JPS5977643A - 光学方式ピツクアツプ装置 - Google Patents
光学方式ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS5977643A JPS5977643A JP57188569A JP18856982A JPS5977643A JP S5977643 A JPS5977643 A JP S5977643A JP 57188569 A JP57188569 A JP 57188569A JP 18856982 A JP18856982 A JP 18856982A JP S5977643 A JPS5977643 A JP S5977643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- wavelength
- plate
- pickup device
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はオーディオディスク、ビデオディスク、ディ
スクメモリ等のうち光学方式ディスクの読取りを行なう
ピックアップ装置に関するものであり、ピックアップが
発生する雑音を小さくし、高感度ピックアップを実現す
ることを目的とするものである。
スクメモリ等のうち光学方式ディスクの読取りを行なう
ピックアップ装置に関するものであり、ピックアップが
発生する雑音を小さくし、高感度ピックアップを実現す
ることを目的とするものである。
光学方式ディスクにピット列として言【」録された信号
をレーザ光を用いて読取る技術がオーディオディスク、
ビデオディスク、ディスクメモリ寺として実用化されつ
つある。斯かる光学ディスク読取りシステムに使われる
レーザとしてはＨｅＮｅ レーザを典型例とするガス
レーザと、ＡｌＧａＡｓレーザを典型例とする半導体レ
ーザかある。中でも半導体レーザは、ガスレーザと比較
して本体の寸法か格最に小さいのみならず、動作動圧が
低く、特別の高圧塾圧源を必要としないことから、今後
の光学方式ピックアップ用光源として遍く使われようと
している。
をレーザ光を用いて読取る技術がオーディオディスク、
ビデオディスク、ディスクメモリ寺として実用化されつ
つある。斯かる光学ディスク読取りシステムに使われる
レーザとしてはＨｅＮｅ レーザを典型例とするガス
レーザと、ＡｌＧａＡｓレーザを典型例とする半導体レ
ーザかある。中でも半導体レーザは、ガスレーザと比較
して本体の寸法か格最に小さいのみならず、動作動圧が
低く、特別の高圧塾圧源を必要としないことから、今後
の光学方式ピックアップ用光源として遍く使われようと
している。
第１図は光学方式ピックアップ装置の一例である。第１
図において、（１）は半導体レーザ、（２）はコリメー
ションレンズ、（３）は偏光ビームスプリッタ、（４）
はλ／４板、（５）は第１集光レンズ （６）はディス
ク、（７）は第２集光レンズ、（８）は光検出器、（９
）は半導体レーザ（１）の出射光の偏光方向（紙面に平
行、伝播方向に垂直）、（１０）は光検出器（８）への
入射光の偏光方向（紙面と伝播方向に垂直）である。
図において、（１）は半導体レーザ、（２）はコリメー
ションレンズ、（３）は偏光ビームスプリッタ、（４）
はλ／４板、（５）は第１集光レンズ （６）はディス
ク、（７）は第２集光レンズ、（８）は光検出器、（９
）は半導体レーザ（１）の出射光の偏光方向（紙面に平
行、伝播方向に垂直）、（１０）は光検出器（８）への
入射光の偏光方向（紙面と伝播方向に垂直）である。
半導体レーザ（１）から出射された光はコリメーション
レンズ（２）で平行光になり、偏光ビームスプリッタ（
３）を辿り抜け、λ／４板（４１によって偏波面を、４
５°回転された後、第１集光レンズ（５）でディスク（
６）面上に集光される。ディスク（６）面で反射された
光は、第１集光レンズ（５）で平行光になり、λ／４板
（４）で偏波面を史に４５（半導体レーザ出射時点と比
較すると９０°）回転された後、偏光ビームスプリッタ
（３）で反射され、第２集光レンズ（７）を辿−っで光
検出器（８）に入射する。このようにして半導体レーザ
（１）の出射パワーが一定の状態で、ピッ） ｆｉｌｌ
の有無による反射光パワーの変化を光検出器（８）で読
取るわけである。このシステムで半導体レーザ（１）の
光出力の変動は雑音として作用する。
