JPS5979447A - 熱磁気光学式記録装置及びそのための記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気−ラ′０学活性層を和う基板を有する記録
素子と、レーザ放射線源と、このレーザ源から出た放射
線を記録素子の選択された場所に合焦させる手段と）＠
元光学系と光電イへ吊器とを具え、磁気−光学活性層か
ら戻ってぐる力（射紳の通路内にＩＮか２１．る磁気−
５′Ｃ学検出手段′とを具備する熱イ１ン矛気５１；学
式記ｆ１装置に関するものである。

庫発明はオたこのような熱磁気う゛Ｃ学式記Ｆ、Ｉ装置
ｙ７で使用さ１する記（々稈体にも［１膿するものであ
る。

＋−ｆ　ｎ　Ｂ土、ＭｎＡｔＧｅ　ｚ　　ＧｄＦｅ　Ｎ
　　ＴｂＦｅツクびＧｄ　Ｏｏのようなイオ料は、「す
えば、光学式記録装置で使用されることを意図するイ１
可気−光学ディスクのよりな配（７・素子として使用で
きることが知らＩしている。こ７１゜らの月利は、；１
ＴＩｎ真突内でカラス基板、シリコン板等の上にデポジ
ット又はスパッタさ扛、磁気−光学記録素子用の薄力１
′、〜を形成する。而して磁気−九゛学記ρ、１子は共
通して以下の特性を有する。

１、　磁化容易’ｆｉｌｌが１７膵の表面に対し垂直で
ある。

λ　そ１しらの磁気遷移温度（夫々、キュリ一温度及び
補償４１Ｒ度）が可成り缶い。

磁化容易軸が薄膜：〜の表面に垂直な方向にあるから、
このノ、（板上の２．″Ｔ゛ル９の垂直な磁化の上向き
の磁化と下向きの値化とを用いて「１」及び「０」の形
態で二准情報を記４ｒ＝することができ、従って、この
装置；’ｊ　ｔまディジタルメモリとして用いることが
できる。キュリー小マ１き込みとして知ら扛ている熱ｉ
ｙｌ気的に（’＋Ｖ朝を記録する方法は下記の通りであ
る。ケ１ず薄膜全体を下向に磁化させて、こｎを［０−
１にセットする。そして、情報「１」を記録したい１１
７ｉ　、レーザビームを記録を行なうべきは域に向け、
この時同時に上向きの外部磁界（方向「１」）をかける
。そしてレーザエネルギーにより照射さ２１．た区域が
キュリ一温度に近い温度迄加熱さ′Ｉ″した後、冷却時
に外部磁界の磁化を「トララフコシ、その方向を情ｑｒ
ｌＪを記録するのに適したものにする。情；１１ｒｏＪ
を記録したい時は、母連区域を照射しない。蓋し、初ｊ
ｊｌｌ状態がｒＯＪであるからである。レーザビームに
より照射さ！Ｌない区域をキュリ一温度よりずっと低い
温度に保つか又はイ〒砒力Ｈａを十分大きくす扛ば、′
その何２什の向きは外部磁界をかけても反転さ才しず、
従って下向きの磁ｆヒ（情引ａ［Ｊ）がイＶたわ、る。

記録さｇた（胃報を計Ｙみ１１ｖる時は、直系−イ１司
うＣさ才したブ（、ビームの偏光面を用いて記舒累子を
走査する。

こうすると、読み取ら才したビットの位僅の磁化が「−
」二向き−１であるか「下向き」であるかに依存して、
反射さ２’したビームは一方向又は他方向に偏ツ０而が
回転するのを経１験する（所ｉ８ｉ′Ｉ磁気−光学読み
取り）。

この磁気−光学読、み取りを用いる熱−磁気記録方式の
技術的利用を魅力的なものにするためには、ア１き込み
と、読み取りの両方に関して成る種の条件を゛満足する
必要がある。

