JPS5978920A - シリコン薄帯の製造装置 - Google Patents
シリコン薄帯の製造装置Info
- Publication number
- JPS5978920A JPS5978920A JP18745682A JP18745682A JPS5978920A JP S5978920 A JPS5978920 A JP S5978920A JP 18745682 A JP18745682 A JP 18745682A JP 18745682 A JP18745682 A JP 18745682A JP S5978920 A JPS5978920 A JP S5978920A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- cooling
- rotating body
- light
- gauge
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、特に表面が平滑で、品質の一定したシリコン
薄帯を安定して製造できる製造装置に関する。
薄帯を安定して製造できる製造装置に関する。
従来、溶融シリコンから高速でリボン状シリコン薄帯ｆ
ｆ１ｌｔＬ造する方法として特開昭５３−３９７３号、
特開昭５５−５２２１８号、特開昭５５−１３６５４８
号、特開昭５５−１３６５４９号が知られている。
ｆ１ｌｔＬ造する方法として特開昭５３−３９７３号、
特開昭５５−５２２１８号、特開昭５５−１３６５４８
号、特開昭５５−１３６５４９号が知られている。
ここで開示されている方法は、真空又は不活性ガス雰囲
気中において耐熱容器（例えばカーボン、石英）内で溶
融状態にあるシリコンを、該容器内に導入される不活性
ガス（例えば、アルゴン）のガス圧でスリット状のノズ
ルから射出し、これを冷媒（例えば水）又は、高速回転
する冷却体（例えば銅、鉄、ステンレス）で急冷してシ
リコン薄帯を製造するものである。
気中において耐熱容器（例えばカーボン、石英）内で溶
融状態にあるシリコンを、該容器内に導入される不活性
ガス（例えば、アルゴン）のガス圧でスリット状のノズ
ルから射出し、これを冷媒（例えば水）又は、高速回転
する冷却体（例えば銅、鉄、ステンレス）で急冷してシ
リコン薄帯を製造するものである。
ところが高速回転する冷却体の材質は、溶融シリコンと
なじみの悪い絹、鉄、ステンレス、などであったため、
表面が平滑で形状の一定した、シリコン薄帯が得られに
くいという欠点があつ念。
なじみの悪い絹、鉄、ステンレス、などであったため、
表面が平滑で形状の一定した、シリコン薄帯が得られに
くいという欠点があつ念。
又これら回転体表面に溶融シリコンとなじみの良い黒鉛
を塗布焼伺する方法も試みられているが、炭素質である
ため表面硬度が低く回転体表面の損傷が大きいなどの欠
点があった。
を塗布焼伺する方法も試みられているが、炭素質である
ため表面硬度が低く回転体表面の損傷が大きいなどの欠
点があった。
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたもので溶融シ
１）コンを高速回転する冷却用回転体の表面に接触させ
て急冷しシリコン薄帯を製造する装置において、冷却用
回転体の損傷を少なくシ、かつ速続的に表面平滑な、シ
リコン薄帯を製造する装置’ｌ： ＃ｊｌ供する事を目
的とするものである、〔発明の概−要〕 本発明Ｑよシリコンを溶融状袢からノズルを介して射出
させ高速回転する冷却用回転体の表面に接触させ急冷す
る装置において、少なくとも表面がシリコンカーバイド
からなる冷却用回転体を用いるシリコン薄帯の製造＠信
である。
１）コンを高速回転する冷却用回転体の表面に接触させ
て急冷しシリコン薄帯を製造する装置において、冷却用
回転体の損傷を少なくシ、かつ速続的に表面平滑な、シ
リコン薄帯を製造する装置’ｌ： ＃ｊｌ供する事を目
的とするものである、〔発明の概−要〕 本発明Ｑよシリコンを溶融状袢からノズルを介して射出
させ高速回転する冷却用回転体の表面に接触させ急冷す
る装置において、少なくとも表面がシリコンカーバイド
からなる冷却用回転体を用いるシリコン薄帯の製造＠信
である。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明する。
図ｉｄ−シリコン薄帯の製造装置について断面的な例を
示す図である。
示す図である。
図において１け、シリコン２を入れる耐熱容器でその先
端はスリット状ノズル３が具備されている。容器ｌ及び
ノズル３け電気絶縁性で溶融シリコンと個れ件の悪い耐
熱オ」料（例えばアルミナ、石英）から措成畜れる。
端はスリット状ノズル３が具備されている。容器ｌ及び