レンズ（２）で平行光になり、偏光ビームスプリッタ（
３）を辿り抜け、λ／４板（４１によって偏波面を、４
５°回転された後、第１集光レンズ（５）でディスク（
６）面上に集光される。ディスク（６）面で反射された
光は、第１集光レンズ（５）で平行光になり、λ／４板
（４）で偏波面を史に４５（半導体レーザ出射時点と比
較すると９０°）回転された後、偏光ビームスプリッタ
（３）で反射され、第２集光レンズ（７）を辿−っで光
検出器（８）に入射する。このようにして半導体レーザ
（１）の出射パワーが一定の状態で、ピッ） ｆｉｌｌ
の有無による反射光パワーの変化を光検出器（８）で読
取るわけである。このシステムで半導体レーザ（１）の
光出力の変動は雑音として作用する。
ところで、半導体レーザ（１）か発生覆る雑音Ｃコ、半
導体レーザ（］）から発し、半導体レーザ（１）に戻る
光ｍによって大きく表化する。光ピツクアップシステム
では、ディスク（６）の反躬口４置こ光を集光でる為、
ディスク面で反射した光は半導体レーザ（］）に向かっ
て戻っていくことになる。光路の途中に、λ／４板（４
）表偏光ビームスプリッタ（３）を腔けることで、ディ
スク（６）から戻る光を光検出器（８）の力１ｉｊＪへ
曲げ、光が半導体レーザ（１）に戻らない様にしている
。しかし乍ら、実際には部品毎のほらつきや精度に限界
力；ある為、λ／４板の設定波長と半導体レーザの先掘
波長との不一致や偏向ビームスプリッタの／ｌ’４光比
がフ００％にはならずに、いくはくかの光か半導体レー
ザに戻ることになる。縦単一モード半導体レーザの場合
の光雑音ｉｔ力は戻り光量（半導体レーザの出射光を１
００％としたとき）が増すほど大きくなると言われてお
り、従来は偏光ビームスプリッタの精度を篩めることて
１１１光比を１００％に近づけること、及びλ／４板を
レーザの１／４波長に商精度で合わせること専の方法で
戻り光量を極力減らす方向で半導体レーザが発する雑音
の抑制を図っていた。しかし乍ら、現実には光学部品や
レーザ波長にはそれぞればらつきがあり、才たレーザ波
長が温度依存性を持つこと等の為、現実には戻り光を十
分に抑えることは困難であり、単一モードレーザをディ
スク読取用光源として使うことは無理があった。
導体レーザ（］）から発し、半導体レーザ（１）に戻る
光ｍによって大きく表化する。光ピツクアップシステム
では、ディスク（６）の反躬口４置こ光を集光でる為、
ディスク面で反射した光は半導体レーザ（］）に向かっ
て戻っていくことになる。光路の途中に、λ／４板（４
）表偏光ビームスプリッタ（３）を腔けることで、ディ
スク（６）から戻る光を光検出器（８）の力１ｉｊＪへ
曲げ、光が半導体レーザ（１）に戻らない様にしている
。しかし乍ら、実際には部品毎のほらつきや精度に限界
力；ある為、λ／４板の設定波長と半導体レーザの先掘
波長との不一致や偏向ビームスプリッタの／ｌ’４光比
がフ００％にはならずに、いくはくかの光か半導体レー
ザに戻ることになる。縦単一モード半導体レーザの場合
の光雑音ｉｔ力は戻り光量（半導体レーザの出射光を１
００％としたとき）が増すほど大きくなると言われてお
り、従来は偏光ビームスプリッタの精度を篩めることて
１１１光比を１００％に近づけること、及びλ／４板を
レーザの１／４波長に商精度で合わせること専の方法で
戻り光量を極力減らす方向で半導体レーザが発する雑音
の抑制を図っていた。しかし乍ら、現実には光学部品や
レーザ波長にはそれぞればらつきがあり、才たレーザ波
長が温度依存性を持つこと等の為、現実には戻り光を十
分に抑えることは困難であり、単一モードレーザをディ
スク読取用光源として使うことは無理があった。
そこで本発明者は、以下のような新事実を実験により発
見し、この新事実に基つき上記問題を解決した光学方式
ピックアップ％ｆ％を提供せんとするものである。
見し、この新事実に基つき上記問題を解決した光学方式
ピックアップ％ｆ％を提供せんとするものである。
縦単一モード半導体レーザの光雑音知力と戻り光量との
関係は、第２図に示す如く、戻り元糊が微小である状況
では戻り光量の増加と共に雑音動力も増大するが、戻り
光量が成る割合を越えるとこれ以上では戻り光量の増大
と共に雑音刹＝、力は急激に低）し、それ以上の戻り光
では大略一定の低い雑音電力を示す。また、本来縦単一
モード半導体レーザであるものが、第２図に示した大略
