JPS5978578A - ダイヤフラム製造方法 - Google Patents
ダイヤフラム製造方法Info
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- JPS5978578A JPS5978578A JP57187471A JP18747182A JPS5978578A JP S5978578 A JPS5978578 A JP S5978578A JP 57187471 A JP57187471 A JP 57187471A JP 18747182 A JP18747182 A JP 18747182A JP S5978578 A JPS5978578 A JP S5978578A
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- Japan
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- diaphragm
- grinding
- round hole
- single crystal
- etching
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/50—Devices controlled by mechanical forces, e.g. pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、半導体圧力センサのダイヤフラム製造方法に
関する。
関する。
し発明の技術的背景とその問題点コ
従来よシ圧力変換器に用いられる半導体圧力センサば、
第１図に示すように、円板状の７リコン単結晶基板（１
）の一方の主面にＳ ｉ ３Ｎ４層（２）を円環状に被
着させる吉吉もに、他方の主面に拡散抵抗層（４）を拡
散形成したのち、円環状の円周部分のみを残し、８ｉ３
Ｎ４層（２）が欠除している中央部のみをフッ硝酸から
なるエツチング液でエツチング加工して凹部（５）を形
成することにより得られたダイヤプラム（６）を用いて
いる。
第１図に示すように、円板状の７リコン単結晶基板（１
）の一方の主面にＳ ｉ ３Ｎ４層（２）を円環状に被
着させる吉吉もに、他方の主面に拡散抵抗層（４）を拡
散形成したのち、円環状の円周部分のみを残し、８ｉ３
Ｎ４層（２）が欠除している中央部のみをフッ硝酸から
なるエツチング液でエツチング加工して凹部（５）を形
成することにより得られたダイヤプラム（６）を用いて
いる。
しかるに、上記エツチング液による凹部（５）のエツチ
ング加工には、以下の問題点があった。
ング加工には、以下の問題点があった。
（イ） エツチング加工による場合、５１３Ｎ４層とソ
リコン単結晶基板とのエツチング速度との差を用いて凹
部を形成するので、凹部（５）の除去深さは３００μｍ
程度が限度である。
リコン単結晶基板とのエツチング速度との差を用いて凹
部を形成するので、凹部（５）の除去深さは３００μｍ
程度が限度である。
（ロ） エツチング加工による場合、深さのばらつきが
太きいのみならず、四部（５）の内壁部と底面との交差
部分が丸みを帯びてしまい、圧力センサの特性が低下す
る。
太きいのみならず、四部（５）の内壁部と底面との交差
部分が丸みを帯びてしまい、圧力センサの特性が低下す
る。
Ｃ→ 上記（イ）の理由により、凹部（５）を深く加工
できないので、ダイヤフラム（６）に台座をガラスなど
で接着したときに発生する熱歪によυ拡散抵抗層が影響
を受け、圧力センサの特性低下や歩留低下を惹起する。
できないので、ダイヤフラム（６）に台座をガラスなど
で接着したときに発生する熱歪によυ拡散抵抗層が影響
を受け、圧力センサの特性低下や歩留低下を惹起する。
に）圧力測定は、ダイヤプラム（６ンの両面にかかる圧
力ｐ、 、Ｐ２の差圧を拡散抵抗層（４）の歪変化によ
り電気量に変換することにより行っている。
力ｐ、 、Ｐ２の差圧を拡散抵抗層（４）の歪変化によ
り電気量に変換することにより行っている。
ところで本来、半導体圧ノコセンサからは、差圧（Ｐｌ
−、Ｐ２）に直線的に比例した電圧を有する信号が出力
されるのが理想的であるが、実際には、差圧（Ｐｌ−Ｐ
２）と出力電圧とには完全な直線的比例関係はなく非直
線的となる。このような半導体圧力センサの感度の非直
