JPH0771868B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH0771868B2 JPH0771868B2 JP61154423A JP15442386A JPH0771868B2 JP H0771868 B2 JPH0771868 B2 JP H0771868B2 JP 61154423 A JP61154423 A JP 61154423A JP 15442386 A JP15442386 A JP 15442386A JP H0771868 B2 JPH0771868 B2 JP H0771868B2
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- JP
- Japan
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- recording medium
- group
- optical recording
- medium according
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
- G11B7/2492—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds neutral compounds
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/2467—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes azo-dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光を用いて情報を記録・再生することの
できる新規の高感度かつ高密度な光記録媒体に関する。
更に詳しくは高密度エネルギービームであるレーザ光を
照射された部位が溶融、分解等により変形又は除去され
ることにより生じる反射率或いは透過率の変化を利用し
て情報を記録・再生するのに適したヒートモードの光記
録媒体に関する。
できる新規の高感度かつ高密度な光記録媒体に関する。
更に詳しくは高密度エネルギービームであるレーザ光を
照射された部位が溶融、分解等により変形又は除去され
ることにより生じる反射率或いは透過率の変化を利用し
て情報を記録・再生するのに適したヒートモードの光記
録媒体に関する。
レーザ光による光記録は書き込みないし読み出しヘツド
が非接触である為、記録材料が摩耗劣化しないという特
徴をもつことから、種々の光記録材料の研究開発が行わ
れている。特に光デイスク、レーザプリンタ、フアクシ
ミリ等の分野においてはレーザ光を用いた数多くの光情
報記録材料が知られている。その代表的なものとして
は、Te、Bi、In、Ge等の金属、合金又は酸化物に見られ
る金属系物質を光吸収性物質として記録層に用いること
が知られている。しかしながら、金属性物質は熱伝導率
や融点が高いばかりでなく、表面反射率も大きい為、レ
ーザ光のエネルギーを有効に利用することができないと
いう欠点がある。又、これらの金属系物質は毒性の点で
大きな問題がある。
が非接触である為、記録材料が摩耗劣化しないという特
徴をもつことから、種々の光記録材料の研究開発が行わ
れている。特に光デイスク、レーザプリンタ、フアクシ
ミリ等の分野においてはレーザ光を用いた数多くの光情
報記録材料が知られている。その代表的なものとして
は、Te、Bi、In、Ge等の金属、合金又は酸化物に見られ
る金属系物質を光吸収性物質として記録層に用いること
が知られている。しかしながら、金属性物質は熱伝導率
や融点が高いばかりでなく、表面反射率も大きい為、レ
ーザ光のエネルギーを有効に利用することができないと
いう欠点がある。又、これらの金属系物質は毒性の点で
大きな問題がある。
一方、前記金属系以外の光記録材料としては、フルオレ
セイン、スーダンブラツクＢ、コンゴーレツド、スーダ
ンブルー、ローダミン6G等の有機染料を光吸収性物質と
して記録層に用いることも知られている（例えば特開昭
56−55289号および特公昭57−209191号など）。
セイン、スーダンブラツクＢ、コンゴーレツド、スーダ
ンブルー、ローダミン6G等の有機染料を光吸収性物質と
して記録層に用いることも知られている（例えば特開昭
56−55289号および特公昭57−209191号など）。
一般に有機物の熱伝導率は金属の1/10〜1/100と小さい
ことから、光熱変換により発生した熱が有効に利用でき
るばかりでなく、水平方向への熱の散逸が低減されるこ
とから、忠実の信号の記録、即ち高密度記録が可能とな
る。しかしながら、これら公知の有機物は主に可視光領
域に吸収を示すことから、記録用レーザ光源はAr+レー
ザ（488nm）或いはHe−Neレーザ（633nm）等に限定さ
れ、近赤外光領域（〜800nm）に発振波長を有し、装置
全体の小型化、軽量化が計れる半導体レーザによる記録
には適していない。