一定の低い雑音短刀を与える戻り光範囲では、安定した
縦多モード発振の状態に変化している。
関係は、第２図に示す如く、戻り元糊が微小である状況
では戻り光量の増加と共に雑音動力も増大するが、戻り
光量が成る割合を越えるとこれ以上では戻り光量の増大
と共に雑音刹＝、力は急激に低）し、それ以上の戻り光
では大略一定の低い雑音電力を示す。また、本来縦単一
モード半導体レーザであるものが、第２図に示した大略
一定の低い雑音短刀を与える戻り光範囲では、安定した
縦多モード発振の状態に変化している。
従って、かかる現象を活用すると従来より容易に、本来
縦爪−モードレーザであるものを安定した低雑音の光デ
イスク読取用光源として利用することができる。即ち、
従来とは逆の考え方で戻り光量を意識的に大きくするわ
けである。
縦爪−モードレーザであるものを安定した低雑音の光デ
イスク読取用光源として利用することができる。即ち、
従来とは逆の考え方で戻り光量を意識的に大きくするわ
けである。
即ちこの発明は半導体レーザを用いた光学方式ピックア
ップ％−において、半導体レーザへの突り光量を出射光
に対し０５％以上、より良くハ３％程度以上にすること
により、本来縦単一モードレーザであったものを、縦多
モードの安定した低雑音レーザとして働かセ、その結果
低雑音の光学方式ピックアップ装置を得るものである。
ップ％−において、半導体レーザへの突り光量を出射光
に対し０５％以上、より良くハ３％程度以上にすること
により、本来縦単一モードレーザであったものを、縦多
モードの安定した低雑音レーザとして働かセ、その結果
低雑音の光学方式ピックアップ装置を得るものである。
以下この発明の実施例について説明する。。
本発明において戻り光量を大きくすることは、（イ）
半導体レーザの波長に対しλ／４板の波長を１／４波長
から±２％以上±２０％以下の卸、曲内てすらすこと （ロ） 消光比が小さな、即ち具体的には消光比か９５
％以下５０％以上の質の悪い偏光ビームスプリッタを利
用すること （ハ）偏光ビームスプリッタの代りに半透鏡を利用する
こと 等により実施できる。なお、（イ）においてλ／４板の
波長のずれの範囲を±２％以上±２０％以下としたのは
、実験の結果±２％以下では本発明の効果が卵、られす
、また±２０％以上では戻り光が多すぎて光検出器（８
）に導ひかれる光量が足りず、光学方式ピックアップ装
置としての用をなさないためてあり、また（口）におい
て偏光板の消光比を９５％以下５０％以上としたのは、
実験の結果９５％以上では本発明の効果か見られず、ま
た５０％以下ではやはり戻り光か多すきて光学方式ピッ
クアップ装部としての用をなさないためである。
半導体レーザの波長に対しλ／４板の波長を１／４波長
から±２％以上±２０％以下の卸、曲内てすらすこと （ロ） 消光比が小さな、即ち具体的には消光比か９５
％以下５０％以上の質の悪い偏光ビームスプリッタを利
用すること （ハ）偏光ビームスプリッタの代りに半透鏡を利用する
こと 等により実施できる。なお、（イ）においてλ／４板の
波長のずれの範囲を±２％以上±２０％以下としたのは
、実験の結果±２％以下では本発明の効果が卵、られす
、また±２０％以上では戻り光が多すぎて光検出器（８
）に導ひかれる光量が足りず、光学方式ピックアップ装
置としての用をなさないためてあり、また（口）におい
て偏光板の消光比を９５％以下５０％以上としたのは、
実験の結果９５％以上では本発明の効果か見られず、ま
た５０％以下ではやはり戻り光か多すきて光学方式ピッ
クアップ装部としての用をなさないためである。
従って、本発明は構造的には例えは第１図に示した如き
従来と同じ構造で、光学部品の一部の仕様を変えるだけ
て、この発明による光学方式ピックアップ装飾ができる
。そしてこの発明によれば、従来雑音特性の点て問題か
あった縦単一モード半導体レーザが光学方式ピックアッ
プに使えるのみならす、（＆ｌ＋えは偏光ビームスプリ
ッタの消光比υ）小さくて良い咎、光学部品として、は
稍度か低いものを利用できるため、光学方式ピックアッ
プ％６の原価を低減することができる。
従来と同じ構造で、光学部品の一部の仕様を変えるだけ
て、この発明による光学方式ピックアップ装飾ができる
。そしてこの発明によれば、従来雑音特性の点て問題か
あった縦単一モード半導体レーザが光学方式ピックアッ
プに使えるのみならす、（＆ｌ＋えは偏光ビームスプリ