線性△ｌは、差圧の正負により対称釣上なるのが好まし
いが、ダイヤフラム（６）が平坦な場合には、上記感度
の非直線性△ｌは、第２図の曲線（７）のように非対称
的となる。これは、差圧（Ｐｌ−Ｐ２）が正のときと、
負のときとで、ダイヤプラム（６）のたわみ量がわずか
に異なることにより生じる。このような感度の非直線性
へｌの差圧の正負による非対称性は、低圧測定及びダイ
ヤフラムが逆方向に変形する圧力測定の際の測定精度低
下の一因となるので、対称となるようにせねばならない
。そこで、従来においては、エツチング加工によりダイ
ヤスラム（６）の中央部にふくらみを形成するととによ
り上記問題を解決していた。
−、Ｐ２）に直線的に比例した電圧を有する信号が出力
されるのが理想的であるが、実際には、差圧（Ｐｌ−Ｐ
２）と出力電圧とには完全な直線的比例関係はなく非直
線的となる。このような半導体圧力センサの感度の非直
線性△ｌは、差圧の正負により対称釣上なるのが好まし
いが、ダイヤフラム（６）が平坦な場合には、上記感度
の非直線性△ｌは、第２図の曲線（７）のように非対称
的となる。これは、差圧（Ｐｌ−Ｐ２）が正のときと、
負のときとで、ダイヤプラム（６）のたわみ量がわずか
に異なることにより生じる。このような感度の非直線性
へｌの差圧の正負による非対称性は、低圧測定及びダイ
ヤフラムが逆方向に変形する圧力測定の際の測定精度低
下の一因となるので、対称となるようにせねばならない
。そこで、従来においては、エツチング加工によりダイ
ヤスラム（６）の中央部にふくらみを形成するととによ
り上記問題を解決していた。
ところが、エツチング加工では上記ふくらみを十分な加
工精度上再現性をもって形成するときけ困難であシ、信
頼性の高いダイヤフラムを得ることができなかった。
工精度上再現性をもって形成するときけ困難であシ、信
頼性の高いダイヤフラムを得ることができなかった。
Ｕ発明の目的コ
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので半導体圧
力センサ用のダイヤフラム形成のだめの加工を高精度か
つ高能率で行うと吉もに、差圧の正負において非直線性
が対称となる高性能かつ高信頼性の半導体圧力センサを
得ることのできるダイヤプラム製造方法を提供すること
を目的とする。
力センサ用のダイヤフラム形成のだめの加工を高精度か
つ高能率で行うと吉もに、差圧の正負において非直線性
が対称となる高性能かつ高信頼性の半導体圧力センサを
得ることのできるダイヤプラム製造方法を提供すること
を目的とする。
［発明の概要］
シリコン単結晶基板に対して研削砥石を遊星運動させる
際、上記研削砥石の自転軸を公転軸に対してわずかに傾
かせて研削加工し、ダイヤフラムの中央部に周辺部に対
してふくらみを有するように凹部を形成したのち、この
凹部内面のみをエツチング加工するようにしたものであ
る。
際、上記研削砥石の自転軸を公転軸に対してわずかに傾
かせて研削加工し、ダイヤフラムの中央部に周辺部に対
してふくらみを有するように凹部を形成したのち、この
凹部内面のみをエツチング加工するようにしたものであ
る。
［発明の実施例］
以下、本発明を回置を参照して、実施例に基づいて詳述
する。
する。
第３図は、本実施例において用いられる研削装置の要部
を示すもので、第４図に示すカップ形砥石（８）は、自
転用スピンドル（９）に同軸に固定されている。上記自
転用スピンドル（９）は、偏心軸受（１Ｑにより軸支さ
れている。この偏心軸受ＯＱは、介挿体旧）を介して円
柱状の支持体０４に取付けられている。
を示すもので、第４図に示すカップ形砥石（８）は、自
転用スピンドル（９）に同軸に固定されている。上記自
転用スピンドル（９）は、偏心軸受（１Ｑにより軸支さ
れている。この偏心軸受ＯＱは、介挿体旧）を介して円
柱状の支持体０４に取付けられている。
この支持体０２１の外周面には１図示せぬ環装体が装着
され、高圧空気源から供給された高圧空気を偏心軸受０
０）内に設けられているエア・タービン機構に導入して
、自転用スピンドル（９）を高速回転させるようになっ
ている。さらに、支４持休α２は図示せぬ軸受に軸支さ
れた公転用スピンドル（１３）に同軸に固定されている
。この公転用スピンドル（＋３）は、図示せぬ電動機に
より回転駆動されるようになっている。上記自転用スピ