Ｓ／付比を十分大きなものにするためには、磁気−光学
回転角と吸収係数との商から成る（Ｒ気−光学性能係数
をできるだけ大きくする）ｚ−要がある。

°しかじ、前述した金居件の磁気−光学相料を用いる時
は、反射における磁気−）°ｏ学性能係数が司成シ低い
。蓋し、反射における磁気−ｙｔ学回転（カー回転）角
Ｃｊ：司１ｊυり小さいからである。また透過式で用い
らｔ”する時も吸収が大きいため磁気−光学ｆｌ：＊ｌ
で作像Ｕ１．小さい。

ガーネットをベースとする磁気−光学材料を用いると？
１餞気−光学性能係数が高くなり、所定の波長レンジで
の透：１ＰＩＶＣ，１′、−いて、非常に高いファラデ
ー回転を呈し、同時に吸収も小さい。しかし、まさにこ
の吸収が小官いために、この稗の材料は書き込みプロセ
スで欠点を有する。即ち、吸収が小さいため勲））＋ニ
ア内での凡の結合、が乏しす。ｆｆ１Ｊち、エネルギー
の伝達が小さい。この結果、この層をキュリ一温度迄加
熱するためには、同じような厚さの金属層におけるより
もずっと大きなレーザパワーを必四とする。Ｊ７・フを
Ｊｒ′Ｉ＜す扛げ元の結合を大きくできるが、／’；’
いｈ１″４には非常に小さなビットを書き込むことがで
きない。この場合、記録密度は適当なもので番よなくな
る。

本発明の目的は、読み取りプロセスではＳ／Ｎ比が十分
高り、■き込みプロセス（こ扛自体で十分効率的である
必要がある）では記。密度が十分高い冒頭に記載した種
類の熱磁気元学式記録装岡を提イＪ（するにある。

本発明によれば、この目的を達５３５するため、冒頭に
記載した種類の熱磁気光学式記録装置におりて、レーザ
源とレーザ源から来た放射組を反射する層との間に磁気
−ブＣ学活性層を設け、この磁気−光学活性層を多結晶
で、Ｆｅ３＋をベースとし、スビネルイ１゛り造を有す
る酸化物利料がら作り、こＩＬをレーザ源と、シ・′−
ザ源から来る放射線を反射する層との間に置きＳ磁気−
光学活性層の厚さを活性層の一表面から戻ってくるレー
ザ源の直純偏元さ扛た放射ｉｊｌ、ｉと、反射層から戻
ってき、活性層を少なくとも２回通シ抜けたレーザ源の
ｉｉＴ紳偏光された放射＋１１との間で破壊的干渉が生
ずるように１♀んだことを特徴とする。

スピネルレオＩ・ｖ造を有し、ε友をベースとするｃｊ
セ化１ンＩのり＋ｔｔ　？ｉ條４゛ｔ＊’！竿二１−の
）ｃ４、例えば、マグネタイト°ＣＦｅ、、０．　）及
び殊に、置換され次又は置換されないコバルトフェライ
ト（ＣＯｘＦｅ８−ｘＯ６）自イ木は住寺別大きな碍包
、−ｊｔ２Ｆ−ファラデー効果やカー効果を示さず、こ
のため磁気−光学装置のＳ／Ｎ比を大きくする必要があ
る時はこね、らｌ′！適当力ものには見えないが１１　
’Ｉ’Ｆ　５’Ｔ７の波長レンジでの特別な＠ＪＬマ係
数のため、ｍｌｌみ取りη゛〒件の点では、金Ｆ５薄膜
を具える光学層４ｆ４’　７１ｔよりもずっと優れ、書
き込み特性の点では、ガーネット薄膜を具える光学層イ
？′り造よりもずっと優！］、たこｎらの層を具える）
Ｙ、学層４Ｉ゛−造を設計することができることが判明
した。