ッタの消光比υ）小さくて良い咎、光学部品として、は
稍度か低いものを利用できるため、光学方式ピックアッ
プ％６の原価を低減することができる。
以上に述べた如く、この発明によれば、光学方式ピック
アップ装置において、λ／４板の移相量をλ／４からず
らせたり、偏光板の消光比を小さくすること等の手段に
よって半導体レーザへの孕り光を３％以」二とすること
により 本来縦ｔｕ−モード半導体レーザであるものを
安定した縞多モード発振を行なわせ、従来と比較して雑
音特性上倫４また安定１４１：を有する光学方式ピック
アップで、ｌ土つ従来より原価か安いものを提供できる
効果かある。
アップ装置において、λ／４板の移相量をλ／４からず
らせたり、偏光板の消光比を小さくすること等の手段に
よって半導体レーザへの孕り光を３％以」二とすること
により 本来縦ｔｕ−モード半導体レーザであるものを
安定した縞多モード発振を行なわせ、従来と比較して雑
音特性上倫４また安定１４１：を有する光学方式ピック
アップで、ｌ土つ従来より原価か安いものを提供できる
効果かある。
ＳＳ１図は光学方式ピックアップ装面の構成ト１、第２
図は縦単一モード半導体レーザの雑音ち力と戻り光量と
の関係を示す図である。 図において、（１）は半導体レーザ、（２）はコリメー
代 理 人 葛 野 信 −
第１図 竿２図 ７（）：ＩＩノ２ンｅ／、ｔｑ−１ｔ （’／、）
−手 続 補 正 書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ５７−１８８５６９
号２、発明の名称 光学方式ピックアップ装置 ３、補正をする者 事件との関係 １１゛許出１９（１人ｆＪＥ 所
東３＋！’都ｒ−代［ＩＪ区Ａ（７）内−１
Ｊ’ｌ １２Ｊ’３＞、’−名 称（６０１） 二
五菱電機株式会社代表者片山仁八部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び図面の簡単な説明の欄
６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。 （２）明細書をつぎのとおり訂正する。 特許請求の範囲 （１）半導体レーザと、この半導体レーザからの光を通
す偏光ビームスプリッタと、この偏光ビームスプリッタ
を通った光の偏光面を回転させるとともに光学方式ディ
スクからの反射光の偏光面を回転させる１／４波長板と
、上記光学方式ディスクで反射され上記１／４波長板を
通り上記偏光ビームスプリッタで反射されて導ひかれた
光を検出する光検出器とを備えた光学方式ピックアップ
装置であって、上記半導体レーザへの戻り光の出射光に
゛・１、対する比率を３％以上としたことを特徴とする
光学方式ピックアップ装ｆＩ゛。 （２）上記半導体レーザの波長に対し上記１／４波長板
の移相量を１／４波長から＋２％以上＋２０％以下の範
囲内でずらしたことを特徴とする特許１ｔ’ｊ求の範囲
第１項記載の光学方式ピックアップ装置。 （３）上記偏光板の消光比を９５％以下、５０％以上と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
方式ピックアップ装置。
図は縦単一モード半導体レーザの雑音ち力と戻り光量と
の関係を示す図である。 図において、（１）は半導体レーザ、（２）はコリメー
代 理 人 葛 野 信 −
第１図 竿２図 ７（）：ＩＩノ２ンｅ／、ｔｑ−１ｔ （’／、）
−手 続 補 正 書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ５７−１８８５６９
号２、発明の名称 光学方式ピックアップ装置 ３、補正をする者 事件との関係 １１゛許出１９（１人ｆＪＥ 所
東３＋！’都ｒ−代［ＩＪ区Ａ（７）内−１
Ｊ’ｌ １２Ｊ’３＞、’−名 称（６０１） 二
五菱電機株式会社代表者片山仁八部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び図面の簡単な説明の欄
６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。 （２）明細書をつぎのとおり訂正する。 特許請求の範囲 （１）半導体レーザと、この半導体レーザからの光を通
す偏光ビームスプリッタと、この偏光ビームスプリッタ
を通った光の偏光面を回転させるとともに光学方式ディ
