JPS5977366A - 紫外線消去形プログラマブル読出し専用メモリ装置の試験方法 - Google Patents

紫外線消去形プログラマブル読出し専用メモリ装置の試験方法

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JPS5977366A
JPS5977366A JP57188551A JP18855182A JPS5977366A JP S5977366 A JPS5977366 A JP S5977366A JP 57188551 A JP57188551 A JP 57188551A JP 18855182 A JP18855182 A JP 18855182A JP S5977366 A JPS5977366 A JP S5977366A
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JP
Japan
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pulse width
write
memory
programmable read
testing
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JP57188551A
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Tsugio Tawara
田原 次夫
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はフローティングゲート・アバランシェ自イン
ジェクションMO8(FAMO8)構造の紫外線消去形
プログラマブル読出し専用メモリ(PROM)の試験方
法に関するものである。
〔従来技術〕
FAMO8は一般にメモリセルがマトリクス状に配置さ
れ、任意のアドレスを指定するアドレス信号をアドレス
デコーダでデコードし当該アドレス線を選択駆動してデ
ータの書き込みまたは記憶データの読み出しを行なうも
のであることは周知であるので、これ以上説明の要はな
いと考える。
さて、このようなFAMO8の動作試験には、そのすべ
てのアドレスについて順次書き込みおよび読み出しを行
なう必要がある。そして確実に書き込みができるための
FAMO8の規格書き込みパルスの時間幅を50m5e
cとすると、従来の動作試験では各アドレスについて5
0m5 e cの幅の書き込みパルスを用いていた。従
って、書き込み試験時間は、50m5ecとメモリサイ
ズとの積となる。例えば、メモリ容量が8kX 8bi
tの場合には約400秒もかかることにな、j9、FA
MO8のメモリ容量の増大に伴なって、ますます長い試
験時間が必要となる。
かといって、荒き込み試験時間を短縮するために、単純
に二様に裂き込みパルス幅を狭くすると、良品であるべ
きFAMO8を不良と判定する可能性がある。
〔発明の概伎〕
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、規
格書き込みパルス幅以下のパルス幅の■゛き込みパルス
で各アドレス毎に必喪回数書き込み読み出しを行なうよ
うにすることによって、FAMO8の■き込み試験時間
を短縮する方法を提案するものである。
〔発明の実施例〕
図はFAMOEIの製品別の智き込みパルス幅とPJ[
を深さ゛まで明き適寸′れる1)it数との関係を概念
的に示す図で、製品間で曲線(イ)、(ロ)のように異
なるのは勿論、1つの製品の内でもbit毎にバラツキ
があり原理的には正規分布を示す0そして規格書き込み
パルス幅(例えば50m5)ですべてのbitに正確に
省き込める製品は良品として出荷されるのである。そし
て、図の分布曲線に示すように50m5θC(規格値5
0mθecの場合について説明する0)より十分短いパ
ルス幅で書き込める1)itも数多くある。この発明で
は以上の点に着目して、短いノくルス幅で各アドレスの
賽き込み試験を行ない、それで1き込みが完了すれば、
次のアドレスの試験に移行する。短いパルス幅での1回
の1き込み操作で誓き込みが不十分のときは複数回の有
キ込み操作を行ない、当該アドレスについての1き込み
パルス幅の累計が50m5ecに達するまでに書き込み
が完了すれば、更に次のアドレスの試験に移行する。こ
のようにしてFAMO8の全アドレスについて省き込み
を完了できれば、その製品は良品とする。万一、書き込
みパルス幅の累計が50m5θCに遅するまで繰返しも
、書き込みが不十分のセルが存在する場合には不合格品
とする。
このように、することによって、全アドレスについてそ
れぞれ50m5ecのパルス幅で書き込み試験を行なっ
ていた従来の方法よ゛りも大幅に所要時間を短縮でべろ
ことは科易に理解できるであろう。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明では各アドレスについて規
格病き込みパルス幅以下のパルス幅の書き込みパルスを
用いて、そのパルス幅の累計か上記規格病き込みパルス
幅に達するまでの範囲で正常の曹き込みが行なわれるま
で、繰返し省き込み試験を行なうようにしたので、試験
所喪噺間を大幅に短縮できる。
【図面の簡単な説明】
図はFAMO8の製品別の書き込みパルス幅と所要深さ
1で・1き込まれるビット数との関係を概念的に示す図
である。 代理人   葛 野 信 −(外1名)1き込b)X@
ルス1隔 −−一−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. +11  所定の規格書き込みパルス幅を有する複数個
    のメモリ素子から構成され各アドレス毎に書き込みおよ
    び読み出しが行なわれるようになされた紫外線消去形プ
    ロクラマプル読み出し専用メモリ装置の書き込み試験に
    際して、上記各アドレス毎に上記規格書き込みパルス幅
    以下のパルス幅の書き込みパルスを用いて、この書き込
    みパルス幅の累計が上記規格書き込みパルス幅に達する
    までの範囲で正常の書き込みが行なわれるまで繰返し書
    き込み試験を行なうことを特徴とする紫外線消去形プロ
    グラマブル読出し専用メモリ装置の試験方法。
JP57188551A 1982-10-25 1982-10-25 紫外線消去形プログラマブル読出し専用メモリ装置の試験方法 Granted JPS5977366A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994024674A1 (fr) * 1993-04-15 1994-10-27 Advantest Corporation Testeur de memoire a semiconducteurs
JP2010080006A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Corp 磁気メモリの試験方法および試験装置

Cited By (3)

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WO1994024674A1 (fr) * 1993-04-15 1994-10-27 Advantest Corporation Testeur de memoire a semiconducteurs
US5604756A (en) * 1993-04-15 1997-02-18 Advantest Corporation Testing device for concurrently testing a plurality of semiconductor memories
JP2010080006A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Corp 磁気メモリの試験方法および試験装置

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