レーザｉｌ＋、Ｔと反射Ｐとの間に１６かｎ１鉄をベー
スとする醇イ］１物の多結晶イイ科から成る磁気−ラ゛
Ｃ学活性ＩＩ゛・１の厚さは、使用されるレーザ源が放
射する放射イ雫の波長を有する反射された放射線に対し
、破壊的干渉が生ずるように選ぶ必要がある。こｎは前
面で（ｉＴ４．４ｆ’０反射さｎ次元仰が、反射層で反
射さｉ′Ｌ磁気−光学活性層を通って戻ってくる）０線
と逆位相に々ることを意味する。この効果はその材オ′
トに４Ｍ−有の、　１ｒ？＜気−ノＬ学活性層のＪワさ
が特定の数値をとる時生ずる。し５かし、このｌｌ’ｊ
さの値が犬きくなると、拵そ気−光学回転は大きくなる
が、反射は小さくなる。この結是、光学層借造で使用さ
牡るべきＩ−のノリさけ一種の妥協で生ずる。一方で値
、」き込みプロセスは光の結合ができるだｌＪり１１＋
率よく行なわｔ１１従って反射ができるだけ／１＼さい
ことを要求する。仙方１ハ１シみＪ１シリプロセス←１
信号があ４９弱くならないことを必要とする。従って、
）′Ｌ学層イト′？蛮に依存するが、反射には一種の下
限が課さ７しる。実用的には、この下限は、向えば、ｌ
。

％である。

今の用途に非常に適した今日得ら１１．るレーザはＡＩ
ＧＦＸＡｓ　ｖ−ザであつ−ｒ、こｎは７３０　ｎｍ〜
８７　Ｕｎｍ　ノｅ　ｕ　レンジでｈ’を射線を放出す
る。オプションとしテｉｊ、約６３０ｎｍのレンジＴ　
ｆｉｉ＋Ｊ作するＨｅ−Ｎｅレーザも考えることができ
る。

４００〜９００１ｍの波長レンジでの吸収係邦／が好適
々ため、実際にも、スピネル４７’？造を４１し、Ｆｅ
　をベースとする酸化物相料、例えば、Ｍｊｌ　ｎ［：
マグネタイト及ヒコバルトフェライトで／ｉ　ｎｒｌ　
１７１Ｓシた眉税化（妥協）が得ら肛るが、今の目的の
ためには吸収が低すぎるガーネットをペースとする材料
や、吸収が高すぎる金Ｆ利料では前スホした妥協は得ら
れない。

反射層は屈折率が交互に高くなったシ低くなったりする
二λ層から成る多層誘電体（ダイクロイツクミラー）又
は金居層（例えば、ＭＳＡＬ又はＡｕ　）　　とするこ
とができる。しかし、金属反射層の場合は、熱磁気Ｗ’
き込みの時、金Ｊｆｆｉ層へ、そして金ＲＫ層を通シ抜
ける熱伝導度が大きく１十分小さいパワーで十分小さい
ビットを店き込むことができない。そこで本発明の好適
な一実施例は、磁気−光学活性ｈ７Ｊと反射層との間に
レーザ源からの放射Ｉｖｔ、Ｈに対し透明なＲｆ５電体
材料から成る熱絶縁性の層を箇き、この熱Ａｅ＋縁件の
層の元学的厚さｎｔを、−Ｎ′５Ｃ［ｉ＜とし、λをレ
ーザ源から出る放射線の波長とし、ｎ及びｔを夫々誘電
体材料層の屈折率及び厚さとした時ｉ×λに等しくした
ことを特徴とする。而して、熱絶縁層の厚さ、従って書
き込み感度の増大は６３．（気−光学活性層による破壊
的°干渉が乱さ２しないようなものである。

上述し次子法の要旨は、付き込みプロセスにも読み取り
プロセスにも一つのレーザ源（従って、一つの波長）を
用いる時、読み取り信号だけでなく１き込み感度も通常
の磁気−光学装置ＦＴに比べて大六くなることである。

誘電体中間磨け、その熱絶縁機能の仙に、層借造のう“
Ｃ学的性能を向上させるのにも役立ち得る。

多結晶の磁気−光学活性層が粒状構造を有する時（コｔ
Ｌｌｉスパッタリングプロセスで活性７ｅ３を設ける場
合よシもスプレー法で活性層を設ける場合である）は翫
その上に−Ｖ清な、りＶ電体Ｉ合（屈折率がほぼ同じで
ある。）を設けると、粒状性が抑えらＩＬるためであろ
うが雑音を生ずる。