ことから、光熱変換により発生した熱が有効に利用でき
るばかりでなく、水平方向への熱の散逸が低減されるこ
とから、忠実の信号の記録、即ち高密度記録が可能とな
る。しかしながら、これら公知の有機物は主に可視光領
域に吸収を示すことから、記録用レーザ光源はAr+レー
ザ（488nm）或いはHe−Neレーザ（633nm）等に限定さ
れ、近赤外光領域（〜800nm）に発振波長を有し、装置
全体の小型化、軽量化が計れる半導体レーザによる記録
には適していない。
近赤外光領域に吸収を示す有機化合物としてはシアニン
色素等が例えば特開昭58−114989号にて知られている。
しかしながらシアニン色素は水分、酸素または光等に対
する安定性が悪いので記録状態が安定に保てないという
欠点がある。
色素等が例えば特開昭58−114989号にて知られている。
しかしながらシアニン色素は水分、酸素または光等に対
する安定性が悪いので記録状態が安定に保てないという
欠点がある。
以上説明したように従来提案されている有機系の光記録
材料は十分な光吸収能或いは光反射能を有しないか、或
いは耐久性、保存安定性等に問題があり、光記録材料と
しての必要性能を満足するものはないのが現状である。
材料は十分な光吸収能或いは光反射能を有しないか、或
いは耐久性、保存安定性等に問題があり、光記録材料と
しての必要性能を満足するものはないのが現状である。
本発明者らは広範に亘る研究をした結果、モノアゾ化合
物の金属錯体群の中に可視光及び近赤外光領域に於て大
きな分子吸光係数を有するものを見い出した。そして該
金属錯体を含む記録層にレーザ光を照射したところ、効
率良く光熱変換を起こし、レーザ光を照射した部位が反
射率或は透過率に大きな変化を生じることを認め先に特
許出願を行つた。（特願昭60−297944号）。
物の金属錯体群の中に可視光及び近赤外光領域に於て大
きな分子吸光係数を有するものを見い出した。そして該
金属錯体を含む記録層にレーザ光を照射したところ、効
率良く光熱変換を起こし、レーザ光を照射した部位が反
射率或は透過率に大きな変化を生じることを認め先に特
許出願を行つた。（特願昭60−297944号）。
本発明は上記発明を一層改良することを目的としてなさ
れた。
れた。
本発明者らは、先の発明の金属錯体群を含む記録材料に
おいて、有機重合体よりなる保護層、特にある一定以上
の厚みを有する保護層を付与することにより、記録部の
安定性が極めて改良されることを認め、本発明に至つ
た。
おいて、有機重合体よりなる保護層、特にある一定以上
の厚みを有する保護層を付与することにより、記録部の
安定性が極めて改良されることを認め、本発明に至つ
た。
即ち、本発明の光記録媒体は、基本的には支持体、記録
層及び保護層からなり、該記録層が、下記の一般式
（１）で表わされるモノアゾ化合物の金属錯体を含有
し、且つ、該保護層が有機重合体であることを特徴とす
るものである。
層及び保護層からなり、該記録層が、下記の一般式
（１）で表わされるモノアゾ化合物の金属錯体を含有
し、且つ、該保護層が有機重合体であることを特徴とす
るものである。
（式中、Ｘは、それが結合している窒素原子及び炭素原
子と一緒になつて電子供与性基又は電子吸引性基で置換
されていてもよい複素環を形成する残基であり、Ｙは、
それが結合している二つの炭素原子と一緒になつて電子
供与性基で置換されていてもよい芳香環を形成する残基
である。また、Ｚはヒドロキシル基またはカルボキシル
基である。） 上記式中、電子供与性基としては、モノメチルアミノ、
モノエチルアミノ等の炭素数４までの低級モノアルキル
アミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−ｎ−
ブチルアミノ等の炭素数４までの低級ジアルキルアミノ
基、メトキシ、エトキシ等の炭素数４までの低級アルコ
キシ基、メチル、エチル等の炭素数４までの低級アルキ
ル基、アミノ基又は水酸基等が挙げられる。尚上記アル
キル部位は例えばスルホン化されていてもよい。好まし
い電子供与性基は、Ｚがヒドロキシル基の場合はジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基、水酸基、メトキシ基ま
たはメチル基であり、Ｚがカルボキシル基の場合はジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基または水酸基である。
子と一緒になつて電子供与性基又は電子吸引性基で置換
されていてもよい複素環を形成する残基であり、Ｙは、
それが結合している二つの炭素原子と一緒になつて電子
供与性基で置換されていてもよい芳香環を形成する残基
である。また、Ｚはヒドロキシル基またはカルボキシル
基である。） 上記式中、電子供与性基としては、モノメチルアミノ、
モノエチルアミノ等の炭素数４までの低級モノアルキル
アミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−ｎ−
ブチルアミノ等の炭素数４までの低級ジアルキルアミノ
