JPS5979805A - 距離センサ - Google Patents
距離センサInfo
- Publication number
- JPS5979805A JPS5979805A JP19155082A JP19155082A JPS5979805A JP S5979805 A JPS5979805 A JP S5979805A JP 19155082 A JP19155082 A JP 19155082A JP 19155082 A JP19155082 A JP 19155082A JP S5979805 A JPS5979805 A JP S5979805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- radius
- distance
- lens
- condensing lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は距１唯センサに関するものである。
従来の距離センサは１．瀉１図に示すように、半導体レ
ーザー等の発光素子１と受光素子２とを非富に接近させ
て一体化し、この発光素子１および受光素子２を投光・
集光レンズ３の光軸上に位置させ、発光素子１からの平
行なスポット光を投光・集光レンズ３を通して対象４の
表面に照射し、対象４の表面からの反射光を投光・鳴光
レンズ３を通して受光素子２により受光し、受光素子２
の受光信号Ｖを受光信号増幅器５で増幅して補正回路６
に加えることにより距離信号を得るようになっている。
ーザー等の発光素子１と受光素子２とを非富に接近させ
て一体化し、この発光素子１および受光素子２を投光・
集光レンズ３の光軸上に位置させ、発光素子１からの平
行なスポット光を投光・集光レンズ３を通して対象４の
表面に照射し、対象４の表面からの反射光を投光・鳴光
レンズ３を通して受光素子２により受光し、受光素子２
の受光信号Ｖを受光信号増幅器５で増幅して補正回路６
に加えることにより距離信号を得るようになっている。
このような距離センサは、対象４からの反射光が受光素
子２上で焦点を結ぶときに受光信号Ｖが最大となり、対
象４の位置が変化して反射光の焦点が受光素子２の前後
どちらに移動しても、受光素子２の大きさが制限されて
いるため、受光信号Ｖが低下し、対象４の位置Ｘと受光
信号Ｖとは第２図に示すような関係をもって変化するこ
とになる。
子２上で焦点を結ぶときに受光信号Ｖが最大となり、対
象４の位置が変化して反射光の焦点が受光素子２の前後
どちらに移動しても、受光素子２の大きさが制限されて
いるため、受光信号Ｖが低下し、対象４の位置Ｘと受光
信号Ｖとは第２図に示すような関係をもって変化するこ
とになる。
上記距離センサによる対象４の距離測定は、投光・集光
レンズ３の中心から一定の距離（測定範囲の一端）の基
準面４′に対して発光素子１から光を照射し、゛基準面
４′からの反射光（実線矢印）を受光素子２で受光し、
発光素子１および受光素子２を投光・集光レンズ３の光
軸上で前後に微動させることによシ受光信号Ｖが最大と
なる位置（反射光の焦点）を見つけ、発光素子１および
受光素子２をこの位置からいずれか一方向に所定量（１
ΔＸ：ΔＸは測定範囲を示す）だけ移動させて測定原点
（基準面から一定の距離にある点）ｘｏにおける受光信
号Ｖ。を得、この受光信号Ｖ。を受光信号増幅器５を介
して補正回路６に入力してオフセットゲインを求めてお
き、対象４に発光素子１から光を照射し、その反射光（
破線矢印）を測定原点Ｘ。
レンズ３の中心から一定の距離（測定範囲の一端）の基
準面４′に対して発光素子１から光を照射し、゛基準面
４′からの反射光（実線矢印）を受光素子２で受光し、
発光素子１および受光素子２を投光・集光レンズ３の光
軸上で前後に微動させることによシ受光信号Ｖが最大と
なる位置（反射光の焦点）を見つけ、発光素子１および
受光素子２をこの位置からいずれか一方向に所定量（１
ΔＸ：ΔＸは測定範囲を示す）だけ移動させて測定原点
（基準面から一定の距離にある点）ｘｏにおける受光信
号Ｖ。を得、この受光信号Ｖ。を受光信号増幅器５を介
して補正回路６に入力してオフセットゲインを求めてお
き、対象４に発光素子１から光を照射し、その反射光（
破線矢印）を測定原点Ｘ。
における受光素子２からの受光信号Ｖを得、この受光信
号Ｖ。と受光信号Ｖ。との差を求めることにょシ行う。
号Ｖ。と受光信号Ｖ。との差を求めることにょシ行う。
しかし、このような距離センサは、光量の変化によって
対象４までの距離変化を求めているため、対象４の反射
光量が常に一定である必要があり、反射光量が変化した
場合には測定できなかった。
対象４までの距離変化を求めているため、対象４の反射
光量が常に一定である必要があり、反射光量が変化した
