JPS5981193A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS5981193A JPS5981193A JP57192273A JP19227382A JPS5981193A JP S5981193 A JPS5981193 A JP S5981193A JP 57192273 A JP57192273 A JP 57192273A JP 19227382 A JP19227382 A JP 19227382A JP S5981193 A JPS5981193 A JP S5981193A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光ビームを用いて情報を記録再生する媒体に
関するもので、特に光ビームとして半導体レーザーを使
用して記録を行う媒体に関するものである。
関するもので、特に光ビームとして半導体レーザーを使
用して記録を行う媒体に関するものである。
従来より、光情報記録膜に光ビームを照射し、該光ビー
ムの光エネルギーあるいは゛熱エネルギーによって前記
光情報記録膜に微小な凹凸ｃピット）を形成し、あるい
は透過率、屈折率等の光学的性質の変化を生ぜしめるこ
とにより情報を記録し、次に微弱な光ビームを、情報が
記録された前記光情報記録膜に照射し、上記ビットある
いは光学的性質変化部分の光ビーム反射光の反射光量変
化あるいは位相変化を読み取る高密度光情報記録媒体が
知られている。
ムの光エネルギーあるいは゛熱エネルギーによって前記
光情報記録膜に微小な凹凸ｃピット）を形成し、あるい
は透過率、屈折率等の光学的性質の変化を生ぜしめるこ
とにより情報を記録し、次に微弱な光ビームを、情報が
記録された前記光情報記録膜に照射し、上記ビットある
いは光学的性質変化部分の光ビーム反射光の反射光量変
化あるいは位相変化を読み取る高密度光情報記録媒体が
知られている。
前記光ビームは微小面積に高密度のエネルギーを集中さ
せねばならず、一般にアルゴン（Ａｒ）やヘリウム−ネ
オン（Ｈｅ−Ｎｅ）等のガスレーザー光あるいはがリウ
ムアルミニウムヒ−Ｘ （ＧａＡｌＡｓ ）半導体レー
ザーが使用される。１ｒ、Ｈｅ−Ｎｅ レーザー光は波
長が４８８ｎｍ、 ６３３ｎｍの可視光であり、半導体
レーザー光は波長が７８０〜８５０ｎｍの近赤外光であ
る。またＡｒやＨｅ−Ｎｅレーザー光は出力がそれぞれ
１〜ＩＯＷ、 ５０ｍＷと大きいが、レーザー管寸法が
大きく、又レーザー光出力を記録情報信号で直接変調す
ることができないため変調器を必要とする。したがって
ＡｒやＨｅ−Ｎｅレーザーを用いた光情報記録再生装置
は大型となる欠点がある。一方、半導体レーザーは出力
が５〜ｌ ５ｍＷ型化できる利点がある。
せねばならず、一般にアルゴン（Ａｒ）やヘリウム−ネ
オン（Ｈｅ−Ｎｅ）等のガスレーザー光あるいはがリウ
ムアルミニウムヒ−Ｘ （ＧａＡｌＡｓ ）半導体レー
ザーが使用される。１ｒ、Ｈｅ−Ｎｅ レーザー光は波
長が４８８ｎｍ、 ６３３ｎｍの可視光であり、半導体
レーザー光は波長が７８０〜８５０ｎｍの近赤外光であ
る。またＡｒやＨｅ−Ｎｅレーザー光は出力がそれぞれ
１〜ＩＯＷ、 ５０ｍＷと大きいが、レーザー管寸法が
大きく、又レーザー光出力を記録情報信号で直接変調す
ることができないため変調器を必要とする。したがって
ＡｒやＨｅ−Ｎｅレーザーを用いた光情報記録再生装置
は大型となる欠点がある。一方、半導体レーザーは出力
が５〜ｌ ５ｍＷ型化できる利点がある。
前記情報記録膜は、■記録用光ビームに対する吸収係数
が大きい。■熱伝導度が小さい。■室温以上の可能な限
シ低い温度で溶融蒸発あるいは反射率、屈折率等の光学
的性質の変化を示す。こと等が必要である。このような
光情報記録膜には、テルル（Ｔｅ ｌ 、ビスマス（Ｂ
ｊ）等の金属、有機無機色素顔料、金属有機物複合物が
用いられ得る。有機色素は波長が４５０ｎｍ〜７５０ｎ
ｍの可視光を吸収し、７５０ｎｍ以上の近赤外光の吸収
は小さい。
が大きい。■熱伝導度が小さい。■室温以上の可能な限
シ低い温度で溶融蒸発あるいは反射率、屈折率等の光学
的性質の変化を示す。こと等が必要である。このような
光情報記録膜には、テルル（Ｔｅ ｌ 、ビスマス（Ｂ
ｊ）等の金属、有機無機色素顔料、金属有機物複合物が
用いられ得る。有機色素は波長が４５０ｎｍ〜７５０ｎ
ｍの可視光を吸収し、７５０ｎｍ以上の近赤外光の吸収
は小さい。
したがって、有機色素を記録膜とする光情報記録媒体に