ノズル３け電気絶縁性で溶融シリコンと個れ件の悪い耐
熱オ」料（例えばアルミナ、石英）から措成畜れる。
４及び５は、シリコン２を加熱する之めのヒータで容器
ｌの夕ｉ、 （ｌ’！Ｉ＋にリング状に周設されている
っこのうち４は、シリコン２を赤熱状襲にまで加熱する
ために用いる補助ヒータで図の上下方向に移動できるよ
うに設計され、シリコン２を赤熱状卯に丑で加熱した後
は、上下方向に抜くことができる。
ｌの夕ｉ、 （ｌ’！Ｉ＋にリング状に周設されている
っこのうち４は、シリコン２を赤熱状襲にまで加熱する
ために用いる補助ヒータで図の上下方向に移動できるよ
うに設計され、シリコン２を赤熱状卯に丑で加熱した後
は、上下方向に抜くことができる。
５は、高周波コイルで通常は、補助ヒータ４の外１）＋
ｌｌに固定して周設される。ノズル３の下方には、回転
体表面がシリコン融液となじみの良いシリコンカーバイ
ドからなる表面平滑な高速冷却用回転イ本６が西装置さ
れる。
ｌｌに固定して周設される。ノズル３の下方には、回転
体表面がシリコン融液となじみの良いシリコンカーバイ
ドからなる表面平滑な高速冷却用回転イ本６が西装置さ
れる。
常法にしたがって装置を全体は、真空又は不活性ガス（
例えばアルゴン）＃囲気中に備えられる。
例えばアルゴン）＃囲気中に備えられる。
図において容器１内のシリコン融液２ｔｊ：、ガス圧入
口から圧入される不活性ガス（例えばアルゴン）によっ
てノズル３から高速冷却用回転体６に射出され急冷しシ
リコン薄帯７′ｆ、作製する。
口から圧入される不活性ガス（例えばアルゴン）によっ
てノズル３から高速冷却用回転体６に射出され急冷しシ
リコン薄帯７′ｆ、作製する。
本発明の最大の特徴は、回転体表面がシリコンカーバイ
ドからなる冷却用回転体６を用いる点にある。
ドからなる冷却用回転体６を用いる点にある。
シリコンカーバイドは、回転体表面に塗布焼付、気相成
長あるいは、化学反応によって生成される。
長あるいは、化学反応によって生成される。
本発明は、以上のように構成されるので、溶融シリコン
と冷却用回転体との、ぬれ性が良く平滑で表面性の安定
したシリコン薄帯″ｆ：製造することができる。
と冷却用回転体との、ぬれ性が良く平滑で表面性の安定
したシリコン薄帯″ｆ：製造することができる。
またシリコンカーバイドは、硬質で耐摩耗性がすぐれて
いるため従来の炭素質に比較し、冷却用回転体表面の１
７′！傷が極めて少ない利点がある。
いるため従来の炭素質に比較し、冷却用回転体表面の１
７′！傷が極めて少ない利点がある。
以下実施例を挙げ本発明を説明する。
実施例１
石英からなる容器ｌに高純度シリコン２を入れこれを加
熱溶融しスリット幅１０馴からなるノズル３から、表面
速度１０ｔｒ４／ｓで矢印Ｑの方向に回転している鉄製
ロール表面にシリコンカーバイドを数＋μｍ塗布焼付し
た高速冷却用回転体６上に、アルゴンガスによす０．２
気圧の圧力で噴出させ、シリコン融液からシリコン薄帯
７を得た。得られた薄帯７は幅９．５ｍｍ 、厚さ１２
０μｍで全体にわたって平滑で表面性の良好なものであ
った。又回転体表面には、薄帯による傷がまったく見ら
れなかった。
熱溶融しスリット幅１０馴からなるノズル３から、表面
速度１０ｔｒ４／ｓで矢印Ｑの方向に回転している鉄製
ロール表面にシリコンカーバイドを数＋μｍ塗布焼付し
た高速冷却用回転体６上に、アルゴンガスによす０．２
気圧の圧力で噴出させ、シリコン融液からシリコン薄帯
７を得た。得られた薄帯７は幅９．５ｍｍ 、厚さ１２
０μｍで全体にわたって平滑で表面性の良好なものであ
った。又回転体表面には、薄帯による傷がまったく見ら
れなかった。
実施例２
素材が炭素からなり表面を化学反応によってシリコンカ
ーバイド化した冷却用回転体を用いた以外は、実施例１
と同一の条件でシリコン薄帯の製請を行なったところ、
幅９．５ｍ 、厚さ１１０μｍで全体にわたって平滑で
表面性の良好なシリコン薄帯がイ１られた、 比較例１ 冷却用回転体６を銅製ロールとした以外は実施例１と同
一の条件でシリコン薄帯のＩ！！！造を行なったところ
溶融シリコンと銅製ロールのなじみが良くないため薄帯
表ＩＭの凹凸が激しく薄帯の形状が一定のものは、得ら
れなかった。
ーバイド化した冷却用回転体を用いた以外は、実施例１
と同一の条件でシリコン薄帯の製請を行なったところ、
幅９．５ｍ 、厚さ１１０μｍで全体にわたって平滑で
表面性の良好なシリコン薄帯がイ１られた、 比較例１ 冷却用回転体６を銅製ロールとした以外は実施例１と同
一の条件でシリコン薄帯のＩ！！！造を行なったところ
溶融シリコンと銅製ロールのなじみが良くないため薄帯
表ＩＭの凹凸が激しく薄帯の形状が一定のものは、得ら
れなかった。
比較例２