場合には測定できなかった。
また、反射光量に影響されるため、測定精度が低かった
。
。
したがって、この発明の目的は、対象の反射光量が変化
しても精度よく距離測定を行うことができる距離センサ
を提供することである。
しても精度よく距離測定を行うことができる距離センサ
を提供することである。
この発明の一実施例を第３図ないし第５図に基づいて説
明する。この距離センサは、第３図に示すように、−次
元型半導体装置検出器（５１３５２：浜松テレビ株式会
社製）８の長手方向の一端部に半導体レーザー等の発光
素子７を同じ方向を向けて一体化し、投光・集光レンズ
９の光軸上に発光素子７を配置するとともに一次元型半
導体装置検出器８を受光面が光軸と直光するように配置
し、発光素子７からの平行なスポット光を投光・集光レ
ンズ９を通して対象１００表面に照射し、対象１０の表
面からの反射光を投光・集光レンズ９を通して一次元型
半導体装置検出器８で受光し、この−次元型半導体装置
検出器８の第１出力信号および第２出力信号を演算回路
１１に加えて演算を行うことにより一次元型半導体装置
検出器８の受光面上に照射されるスポット光の径方向の
重心位置を示すスポット重心位置信号を得、距離演算回
路１２においてスポット重心位置信号をもとにしてスポ
ット光の半径を求め、さらに幾何学的演算を行って距離
信号を得るようになっている。
明する。この距離センサは、第３図に示すように、−次
元型半導体装置検出器（５１３５２：浜松テレビ株式会
社製）８の長手方向の一端部に半導体レーザー等の発光
素子７を同じ方向を向けて一体化し、投光・集光レンズ
９の光軸上に発光素子７を配置するとともに一次元型半
導体装置検出器８を受光面が光軸と直光するように配置
し、発光素子７からの平行なスポット光を投光・集光レ
ンズ９を通して対象１００表面に照射し、対象１０の表
面からの反射光を投光・集光レンズ９を通して一次元型
半導体装置検出器８で受光し、この−次元型半導体装置
検出器８の第１出力信号および第２出力信号を演算回路
１１に加えて演算を行うことにより一次元型半導体装置
検出器８の受光面上に照射されるスポット光の径方向の
重心位置を示すスポット重心位置信号を得、距離演算回
路１２においてスポット重心位置信号をもとにしてスポ
ット光の半径を求め、さらに幾何学的演算を行って距離
信号を得るようになっている。
演算回路１１は、具体的には第４図に示すように、−次
元型半導体装置検出器８の第１出力信号および第２出力
信号（電流信号）を演算増幅器ＯＰよ。
元型半導体装置検出器８の第１出力信号および第２出力
信号（電流信号）を演算増幅器ＯＰよ。
ＯＦ２で電圧変換して出力Ｉ工ｅ Ｉ２を得、出力Ｉ工
ｍ Ｉ２をアナログ加算器にで加算して出力Ｉ工＋Ｉ２
を得るとともに、出力■０．Ｉ２をアナログ減算器Ｇで
減算力Ｉ工＋１２を加算信号Ｐとして取出すとともに、
正取り出している。
ｍ Ｉ２をアナログ加算器にで加算して出力Ｉ工＋Ｉ２
を得るとともに、出力■０．Ｉ２をアナログ減算器Ｇで
減算力Ｉ工＋１２を加算信号Ｐとして取出すとともに、
正取り出している。
距離演算回路１２は、演算回路１１からのスポット重心
位置信号Ｐをもとにスポット光の半径ｒを求める。スポ
ット光の重心位置がわかればスポット光の半径はテーブ
ルにより簡単に求めることができる。すなわち、スポッ
ト光の径方向の光強度は例えば第５図に示すようにガウ
ス分布しており、スポット光の半径ｒに対してスポット
光の重心位置Ｐ′は一定の関係にあり、重心位置Ｐ′が
わかれば半径ｒは簡単に求められる。
位置信号Ｐをもとにスポット光の半径ｒを求める。スポ
ット光の重心位置がわかればスポット光の半径はテーブ
ルにより簡単に求めることができる。すなわち、スポッ
ト光の径方向の光強度は例えば第５図に示すようにガウ
ス分布しており、スポット光の半径ｒに対してスポット
光の重心位置Ｐ′は一定の関係にあり、重心位置Ｐ′が
わかれば半径ｒは簡単に求められる。
半径ｒにもとづいて投光・集光レンズ９の中心と対象１
０までの距ｒｓ、Ｌを求める演算はつぎのとおシである
。すなわち、−次元型半導体装置検出器８の置かれた場
所におけるスポット光の半径ｒと、投光・集光レンズの
半径Ｒと、投光・集光しンズ９の中心から一次元型半導
体装置検出器８までの距１１１１Ａのデータを与えると
、反射光の投光・集光レンズ９による焦点と投光・集光
レンズ９の中心との距離ａは Ａ −ｒ で求まる。したがって、対象１０と投光・集光レンズ９
の中心との距離りは、投光・集光レンズ９の焦点距離を
ｆとすると 、（２＋ｒ で与えられる。ここで、Ｃ工およびＣ２は測定系によっ
て与えられる定数である。
０までの距ｒｓ、Ｌを求める演算はつぎのとおシである
。すなわち、−次元型半導体装置検出器８の置かれた場
所におけるスポット光の半径ｒと、投光・集光レンズの