ンドル（９）の軸線（１４）は、公転用スピンドル０階
の軸線ａツに対して角度θ（好ましくは、００５〜０．
；つ度）傾斜するようになっている。
され、高圧空気源から供給された高圧空気を偏心軸受０
０）内に設けられているエア・タービン機構に導入して
、自転用スピンドル（９）を高速回転させるようになっ
ている。さらに、支４持休α２は図示せぬ軸受に軸支さ
れた公転用スピンドル（１３）に同軸に固定されている
。この公転用スピンドル（＋３）は、図示せぬ電動機に
より回転駆動されるようになっている。上記自転用スピ
ンドル（９）の軸線（１４）は、公転用スピンドル０階
の軸線ａツに対して角度θ（好ましくは、００５〜０．
；つ度）傾斜するようになっている。
すなわち、軸線（１ａの一端は軸線α榎のカップ形砥石
（８）側の交へ０６）において交差し、他端は支持体α
功の下端面上において、軸線−からｅ。だけ偏心した位
置と交差するようになっている。したがって、軸線α乃
は公転用スピンドル０階の回転にともない交点ａＯを頂
点とする円錐を形成するようになっている。
（８）側の交へ０６）において交差し、他端は支持体α
功の下端面上において、軸線−からｅ。だけ偏心した位
置と交差するようになっている。したがって、軸線α乃
は公転用スピンドル０階の回転にともない交点ａＯを頂
点とする円錐を形成するようになっている。
なお、図示せぬが、本実施例の研削装置には、円板状の
シリコン・ウニ・・である被加工物ａのを、この被加工
物０７）の主面が公転用スピンドル（＋、３）の軸線０
９吉直交するように、保持固定する保持装置が設けられ
ている。また、カップ形砥石（８）は、図示せぬ送りテ
ーブルにより公転用スピンドル０３１の軸線０！１９に
沿って昇降されるようになっている。このカップ形砥石
（８）は、第４図に示すように、先端部中央には凹部ａ
８が設けられていて、先端周縁部は、円環状の研削作用
面α９となっている。そして、この研削作用面（１傷の
外径「１は、研削加工面Ｉ上における自転用スピンドル
（９）の軸線０４）の公転用スピンドルａ階の軸線−に
対する偏心量ｅよりも大きく、研削作用面（１１の内径
「２は、偏心量ｅよりも小さく設定され、研削中に研削
作用面（１１を軸心０９が通るように設定されている（
第３図参照）Ｑつぎに、本実施例のダイヤフラム製造方
法について述べると、まず、例えば厚み１朋、直径２２
朋の円板状のシリコン単結晶基板である被加工物α力の
一方の主面に拡散抵抗層（イ）を拡散形成する七と（ｚ
ｒ） もに、被加工物ａυの他方の主面に、Ｓｉ３Ｎ４層碕を
形成する。しかして、上記構成の研削装置を用いて、ま
ず、被加工物α力を保持装置に固定し、公転用スピンド
ル０階を電動機によ！１ｌ１１〜５０ｒ・ｐ−ｍで回転
駆動させるとともに、自転用スピンドル（９）をエア・
タービン機構によシ２０，０００〜１００．００Ｏｒ・
ｐ・ｍで高速回転させ、送りテーブルを矢印（２湯方向
に下降させて、カップ形砥石（８）を被加工物０７）に
向って切込ませる。すると、カップ形砥石（８）は、第
６図のように、矢印（２謙方向に自転運動しながら、矢
印（２４）方向に公転運動する。その結果、例えば深さ
８７５μｍ、直径１７囮の丸穴（２つが形成される。ま
た、カップ形砥石（８）の研削作用面（ｌωは、つねに
丸穴（ハ）の中心（ハ）を通過するので、第７図に示す
ような中央部分に△Ｈ（５〜３０μｍ）及び底部周縁か
ら中央部にかけての傾斜角θが０．０５〜０．３度の円
錐状のふくらみを有し厚みが中心部で例えば１２５μｍ
のダイヤフラム（５）が形成される。しかして、第８図
に示すように、被加工物（５）の下底面、外周面、上端
面にホトレジスト、ワックス等をマスク弼として被着さ
せ、例えばフッ硝酸からなるエツチング液により丸穴（
２ツの内面をエツチング加工する。そして、２〜５μｍ
／分の加工速度で徐々に犯μｍ程度加工しダイヤフラム
（５）を±１μｍの公差範囲内で、中央部が例えば７５
μｍになるように仕上げる。しかして、第９図に示すよ
うに、被加工物αηの丸穴（２暖側の上端面に、ガラス
接着によシ、中央部に貫通孔である受圧孔（ハ）が形成
されだ円柱状の台座（３０）を接着する。このように、
本実施例は、ダイヤフラムＣηが中央部にふくらみを有
しているので、差圧（Ｐ。
シリコン・ウニ・・である被加工物ａのを、この被加工
物０７）の主面が公転用スピンドル（＋、３）の軸線０