スピニングプロセスにより砒気−光学活性Ｍ　ノ上に適
当な表面張力を有する糾電体材料を設けることによシ、
次の段階で上に反射層を設けら扛る上記活性層の上面を
非常に平滑にすることづ）ぶてきる。こｎによシ反射層
で散乱現象が生ずるのが最大限回避できる。スピン性能
の点から見て中間層として適当な材料は重合さ几た合成
樹脂、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリイミドイ１１１脂及びポリアクリ
レート樹脂である。

Ｒ’Ｑ電体Ｉ判のＩＴＩ祈率が磁気−）°ｃ学材料の屈
折率と１５％以下しか３β、わない場合は、磁気−光学
活性層の「相い１表面で反射がほとんど起こらない。

こｎによっても雑音の発生が抑えられる。屈折率が溝肖
であるという点から見て、例えば、ｃｅ。

（ｎ　〜２．７　’）及びＺｎＳ　（ｎ　〜２．４　）
がコバルトフェライト（ｎｍ２．７）の磁気−光学活性
層と組み合わせて使用さｎるｔηｔｉｔ体中間層の材料
として考えら７Ｌる〇 本発明は、殊に、回転自在のディスクの形態をした記録
媒体を治する上述した熱磁気光学式メモリ装置に閂する
ものである。

一例として１シｊ而につき本発明の一実施例を説明する
〇 第１＋ｇ＜１は熱値気光学式記録装置を示すが、こｎは
６シシ釘要素１を有し、この記録要素１が軸脚２を゛中
心として回転するよう姉示されている。レーザ源８を記
録要素１の表面４・の上方にいくらかの距離をおいて配
慮する。レーザ源３け、例えば、７８０ｎｍと８７　（
ｌ　ｎｍとの間の範囲の波Ｆをイ〕する光を放出できる
ＡｔＧａＡｓダイオードレーザとする。

特ｆ［１７９ｆｊ　　（ｃｈａｒａ、ｃｔｅｒｉｓｔｊ
−ｃ　　ｗａｖｅ　　ｌｅｎｇｔｈ　　）　　　ＬｒＪ
’ｙｓｏｎｍである。このようなレーザｔ／Ｊ、小さく
、記録要素に対しく例えば半径方向に）動かせるように
装（ｇするのに適している。

レーザ源８から出た光はレンズ５．６を具えるレンズ系
により記録要素１の点Ｐに合焦さぜら２Ｔ。

る０このｙし路内に個九子７（少なくとも読取り禍程に
おいて）と、点Ｐで反射さ才１．た元の一゛部を検出装
置９の方に向け、合焦を正しくなるように制御する半透
！ｆＱｓ（Ｔ＝９ｏ％）と、点Ｐ　テ反ＩＪｔ　サ１’
した砕の光の一部を検ノし子１１とレンズ１２とを介し
てＸ定検吊器１８（例えば、Ｓ１アバランシ検出器）に
向ける牛透鏡１０（Ｔ＝７５係）とをＩ？ｖく０店き込
み過程では、レーザ源８から出て合焦させら１′Ｉ、た
放射線を用いて記録要素ｌの磁気−元学的活性層１６（
第２図参照）内の選択された情報、１易所を加熱するの
に用いる。この磁気−光学活性層Ｊ６はそのギュリ一温
度に近い温度迄加熱してＭの方向に予め磁化しておく。

未置換コバルトフェライトのｑ′ヶ性キュリ一温度は約
５２００である。この温度上昇と８０ｋＡ／ｍのオーダ
ーの逆磁界Ｍ′が発生するコイル１４の付勢とが加わる
と冷却時に照射さ２Ｖ、た情報場所の磁化を反転させる
のに十分になる。