半径Ｒと、投光・集光しンズ９の中心から一次元型半導
体装置検出器８までの距１１１１Ａのデータを与えると
、反射光の投光・集光レンズ９による焦点と投光・集光
レンズ９の中心との距離ａは Ａ −ｒ で求まる。したがって、対象１０と投光・集光レンズ９
の中心との距離りは、投光・集光レンズ９の焦点距離を
ｆとすると 、（２＋ｒ で与えられる。ここで、Ｃ工およびＣ２は測定系によっ
て与えられる定数である。
このような距離センサは、対象１０からの反射光が一次
元型半導体装置検出器８上で焦点を結ぶときにスポット
光の半径ｒが最小となり、反射光の焦点が一次元型半導
体装置検出器８０前後どちらに移動しても、スポット光
の半径が大きくなる。
元型半導体装置検出器８上で焦点を結ぶときにスポット
光の半径ｒが最小となり、反射光の焦点が一次元型半導
体装置検出器８０前後どちらに移動しても、スポット光
の半径が大きくなる。
したがって、上記距離センサによる対象１０の距離測定
は、投光・集光レンズ９の中心から基準面１０′に対し
て発光素子７から光を照射し、基準面１０′からの反射
光（実線矢印）を−次元型半導体装置検出器８で受光し
、発光素子７および一次元型半導体装置検出器８を投光
・集光レンズ９の光〜上で前後に微動させることにより
加算１言号Ｐが最小となる点（反射光の焦点）を見つけ
、発光素子７および一次元型半導体装置検出器８をこの
点からいずれか一方向に所定量（測定範囲内で反射光が
一次元型半導体装置検出器８上に焦点゛を結ばないよう
にする友め）だけ移動させ、この点における投光・集光
レンズ９の中心から一次元型半導体装置検出器８までの
距ＭＡを求め、対象１０に発光素子７から光を照射し、
その反射光（破線矢印）を−次元型半導体装置、検出器
８に照射し、この−次元型半導体装置検出器８の第１出
力信号および第２出力信号を演算処理することによシス
ポット光の重心位置Ｐ′を求め、これをもとにスポット
光の半径ｒを求め、上記した幾何学的な互層演算を行う
と、投光・集光レンズ９の中心から対象１０までの距＠
Ｌを求めることができる。
は、投光・集光レンズ９の中心から基準面１０′に対し
て発光素子７から光を照射し、基準面１０′からの反射
光（実線矢印）を−次元型半導体装置検出器８で受光し
、発光素子７および一次元型半導体装置検出器８を投光
・集光レンズ９の光〜上で前後に微動させることにより
加算１言号Ｐが最小となる点（反射光の焦点）を見つけ
、発光素子７および一次元型半導体装置検出器８をこの
点からいずれか一方向に所定量（測定範囲内で反射光が
一次元型半導体装置検出器８上に焦点゛を結ばないよう
にする友め）だけ移動させ、この点における投光・集光
レンズ９の中心から一次元型半導体装置検出器８までの
距ＭＡを求め、対象１０に発光素子７から光を照射し、
その反射光（破線矢印）を−次元型半導体装置、検出器
８に照射し、この−次元型半導体装置検出器８の第１出
力信号および第２出力信号を演算処理することによシス
ポット光の重心位置Ｐ′を求め、これをもとにスポット
光の半径ｒを求め、上記した幾何学的な互層演算を行う
と、投光・集光レンズ９の中心から対象１０までの距＠
Ｌを求めることができる。
このように、この実施例は、幾何学的に距Ｆ＠Ｌを求め
ているため、対象１００反射率の変化に影響されること
がなく、簡単な構成で非接触で高精度でかつ高速で距離
測定を行うことができる。
ているため、対象１００反射率の変化に影響されること
がなく、簡単な構成で非接触で高精度でかつ高速で距離
測定を行うことができる。
以上のように、この発明の距離センサは、投光・集光レ
ンズと、この投光・集光レンズの光軸上に設置されて平
行なスポット光を光軸に沿って前記投光・集光レンズの
向こう側の対象の表面に照射する発光素子と、この発光
素子を受光面の一端に固定し前記受光面が前記光軸と直
交して前記投光・集光レンズと対面し前記対象の表面か
らの反射光を受光する一次元型半導体装置検出器と、こ
の−次元型半導体装置検出器の第１出力信号および第２
出力信号をもとにスポット光の半径を算出するスポット
光半径算出手段と、このスポット光半径算出手段により
算出したスポット光の半径をもとに所定の演算を行う距
離演算手段とを備えているので、対象の反射率の変化に
影響されることなく精度良く距離測定を行うことができ
るという効果がある。
ンズと、この投光・集光レンズの光軸上に設置されて平
行なスポット光を光軸に沿って前記投光・集光レンズの
向こう側の対象の表面に照射する発光素子と、この発光
素子を受光面の一端に固定し前記受光面が前記光軸と直
交して前記投光・集光レンズと対面し前記対象の表面か
らの反射光を受光する一次元型半導体装置検出器と、こ
の−次元型半導体装置検出器の第１出力信号および第２