９吉直交するように、保持固定する保持装置が設けられ
ている。また、カップ形砥石（８）は、図示せぬ送りテ
ーブルにより公転用スピンドル０３１の軸線０！１９に
沿って昇降されるようになっている。このカップ形砥石
（８）は、第４図に示すように、先端部中央には凹部ａ
８が設けられていて、先端周縁部は、円環状の研削作用
面α９となっている。そして、この研削作用面（１傷の
外径「１は、研削加工面Ｉ上における自転用スピンドル
（９）の軸線０４）の公転用スピンドルａ階の軸線−に
対する偏心量ｅよりも大きく、研削作用面（１１の内径
「２は、偏心量ｅよりも小さく設定され、研削中に研削
作用面（１１を軸心０９が通るように設定されている（
第３図参照）Ｑつぎに、本実施例のダイヤフラム製造方
法について述べると、まず、例えば厚み１朋、直径２２
朋の円板状のシリコン単結晶基板である被加工物α力の
一方の主面に拡散抵抗層（イ）を拡散形成する七と（ｚ
ｒ） もに、被加工物ａυの他方の主面に、Ｓｉ３Ｎ４層碕を
形成する。しかして、上記構成の研削装置を用いて、ま
ず、被加工物α力を保持装置に固定し、公転用スピンド
ル０階を電動機によ！１ｌ１１〜５０ｒ・ｐ−ｍで回転
駆動させるとともに、自転用スピンドル（９）をエア・
タービン機構によシ２０，０００〜１００．００Ｏｒ・
ｐ・ｍで高速回転させ、送りテーブルを矢印（２湯方向
に下降させて、カップ形砥石（８）を被加工物０７）に
向って切込ませる。すると、カップ形砥石（８）は、第
６図のように、矢印（２謙方向に自転運動しながら、矢
印（２４）方向に公転運動する。その結果、例えば深さ
８７５μｍ、直径１７囮の丸穴（２つが形成される。ま
た、カップ形砥石（８）の研削作用面（ｌωは、つねに
丸穴（ハ）の中心（ハ）を通過するので、第７図に示す
ような中央部分に△Ｈ（５〜３０μｍ）及び底部周縁か
ら中央部にかけての傾斜角θが０．０５〜０．３度の円
錐状のふくらみを有し厚みが中心部で例えば１２５μｍ
のダイヤフラム（５）が形成される。しかして、第８図
に示すように、被加工物（５）の下底面、外周面、上端
面にホトレジスト、ワックス等をマスク弼として被着さ
せ、例えばフッ硝酸からなるエツチング液により丸穴（
２ツの内面をエツチング加工する。そして、２〜５μｍ
／分の加工速度で徐々に犯μｍ程度加工しダイヤフラム
（５）を±１μｍの公差範囲内で、中央部が例えば７５
μｍになるように仕上げる。しかして、第９図に示すよ
うに、被加工物αηの丸穴（２暖側の上端面に、ガラス
接着によシ、中央部に貫通孔である受圧孔（ハ）が形成
されだ円柱状の台座（３０）を接着する。このように、
本実施例は、ダイヤフラムＣηが中央部にふくらみを有
しているので、差圧（Ｐ。
−Ｐ２）が正の七きと、負のときとで、たわみが等しく
なり、第２図の曲線Ｇυのように、感度の非直線性△Δ
が対称上なる。本実施例のような研削加工によるダイヤ
フラムＣηへのふくらみ形成は、従来のエツチング加工
による方法に比べて、加工精度が高く、再現性がすぐれ
ている。さらに、本実施例は、研削加工により高速で丸
穴０！１９を形成するとともに、引き続いて５〜５０μ
ｍの範囲でエツチング加工を行うことにより、研削加工
によシ生じた丸穴（２最内壁面の破砕層を除去できる。
なり、第２図の曲線Ｇυのように、感度の非直線性△Δ
が対称上なる。本実施例のような研削加工によるダイヤ
フラムＣηへのふくらみ形成は、従来のエツチング加工
による方法に比べて、加工精度が高く、再現性がすぐれ
ている。さらに、本実施例は、研削加工により高速で丸
穴０！１９を形成するとともに、引き続いて５〜５０μ
ｍの範囲でエツチング加工を行うことにより、研削加工
によシ生じた丸穴（２最内壁面の破砕層を除去できる。
また、丸穴（２！９の底部と側壁との交差部分に丸みが
生じることなく、ダイヤフラム（２７）の厚みを全域に
わたって所定寸法になるように制御することができるよ
うになる。さらに、丸穴（２四を研削加工により形成し
ているので、ダイヤフラム（２７）の側壁を高くするこ
とカＳできるので、台座（３０）をガラス接着した際の
熱歪の影響を回避するととができる。
生じることなく、ダイヤフラム（２７）の厚みを全域に
わたって所定寸法になるように制御することができるよ
うになる。さらに、丸穴（２四を研削加工により形成し
ているので、ダイヤフラム（２７）の側壁を高くするこ