Ｉｊ７１：み１１又りＡ　Ｋ早でも巨１じレーザγ１α
３を用いるが、反射に１ｊ７．　、Ｐなだけの低い出力
にする。記録−要素１に入射するｌｌ′ｌにが偏）゛じ
さ扛た元ビームの偏光面は反射後成る角度だけ回転させ
ら几る。「０」又はｒｌＪの存在に依存してこの回転は
ホトダイオード１８の手前に配置１−１さｎ、た検光子
１１によシ強度の差に変換さ扛る。１！ｊき込み出力を
低クシ、そ扛でいて磁気−光学へ１１果を最大にするた
め、本発明に係る記録要素１は非常に！１芋殊な組成と
厚さとを有する磁気−光学活性層を反射層と組み合わせ
て構成さ几る。

第２図は、例えば、アモルファスＳｉＯ□から成る非磁
性体の基板１５の上に磁気−ノし学活性層１６を設けた
ところを示す。本発明の範囲内では、磁気−光学活性層
１６はＦｅ８＋をベースとし、スピネル借造を有する、
例えば、Ｆｅ、０．又はＣ０ＸＦｅ８．−ｘＯ６のよう
な多結晶酸化物利料から成る。ν下では一例としてＣ０
ＸＦｅ８−ｘＯ６（コバルトフェライト）型の材料につ
き説明する。こｎらの多結晶月料は、殊に吹伺はプロセ
スにより、今の用途に対し十分広い面積に十分大きな厚
み方向の磁気異方性を与えることができる。こｔ″Ｌ、
は、例えば、（坪結晶）ガーネット材料と対照的である
。棟た、問題となる波長領域（７８０〜８７０ｎｍ）で
、こｎらの吸収は岩き込み過程についても読取り過程に
ついても好適である。磁気−Ｘ学活性層１６の厚さｄは
使用さ扛るレーザ源８の波長と、磁気−）゛Ｃ学活性Ｒ
１１６の相科の吸収とに正確に整合させ、基板１５と磁
気−光学活性層１６との境界で反射さ扛るビーム１９ａ
が（金属の）反射層１８で反射さ才した後戻ってくるビ
ーム２ｏ、２１．２２等とが破壊性の干渉をするように
する。磁気−光学活性層】６での吸収並びに反射１層１
８及び境界１５／１６での反射率が１に等しくないため
、元ビームの強さが次第に小さくなる。磁気−光学活性
層１６と反射１句１８との間に用いらｎる波長に対し透
明で、上記の破壊性の干渉を乱さない厚さｔを有する熱
絶θ性の誘電体層１７を設ける。

１シ１示したイ（′・旨；キでは、基板１５を介して）
“Ｃが磁気−光学活性層１６に入射するようになってい
るが、元が１へ接４＋８気−冗学活性層に入射するよう
な構造にすることも可能である。この場合は、反射層を
基板と磁気−光学活１′に層との間に設ける。

未置換コバルトフェライトを用い、入射する元ビームの
波長がλ＝７８０ｎｍの場合、ｄは約００２２μｍ　Ｋ
　；”、＋、ぶと好】箇である。この理由を第３図につ
き説明する。この第３図は、第２図に示したよう外層棺
ｊ造を用い、そこで磁気−光学活性層１６を０ｏＦｅ　
２０．とする」ノミ自・、２倍磁気−光学回転角２θが
非常にダｌｉ　＜　Ｊすさｄ１即ぢｄの値が破壊的干渉
が生ずるようなものであるか又は非破壊的干渉が生・す
るようなものであるかに依存する仁とを示している。破
壊的干渉はｄの値が０゜２２μｍのＰヤ起こり、そｎは
５’Ｃビームの「複屈折Ｊ　（ｄｕｂｂｅｌ−ｖｏｕ、
ｗｅｎ　）の問題だけでなく、複屈折の時は回転角はフ
ァラデー回転角の２倍以下であり、層のＪＩ７さが１１
　、２２μｍの時ｉｊ１．６°である事実から生ずる。

