JPH08327334A - ギャップ測定装置 - Google Patents
ギャップ測定装置Info
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- JPH08327334A JPH08327334A JP7137953A JP13795395A JPH08327334A JP H08327334 A JPH08327334 A JP H08327334A JP 7137953 A JP7137953 A JP 7137953A JP 13795395 A JP13795395 A JP 13795395A JP H08327334 A JPH08327334 A JP H08327334A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、2つの被測定面間のギャップ測定を
高能率かつ高精度に行うことのできるギャップ測定装置
を提供することを目的とする。 【構成】第1の光源10から出射されたレーザ光11を
マスク1に照射してその反射光を検出し、これと共に第
2の光源16から出射されたレーザ光17をプレート2
に照射してその反射光を検出し、これら反射光を各検出
器27、28によりその光量に応じた各電気信号e1、
e2に変換出力し、ギャップ算出部29によりこれら検
出器27、28から出力される各電気信号e1、e2の
レベルに基づいてマスク1とプレート2とのギャップg
0 を求める。
高能率かつ高精度に行うことのできるギャップ測定装置
を提供することを目的とする。 【構成】第1の光源10から出射されたレーザ光11を
マスク1に照射してその反射光を検出し、これと共に第
2の光源16から出射されたレーザ光17をプレート2
に照射してその反射光を検出し、これら反射光を各検出
器27、28によりその光量に応じた各電気信号e1、
e2に変換出力し、ギャップ算出部29によりこれら検
出器27、28から出力される各電気信号e1、e2の
レベルに基づいてマスク1とプレート2とのギャップg
0 を求める。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばプロキィミティ
露光装置におけるマスクとプレート間のギャップの測定
に好適なギャップ測定装置に関する。
露光装置におけるマスクとプレート間のギャップの測定
に好適なギャップ測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】プロキィミティ露光装置は、マスクとプ
レートとを所定間隔つまり所定のギャップだけ離して配
置し、露光用光をマスクを通してプレートに照射し、マ
スクに形成されたパターンをプレートに転写するものと
なっている。
レートとを所定間隔つまり所定のギャップだけ離して配
置し、露光用光をマスクを通してプレートに照射し、マ
スクに形成されたパターンをプレートに転写するものと
なっている。
【0003】このような露光装置では、露光処理に先立
ち、マスクとプレートと間が所定のギャップだけ離して
配置されているか否かの測定が行われる。図3はかかる
ギャップ測定装置の構成図である。
ち、マスクとプレートと間が所定のギャップだけ離して
配置されているか否かの測定が行われる。図3はかかる
ギャップ測定装置の構成図である。
【0004】プロキィミティ露光装置のマスク1とプレ
ート2とが配置され、かつこのうちマスク1の裏面側の
近傍には、ギャップセンサ3が配置されている。先ず、
ギャップセンサ3は、マスク1の裏面に測定配置を設定
し、この位置をスケール4上の位置Aとする。
ート2とが配置され、かつこのうちマスク1の裏面側の
近傍には、ギャップセンサ3が配置されている。先ず、
ギャップセンサ3は、マスク1の裏面に測定配置を設定
し、この位置をスケール4上の位置Aとする。
【0005】次にギャップセンサ3は、スケール4に沿
って移動され、その測定範囲をプレート2の表面に設定
し、この位置をスケール4上の位置Bとする。ここで、
スケール4により得られるギャップセンサ3の移動量を
m、各位置A、Bにおけるギャップセンサ3の各出力を
d1、d2とすると、マスク1とプレート2との間のギ
ャップgは、 d1=d2=0 g=m …(1) (d1,d2)≠0 g=m+(d1−d2) …(2) により求められる。
って移動され、その測定範囲をプレート2の表面に設定
し、この位置をスケール4上の位置Bとする。ここで、
スケール4により得られるギャップセンサ3の移動量を
m、各位置A、Bにおけるギャップセンサ3の各出力を
d1、d2とすると、マスク1とプレート2との間のギ
ャップgは、 d1=d2=0 g=m …(1) (d1,d2)≠0 g=m+(d1−d2) …(2) により求められる。
【0006】なお、ギャップセンサ3からの各出力d
1、d2は、それぞれがマスク1の裏面及びプレート2
の表面にあるとき0となるように設定されている。そし
て、測定位置が位置A、Bにない場合は、出力d1、d
2の差がギャップgと移動量mとの差を示すように設け
られている。つまり、この場合、測定位置をA、Bに精
密に位置決めしなくてもギャップ測定が可能となる。
1、d2は、それぞれがマスク1の裏面及びプレート2