半導体レーザー光ビームを照射して情報を記録する場合
、記録膜のレーザー光吸収が小さいため記録に必要な光
ビームエネルギーは多大となるという欠点がある。
半導体レーザー光ビームを照射して情報を記録する場合
、記録膜のレーザー光吸収が小さいため記録に必要な光
ビームエネルギーは多大となるという欠点がある。
本発明は、このような欠点を解消するためになされたも
ので、有機色素記録膜の半導体レーザー光に対する吸収
を増し、小さい光ビームエネルギーで情報を記録するこ
とができる光情報記録媒体を提供することを目的とする
。
ので、有機色素記録膜の半導体レーザー光に対する吸収
を増し、小さい光ビームエネルギーで情報を記録するこ
とができる光情報記録媒体を提供することを目的とする
。
本発明の特徴は、光ビームを用いて情報を記録再生する
光情報記録媒体において、該光情報記録媒体の記録膜が
ナフトールグリーンＢおよびポリビニルアルコール（ｐ
、ｖ Ａ ）を含有することにある。
光情報記録媒体において、該光情報記録媒体の記録膜が
ナフトールグリーンＢおよびポリビニルアルコール（ｐ
、ｖ Ａ ）を含有することにある。
以下本発明について説明する。
食品用色素、羊毛超酸性染料として知られている。ナフ
トールグリーンＢの水溶液の分光吸収特性は、第１図実
線１で示されるように最大吸収波長は７３０ｎｍで７８
０〜８５０ｎｍの近赤外域での吸収は小さい。
トールグリーンＢの水溶液の分光吸収特性は、第１図実
線１で示されるように最大吸収波長は７３０ｎｍで７８
０〜８５０ｎｍの近赤外域での吸収は小さい。
ナフトールグリーンＢの可視光長波長域における吸収は
、発色団であるニトロソ基の電子共鳴にもとづくもので
ある。
、発色団であるニトロソ基の電子共鳴にもとづくもので
ある。
Ｃ：／−Ｎ＝ＯＨｑＮ−０−４−□”Ｃ：？＝Ｎ−０−
ナフトールグリーンＢに深色効果のある助色団を導入す
ると最大吸収波長側にシフトさせ、半導体レーザー光の
波長領域である７８０〜８５０ｎｍの光の吸収を増すこ
とができる。
ナフトールグリーンＢに深色効果のある助色団を導入す
ると最大吸収波長側にシフトさせ、半導体レーザー光の
波長領域である７８０〜８５０ｎｍの光の吸収を増すこ
とができる。
本発明においては前記深色効果を示す助色団である水酸
基（ＯＨ基）をもつポリビニルアルコールをナフトール
グリーンＢに混合することによりナフトールグリーンＢ
の最大吸収波長を長波長側に移動させ、半導体レーザー
光に対する吸収を増大させている。
基（ＯＨ基）をもつポリビニルアルコールをナフトール
グリーンＢに混合することによりナフトールグリーンＢ
の最大吸収波長を長波長側に移動させ、半導体レーザー
光に対する吸収を増大させている。
ＰｖＡは ＋−ＣＨ２−ＣＨ＋ｒ］ で示される構造
ＯＨ でＯＨ基を有し、ポリ酢酸ビニルをけん化して得られる
高分子化合物である。優れた接着性、フィルム形成性、
無色透明性をもっているので繊維、フィルム、接着剤等
に広く利用されている。
ＯＨ でＯＨ基を有し、ポリ酢酸ビニルをけん化して得られる
高分子化合物である。優れた接着性、フィルム形成性、
無色透明性をもっているので繊維、フィルム、接着剤等
に広く利用されている。
ＰＶＡにはケン化度が８６〜８９％の部分ケン化ＰＶＡ
。
。
ケン化度が９５〜９９ｔＩ）の完全ケン化ＰＶＡ、 Ｏ
Ｈ基の一部分が他の官能基に置き替えられた変性ＰＶＡ
があるが、いずれのＰＶＡも本発明には有効であ 、る
。これはいずれのＰＶＡにおいてもＯＨ基の一部分がＣ
Ｈ３ＣＯＯ基あるいは他の官能基に置きかえられ、大部
分のＯＨ基はそのま＼存在するからである。
Ｈ基の一部分が他の官能基に置き替えられた変性ＰＶＡ
があるが、いずれのＰＶＡも本発明には有効であ 、る
。これはいずれのＰＶＡにおいてもＯＨ基の一部分がＣ
Ｈ３ＣＯＯ基あるいは他の官能基に置きかえられ、大部
分のＯＨ基はそのま＼存在するからである。
ナフトールグリーンＢとＰＶＡの混合物を水に溶解し、
しかる後、水を蒸発させてフィルムとした本発明による
情報記録膜の分光吸収特性は第１図実線２で示され最大
吸収波長は７７５ｎｍとなり、半導体レーザー光の波長
領域である７８０〜８５０ｎｍにおいて、ナフトールグ
リーンＢ単独の記録膜よりも大きな吸収をもっている。
しかる後、水を蒸発させてフィルムとした本発明による
情報記録膜の分光吸収特性は第１図実線２で示され最大
吸収波長は７７５ｎｍとなり、半導体レーザー光の波長
領域である７８０〜８５０ｎｍにおいて、ナフトールグ