基、メトキシ、エトキシ等の炭素数４までの低級アルコ
キシ基、メチル、エチル等の炭素数４までの低級アルキ
ル基、アミノ基又は水酸基等が挙げられる。尚上記アル
キル部位は例えばスルホン化されていてもよい。好まし
い電子供与性基は、Ｚがヒドロキシル基の場合はジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基、水酸基、メトキシ基ま
たはメチル基であり、Ｚがカルボキシル基の場合はジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基または水酸基である。
一方、電子吸引性基としては塩素、臭素等のハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、トリフツ化メチル基、カルボ
キシル基等が挙げられる。好ましい電子吸引性基は塩
素、臭素又はニトロ基である。
子、ニトロ基、シアノ基、トリフツ化メチル基、カルボ
キシル基等が挙げられる。好ましい電子吸引性基は塩
素、臭素又はニトロ基である。
これらの置換基は一種又は二種でも良い。
又、複素環としては、ピリジル、チアゾリル、ベンゾチ
アゾリル、キノリル、ピリミジル又はヒドロキシベンゾ
チアゾリル等の複素環を例示することができる。好まし
い複素環はチアゾリル及びベンゾチアゾリルである。一
方芳香環としては、フエニル、ナフチル等を例示するこ
とができる。ここで芳香環としてベンゼン環を選択した
場合、前記電子供与性基で置換されているのがよい。該
電子供与性基は助色効果及び錯体の安定性を増大させる
効果を有する。
アゾリル、キノリル、ピリミジル又はヒドロキシベンゾ
チアゾリル等の複素環を例示することができる。好まし
い複素環はチアゾリル及びベンゾチアゾリルである。一
方芳香環としては、フエニル、ナフチル等を例示するこ
とができる。ここで芳香環としてベンゼン環を選択した
場合、前記電子供与性基で置換されているのがよい。該
電子供与性基は助色効果及び錯体の安定性を増大させる
効果を有する。
本発明に於て錯体を形成するモノアゾ化合物の代表例と
しては、Ｚがヒドロキシル基の場合は次のものが挙げら
れる。
しては、Ｚがヒドロキシル基の場合は次のものが挙げら
れる。
１） チアゾリルアゾ化合物。
２） ヒドロキシベンゾチアゾリルアゾ化合物。
３） ベンゾチアゾリルアゾ化合物。
４） ピリジルアゾ化合物。
５） キノリルアゾ化合物。
６） ピリミジルアゾ化合物。
またＺがカルボキシル基の場合の代表例は次のものが挙
げられる。
げられる。
１） チアゾリルアゾ化合物。
２） ベンゾチアゾリルアゾ化合物。
３） ピリジルアゾ化合物。
これらの化合物は例えば、分析化学、Vo1.11,P621−P62
8（1962）や日本化学雑誌、第83巻、第11号、P1185−P1
189（1962）に記載の方法等に準じて合成される。
8（1962）や日本化学雑誌、第83巻、第11号、P1185−P1
189（1962）に記載の方法等に準じて合成される。
本発明においてもモノアゾ化合物と錯体を形成する金属
としては、一般に該モノアゾ化合物と錯体を形成する能
力のある金属なら特に制限はないが鉄、コバルト、ニツ
ケルから選択される鉄族元素が特によく、銅、鉄、金か
ら選択される銅族元素も用いられる。これらの金属から
なる錯体は一般にモノアゾ化合物自身の吸収極大波長よ
りも長波長側に吸収極大波長を有し、同時にその分子吸
光係数（ε）も増大するので記録レーザ光を効率良く吸
収し、光熱変換を起こすことから好適に用いられる。特
に金属として二価の鉄を選択した錯体はその吸収極大波
長が長波長領域にあり、半導体レーザ発振波長領域に大
きな分子吸光係数を有するので、実用的に有用である。
この特性吸収帯の帰属は必ずしも明確でないが、鉄→配
位子型電荷移動に困るものと考えられる。
としては、一般に該モノアゾ化合物と錯体を形成する能
力のある金属なら特に制限はないが鉄、コバルト、ニツ
ケルから選択される鉄族元素が特によく、銅、鉄、金か
ら選択される銅族元素も用いられる。これらの金属から
なる錯体は一般にモノアゾ化合物自身の吸収極大波長よ
りも長波長側に吸収極大波長を有し、同時にその分子吸
光係数（ε）も増大するので記録レーザ光を効率良く吸
収し、光熱変換を起こすことから好適に用いられる。特
に金属として二価の鉄を選択した錯体はその吸収極大波
長が長波長領域にあり、半導体レーザ発振波長領域に大
きな分子吸光係数を有するので、実用的に有用である。
この特性吸収帯の帰属は必ずしも明確でないが、鉄→配
位子型電荷移動に困るものと考えられる。
本発明で用いられるモノアゾ化合物と配位金属との比
は、通常化学量論的に1/1、2/1等に設定されるが、生成
物の光学特性を大きく左右する場合もあり、目的に応じ
適正比を選ぶことが望ましい。
は、通常化学量論的に1/1、2/1等に設定されるが、生成
物の光学特性を大きく左右する場合もあり、目的に応じ
適正比を選ぶことが望ましい。
本発明において用いられる上記モノアゾ化合物の金属錯