出力信号をもとにスポット光の半径を算出するスポット
光半径算出手段と、このスポット光半径算出手段により
算出したスポット光の半径をもとに所定の演算を行う距
離演算手段とを備えているので、対象の反射率の変化に
影響されることなく精度良く距離測定を行うことができ
るという効果がある。
第１図は従来の距離センサの構成図、第２図はその対象
の位置と受光素子出力との特性図、第３図はこの発明の
一実施例の構成図、第４図はその要部の具体的なブロッ
ク図、第５図はその動作説明図である。 ７・・・発光素子、８・・・−次元型半導体装置検出器
、９・・・投光・集光レンズ、１０・・・対象、１１・
・・演算回路、１２・・・距離演算回路
の位置と受光素子出力との特性図、第３図はこの発明の
一実施例の構成図、第４図はその要部の具体的なブロッ
ク図、第５図はその動作説明図である。 ７・・・発光素子、８・・・−次元型半導体装置検出器
、９・・・投光・集光レンズ、１０・・・対象、１１・
・・演算回路、１２・・・距離演算回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 投光・集光レンズと、この投光・集光レンズの光軸上に
配置されて平行なスポット光を光軸に沿って前記投光・
集光レンズの向こう側の対象の表面に照射する発光素子
と、この発光素子を受光面の一端に固定し”前記受光面
が前記光軸と直交して前記投光・集光レンズと対面し前
記対象の表面からの反射光を受光する一次元型半導体装
置検出器と、この−次元型半導体装置検出器の第１出力
信号および第２出力信号をもとにスーポット光の半径を
算出するスポット光半径算出手段と、このスポット光半
径算出手段によシ算出したスポット光の半径をもとに次
式の演算を行う距離演算手段とを備えた距離センサ。 友だし、Ｌ二 投光・集光レンズの中心と対象との距潴 ｆ： 投光・集光レンズの焦点距離 Ｒ： 投光・集光レンズの半径 Ａ： 投光・単光レンズの中心から一 次元型半導体装置検出器までの 距離 ｒ： スポット光の半径
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19155082A JPS5979805A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 距離センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19155082A JPS5979805A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 距離センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979805A true JPS5979805A (ja) | 1984-05-09 |
Family
ID=16276536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19155082A Pending JPS5979805A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 距離センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979805A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153419A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-25 | Mitsutoyo Corp | 非接触変位計 |
| JP2016529473A (ja) * | 2013-06-13 | 2016-09-23 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 少なくとも１つの物体を光学的に検出する検出器 |
| US10353049B2 (en) | 2013-06-13 | 2019-07-16 | Basf Se | Detector for optically detecting an orientation of at least one object |
| US10412283B2 (en) | 2015-09-14 | 2019-09-10 | Trinamix Gmbh | Dual aperture 3D camera and method using differing aperture areas |
| US10775505B2 (en) | 2015-01-30 | 2020-09-15 | Trinamix Gmbh | Detector for an optical detection of at least one object |