リーンＢ単独の記録膜よりも大きな吸収をもっている。
したがって本発明の光情報記録媒体は小さいレーザー光
エネルギーにて情報を記録することが可能である。
エネルギーにて情報を記録することが可能である。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例 １
厚さｌ、２ｍｍ 直径２００ｍｍの両面光学研磨ガラス
板にアルミニウム（ｈＬ）薄膜を真空蒸着法にて形成し
、更に該Ａｉ模膜上ナフトールグリーンＢとＰｖＡの混
合物から疫る記録薄膜を形成し光情報記録媒体とした。
板にアルミニウム（ｈＬ）薄膜を真空蒸着法にて形成し
、更に該Ａｉ模膜上ナフトールグリーンＢとＰｖＡの混
合物から疫る記録薄膜を形成し光情報記録媒体とした。
前記記録薄膜は以下のようにして作製される。
上記組成物を加温、攪拌しながら完全溶解させ、室温ま
で冷却する。次に高速で回転する前記片面にＡｌ薄膜を
備えたガラス板のｈＬ薄膜上に上記組成物溶液を滴下す
るとＡｉ薄膜上にナフトールグリーン１３．ＰＶＡ混合
物記録膜が形成される。この光情報記録媒体に波長が８
３０ｎｍのＧａＡＪＬＡｓ半導体レーザー光を照射した
ところ、情報を記録するに必要な最小光ビームエネルギ
ーは７０ｍＪ／ｃｍ２であった。
で冷却する。次に高速で回転する前記片面にＡｌ薄膜を
備えたガラス板のｈＬ薄膜上に上記組成物溶液を滴下す
るとＡｉ薄膜上にナフトールグリーン１３．ＰＶＡ混合
物記録膜が形成される。この光情報記録媒体に波長が８
３０ｎｍのＧａＡＪＬＡｓ半導体レーザー光を照射した
ところ、情報を記録するに必要な最小光ビームエネルギ
ーは７０ｍＪ／ｃｍ２であった。
本実施例と比較するため、本実施例におけるＰＶＡの代
りに水溶性アクリ樹脂を用いて同様の方法にて光情報記
録媒体を作製し半導体レーザーによる記録を行ったとこ
ろ、情報を記録する 。
りに水溶性アクリ樹脂を用いて同様の方法にて光情報記
録媒体を作製し半導体レーザーによる記録を行ったとこ
ろ、情報を記録する 。
に必要な最小光ビームエネルギーは１１（１ｍＪ／Ｃｍ
２τ゛本実施例の１．６倍の大きな光ビームエネルギー
を必要と１−だ。
２τ゛本実施例の１．６倍の大きな光ビームエネルギー
を必要と１−だ。
実施例 ２
実施例１において、ＰＶＡ （完全ケン化）をＰＶＡ
（部分ケン化）に代えて記録実験をしたところ必要最小
ビームエネルギーは７５ｍＪ／ｃｍ２であった。
（部分ケン化）に代えて記録実験をしたところ必要最小
ビームエネルギーは７５ｍＪ／ｃｍ２であった。
実施例 ３
実施例１においてＰＶＡ （完全ケン化）を１０モルチ
ウレタン変成をした変成ＰＶＡに代えて、同様の記録実
験をしたところ必要最小光ビーノ、エネルギーは７０ｍ
Ｊ／ｃｍ２であった。
ウレタン変成をした変成ＰＶＡに代えて、同様の記録実
験をしたところ必要最小光ビーノ、エネルギーは７０ｍ
Ｊ／ｃｍ２であった。
以上の実施例においては、ナフトールグリーンＢのＰＶ
Ａに対する重量比を２としたが、本発明においては該重
量比は２に制限されることなく０．２〜５の範囲を用い
ることができ０．３〜３の範囲がより望ましい。前記重
量比が５より犬なる時は記録膜中でナフトールグリーン
Ｂの結晶が析出するのでその部分には情報が記録されな
いので好ましくない。又前記重量比が０．２以下の時は
記録膜のレーザー光吸収量が小さく、したがって記録膜
厚を増してレーザー光吸収量を増さねばならず、情報を
記録するに要する光ビームエネルギーが犬となるので好
ましくない。
Ａに対する重量比を２としたが、本発明においては該重
量比は２に制限されることなく０．２〜５の範囲を用い
ることができ０．３〜３の範囲がより望ましい。前記重
量比が５より犬なる時は記録膜中でナフトールグリーン
Ｂの結晶が析出するのでその部分には情報が記録されな
いので好ましくない。又前記重量比が０．２以下の時は
記録膜のレーザー光吸収量が小さく、したがって記録膜
厚を増してレーザー光吸収量を増さねばならず、情報を
記録するに要する光ビームエネルギーが犬となるので好
ましくない。
実施例 ４
実施例１における記録膜の組成を
とした光情報記録媒体を作製し、記録実験をしたところ
、必要最小光ビームエネルギーは８５ｍＪ／ｃｍ２であ
った。
、必要最小光ビームエネルギーは８５ｍＪ／ｃｍ２であ
った。
実施例１の比較に示した水溶性アクリル樹脂１００係
の場合よりも２鏝少ない光ビームエネルギーで情報を
記録することができる。
の場合よりも２鏝少ない光ビームエネルギーで情報を