体は、任意の方法により合成される。例えば水及び／又
は有機溶媒中、前記式（Ｉ）で示されるモノアゾ化合物
の一種又は二種以上と金属塩の一種又は二種以上を反応
せしめることにより得られる。
体は、任意の方法により合成される。例えば水及び／又
は有機溶媒中、前記式（Ｉ）で示されるモノアゾ化合物
の一種又は二種以上と金属塩の一種又は二種以上を反応
せしめることにより得られる。
該金属錯体の合成に用いる金属塩としては、目的とする
金属の塩化物、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、
硫酸アンモニウム塩、脩酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩、蟻
酸塩、炭酸塩、ステアリン酸塩又はホウ酸塩等を挙げる
ことができる。
金属の塩化物、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、
硫酸アンモニウム塩、脩酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩、蟻
酸塩、炭酸塩、ステアリン酸塩又はホウ酸塩等を挙げる
ことができる。
本発明の光記録媒体における記録層は、前記モノアゾ化
合物の金属錯体単独又は、他の材料との組み合わせから
なり、ガラス、アルミニウム、セラミツクス等の無機材
料やポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポ
リエステル等の合成樹脂材料よりなる支持体上に設けら
れる。該支持体は透明或いは不透明であり、記録及び再
生レーザ光の入射方向により各々に適した光学特性を有
する支持体が用いられる。特に透明な支持体面側からの
入射では、面上に付着した塵埃又はキズ等の欠陥に影響
されることなく記録・再生が行なえることから、より好
適に用いられる。記録層を設けた円板状の２枚の透明の
支持体をそれぞれの記録層面を内側に配置し、空隙を有
するように貼り合せた所謂エアーサンドイツチ構造の記
録材料とすることもできる。支持体の形状は、その使用
目的により選択し得、円板状、テープ状、シート状等が
例示されるが、特に円板状の場合、トラツキングを円滑
に主なう為にプリグループを設けても良い。
合物の金属錯体単独又は、他の材料との組み合わせから
なり、ガラス、アルミニウム、セラミツクス等の無機材
料やポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポ
リエステル等の合成樹脂材料よりなる支持体上に設けら
れる。該支持体は透明或いは不透明であり、記録及び再
生レーザ光の入射方向により各々に適した光学特性を有
する支持体が用いられる。特に透明な支持体面側からの
入射では、面上に付着した塵埃又はキズ等の欠陥に影響
されることなく記録・再生が行なえることから、より好
適に用いられる。記録層を設けた円板状の２枚の透明の
支持体をそれぞれの記録層面を内側に配置し、空隙を有
するように貼り合せた所謂エアーサンドイツチ構造の記
録材料とすることもできる。支持体の形状は、その使用
目的により選択し得、円板状、テープ状、シート状等が
例示されるが、特に円板状の場合、トラツキングを円滑
に主なう為にプリグループを設けても良い。
又、記録層に用いる金属錯体は、必要に応じて二種以上
のモノアゾ化合物及び／又は金属元素から構成されてい
ても良く、それらを、混合することにより、レーザ光吸
収波長を選択或いは調整することも可能である。
のモノアゾ化合物及び／又は金属元素から構成されてい
ても良く、それらを、混合することにより、レーザ光吸
収波長を選択或いは調整することも可能である。
これらの記録層は、真空蒸着法あるいは、前記金属錯体
を単独か或いは樹脂等の他の材料と組み合わせて適当な
溶媒に溶解し、スピンコート法、デイツピング法、バー
コード法、キヤスト法等の簡便な塗布方法にて設層する
ことができる。この際後者においては必要に応じて、安
定剤、界面活性剤、分散剤、レベリング剤等を用いても
良い。
を単独か或いは樹脂等の他の材料と組み合わせて適当な
溶媒に溶解し、スピンコート法、デイツピング法、バー
コード法、キヤスト法等の簡便な塗布方法にて設層する
ことができる。この際後者においては必要に応じて、安
定剤、界面活性剤、分散剤、レベリング剤等を用いても
良い。
設層される記録等の膜厚は10〜500nmが好ましく、同時
に記録レーザ光に対する透過率が70％以下であることが
好ましい。透過率が70％よりも大きくなると充分な光吸
収能或いは光反射能を有さなくなる。
に記録レーザ光に対する透過率が70％以下であることが
好ましい。透過率が70％よりも大きくなると充分な光吸
収能或いは光反射能を有さなくなる。
前記の組み合せて使用される樹脂としては、熱可塑性或
いは自己酸化性樹脂が好適であり、ポリカーボネート、
ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリエチレ
ン、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルブチラール、
ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、ポリビニルアルコ
ール、メチルセルロース等、広範な樹脂から適宜選択す
ることが可能である。特にニトロセルロースは、強い酸
化作用を有することから望ましい。樹脂に対する該有機
金属錯体の重量比は一般に0.1％以上、好ましくは10％
以上、特に好ましくは30％以上である。少なすぎると、
充分な光吸収能或いは光学的な濃淡差が得られない場合
がある。
いは自己酸化性樹脂が好適であり、ポリカーボネート、
ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリエチレ
ン、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルブチラール、
ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、ポリビニルアルコ
ール、メチルセルロース等、広範な樹脂から適宜選択す
ることが可能である。特にニトロセルロースは、強い酸
化作用を有することから望ましい。樹脂に対する該有機
金属錯体の重量比は一般に0.1％以上、好ましくは10％
以上、特に好ましくは30％以上である。少なすぎると、
充分な光吸収能或いは光学的な濃淡差が得られない場合
がある。
本発明において用いられる保護層としては有機重合体が
用いられる。該有機重合体は、高価な真空系を必要とし
ないスピンコート法等の湿式成膜が可能であり、経済的
であるばかりか、ある一定以上の厚みを有することによ
り、記録層における金属錯体の結晶生長を制御し、再生
時のノイズレベルの上昇を減少させるという特長を有す
る。一般に膜厚は0.01μｍ以上で効果が生起し、好まし
くは0.1μｍ以上、特に好ましくは0.5μｍ以上である。
膜厚の上限は特には限定されていないが50μｍ程度で充
分であり、場合によつては100μｍであることもでき
る。通常0.5μｍ〜25μｍの範囲において好適に用いら
れる。
用いられる。該有機重合体は、高価な真空系を必要とし
ないスピンコート法等の湿式成膜が可能であり、経済的
であるばかりか、ある一定以上の厚みを有することによ
り、記録層における金属錯体の結晶生長を制御し、再生
時のノイズレベルの上昇を減少させるという特長を有す
る。一般に膜厚は0.01μｍ以上で効果が生起し、好まし
くは0.1μｍ以上、特に好ましくは0.5μｍ以上である。
膜厚の上限は特には限定されていないが50μｍ程度で充
分であり、場合によつては100μｍであることもでき
る。通常0.5μｍ〜25μｍの範囲において好適に用いら
れる。
用いられる有機重合体としては、記録層の平滑性を損ね
ずに付与できるものであれば、広く用いられる。例えば
ポリイソブチレン、ポリ４−メチルペンテン−１、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等のポリオレフイン、オレフ
インと酢酸ビニル、無水マレイン酸、アクリル酸等との
オレフイン系共重合体、ブチルメタクリレート等のアク
リル樹脂、ポリアクリルニトリル、ポリアミド、ポリエ
ステル、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリエーテ
ル、ポリカーボネート、シリコーン樹脂等が例示され
る。スピンコート法により付与する場合は、ヘキサン、
シクロヘキサン等の誘電率の低い溶媒に可溶な重合体、
例えばポリイソブチレン、ポリイソブチルメタリクレー
ト、環化ポリイソプレン等が好適に用いられる。付加重
合型シリコーンゴムは無溶媒で用いられ、しかも記録層
の金属錯体を溶解しないので、特に好適に用いられる。
水に対する接触角が大きい樹脂程記録媒体の安定性が高
められることも認められている。70゜以上、好ましくは
80゜以上、特に好ましくは90゜以上の接触角を有する重
合体が好適に用いられる。
ずに付与できるものであれば、広く用いられる。例えば
ポリイソブチレン、ポリ４−メチルペンテン−１、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等のポリオレフイン、オレフ
インと酢酸ビニル、無水マレイン酸、アクリル酸等との
オレフイン系共重合体、ブチルメタクリレート等のアク
リル樹脂、ポリアクリルニトリル、ポリアミド、ポリエ
ステル、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリエーテ
ル、ポリカーボネート、シリコーン樹脂等が例示され
る。スピンコート法により付与する場合は、ヘキサン、
シクロヘキサン等の誘電率の低い溶媒に可溶な重合体、
例えばポリイソブチレン、ポリイソブチルメタリクレー
ト、環化ポリイソプレン等が好適に用いられる。付加重
合型シリコーンゴムは無溶媒で用いられ、しかも記録層
の金属錯体を溶解しないので、特に好適に用いられる。