とカＳできるので、台座（３０）をガラス接着した際の
熱歪の影響を回避するととができる。
なお、上記実施例においては、仕上げ加工をイオンエツ
チング加工により行っているが、これに限ることなく、
イオンエツチング、プラズマエツチング等のドライエツ
チングによシ行ってもよい。
チング加工により行っているが、これに限ることなく、
イオンエツチング、プラズマエツチング等のドライエツ
チングによシ行ってもよい。
この場合、化学的エツチングよりも加工精度カＳ向上し
、加工工程が簡略になるという格別の効果を奏する。ま
だ、ダイヤフラムにふくらみをもたせるための研削加工
は、上記実施例に限ることなく第１０図に示すように、
研削作用端面６榎に夕°イヤフラム（３３１のふくらみ
に対応する円錐状の凹部０４） ｂｓ影形成れた研削砥
石（３鴎により行ってもよい。
、加工工程が簡略になるという格別の効果を奏する。ま
だ、ダイヤフラムにふくらみをもたせるための研削加工
は、上記実施例に限ることなく第１０図に示すように、
研削作用端面６榎に夕°イヤフラム（３３１のふくらみ
に対応する円錐状の凹部０４） ｂｓ影形成れた研削砥
石（３鴎により行ってもよい。
［発明の効果］
本発明のダイヤフラム製造方法は、ふくらみを有するダ
イヤプラムの形成を研削加工とエツチングとを組合わせ
て行うようにしだので、以下に記す顕著な効果を奏する
。
イヤプラムの形成を研削加工とエツチングとを組合わせ
て行うようにしだので、以下に記す顕著な効果を奏する
。
（イ）研削加工によシ丸穴の形成及び丸穴底部であるダ
イヤプラムのふくらみを高能率で形成しているので、各
種用途に応じた各種寸法のダイヤプラムを大量生産する
ことが可能となり、本発明によるダイヤフラムを用いた
圧力センヤ゛の価格低減に大幅に寄与する。
イヤプラムのふくらみを高能率で形成しているので、各
種用途に応じた各種寸法のダイヤプラムを大量生産する
ことが可能となり、本発明によるダイヤフラムを用いた
圧力センヤ゛の価格低減に大幅に寄与する。
（ロ）従来のエツチング加工のみによる丸穴形成に比べ
て、ダイヤフラムの側壁の高さを高くすることができ、
ダイヤフラムに台座をガラス接着した際の熱歪の拡散抵
抗層への影響を防止することができる。
て、ダイヤフラムの側壁の高さを高くすることができ、
ダイヤフラムに台座をガラス接着した際の熱歪の拡散抵
抗層への影響を防止することができる。
（ハ）研削加工により丸穴を形成するので、丸穴の底部
と側壁との交差部分に丸みが生じること力Ｓなく、かつ
ダイヤフラムにふくらみを所定寸法に高度の再現性をも
って形成することができる。
と側壁との交差部分に丸みが生じること力Ｓなく、かつ
ダイヤフラムにふくらみを所定寸法に高度の再現性をも
って形成することができる。
に） エツチング加工を研削加工に引続いて行うことに
より、丸穴内壁面に生じている研削加工による破砕層を
除去して、ダイヤプラムの仕上げ加工を高精度で行うと
とカＳできる。
より、丸穴内壁面に生じている研削加工による破砕層を
除去して、ダイヤプラムの仕上げ加工を高精度で行うと
とカＳできる。
（ホ） 上記（０） 、 ０→、に）の諸効果が相俟っ
て、ダイヤフラムの歩留が高くなるとともに、本発明に
よるダイヤフラムを用いた圧力センサの性能及び信頼性
が著しく向上する。
て、ダイヤフラムの歩留が高くなるとともに、本発明に
よるダイヤフラムを用いた圧力センサの性能及び信頼性
が著しく向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のダイヤフラム製造方法を説明するだめの
断面図、第２図は差圧と非直線性との関係を示す図、第
３図は本発明の一実施例のダイヤフラム製造に用いられ
る研削装置の要部説明図、第４図は同じくカップ形砥石
の要部断面図、第５図は本発明の一実施例における拡散
抵抗層及びガラス膜の形成を示す断面図、第６図は第４
図のカップ形砥石の遊星運動を示す図、第７図は第３図
の研削装ｆｉｆｔＫよシ得られた被加工物の断面図、第
８図は第７図の被加工物に対するエツチング加工の説明
図、第９図はエツチング加工された被加工物への受圧台
の取付けを示す断面図、第１０図は本発明の他の実施例
において用いられるカップ形砥石の断面図である。 （１７）・・被加工物（シリコン単結晶基板）、Ｃω・