| US10890491B2 (en) | 2016-10-25 | 2021-01-12 | Trinamix Gmbh | Optical detector for an optical detection |
| US10948567B2 (en) | 2016-11-17 | 2021-03-16 | Trinamix Gmbh | Detector for optically detecting at least one object |
| US10955936B2 (en) | 2015-07-17 | 2021-03-23 | Trinamix Gmbh | Detector for optically detecting at least one object |
| US11041718B2 (en) | 2014-07-08 | 2021-06-22 | Basf Se | Detector for determining a position of at least one object |
| US11125880B2 (en) | 2014-12-09 | 2021-09-21 | Basf Se | Optical detector |
| US11211513B2 (en) | 2016-07-29 | 2021-12-28 | Trinamix Gmbh | Optical sensor and detector for an optical detection |
| US11428787B2 (en) | 2016-10-25 | 2022-08-30 | Trinamix Gmbh | Detector for an optical detection of at least one object |
| US11860292B2 (en) | 2016-11-17 | 2024-01-02 | Trinamix Gmbh | Detector and methods for authenticating at least one object |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP19155082A patent/JPS5979805A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153419A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-25 | Mitsutoyo Corp | 非接触変位計 |
| JP2016529473A (ja) * | 2013-06-13 | 2016-09-23 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 少なくとも１つの物体を光学的に検出する検出器 |
| US10353049B2 (en) | 2013-06-13 | 2019-07-16 | Basf Se | Detector for optically detecting an orientation of at least one object |
| US10823818B2 (en) | 2013-06-13 | 2020-11-03 | Basf Se | Detector for optically detecting at least one object |
| US10845459B2 (en) | 2013-06-13 | 2020-11-24 | Basf Se | Detector for optically detecting at least one object |
| US11041718B2 (en) | 2014-07-08 | 2021-06-22 | Basf Se | Detector for determining a position of at least one object |
| US11125880B2 (en) | 2014-12-09 | 2021-09-21 | Basf Se | Optical detector |
| US10775505B2 (en) | 2015-01-30 | 2020-09-15 | Trinamix Gmbh | Detector for an optical detection of at least one object |
| US10955936B2 (en) | 2015-07-17 | 2021-03-23 | Trinamix Gmbh | Detector for optically detecting at least one object |