鉄製ロールの表面に黒鉛を厚さ約１００μｍ塗布焼付し
実施例１と同一の条件でシリコン薄帯の製造を行なった
。でへた薄帯表面の形状は、平滑で実施例１のものと同
等であるが回転体表面の損傷がひどく、同一回転体表面
を再使用することが不可能な状態であった。
実施例１と同一の条件でシリコン薄帯の製造を行なった
。でへた薄帯表面の形状は、平滑で実施例１のものと同
等であるが回転体表面の損傷がひどく、同一回転体表面
を再使用することが不可能な状態であった。
１ソ、土木発明により表面平滑なシリコン薄帯を安５？
１．て容易に製造することが可能となりより安価な半導
体装買♀別！・ｈすることができる。
１．て容易に製造することが可能となりより安価な半導
体装買♀別！・ｈすることができる。
３・・・ノズル ４・・・補助ヒータ５・・・
高ＩＭ波コイル ６・・・冷却用回転体７・・・シリ
コン薄帯 （７３１７） （を埋入 弁理士 則 近 憲 佑
（ほか１名）１０１−
高ＩＭ波コイル ６・・・冷却用回転体７・・・シリ
コン薄帯 （７３１７） （を埋入 弁理士 則 近 憲 佑
（ほか１名）１０１−
Claims (1)
- シリコンを溶融状態からノズルを介して射出させ高速回
転する冷却用回転体の表面に接触させ急冷する装置にお
いて、少なくとも表面がシリコン・カーバイドから分る
冷却用回転体を用いること金特徴とするシリコン薄帯の
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18745682A JPS5978920A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | シリコン薄帯の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18745682A JPS5978920A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | シリコン薄帯の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978920A true JPS5978920A (ja) | 1984-05-08 |
Family
ID=16206388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18745682A Pending JPS5978920A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | シリコン薄帯の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5605583A (en) * | 1994-02-25 | 1997-02-25 | Pechiney Electrormetallurgie | Metallurgical silicon with controlled microstructure for the preparation of halogenosilanes |
| US6946029B2 (en) * | 1999-11-30 | 2005-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sheet manufacturing method, sheet, sheet manufacturing apparatus, and solar cell |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP18745682A patent/JPS5978920A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5605583A (en) * | 1994-02-25 | 1997-02-25 | Pechiney Electrormetallurgie | Metallurgical silicon with controlled microstructure for the preparation of halogenosilanes |
| US6946029B2 (en) * | 1999-11-30 | 2005-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sheet manufacturing method, sheet, sheet manufacturing apparatus, and solar cell |
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