・丸 穴、 ！２７１・・ダイヤフラム。 ’ｌ １口 ２ 軍夕図 ２６ ２、 軍７０
断面図、第２図は差圧と非直線性との関係を示す図、第
３図は本発明の一実施例のダイヤフラム製造に用いられ
る研削装置の要部説明図、第４図は同じくカップ形砥石
の要部断面図、第５図は本発明の一実施例における拡散
抵抗層及びガラス膜の形成を示す断面図、第６図は第４
図のカップ形砥石の遊星運動を示す図、第７図は第３図
の研削装ｆｉｆｔＫよシ得られた被加工物の断面図、第
８図は第７図の被加工物に対するエツチング加工の説明
図、第９図はエツチング加工された被加工物への受圧台
の取付けを示す断面図、第１０図は本発明の他の実施例
において用いられるカップ形砥石の断面図である。 （１７）・・被加工物（シリコン単結晶基板）、Ｃω・
・丸 穴、 ！２７１・・ダイヤフラム。 ’ｌ １口 ２ 軍夕図 ２６ ２、 軍７０
Claims (1)
- ソリコン単結晶基板に研削加工によシ丸穴を形成すると
ともに上記丸穴の底部にふくらみを設ける工程と、上記
丸穴の内面をエツチング加工により仕上げ加工する工程
とを具備することを特徴とするダイヤフラム製造方法っ
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187471A JPS5978578A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | ダイヤフラム製造方法 |
| GB08327236A GB2130435B (en) | 1982-10-27 | 1983-10-12 | Semiconductor strain sensor and method for manufacturing the same |
| DE19833338384 DE3338384A1 (de) | 1982-10-27 | 1983-10-21 | Halbleiter-dehnungssensor und verfahren zu seiner herstellung |
| US06/820,598 US4622098A (en) | 1982-10-27 | 1986-01-21 | Method for manufacturing semiconductor strain sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187471A JPS5978578A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | ダイヤフラム製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978578A true JPS5978578A (ja) | 1984-05-07 |
| JPS6410111B2 JPS6410111B2 (ja) | 1989-02-21 |
Family
ID=16206658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187471A Granted JPS5978578A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | ダイヤフラム製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978578A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173487A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法および装置 |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57187471A patent/JPS5978578A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173487A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6410111B2 (ja) | 1989-02-21 |
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