 開閉装置 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59121755A patent/JPS612328A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194526A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Minoru Sugawara | プラズマ発生装置 |
| JP2007296592A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Shin Caterpillar Mitsubishi Ltd | 開閉装置 |
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