水に対する接触角が大きい樹脂程記録媒体の安定性が高
められることも認められている。70゜以上、好ましくは
80゜以上、特に好ましくは90゜以上の接触角を有する重
合体が好適に用いられる。
本発明の光記録媒体は、基本的には、第１図に示す様に
支持体10、記録層20及び保護層40から構成される。記録
又は再生レーザ光は矢印100又は200で示される。必要に
応じて第２図に示す様に支持体上に下引層30を設けるこ
とができる。特に下引層としてはニトロセルロースが好
ましい。更には、第３図に示す様にAl、Ag、Au等の金属
の反射層50又はSiO2、Si3N4等の透明誘電体層60を設け
ることも可能である。一般に金属の反射層を設ける場合
には、更に真空蒸着法等の工程が必要となるばかりでな
く、繰り返し反射による光記録媒体の光学特性が、記録
層の膜厚に大きく依存することから、膜厚を厳密に制御
する必要が生じる。本発明の光記録媒体は金属の反射層
を設けなくとも、記録再生に必要な反射率或いは反射率
変化が得られるという特長を有する。
支持体10、記録層20及び保護層40から構成される。記録
又は再生レーザ光は矢印100又は200で示される。必要に
応じて第２図に示す様に支持体上に下引層30を設けるこ
とができる。特に下引層としてはニトロセルロースが好
ましい。更には、第３図に示す様にAl、Ag、Au等の金属
の反射層50又はSiO2、Si3N4等の透明誘電体層60を設け
ることも可能である。一般に金属の反射層を設ける場合
には、更に真空蒸着法等の工程が必要となるばかりでな
く、繰り返し反射による光記録媒体の光学特性が、記録
層の膜厚に大きく依存することから、膜厚を厳密に制御
する必要が生じる。本発明の光記録媒体は金属の反射層
を設けなくとも、記録再生に必要な反射率或いは反射率
変化が得られるという特長を有する。
情報の記録は、高エネルギー密度のレーザ光を光記録媒
体に照射し、記録層の一部に化学的変化又は物理的形状
変化を生じさせることによりなされる。即ち、レーザ光
を照射された部位が、光熱変換を経て発生した熱によ
り、溶融、分解等を受け変形又は除去されることにより
記録がなされる。尚、レーザ光によるピツト形成は低エ
ネルギーで行うことができ、レーザ光のビーム径を１μ
ｍ程度に集光した場合、好ましくは記録層面上でのパワ
ーが１〜10mW、照射時間が50〜500n秒の範囲内でピツト
が形成される。
体に照射し、記録層の一部に化学的変化又は物理的形状
変化を生じさせることによりなされる。即ち、レーザ光
を照射された部位が、光熱変換を経て発生した熱によ
り、溶融、分解等を受け変形又は除去されることにより
記録がなされる。尚、レーザ光によるピツト形成は低エ
ネルギーで行うことができ、レーザ光のビーム径を１μ
ｍ程度に集光した場合、好ましくは記録層面上でのパワ
ーが１〜10mW、照射時間が50〜500n秒の範囲内でピツト
が形成される。
一方、情報の読み出しは、出力を記録時の1/5〜1/10に
減衰させ、記録層が化学的変化又は物理的形状変化を引
き起こさないように設定された低出力レーザ光を連続光
として照射し、ピツトの有無による反射光量又は透過光
量の変化を検出することによりなされる。通常、単一の
光学系で記録・再生が可能な反射光により検出するのが
よい。
減衰させ、記録層が化学的変化又は物理的形状変化を引
き起こさないように設定された低出力レーザ光を連続光
として照射し、ピツトの有無による反射光量又は透過光
量の変化を検出することによりなされる。通常、単一の
光学系で記録・再生が可能な反射光により検出するのが
よい。
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。
尚、実施例中の部とは全て重量部を表わす。また実施例
中のモノアゾ化合物は前述の略称で示した。
中のモノアゾ化合物は前述の略称で示した。
実施例１ TAMの1,4−ジオキサン溶液に1/2当量の硫酸第一鉄アン
モニウム塩水溶液を加え、pH調節した後、クロロホルム
抽出することにより、鉄錯体を得た。該錯体はクロロホ
ルム中でλmaxが760nm、εが2.7×104・mol-1・cm-1
の吸収を示した。
モニウム塩水溶液を加え、pH調節した後、クロロホルム
抽出することにより、鉄錯体を得た。該錯体はクロロホ
ルム中でλmaxが760nm、εが2.7×104・mol-1・cm-1
の吸収を示した。
一方、ニトロセルロース（粘度1/2秒、窒素含量12％）
のDMF溶液ジメチルホルムアミドを３μｍのメンブラン
フイルターにて濾過した後PMMA（ポリメチルメタクリエ
ート）デイスク上にスピンコートし、乾燥膜厚の0.8μ
ｍの下引層を設けた。次に鉄錯体のクロロホルム溶液を
調整し、0.2μｍのメンブランフイルターにて濾過した
後、上記デイスク上にスピンコートして、乾燥膜厚55nm
の記録層を設けた。更にポリイソブチレンのシクロヘキ
サン溶液を同様にスピンコート法により塗布して乾燥膜
厚５μｍの保護層を設けた。
のDMF溶液ジメチルホルムアミドを３μｍのメンブラン