しかし、五Ｆケ吟的干渉のため、３．８°の回転角が観
？Ｊ１！Ｉされている。ＪＪｍ大値２θ＝８゜８°はθ
＝Ｏ０２２７７ｍの時生じ、偉大値２θ＝８°はｄ　＝
　０．３７１ｌｒｎの時生ずる。而してこ几らの回転角
の極大値（・よ反射の１１ＩＬＬ／Ｊ−値を伴なう。ｄ
＝　０．２２μｍの時、反射率Ｒは２０％であり、ｄ　
＝＝　（１，３７μ７ｎの時Ｒは６％である。そして、
最も好適な妥協は、本例では、層１６のノワさが約０゜
２２　Ｂｍの時得ら扛ることか判明している。そ才し敗
軍３図は所望の反射率に依存して層１６の厚さを回転角
２θが極大になるように選ぶことができることを示して
いる。

光学定数が例として上に挙げた未置換コバルトフェライ
トと異なる相打のＳ片は状況が全く異なる。第４図は磁
気−光学活性層として組成Ｃ０Ｊｉ□ｅＡｔ　Ｏ（キュ
リ一温度を下げるためにＡ　ｔ　”十１，４　　０．６
　４ をＦｅ　　でＴＮ抑している）の層を有する層イｆり造
の場合ＶＣハ、回転角の不１に大はノ？さｄ、　＝　０
．２４１ｔｙｎ　（２θ＝＝ｌＪｌｊ、°）とｄ　＝　
ｆ＋、４］　ｔｔｍ　（２θ＝３．２°）の時生ずるこ
とを示している。こｔＬに伴なう反射ｉ、ｚＩ／′ｉヲ
ξ々４０％及び２０％である。

第２図につき注Ｘ′ｉすべかことは、金應利料（例えば
、Ａｔ５Ａｙ又けＡｕ　）　　の反射層１８を用いる場
合（Ｌ−１、：’、”ＨＶ＋Ｆ；’＜’ｌ’ＩＩ（７）
　ｉＶｍｒ、体層１７　ｏｇｒｐ　ｉｆ例、！ｔハＬ’
−ザにより１１ｔｙｎφのスポットを書くことができる
のにノビ（Ｚｑ：、’な書き込み能力を下げることであ
る。熱絶ｆ＊（！ｌ：の諷霜、体層１７の厚さｔはビー
ム１９ａｓ２０．２１及び２２間の破壊的干渉が乱さ２
１ないように捜ぶづりｙがある。熱絶縁性の誘電体層１
７が５ｉｎ２からｈυる１（〒は、前述した数値例（１
？１１６のＩＡ　Ｊｊ’ｔ、　：　未１ｒＩｊ換コバル
トーフエライト、λ＝７８０ｎｍ　ｓ　ｄ　＝　０．２
２　、＃ｍ、　）　　Ｔ　ｔ（６約０．２ｆｉ　μｍ又
はその整数倍に１′ｆ８ぶ必要がある。（金屑）反射層
１８の厚さは少なくとも５００λ必要である。

熱Ｉｉ′科、ζ性の誘１梶体ハ４１７を磁気−光学活性
層１６上に液相からスピニング（ｓｐｉｎｎｉｎｇ）　
　ｉルことＵ、反射層１８が合作反射層でなく、誘箪体
反射層であり、従って中間のρ（相に・ケ１で１．０話
１お体層の咀甥件が低い場合には、平滑な反射面２３を
得、この−ヒに反射層１８を設ける上で治；Ｔｌｊなこ
ともある。反射面２３が平滑であるＪ′−１雑音は低い
。

熱超町縁件の誘はｆ本？Ａ１７をスピニングすることと
′Ｓ、紹み合わせ又は和み合わせず、熱絶縁性の「：秀
１１ル体層１７の月利として屈折率ｎができるだｊｔ　
ｒｉ仔気−光学活性層１６の相１Ｆの屈折率と近い材ｒ
１を用いることができる（例えは、コバルトフェライト
のＪＩｉｔ折率はンＪυ長ス＝８００ｎｍで約２゜７で
ある）。