スクからの反射光の偏光面を回転させる１／４波長板と
、上記光学方式ディスクで反射され上記１／４波長板を
通り上記偏光ビームスプリッタで反射されて導ひかれた
光を検出する光検出器とを備えた光学方式ピックアップ
装置であって、上記半導体レーザへの戻り光の出射光に
゛・１、対する比率を３％以上としたことを特徴とする
光学方式ピックアップ装ｆＩ゛。 （２）上記半導体レーザの波長に対し上記１／４波長板
の移相量を１／４波長から＋２％以上＋２０％以下の範
囲内でずらしたことを特徴とする特許１ｔ’ｊ求の範囲
第１項記載の光学方式ピックアップ装置。 （３）上記偏光板の消光比を９５％以下、５０％以上と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
方式ピックアップ装置。
Claims (3)
- （１） 半導体レーザど、この半導体レーザからの光
を偏光する偏光板と、この偏光板を通った光の偏光面を
回転させるとともに光学方式ディスクからの反射光の偏
光面を回転させる１／４波長板と、上記光学方式ディス
クで反射され上記１／４波長板を通り上記偏光板で反射
されて導びかれた光を検８する光検出器とを備えた光学
方式ピックアップ装置であって、上記半導体レーザへの
戻り光の出射先番こ対する比率を３％以上としたことを
特徴とする光学方式ピックアップ装置。 - （２） 上記半導体レーザの波長に対し上記１７４波
長板の移相量を１／４波長から±２％以上±２０％以下
の範囲内でずらしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光学方式ピックアップ装置。 - （３）上記偏光板の消光比を９５％以下、５０％以上と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記戦の光学
方式ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188569A JPS5977643A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光学方式ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188569A JPS5977643A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光学方式ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5977643A true JPS5977643A (ja) | 1984-05-04 |
Family
ID=16225978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57188569A Pending JPS5977643A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光学方式ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5977643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293627A (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザの戻り光雑音測定方法 |
| JPH0210530A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ヘッド |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57188569A patent/JPS5977643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293627A (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザの戻り光雑音測定方法 |
| JPH0210530A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ヘッド |
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