フイルターにて濾過した後PMMA（ポリメチルメタクリエ
ート）デイスク上にスピンコートし、乾燥膜厚の0.8μ
ｍの下引層を設けた。次に鉄錯体のクロロホルム溶液を
調整し、0.2μｍのメンブランフイルターにて濾過した
後、上記デイスク上にスピンコートして、乾燥膜厚55nm
の記録層を設けた。更にポリイソブチレンのシクロヘキ
サン溶液を同様にスピンコート法により塗布して乾燥膜
厚５μｍの保護層を設けた。
第１図は、この様にして作製された光記録媒体を模式的
に示している。PMMF基板10上に記録層20及び保護層40を
設層した光記録媒体を線速度11m/secで回転させ、矢印1
00の方向から発振波長780nmの半導体レーザ光をビーム
径1.2μｍに集光させてパルス状に照射した。
に示している。PMMF基板10上に記録層20及び保護層40を
設層した光記録媒体を線速度11m/secで回転させ、矢印1
00の方向から発振波長780nmの半導体レーザ光をビーム
径1.2μｍに集光させてパルス状に照射した。
この場合、レーザ光の照射面でのパワーは6mW、パルス
幅は500n sec、デユーテイ比50％の条件で行なつた。次
に、同条件で回転する記録ピツト列上に1mWの半導体レ
ーザ光を連続光として照射し、反射光強度変化による信
号の再生を行なつた所、50dBのCNRが得られた。一方、
同様に作製した試料に記録膜面側から記録・再生を行な
つた所、良好な再生信号が得られた。又、この光記録媒
体を40℃、95％RHの環境下に100時間放置後に再生を行
つたところ、CNRは48dBであり、実質的な低下は認めら
れず安定であつた。
幅は500n sec、デユーテイ比50％の条件で行なつた。次
に、同条件で回転する記録ピツト列上に1mWの半導体レ
ーザ光を連続光として照射し、反射光強度変化による信
号の再生を行なつた所、50dBのCNRが得られた。一方、
同様に作製した試料に記録膜面側から記録・再生を行な
つた所、良好な再生信号が得られた。又、この光記録媒
体を40℃、95％RHの環境下に100時間放置後に再生を行
つたところ、CNRは48dBであり、実質的な低下は認めら
れず安定であつた。
尚、半導体レーザに代え、発振波長633nmのHe−Neレー
ザ光を同条件で使用した際にも、良好な再生信号が得ら
れた。
ザ光を同条件で使用した際にも、良好な再生信号が得ら
れた。
実施例２〜４ 実施例１において、保護層に用いられる重合体の種類及
び保護層の厚さを変化させ、光記録媒体を作製した。結
果を実施例１と併せて表１に示した。表１より保護層を
付与することにより、記録特性の安定化が達成されるこ
とが認められる。
び保護層の厚さを変化させ、光記録媒体を作製した。結
果を実施例１と併せて表１に示した。表１より保護層を
付与することにより、記録特性の安定化が達成されるこ
とが認められる。
反射型光学顕微鏡の観察によれば、保護層を付与しない
対照例においては、100時間放置後において記録層の結
晶化が起こつており、これが再生時にレーザ光の散乱を
生起し、結果としてノイズレベルが上昇したものと思わ
れる。なお、記録特性の安定な光記録媒体は100時間放
置後においても、記録部及び未記録部ともに記録層の結
晶化等による状態変化は認められなかつた。
対照例においては、100時間放置後において記録層の結
晶化が起こつており、これが再生時にレーザ光の散乱を
生起し、結果としてノイズレベルが上昇したものと思わ
れる。なお、記録特性の安定な光記録媒体は100時間放
置後においても、記録部及び未記録部ともに記録層の結
晶化等による状態変化は認められなかつた。
第１図〜３図は本発明の光記録媒体の種々の実施態様の
構造を示す断面図である。 図中100及び200は記録又は再生レーザ光の入射方向を示
す。また10は支持体、20は記録層、30は下引層、40は保
護層、50は反射層、そして60は透明誘電体層を示す。
構造を示す断面図である。 図中100及び200は記録又は再生レーザ光の入射方向を示
す。また10は支持体、20は記録層、30は下引層、40は保
護層、50は反射層、そして60は透明誘電体層を示す。
フロントページの続き (72)発明者 長田 司郎 岡山県倉敷市酒津青江山2045番地の１ 株 式会社クラレ内 (56)参考文献 特開 昭62−30090（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−9577（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−9579（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−11385（ＪＰ，Ａ)
Claims (15)
- 【請求項１】支持体、記録層及び保護層からなり、該記
録層が一般式 （式中、Ｘは、それが結合している窒素原子及び炭素原
子と一緒になつて複素環を形成する残基であり、Ｙは、
それが結合している二つの炭素原子と一緒になつて芳香
環を形成する残基である。又、Ｚはヒドロキシル基又は