ＴＮ　５１＊＋　ｉ、ｔ　０ｏＦｅ、Ｏ，層のノηさが
１１り長λ＝　７　Ｆ３　＋ｌ　ｒｏｍに対し清浄化さ
ｎているｃｏＦｅ２ｏ４同を不するｆ※層構造反射スペ
クトルの一例を示したものであり、第ａ　［ＲＩは１．
その回転スペクトルを示したものである。

明らかに、反射スペクトル（極小）も回転スペクトル（
イ・散大）もλ＝７１３０ｎｍでピークを呈する。

そｎ故、このような層構造を波長が７８０ｎｍからず才
している九を放射するレーザ源と組み合わせて用いると
すると、最適化は問題外となってしまう。

なお、こ扛らのスペクトルは元を磁気−光学活性層Ｊ６
に直接入射させて沖１定したものであり、第５図に示し
たように、反射層１８は基板１５と磁気−光学活性層１
６との間に設けた。

第７図’ｒｊ：　ＣＯＦｅ　２０４層を有し、このＣｏ
Ｆｅ、Ｏ，層の厚さが波長λ＝０８０ｎｍに対し１β゛
適化さ１．ている層イ、す、造の反射スペクトルの一例
を示したものであシ１第８図は・その回転スペクトルを
示したものである。この場合も、元を磁気−光学活性層
１６に１ｒ１接入射させて泪１］定したスペクトルにＳ
１ａ著なピークがみら１゛１．る。

注音すべきこと６；Ｊｌ、Ｉ外装とあらば、ＣｏｘＦｅ
８□Ｏ。

のＦｅ　　イオンに代えて他のイオンで置換し、キュリ
ー？ｌ！ｉｔ　ｌμ二を下げることができることである
。ここで考えら２するイオンは、例えば、Ａｔ８＋、ａ
ｈ８＋、８＋ Ｍｎ　　及びＣｒ　　である。しかし、キュリ一温度が
下がると、イ丑化、従って室温での回転角も小さくなる
。こ扛が望寸しくない場合は、上述した置換イメンの代
りに（Ｃｏ　　→−Ｋ）で１１４換することができる。

但し、Ｘけ四価又は五価の金；・１イオン（例えば、Ｔ
ｉ４＋、Ｓｎ″、１ｒ″、ｖ”−＞−ｃある。この場合
も、宰渦での磁化が小さくなるが、この欠点は回転角が
僅かながらも大きくなることで抑えら）上る。