| US10412283B2 (en) | 2015-09-14 | 2019-09-10 | Trinamix Gmbh | Dual aperture 3D camera and method using differing aperture areas |
| US11211513B2 (en) | 2016-07-29 | 2021-12-28 | Trinamix Gmbh | Optical sensor and detector for an optical detection |
| US10890491B2 (en) | 2016-10-25 | 2021-01-12 | Trinamix Gmbh | Optical detector for an optical detection |
| US11428787B2 (en) | 2016-10-25 | 2022-08-30 | Trinamix Gmbh | Detector for an optical detection of at least one object |
| US10948567B2 (en) | 2016-11-17 | 2021-03-16 | Trinamix Gmbh | Detector for optically detecting at least one object |
| US11415661B2 (en) | 2016-11-17 | 2022-08-16 | Trinamix Gmbh | Detector for optically detecting at least one object |
| US11635486B2 (en) | 2016-11-17 | 2023-04-25 | Trinamix Gmbh | Detector for optically detecting at least one object |
| US11698435B2 (en) | 2016-11-17 | 2023-07-11 | Trinamix Gmbh | Detector for optically detecting at least one object |
| US11860292B2 (en) | 2016-11-17 | 2024-01-02 | Trinamix Gmbh | Detector and methods for authenticating at least one object |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5979805A (ja) | 距離センサ | |
| KR970707424A (ko) | 교정가능한 광학거리감지시스템 및 방법(Calibratable Optical Disatance Sensing System and Method) | |
| UST102104I4 (en) | Scanning optical system adapted for linewidth measurement in semiconductor devices | |
| KR102020038B1 (ko) | 라이다 센서 모듈 | |
| JPS5979122A (ja) | レ−ザパワ−測定装置 | |
| JPS63108981A (ja) | 距離計測装置 | |
| JPS6125011A (ja) | 光学式距離測定装置 | |
| KR970011144B1 (ko) | 반도체 레이저를 이용한 센서 | |
| JPH11101872A (ja) | レーザ測距装置 | |
| JP2851053B2 (ja) | 光ビーム入射角検出センサ | |
| JP3479914B1 (ja) | 傾斜検出装置 | |
| JPS6246802B2 (ja) | ||
| JP4142596B2 (ja) | 光学式測距センサ | |
| JPH08327334A (ja) | ギャップ測定装置 | |
| JPH01109284A (ja) | 距離測定装置 | |
| JPH04364414A (ja) | 測距装置 | |
| JPH0750656Y2 (ja) | 光電センサ | |
| JPH0510717A (ja) | 位置及び変位測定装置 | |
| JPH01112188A (ja) | 距離測定装置 | |
| JPS62156515A (ja) | 変位測定装置 | |
| JPS60194301A (ja) | 距離検出装置 | |
| JPS6095307A (ja) | 位置測定装置 | |
| JPH0558483B2 (ja) | ||
| JPH08172119A (ja) | 高さ測定装置 | |
| JPS63169509A (ja) | 傾き計測装置 |