カルボキシル基である。） で示されるモノアゾ化合物と金属との錯体を含有し、且
つ該保護層が有機重合体であることを特徴とする光記録
媒体。 - 【請求項２】保護層の厚みが0.01μｍ以上である特許請
求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - 【請求項３】複素環が少なくとも１つの電子供与性基又
は電子吸引性基で置換されているか、または芳香環が少
なくとも１つの電子供与性基で置換されていることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の光記録媒体。 - 【請求項４】該複素環がチアゾリル、ベンゾチアゾリ
ル、ピリジル、キノリル、ピリミジル及びヒドロキシベ
ンゾチアゾリルからなる群より選択された複素環である
特許請求の範囲第２項記載の光記録媒体。 - 【請求項５】該芳香環がフエニル又はナフチルである特
許請求の範囲第２項記載の光記録媒体。 - 【請求項６】該電子供与性基がアルキル基又はアルコキ
シル基から選択された一種以上の基である特許請求の範
囲第３項記載の光記録媒体。 - 【請求項７】該電子供与性基が、アミノ基、置換アミノ
基、及び水酸基からなる群より選択された一種以上の基
である特許請求の範囲第３項記載の光記録媒体。 - 【請求項８】該電子吸引性基がハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基及びトリフツ化メチル基からなる群より選
択された一種以上の基である特許請求の範囲第３項記載
の光記録媒体。 - 【請求項９】記録層がモノアゾ化合物と金属の錯体のみ
から構成される特許請求の範囲第２項記載の光記録媒
体。 - 【請求項１０】保護層を形成する有機重合体が水に対す
る接触角が70゜以上の重合体である特許請求の範囲第１
項〜第９項のいずれか１項に記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】保護層を形成する有機重合体がポリイソ
ブチレン、ポリイソブチルメタクリレートまたは環化ポ
リイソプレンである特許請求の範囲第１項〜第９項のい
ずれか１項に記載の光記録媒体。 - 【請求項１２】基板と記録層の間に反射層を設けた特許
請求の範囲第２項〜第11項のいずれか１項に記載の光記
録媒体。 - 【請求項１３】記録層の上に反射層を設けた特許請求の
範囲第２項〜第11項のいずれかに１項に記載の光記録媒
体。 - 【請求項１４】反射層と記録層の間に透明誘電体層を設
けた特許請求の範囲第12項記載の光記録媒体。 - 【請求項１５】基板と記録層との間に下引層を設けた特
許請求の範囲第２項〜第11項のいずれか１項に記載の光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154423A JPH0771868B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154423A JPH0771868B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639578A JPS639578A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0771868B2 true JPH0771868B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=15583840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154423A Expired - Lifetime JPH0771868B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0771868B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2518954B2 (ja) * | 1990-05-28 | 1996-07-31 | パイオニア株式会社 | 情報記録媒体 |
| TW340864B (en) | 1995-07-20 | 1998-09-21 | Mitsui Toatsu Chemicals | Optical recording medium |
| JP4276877B2 (ja) | 2003-04-22 | 2009-06-10 | 富士フイルム株式会社 | 光情報記録媒体および色素 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154423A patent/JPH0771868B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639578A (ja) | 1988-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |