JPS5980929A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5980929A JPS5980929A JP57191558A JP19155882A JPS5980929A JP S5980929 A JPS5980929 A JP S5980929A JP 57191558 A JP57191558 A JP 57191558A JP 19155882 A JP19155882 A JP 19155882A JP S5980929 A JPS5980929 A JP S5980929A
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- JP
- Japan
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- film
- aluminum
- layer
- wiring layer
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は半導体装置の製造方法、とくに、半導体基板
上に設けられるアルミニウム膜電極配線層の処理工程を
含む製造方法に関するものである。
上に設けられるアルミニウム膜電極配線層の処理工程を
含む製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体基板内に所望の機能素子をそなえた半導体装置は
、配線用電極を設けたのち、これらを被覆するパシベー
ション膜を付設する構造がしばしば用いられる。このパ
シベーション膜は、通常、酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜が気相蒸着法（以下、ＣｖＤと略称する）で形成さ
れるが、製造工程の最終の段階で設けられるので、この
被膜にクラックなどの欠陥が存在すると、以降の工程で
復修することがほとんどできず、経時不良の要因になる
。
、配線用電極を設けたのち、これらを被覆するパシベー
ション膜を付設する構造がしばしば用いられる。このパ
シベーション膜は、通常、酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜が気相蒸着法（以下、ＣｖＤと略称する）で形成さ
れるが、製造工程の最終の段階で設けられるので、この
被膜にクラックなどの欠陥が存在すると、以降の工程で
復修することがほとんどできず、経時不良の要因になる
。
第１図示の従来例半導体装置で詳しくみると、半導体基
板１の表面に選択拡散用の絶縁膜として酸化シリコン膜
２を設け、これに所定の開孔部を形成し、ついでぐこの
開孔部を通じて、基板１とは反対導電型の拡散領域３を
形成し、これにオーミックコンタクトをなすアルミニウ
ム金属配線層４を設けたのち、これらを被覆して、全面
に酸化シリコン膜によるパシベーション膜５を形成した
ものでは、アルミニウム金属配線層４の端部、すなわち
、パターン加工の食刻面と平坦な表面との交差先端６が
鋭くとがっており、これを覆う部分にクラック７が入り
易い。また、り′ラックが入らない首でも、その部分の
厚さが薄くなり、パシベーション膜５はその先端部分に
欠陥ができ易く、信頼性を損なう原因をもっているとも
言える。
板１の表面に選択拡散用の絶縁膜として酸化シリコン膜
２を設け、これに所定の開孔部を形成し、ついでぐこの
開孔部を通じて、基板１とは反対導電型の拡散領域３を
形成し、これにオーミックコンタクトをなすアルミニウ
ム金属配線層４を設けたのち、これらを被覆して、全面
に酸化シリコン膜によるパシベーション膜５を形成した
ものでは、アルミニウム金属配線層４の端部、すなわち
、パターン加工の食刻面と平坦な表面との交差先端６が
鋭くとがっており、これを覆う部分にクラック７が入り
易い。また、り′ラックが入らない首でも、その部分の
厚さが薄くなり、パシベーション膜５はその先端部分に
欠陥ができ易く、信頼性を損なう原因をもっているとも
言える。
発明の目的
この発明は、上述のような半導体装置でパシベーション
膜に欠陥の生じないような処理方法を提供するものであ
り、これによって（半導体装置の信頼性の向上をはかる
ことを主たる目的としたものである。
膜に欠陥の生じないような処理方法を提供するものであ
り、これによって（半導体装置の信頼性の向上をはかる
ことを主たる目的としたものである。
発明の構成
この発明は、半導体基板上に形成されたアルミニウム膜
を所定電極形状に食刻したのち、真空または不活性ガス
中で高速加熱法によシ熱処理する工程を有する半導体装
置の製造方法を与えるものであり、これによシ、アルミ
ニウム膜は最表面層を瞬間的に溶融状態にし、とがった
先端部分をなだらかな曲面状にすることができ、したが
って、この電極層上にパシベーション膜を形成したとき
に、同パシベーション膜を一様な厚みで付設することが
できる。
を所定電極形状に食刻したのち、真空または不活性ガス
中で高速加熱法によシ熱処理する工程を有する半導体装
置の製造方法を与えるものであり、これによシ、アルミ
ニウム膜は最表面層を瞬間的に溶融状態にし、とがった
先端部分をなだらかな曲面状にすることができ、したが
って、この電極層上にパシベーション膜を形成したとき
に、同パシベーション膜を一様な厚みで付設することが
できる。
実施例の説明
以下に、この発明を実施例により詳しくのべる。
第２図は、この発明の実施例を工程順に示した半導体装
置要部の断面図である。まず、第２図（ａ）のように、
シリコン基板１の表面に、通常の熱酸化法によって、厚
さ約８ｏｏＯ入の二酸化シリコン膜２を形成する。そし
て、この二酸化シリコン膜２に周知のホトリソグラフィ
技術で所定の開孔部を設け、ついで、この開孔部を通じ
て、シリコン基板１に対してＰＮ接合を形成するような
不純物を拡散導入し、拡散領域３を形成する。この後、
拡散領域３上にアルミニウム膜の電極配線層４を形成す
る。この段階では、アルミニウム膜電極配線層４は食刻
加工直後で端部６がほぼ直角であり、鋭くとがったまま
の状態である。そこで、次に、このアルミニウム膜に対
して高速加熱法による熱処理を施す。この熱処理として
は、真空中あるいは窒素、アルゴンなどび不活性ガス中
で、カーボン発熱体あるいはキセノンランプから赤外線
（熱線）を発生させ、この熱源で、１０秒〜３０秒間加
熱する方式が有効である。真空中ないしは不活性ガス中
であれば、アルミニウムの酸化が防止でき、また、短時
間の急速加熱により、半導体基板１内での不純物拡散面
の変動もほとんど起らない。
置要部の断面図である。まず、第２図（ａ）のように、
シリコン基板１の表面に、通常の熱酸化法によって、厚
さ約８ｏｏＯ入の二酸化シリコン膜２を形成する。そし
て、この二酸化シリコン膜２に周知のホトリソグラフィ
技術で所定の開孔部を設け、ついで、この開孔部を通じ
て、シリコン基板１に対してＰＮ接合を形成するような
不純物を拡散導入し、拡散領域３を形成する。この後、
拡散領域３上にアルミニウム膜の電極配線層４を形成す
る。この段階では、アルミニウム膜電極配線層４は食刻
加工直後で端部６がほぼ直角であり、鋭くとがったまま
の状態である。そこで、次に、このアルミニウム膜に対
して高速加熱法による熱処理を施す。この熱処理として
は、真空中あるいは窒素、アルゴンなどび不活性ガス中
で、カーボン発熱体あるいはキセノンランプから赤外線
（熱線）を発生させ、この熱源で、１０秒〜３０秒間加
熱する方式が有効である。真空中ないしは不活性ガス中
であれば、アルミニウムの酸化が防止でき、また、短時
間の急速加熱により、半導体基板１内での不純物拡散面
の変動もほとんど起らない。
この熱処理を施すと、第２図（ｂ）のように、アルミニ
ウム膜電極配線層４は溶融によりなだらかな曲面形状に
なる。第２図（Ｃ）は、その上にパシベーション膜の二
酸化シリコン膜６を周知のＣＶＤ技術によって被設した
ものであシ、このパシベーション膜は、クラワクなどの
欠陥が発生せず、はぼ均一な厚みのものになっている。
ウム膜電極配線層４は溶融によりなだらかな曲面形状に
なる。第２図（Ｃ）は、その上にパシベーション膜の二
酸化シリコン膜６を周知のＣＶＤ技術によって被設した
ものであシ、このパシベーション膜は、クラワクなどの
欠陥が発生せず、はぼ均一な厚みのものになっている。
第３図および第４図はこの発明の実施によって得られた
他の半導体装置例を示す電極形状の平面図およびそのＡ
−Ａ’断面図である。この場合、電極配線層が下地層８
と上層のアルミニウム電極層４とで構成されたものであ
る。たとえば、高密度集積回路のように、電極配線層の
間隔Ｗが小さいと、隣接する両電極線層間で短絡の不良
を起すことがある。そのような不良発生を避ける手段と
して、配線層を二層構造になし、下地層８には食刻加工
性のよい金属を用い、この上にアルミニウム膜電極層４
を形成すると、好適な配線層が形成できる。この場合、
下地層８には、タングステン、チタン、モリブデン、白
金、あるいはタングステン−チタン合金が選ばれる。そ
して、この下地層８に対してアルミニウム膜を積ねて形
成し、これを上述の実施例のように高速加熱法で熱処理
すると、上層のアルミニウム膜のみが溶融し、下地層８
とよくなじみ、また、アルミニウム膜４による配線層間
の短絡不良も起りにくい。しかも、配線層の上層側アル
ミニウム膜表面は急速な加熱処理によってなだらかな曲
面形状になるので、これらの表面にパシベーション膜を
形成したとき、同パシベーション膜の段切れは起らない
。
他の半導体装置例を示す電極形状の平面図およびそのＡ
−Ａ’断面図である。この場合、電極配線層が下地層８
と上層のアルミニウム電極層４とで構成されたものであ
る。たとえば、高密度集積回路のように、電極配線層の
間隔Ｗが小さいと、隣接する両電極線層間で短絡の不良
を起すことがある。そのような不良発生を避ける手段と
して、配線層を二層構造になし、下地層８には食刻加工
性のよい金属を用い、この上にアルミニウム膜電極層４
を形成すると、好適な配線層が形成できる。この場合、
下地層８には、タングステン、チタン、モリブデン、白
金、あるいはタングステン−チタン合金が選ばれる。そ
して、この下地層８に対してアルミニウム膜を積ねて形
成し、これを上述の実施例のように高速加熱法で熱処理
すると、上層のアルミニウム膜のみが溶融し、下地層８
とよくなじみ、また、アルミニウム膜４による配線層間
の短絡不良も起りにくい。しかも、配線層の上層側アル
ミニウム膜表面は急速な加熱処理によってなだらかな曲
面形状になるので、これらの表面にパシベーション膜を
形成したとき、同パシベーション膜の段切れは起らない
。
発明の効果
以上に詳しくのべたように、この発明によれば、半導体
基板上に形成されたアルジニウム膜を所定電極形状に食
刻したのち、真空または不活性ガス中で高速加熱法によ
り熱処理する工程で、アルミニウム膜電極配線層の表面
がなだらかな曲面形状［；ｌ）、この上にパシベーショ
ン膜を設けたとき、同パシベーション膜はその配線端部
でクラ・ンク等の欠陥が発生せず、半導体装置の信頼性
は顕著に向上する。
基板上に形成されたアルジニウム膜を所定電極形状に食
刻したのち、真空または不活性ガス中で高速加熱法によ
り熱処理する工程で、アルミニウム膜電極配線層の表面
がなだらかな曲面形状［；ｌ）、この上にパシベーショ
ン膜を設けたとき、同パシベーション膜はその配線端部
でクラ・ンク等の欠陥が発生せず、半導体装置の信頼性
は顕著に向上する。
第１図は従来例半導体装置の要部断面図、第２図（ａ）
〜（Ｃ）はこの発明の実施例を示す工程順断面図、第３
図および第４図はこの発明の他の実施例で得られる半導
体装置の要部平面図およびそのＡ−Ａ’断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・拡散領域、４・・・・・・アルミニウム膜
電極層、５・・・・・パシベーション膜、６・・・・・
・電極層端部、７・・・・・・クラック、８・・・・・
・下地層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
〜（Ｃ）はこの発明の実施例を示す工程順断面図、第３
図および第４図はこの発明の他の実施例で得られる半導
体装置の要部平面図およびそのＡ−Ａ’断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・拡散領域、４・・・・・・アルミニウム膜
電極層、５・・・・・パシベーション膜、６・・・・・
・電極層端部、７・・・・・・クラック、８・・・・・
・下地層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）半導体基板上に形成されたアルミニウム膜を所定
電極形状に食刻したのち、真空または不活性ガス中で高
速加熱法によシ熱処理する工程を有する半導体装置の製
造方法。 - （２）アルミニウム膜が半導体基板上に絶縁膜を介して
設けられたタングステン、チタン、モリブデン、白金か
ら選ばれた金属層上に形成される特許請求の範囲第１項
に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191558A JPS5980929A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191558A JPS5980929A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980929A true JPS5980929A (ja) | 1984-05-10 |
Family
ID=16276667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57191558A Pending JPS5980929A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5980929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7811160B2 (en) | 2003-09-24 | 2010-10-12 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Operating device of vehicle air conditioner |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57191558A patent/JPS5980929A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7811160B2 (en) | 2003-09-24 | 2010-10-12 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Operating device of vehicle air conditioner |
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