の表面にあるとき0となるように設定されている。そし
て、測定位置が位置A、Bにない場合は、出力d1、d
2の差がギャップgと移動量mとの差を示すように設け
られている。つまり、この場合、測定位置をA、Bに精
密に位置決めしなくてもギャップ測定が可能となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなギャップ測定では、ギャップセンサ3の移動量mを
測定するために、スケール4又は変位検出センサ等が別
途必要となる。又、ギャップセンサ3を移動させる必要
があるため、測定したギャップ値gは、ギャップセンサ
3の各位置A、Bの各誤差を含んだ値となる。
うなギャップ測定では、ギャップセンサ3の移動量mを
測定するために、スケール4又は変位検出センサ等が別
途必要となる。又、ギャップセンサ3を移動させる必要
があるため、測定したギャップ値gは、ギャップセンサ
3の各位置A、Bの各誤差を含んだ値となる。
【0008】そのうえ、マスク1の面及びプレート2の
面をそれぞれ独立に測定するので、瞬時にギャップ値g
を測定することが困難である。そこで本発明は、2つの
被測定面間のギャップ測定を高能率かつ高精度に行うこ
とのできるギャップ測定装置を提供することを目的とす
る。
面をそれぞれ独立に測定するので、瞬時にギャップ値g
を測定することが困難である。そこで本発明は、2つの
被測定面間のギャップ測定を高能率かつ高精度に行うこ
とのできるギャップ測定装置を提供することを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1によれば、平行
な2つの被測定面間のギャップを測定するギャップ測定
装置において、被測定面に対応して各別に設けられた一
対の光源と、これら光源から出力された測定光を対応す
る被測定面に集光させる集光光学系と、この集光光学系
による集光により各被測定面から反射した一対の反射測
定光を分離する反射測定光分離光学系と、この反射測定
光分離光学系にて分離された反射測定光を各別に受光し
て光電変換する一対の光電変換器と、この光電変換器に
おける検出結果に基づいてギャップを算出するギャップ
算出手段と、を備えて上記目的を達成しようとするギャ
ップ測定装置である。
な2つの被測定面間のギャップを測定するギャップ測定
装置において、被測定面に対応して各別に設けられた一
対の光源と、これら光源から出力された測定光を対応す
る被測定面に集光させる集光光学系と、この集光光学系
による集光により各被測定面から反射した一対の反射測
定光を分離する反射測定光分離光学系と、この反射測定
光分離光学系にて分離された反射測定光を各別に受光し
て光電変換する一対の光電変換器と、この光電変換器に
おける検出結果に基づいてギャップを算出するギャップ
算出手段と、を備えて上記目的を達成しようとするギャ
ップ測定装置である。
【0010】請求項2によれば、集光光学系は、各光源
ごとに近接して設けられた一対の第1のレンズと、これ
ら第1のレンズを経由してきた一対の測定光を対応する
被測定面に集光させる第2のレンズとを有し、測定光の
集光位置の調整は、光源と第1のレンズとの間隔の調整
により行うようにしたギャップ測定装置である。
ごとに近接して設けられた一対の第1のレンズと、これ
ら第1のレンズを経由してきた一対の測定光を対応する
被測定面に集光させる第2のレンズとを有し、測定光の
集光位置の調整は、光源と第1のレンズとの間隔の調整
により行うようにしたギャップ測定装置である。
【0011】請求項3によれば、集光光学系は、各第1
のレンズごとに設けられた第1のレンズを経由してきた
一対の測定光を第2のレンズの光軸に沿う方向に反射さ
せるハーフミラーを有するギャップ測定装置である。
のレンズごとに設けられた第1のレンズを経由してきた
一対の測定光を第2のレンズの光軸に沿う方向に反射さ
せるハーフミラーを有するギャップ測定装置である。
【0012】請求項4によれば、一対の光源からの測定
光は、それぞれp偏光及びs偏光となっているギャップ
測定装置である。請求項5によれば、測定光分離光学系
は、偏光ビームスプリッタであり、各被測定面から反射
した一対の反射測定光をp偏光及びs偏光に応じて分離
するギャップ測定装置である。
光は、それぞれp偏光及びs偏光となっているギャップ
測定装置である。請求項5によれば、測定光分離光学系
は、偏光ビームスプリッタであり、各被測定面から反射
した一対の反射測定光をp偏光及びs偏光に応じて分離
するギャップ測定装置である。
【0013】請求項6によれば、一対の光源から出力さ
れる測定光は、レーザ光であるギャップ測定装置であ
る。請求項7によれば、一対のハーフミラーと第2のレ
ンズとの間に設けられた一枚の4分の1波長板と、一対
のハーフミラーと対応する第1のレンズとの間に各別に
設けられた一対の偏光ビームスプリッタと、この偏光ビ
ームスプリッタと第1のレンズとの間に各別に設けられ
た一対の光遮蔽体とを備え、ハーフミラーにて反射した
反射測定光の一対の光源への入射を偏光ビームスプリッ
タ及び光遮蔽体により防止する反射測定光入射素子手段
を有するギャップ測定装置である。
れる測定光は、レーザ光であるギャップ測定装置であ
る。請求項7によれば、一対のハーフミラーと第2のレ
ンズとの間に設けられた一枚の4分の1波長板と、一対
のハーフミラーと対応する第1のレンズとの間に各別に
設けられた一対の偏光ビームスプリッタと、この偏光ビ
ームスプリッタと第1のレンズとの間に各別に設けられ
た一対の光遮蔽体とを備え、ハーフミラーにて反射した
反射測定光の一対の光源への入射を偏光ビームスプリッ
タ及び光遮蔽体により防止する反射測定光入射素子手段
を有するギャップ測定装置である。
【0014】請求項8によれば、一対の光遮蔽体は、対
応する各第1のレンズを透過した光源からの測定光のう
ち、光軸を中心とする半円部分のみ通過させるギャップ
測定装置である。
応する各第1のレンズを透過した光源からの測定光のう
ち、光軸を中心とする半円部分のみ通過させるギャップ
測定装置である。
【0015】
【作用】請求項1乃至請求項5のギャップ測定装置によ
れば、2つの被測定面のギャップ測定において、各被測
定面から反射した一対の反射測定光を分離する反射測定
光分離光学系を具備しているので、ギャップの測定を瞬
時にかつ高精度で求めることが可能となる。従って、こ
の装置を、例えばプロキィミティ露光におけるマスクと
プレート間のギャップ測定に適用した場合に顕著な効果
を奏する。
れば、2つの被測定面のギャップ測定において、各被測
定面から反射した一対の反射測定光を分離する反射測定
光分離光学系を具備しているので、ギャップの測定を瞬
時にかつ高精度で求めることが可能となる。従って、こ
の装置を、例えばプロキィミティ露光におけるマスクと
プレート間のギャップ測定に適用した場合に顕著な効果
を奏する。
【0016】請求項6乃至請求項8のギャップ測定装置
によれば、2つの被測定面のギャップ測定において、各
被測定面から反射した反射測定光の光源への入射を防止
する反射測定光入射素子手段を有しているので、入射光
と出射光との干渉に起因するレーザ光発振特性の劣化で
あるモードホップ現象の発生を回避することができ、ギ
ャップ測定の向上に寄与することができる。
によれば、2つの被測定面のギャップ測定において、各
被測定面から反射した反射測定光の光源への入射を防止
する反射測定光入射素子手段を有しているので、入射光
と出射光との干渉に起因するレーザ光発振特性の劣化で
あるモードホップ現象の発生を回避することができ、ギ
ャップ測定の向上に寄与することができる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図1は請求項1〜8に対応するプロキィ
ミティ露光装置に適用したギャップ測定装置の構成図で
ある。
して説明する。図1は請求項1〜8に対応するプロキィ
ミティ露光装置に適用したギャップ測定装置の構成図で
ある。
【0018】第1の光源10は、半導体レーザ装置であ
って、p偏光のレーザ光(実線)11をマスク1及びプ
レート2の面方向と同一方向に出射するものとなってい
る。この第1の光源の出射光路上には、レーザ光11を
平行光にするコリメータレンズ12及びスリット13が
配置され、このスリット13により第1の光源から出射
された円筒状光束の下半分がカットされるようになって
いる。
って、p偏光のレーザ光(実線)11をマスク1及びプ
レート2の面方向と同一方向に出射するものとなってい
る。この第1の光源の出射光路上には、レーザ光11を
平行光にするコリメータレンズ12及びスリット13が
配置され、このスリット13により第1の光源から出射
された円筒状光束の下半分がカットされるようになって
いる。
【0019】又、この第1の光源10の出射光路上に
は、偏光ビームスプリッタ14及びハーフミラー15が
配置されている。一方、第2の光源16は、半導体レー
ザ装置であって、s偏光のレーザ光(点線)17をマス
ク1及びプレート2の面に対して垂直方向と同一方向に
出射するものとなっている。
は、偏光ビームスプリッタ14及びハーフミラー15が
配置されている。一方、第2の光源16は、半導体レー
ザ装置であって、s偏光のレーザ光(点線)17をマス
ク1及びプレート2の面に対して垂直方向と同一方向に
出射するものとなっている。
【0020】この第2の光源16には、コリメータレン
ズ18及びスリット19が配置され、このスリット19
により第2の光源16から出射された円筒状光束の右半
分がカットされるようになっている。
ズ18及びスリット19が配置され、このスリット19
により第2の光源16から出射された円筒状光束の右半
分がカットされるようになっている。
【0021】又、この第2の光源16の出射光路上に
は、偏光ビームスプリッタ20及びハーフミラー21が
配置されている。これらハーフミラー15、21は、マ
スク1及びプレート2の各面の垂直軸22上に配置され
ている。そして、これらハーフミラー15、21のマス
ク1側の垂直軸22上には、4分の1波長板23、対物
レンズ24が配置されている。
は、偏光ビームスプリッタ20及びハーフミラー21が
配置されている。これらハーフミラー15、21は、マ
スク1及びプレート2の各面の垂直軸22上に配置され
ている。そして、これらハーフミラー15、21のマス
ク1側の垂直軸22上には、4分の1波長板23、対物
レンズ24が配置されている。
【0022】ここで、第1の光源10とコリメータレン
ズ12との間隔は、p偏光のレーザ光11が、対物レン
ズ24によりマスク1の裏面近傍に集光するように予め
設定されている。
ズ12との間隔は、p偏光のレーザ光11が、対物レン
ズ24によりマスク1の裏面近傍に集光するように予め
設定されている。
【0023】一方、第2の光源16とコリメータレンズ
18との間隔は、s偏光のレーザ光17が、対物レンズ
24によりプレート2の表面近傍に集光するように予め
設定されている。
18との間隔は、s偏光のレーザ光17が、対物レンズ
24によりプレート2の表面近傍に集光するように予め
設定されている。
【0024】その結果、p偏光のレーザ光11は、コリ
メータレンズ12を通過すると平行光に変換される。一
方、s偏光のレーザ光17は、コリメータレンズ18を
通過すると散乱光となる。
メータレンズ12を通過すると平行光に変換される。一
方、s偏光のレーザ光17は、コリメータレンズ18を
通過すると散乱光となる。
【0025】又、各ハーフミラー15、21からマスク
1とは反対側の垂直軸22上には、変位検出光学系2
5、測定光分離光学系としての偏光ビームスプリッタ2
6が配置されている。
1とは反対側の垂直軸22上には、変位検出光学系2
5、測定光分離光学系としての偏光ビームスプリッタ2
6が配置されている。
【0026】このうち変位検出光学系25は、例えば非
点収差法、ナイフエッジ法、フーコー法、臨界角法とい
ったフォーカスエラー検出法が用いられている。上記偏
光ビームスプリッタ26の各分岐方向には、それぞれ第
1の検出器27、第2の検出器28が配置されている。
点収差法、ナイフエッジ法、フーコー法、臨界角法とい
ったフォーカスエラー検出法が用いられている。上記偏
光ビームスプリッタ26の各分岐方向には、それぞれ第
1の検出器27、第2の検出器28が配置されている。
【0027】なお、第1のレンズとしての各コリメータ
レンズ12、18、第2のレンズとしての対物レンズ2
4及び各ハーフミラー15、21により集光光学系が構
成されている。
レンズ12、18、第2のレンズとしての対物レンズ2
4及び各ハーフミラー15、21により集光光学系が構
成されている。
【0028】又、4分の1波長板23、各偏光ビームス
プリッタ14、20及び光遮蔽体としての各スリット1
3、19により反射測定光素子手段が構成されている。
これら第1及び第2の検出器27、28は、それぞれ受
光した光量に応じたレベルの電気信号に変換出力する機
能を有している。
プリッタ14、20及び光遮蔽体としての各スリット1
3、19により反射測定光素子手段が構成されている。
これら第1及び第2の検出器27、28は、それぞれ受
光した光量に応じたレベルの電気信号に変換出力する機
能を有している。
【0029】ギャップ算出部29は、第1及び第2の検
出器27、28から出力される各電気信号e1、e2を
入力し、これら電気信号e1、e2のレベルに基づいて
マスク1とプレート2の間のギャップg0 を求める機能
を有している。
出器27、28から出力される各電気信号e1、e2を
入力し、これら電気信号e1、e2のレベルに基づいて
マスク1とプレート2の間のギャップg0 を求める機能
を有している。
【0030】具体的には、図2に示すように第1及び第
2の検出器27、28から出力される各電気信号e1、
e2は、プレート2の高さ方向Z、つまりマスク1とプ
レート23とのギャップg0 に比例した信号レベル変化
を示す。
2の検出器27、28から出力される各電気信号e1、
e2は、プレート2の高さ方向Z、つまりマスク1とプ
レート23とのギャップg0 に比例した信号レベル変化
を示す。
【0031】この場合、第1の検出器27は、第1の光
源10から出射し、マスク1の裏面Oからの反射光の光
量に応じた電気信号e1を出力し、又、第2の検出器2
8は、第2の光源16から出射し、プレート2の表面O
´からの反射光の光量に応じた電気信号e2を出力して
いる。
源10から出射し、マスク1の裏面Oからの反射光の光
量に応じた電気信号e1を出力し、又、第2の検出器2
8は、第2の光源16から出射し、プレート2の表面O
´からの反射光の光量に応じた電気信号e2を出力して
いる。
【0032】従って、ギャップ算出部29は、これら第
1及び第2の検出器27、28から出力される各電気信
号e1、e2のレベル差に基づいてマスク1とプレート
2の間のギャップg0 を求める機能を有している。
1及び第2の検出器27、28から出力される各電気信
号e1、e2のレベル差に基づいてマスク1とプレート
2の間のギャップg0 を求める機能を有している。
【0033】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。第1の光源10から出射されたp偏光の
レーザ光(実線)11は、コリメータレンズ12を通し
て平行なレーザ光に成形され、スリット13により円筒
状光束の下半分がカットされる。
いて説明する。第1の光源10から出射されたp偏光の
レーザ光(実線)11は、コリメータレンズ12を通し
て平行なレーザ光に成形され、スリット13により円筒
状光束の下半分がカットされる。
【0034】このスリット13を通ったレーザ光11
は、偏光ビームスプリッタ14に入射する。このときレ
ーザ光11は、p偏光となっているので、偏光ビームス
プリッタ14を透過し、ハーフミラー15に入射して互
いに直交する2方向に分岐される。
は、偏光ビームスプリッタ14に入射する。このときレ
ーザ光11は、p偏光となっているので、偏光ビームス
プリッタ14を透過し、ハーフミラー15に入射して互
いに直交する2方向に分岐される。
【0035】このうちハーフミラー15を透過した光
は、迷光として除去され、他方のハーフミラー15から
下方に反射したレーザ光は、マスク1側に配置されたハ
ーフミラー21、4分の1波長板23を透過し、対物レ
ンズ24によりマスク1の裏面Oに照射・集光される。
は、迷光として除去され、他方のハーフミラー15から
下方に反射したレーザ光は、マスク1側に配置されたハ
ーフミラー21、4分の1波長板23を透過し、対物レ
ンズ24によりマスク1の裏面Oに照射・集光される。
【0036】このマスク1の裏面からの反射光は、対物
レンズ24、4分の1波長板23を透過してs偏光とな
り、各ハーフミラー21、15に入射する。なお、これ
らハーフミラー21、15に入射した反射光は、それぞ
れ直交する2方向に分岐されるが、このうち垂直軸22
に対して直交する方向に分岐した各反射光は、それぞれ
偏光ビームスプリッタ20、14に入射する。このうち
偏光ビームスプリッタ20に入射した反射光は、下方に
反射するが、スリット19により遮蔽され、第2の光源
16に入射することはない。これにより、入射光と出射
光との干渉に起因するレーザ光発振特性の劣化であるモ
ードホップ現象の発生が防止される。
レンズ24、4分の1波長板23を透過してs偏光とな
り、各ハーフミラー21、15に入射する。なお、これ
らハーフミラー21、15に入射した反射光は、それぞ
れ直交する2方向に分岐されるが、このうち垂直軸22
に対して直交する方向に分岐した各反射光は、それぞれ
偏光ビームスプリッタ20、14に入射する。このうち
偏光ビームスプリッタ20に入射した反射光は、下方に
反射するが、スリット19により遮蔽され、第2の光源
16に入射することはない。これにより、入射光と出射
光との干渉に起因するレーザ光発振特性の劣化であるモ
ードホップ現象の発生が防止される。
【0037】一方、偏光ビームスプリッタ14に入射し
た反射光は、上方に反射し、迷光として除去される。こ
れらハーフミラー21、15を透過した反射光は、変位
検出光学系25を通り、偏光ビームスプリッタ26によ
り直交する方向に反射して第1の検出器27に入射す
る。
た反射光は、上方に反射し、迷光として除去される。こ
れらハーフミラー21、15を透過した反射光は、変位
検出光学系25を通り、偏光ビームスプリッタ26によ
り直交する方向に反射して第1の検出器27に入射す
る。
【0038】この第1の検出器27は、マスク1の裏面
Oからの反射光を受光し、この反射光の光量に応じた電
気信号e1を出力する。一方、第2の光源16から出射
されたs偏光のレーザ光17は、コリメータレンズ18
を通り、スリット19により円筒状光束の右半分がカッ
トされる。
Oからの反射光を受光し、この反射光の光量に応じた電
気信号e1を出力する。一方、第2の光源16から出射
されたs偏光のレーザ光17は、コリメータレンズ18
を通り、スリット19により円筒状光束の右半分がカッ
トされる。
【0039】このスリット19を通ったレーザ光17
は、偏光ビームスプリッタ20に入射する。このときレ
ーザ光17は、s偏光となっているので、偏光ビームス
プリッタ20で直角方向に反射され、ハーフミラー21
に入射して互いに直交する2方向に分岐される。
は、偏光ビームスプリッタ20に入射する。このときレ
ーザ光17は、s偏光となっているので、偏光ビームス
プリッタ20で直角方向に反射され、ハーフミラー21
に入射して互いに直交する2方向に分岐される。
【0040】このうちハーフミラー21を透過したレー
ザ光は、迷光として除去され、他方のハーフミラー21
から下方に反射したレーザ光は、マスク1側に配置され
た4分の1波長板23を透過し、対物レンズ24により
プレート2の表面O´に照射・集光される。
ザ光は、迷光として除去され、他方のハーフミラー21
から下方に反射したレーザ光は、マスク1側に配置され
た4分の1波長板23を透過し、対物レンズ24により
プレート2の表面O´に照射・集光される。
【0041】このプレート2の表面0´からの反射光
は、対物レンズ24、4分の1波長板23を透過してp
偏光となり、各ハーフミラー21、15に入射する。な
お、これらハーフミラー21、15に入射した反射光
は、上記同様に、それぞれ直交する2方向に分岐される
が、このうち垂直軸22に対して直交する方向に分岐し
た各反射光は、それぞれ偏光ビームスプリッタ20、1
4に入射する。
は、対物レンズ24、4分の1波長板23を透過してp
偏光となり、各ハーフミラー21、15に入射する。な
お、これらハーフミラー21、15に入射した反射光
は、上記同様に、それぞれ直交する2方向に分岐される
が、このうち垂直軸22に対して直交する方向に分岐し
た各反射光は、それぞれ偏光ビームスプリッタ20、1
4に入射する。
【0042】このうち、偏光ビームスプリッタ20に入
射した反射光は、p偏光であるので、そのまま直進し、
迷光として除去される。一方、偏光ビームスプリッタ1
4に入射した反射光は、そのまま直進し、スリット13
により遮蔽され、第1の光源10に入射することはな
い。これにより、入射光と出射光との干渉に起因するレ
ーザ光発振特性の劣化であるモードホップ現象の発生が
防止される。
射した反射光は、p偏光であるので、そのまま直進し、
迷光として除去される。一方、偏光ビームスプリッタ1
4に入射した反射光は、そのまま直進し、スリット13
により遮蔽され、第1の光源10に入射することはな
い。これにより、入射光と出射光との干渉に起因するレ
ーザ光発振特性の劣化であるモードホップ現象の発生が
防止される。
【0043】これらハーフミラー21、15を透過した
反射光は、変位検出光学系25を通り、偏光ビームスプ
リッタ26を透過して第2の検出器28に入射する。こ
の第2の検出器28は、プレート2の表面O´からの反
射光を受光し、この反射光の光量に応じた電気信号e2
を出力する。
反射光は、変位検出光学系25を通り、偏光ビームスプ
リッタ26を透過して第2の検出器28に入射する。こ
の第2の検出器28は、プレート2の表面O´からの反
射光を受光し、この反射光の光量に応じた電気信号e2
を出力する。
【0044】ギャップ算出部29は、これら第1及び第
2の検出器27、28から出力される各電気信号e1、
e2を入力し、図2に示すように各電気信号e1、e2
のレベル差に基づいてマスク1とプレート2の間のギャ
ップg0 を次式に従って求める。すなわち、 g0 =AC+d1−d2 …(3) ここで、ACはシフト量と呼ばれ、マスク1の裏面とプ
レート2の表面とのギャップが予め定められた所定値と
なっているときの値である。
2の検出器27、28から出力される各電気信号e1、
e2を入力し、図2に示すように各電気信号e1、e2
のレベル差に基づいてマスク1とプレート2の間のギャ
ップg0 を次式に従って求める。すなわち、 g0 =AC+d1−d2 …(3) ここで、ACはシフト量と呼ばれ、マスク1の裏面とプ
レート2の表面とのギャップが予め定められた所定値と
なっているときの値である。
【0045】又、ギャップ算出部29にては、(g0 −
AC)が、出力差(d1−d2)を示すように較正され
ている。これにより、対物レンズによる集光点が若干ず
れていても、高精度でギャップ測定が可能となる。
AC)が、出力差(d1−d2)を示すように較正され
ている。これにより、対物レンズによる集光点が若干ず
れていても、高精度でギャップ測定が可能となる。
【0046】この場合、ギャップ算出部29は、プレー
ト2からの反射光に応じた電気信号e2を電気信号e1
と同一レベルとなるように零シフトし、このときのシフ
ト量ACからマスク1とプレート2の間のギャップg0
を求めてもよい。
ト2からの反射光に応じた電気信号e2を電気信号e1
と同一レベルとなるように零シフトし、このときのシフ
ト量ACからマスク1とプレート2の間のギャップg0
を求めてもよい。
【0047】このように上記一実施例においては、第1
の光源10から出射されたレーザ光11をマスク1に照
射してその反射光を検出し、これと共に第2の光源16
から出射されたレーザ光17をプレート2に照射してそ
の反射光を検出し、これら反射光を各検出器27、28
によりその光量に応じた各電気信号e1、e2に変換出
力し、ギャップ算出部29によりこれら検出器27、2
8から出力される各電気信号e1、e2のレベルに基づ
いてマスク1とプレート2とのギャップg0 を求めるよ
うにしたので、ギャップセンサを移動させたりギャップ
センサの各位置での測定を行うことがなく、瞬時にプロ
キィミティ露光のマスク1とプレート2の間のギャップ
測定ができ、かつそのギャップ測定結果の誤差を少なく
できる。
の光源10から出射されたレーザ光11をマスク1に照
射してその反射光を検出し、これと共に第2の光源16
から出射されたレーザ光17をプレート2に照射してそ
の反射光を検出し、これら反射光を各検出器27、28
によりその光量に応じた各電気信号e1、e2に変換出
力し、ギャップ算出部29によりこれら検出器27、2
8から出力される各電気信号e1、e2のレベルに基づ
いてマスク1とプレート2とのギャップg0 を求めるよ
うにしたので、ギャップセンサを移動させたりギャップ
センサの各位置での測定を行うことがなく、瞬時にプロ
キィミティ露光のマスク1とプレート2の間のギャップ
測定ができ、かつそのギャップ測定結果の誤差を少なく
できる。
【0048】又、第1及び第2の光源10、16を互い
に直交する直線偏光として光アイソレータを形成し、か
つ第1及び第2の光源10、16の各出射光路上に反射
測定光入射素子手段を構成するスリット13、19を配
置してあるので、これら光源10、16への戻り光に起
因する出射光と入射光との干渉によるレーザ光発振特性
の劣化であるモードホップ現象の発生を回避できる。
に直交する直線偏光として光アイソレータを形成し、か
つ第1及び第2の光源10、16の各出射光路上に反射
測定光入射素子手段を構成するスリット13、19を配
置してあるので、これら光源10、16への戻り光に起
因する出射光と入射光との干渉によるレーザ光発振特性
の劣化であるモードホップ現象の発生を回避できる。
【0049】なお、本発明は、上記一実施例に限定され
るものでなく次の通り変形してもよい。例えば、平行光
をマスク1に照射するとともに発散光をプレート2に照
射するに限らず、収束光をマスク1に照射するとともに
平行光をプレート2に照射してもよい。
るものでなく次の通り変形してもよい。例えば、平行光
をマスク1に照射するとともに発散光をプレート2に照
射するに限らず、収束光をマスク1に照射するとともに
平行光をプレート2に照射してもよい。
【0050】又、上記実施例においては、測定光として
平行光と発散光とを用いたが、マスク1とプレート2に
測定光が集光する限りにおいて、両者を区別する必要は
なく、用はコリメータレンズ12、18と光源10、1
6との間隔調整により、マスク1とプレート2に測定光
が集光するようにすればよい。又、プロキィミティ露光
装置のマスク1とプレート2とのギャップ測定に限ら
ず、他の各物体間のギャップ測定にも適用できる。
平行光と発散光とを用いたが、マスク1とプレート2に
測定光が集光する限りにおいて、両者を区別する必要は
なく、用はコリメータレンズ12、18と光源10、1
6との間隔調整により、マスク1とプレート2に測定光
が集光するようにすればよい。又、プロキィミティ露光
装置のマスク1とプレート2とのギャップ測定に限ら
ず、他の各物体間のギャップ測定にも適用できる。
【0051】
【発明の効果】請求項1乃至請求項5のギャップ測定装
置によれば、2つの被測定面のギャップ測定において、
各被測定面から反射した一対の反射測定光を分離する反
射測定光分離光学系を具備しているので、ギャップの測
定を瞬時にかつ高精度で求めることが可能となる。
置によれば、2つの被測定面のギャップ測定において、
各被測定面から反射した一対の反射測定光を分離する反
射測定光分離光学系を具備しているので、ギャップの測
定を瞬時にかつ高精度で求めることが可能となる。
【0052】従って、この装置を、例えばプロキィミテ
ィ露光におけるマスクとプレート間のギャップ測定に適
用した場合に顕著な効果を奏する。請求項6乃至請求項
8のギャップ測定装置によれば、2つの被測定面のギャ
ップ測定において、各被測定面から反射した反射測定光
の光源への入射を防止する反射測定光入射素子手段を有
しているので、入射光と出射光との干渉に起因するレー
ザ光発振特性の劣化であるモードホップ現象の発生を回
避することができ、ギャップ測定の向上に寄与すること
ができる。
ィ露光におけるマスクとプレート間のギャップ測定に適
用した場合に顕著な効果を奏する。請求項6乃至請求項
8のギャップ測定装置によれば、2つの被測定面のギャ
ップ測定において、各被測定面から反射した反射測定光
の光源への入射を防止する反射測定光入射素子手段を有
しているので、入射光と出射光との干渉に起因するレー
ザ光発振特性の劣化であるモードホップ現象の発生を回
避することができ、ギャップ測定の向上に寄与すること
ができる。
【図1】本発明に係わるギャップ測定装置の一実施例を
示す構成図。
示す構成図。
【図2】ギャップ算出部のギャップ算出作用を示す図。
【図3】従来装置の構成図。
1…マスク、2…プレート、10…第1の光源、13,
19…スリット、14…偏光ビームスプリッタ、15…
ハーフミラー、16…第2の光源、20…偏光ビームス
プリッタ、21…ハーフミラー、23…4分の1波長
板、24…対物レンズ、25…変位検出光学系、26…
偏光ビームスプリッタ、27…第1の検出器、28…第
2の検出器、29…ギャップ算出部。
19…スリット、14…偏光ビームスプリッタ、15…
ハーフミラー、16…第2の光源、20…偏光ビームス
プリッタ、21…ハーフミラー、23…4分の1波長
板、24…対物レンズ、25…変位検出光学系、26…
偏光ビームスプリッタ、27…第1の検出器、28…第
2の検出器、29…ギャップ算出部。
Claims (8)
- 【請求項1】 平行な2つの被測定面間のギャップを測
定するギャップ測定装置において、 前記被測定面に対応して各別に設けられた一対の光源
と、 これら光源から出力された測定光を対応する前記被測定
面に集光させる集光光学系と、 この集光光学系による集光により前記各被測定面から反
射した一対の反射測定光を分離する反射測定光分離光学
系と、 この反射測定光分離光学系にて分離された反射測定光を
各別に受光して光電変換する一対の光電変換器と、 この光電変換器における検出結果に基づいて前記ギャッ
プを算出するギャップ算出手段と、を具備したことを特
徴とするギャップ測定装置。 - 【請求項2】 集光光学系は、各光源ごとに近接して設
けられた一対の第1のレンズと、 これら第1のレンズを経由してきた一対の測定光を対応
する被測定面に集光させる第2のレンズとを有し、 前記測定光の集光位置の調整は、前記光源と前記第1の
レンズとの間隔の調整により行う、ことを特徴とする請
求項1記載のギャップ測定装置。 - 【請求項3】 集光光学系は、各第1のレンズごとに設
けられた前記第1のレンズを経由してきた一対の測定光
を第2のレンズの光軸に沿う方向に反射させるハーフミ
ラーを有することを特徴とする請求項2記載のギャップ