【図面の簡単な説明】

第１５図は熱磁気元学式記ｆｆ１装向の略図・第２図は
本発明に係る熱磁気元学式記１ｉｊ装僧゛用の記録素子
の、断面図、 第３図及び第４図に２種＋＋、ｒＨの組成での、研勺、
−光学活性層の厚さの門Ｗとしての第２図に示したＨ「
：釘素子の２倍イＩＪ、気−元学回転角２θ（１７３で
示す）と反射率Ｒ（％で示す）のグラ】の図、第５図及
び第６図は夫々、７８０ｎｍのレーザ佇と組み合わせて
使用すると最適な記録素子の反射スペクトルと回転スペ
クトルの図、 を化７図及び第８図に夫々６８０ｎｍのレージ源と組み
合わ一ヒて使用すると最縞な記録素子の反射スペクトル
と回Ｉ１１ヘスベクトルの図である。 １・・・記録安素　　　　　２・・・軸脚３・・・レー
ザ源　　　　　４・・・記録要素の表面°５．６・・、
レンズ　　　　７・・・偏ｙｃ、　子８・・、半透６５
））・・・検出装置 １０・・・半ｔフオ錦　　　　　　１１・・・検光子１
２・・・レンズ １３・・・ノい：Ｉ、検出器（ホトダイオード）１４・
・・コイル　　　　　　１５・・・基板Ｈｉ・・・（Ｉ
Ｉ（気−〕に学活性層　　１７・・・熱絶縁性の誘′ｉ
、体層 １８・・・反射層　　　　　　１９〜２２・・・ビーム
２３・・・反射面。 ’ｌ’：ｒ　ｉｔ’１出）、Ｈ（ｉ人　　エヌ・ベー・
フィリップス・フルーイランペンファブリケン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　磁気−光学活チ゛１゛屑を川う基板を有する記録素
   子と、レーザ放射線源と、このレーザ源から出た放射絆
   を記録素子の選択された場所に合ス（テさせる手段と、
   偏九光学系と充電検出器とを具え、磁気−）′Ｃ学活性
   層から戻ってくる放射線の通Ｆ１′８ｒりに置か１しる
   磁気−光学検出手段とを具４４１する熱磁気光学式記録
   装置において、 磁気−ｙじ学活性層を多結晶で、Ｆｅ　　をベースとし
   、スピネル４ｆｌ造を有する酸化物材料がら作り、こｔ
   Ｌをレーザ汀と、レーザ源から来る放射線を反射する層
   との間に置き、磁気−光学活性Ｒ’Ｊの厚さを活性層の
   表面から戻ってくる′−ザ源のｆ丁腺偏元された放射線
   と、反射Ｒ；から戻ってき、活性層を少なくとも２回ｊ
   １１り抜けたレーザ汀の直糾偏元さ扛た放射線との間で
   破壊的干渉が生ずるように♂」んだことを特徴とする熱
   磁気５Ｙ、学式記録装買。 Ｐ、　磁気−光学活性層と反射層との間にレーザ源から
   の放射ｆｆ１βに対し誘明な誘電体利用から成る熱絶縁
   性の層を置き、この熱絶縁性の層のりし学的Ｊ〒、さｎ
   ｔを、Ｎ−１Ｑ数とし、λをレーザ源から出る放射線の
   波長とし、ｎ及びｔを夫々誘電体材料層の屈折率及び厚
   さとした時凡×λに等しくしたことを特徴とする特許詰
   求の範囲第１項記載の熱磁気５’ｆ；学式記録装置◇＆
   　誘ｔｉ’ｉ、体眉料の層を液体をスピニングして薄１
   １１′４を形成し、この液体れデ脱を同化することによ
   り形成した祠料から成るようにしたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項又はＰ１１２項記載の熱碌気光学式
   記録装Ｆ７．　。 ４　銹電体旧科を重合さｎた合成樹脂から成るようにし
   たことを特徴とする特許請求の範囲ＭＳｌＪ４記載の熱
   磁気光学式記録装置。 Ｋ　　４００ｎｍから９００ｎｍのレンジで選択された
   波長での熱絶縁性の層の屈折率を上記選択されたＰ長で
   の磁気−光学活性層の屈折率から１５％以下しか違わな
   いようにしたことを特徴とする特許請求のれ四組２項記
   載の熱磁気光学式記録装置こｔ。 ６　磁気−ｙ６学活性ＪＦｊがコバルトフェライトから
   成るようにしたことを特徴とする特８′ｒ諸求＼ の範囲前記各項のいず２１．かに記載の熱磁気光学式記
   録装置。 ７、　レーザ源が７３０ｎｍと８７０ｎｍとの間の波長
   を有する放射線を出力するようにしたことを特徴とする
   ／侍ｔ′「請求の範囲前記各項のいずｎかに記載の熱磁
   気光学式記録装置。 ８　基板を回転自在のディスクとしたことを特徴とする
   １Ｆｆｉｔγ請求の範囲前記各項のいず７’Ｌかに記載
   の熱磁気光学式記録装置。 ９．１１テ許請求の範囲前記各項のいずｎかに記載の熱
   （、産気ｙ（、学式記録装置１♀用の記録媒体。 １０、　　Ｆｅ”＋をベースとし・スピネルＳ造を有し
   ・多結晶の酸化物（４料で作り、厚さが５０　ｎｍと５
   ０　＋ｌ　ｎｍとの間にある磁気−光学活性層を有する
   １１寄許ｆｆ青求の範囲第９頷記載の記録々ｔ＾体。 １１　　厚さを約２２０ｎｍにしたことを特徴とする特
   許ＭＹＩ求の範囲第１０項記載の記録ρ％ｌ休。