記録することができる。
以上説明したように、本発明による光情報記録媒体にお
いては記録膜がナフトールグリーンとポリビニルアルコ
ールを含有しているので、波長が７８Ｑｎｍ〜８５０ｎ
ｍの半導体レーザー光の吸収が大きい。したがってこの
波長帯域のレーザー光を用いて情報を上記記録媒体上に
記録すれば必要とするレーザー光ビームエネルギーを小
さくするととができ、光情報記録媒体の小型化。
いては記録膜がナフトールグリーンとポリビニルアルコ
ールを含有しているので、波長が７８Ｑｎｍ〜８５０ｎ
ｍの半導体レーザー光の吸収が大きい。したがってこの
波長帯域のレーザー光を用いて情報を上記記録媒体上に
記録すれば必要とするレーザー光ビームエネルギーを小
さくするととができ、光情報記録媒体の小型化。
高密度記録化ができる。
第１図は本発明の光情報記録媒体記録膜の分光吸収特性
を示す図である。 １はナフトールグリーンＢ水溶液の分光吸収特性、２は
本発明の一実施例の記録膜の分光吸収特性である。 出願人 日本コロムビア株式会社 浜松テレビ株式会社 ゛パ・夕、！ｊ ′＋ａ＝：２−７
を示す図である。 １はナフトールグリーンＢ水溶液の分光吸収特性、２は
本発明の一実施例の記録膜の分光吸収特性である。 出願人 日本コロムビア株式会社 浜松テレビ株式会社 ゛パ・夕、！ｊ ′＋ａ＝：２−７
Claims (1)
- 光ビーム照射によって情報が記録される光情報記録媒体
において、該光情報記録媒体の記録膜がナフトールグリ
ーンＢおよびポリビニルアルコールを含有することを特
徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192273A JPS5981193A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192273A JPS5981193A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981193A true JPS5981193A (ja) | 1984-05-10 |
| JPH0129718B2 JPH0129718B2 (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=16288528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192273A Granted JPS5981193A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981193A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545742A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording material |
| JPS5489605A (en) * | 1977-09-29 | 1979-07-16 | Philips Nv | Information memory element |
| JPS5593488A (en) * | 1979-01-10 | 1980-07-15 | Nec Corp | Laser recording film |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP57192273A patent/JPS5981193A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545742A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording material |
| JPS5489605A (en) * | 1977-09-29 | 1979-07-16 | Philips Nv | Information memory element |
| JPS5593488A (en) * | 1979-01-10 | 1980-07-15 | Nec Corp | Laser recording film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129718B2 (ja) | 1989-06-13 |
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