測定装置。 - 【請求項4】 一対の光源からの測定光は、それぞれp
偏光及びs偏光となっていることを特徴とする請求項1
記載のギャップ測定装置。 - 【請求項5】 測定光分離光学系は、偏光ビームスプリ
ッタであり、各被測定面から反射した一対の反射測定光
をp偏光及びs偏光に応じて分離することを特徴とする
請求項4記載のギャップ測定装置。 - 【請求項6】 一対の光源から出力される測定光は、レ
ーザ光であることを特徴とする請求項4記載のギャップ
測定装置。 - 【請求項7】 一対のハーフミラーと第2のレンズとの
間に設けられた一枚の4分の1波長板と、 前記一対のハーフミラーと対応する第1のレンズとの間
に各別に設けられた一対の偏光ビームスプリッタと、 この偏光ビームスプリッタと前記第1のレンズとの間に
各別に設けられた一対の光遮蔽体とを具備し、 前記ハーフミラーにて反射した反射測定光の前記一対の
光源への入射を前記偏光ビームスプリッタ及び前記光遮
蔽体により防止する反射測定光入射素子手段を有する、
ことを特徴とする請求項6記載のギャップ測定装置。 - 【請求項8】 一対の光遮蔽体は、対応する各第1のレ
ンズを透過した光源からの測定光のうち、光軸を中心と
する半円部分のみ通過させることを特徴とする請求項7
記載のギャップ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137953A JPH08327334A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | ギャップ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137953A JPH08327334A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | ギャップ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08327334A true JPH08327334A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15210581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7137953A Pending JPH08327334A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | ギャップ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08327334A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002022415A (ja) * | 2000-05-01 | 2002-01-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 微小突起物検査装置 |
| CN107702657A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-16 | 北京汽车研究总院有限公司 | 一种间距测量装置 |
| US20240305895A1 (en) * | 2021-12-02 | 2024-09-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and camera system |
| CN119826711A (zh) * | 2024-12-05 | 2025-04-15 | 海目星激光科技集团股份有限公司 | 一种上下测量芯片载板间隙的系统及方法 |
-
1995
- 1995-06-05 JP JP7137953A patent/JPH08327334A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002022415A (ja) * | 2000-05-01 | 2002-01-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 微小突起物検査装置 |
| CN107702657A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-16 | 北京汽车研究总院有限公司 | 一种间距测量装置 |
| CN107702657B (zh) * | 2017-10-31 | 2024-03-22 | 北京汽车集团越野车有限公司 | 一种间距测量装置 |
| US20240305895A1 (en) * | 2021-12-02 | 2024-09-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and camera system |
| CN119826711A (zh) * | 2024-12-05 | 2025-04-15 | 海目星激光科技集团股份有限公司 | 一种上下测量芯片载板间隙的系统及方法 |
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