JPS5981852A - イオン移植装置 - Google Patents
イオン移植装置Info
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- JPS5981852A JPS5981852A JP58174438A JP17443883A JPS5981852A JP S5981852 A JPS5981852 A JP S5981852A JP 58174438 A JP58174438 A JP 58174438A JP 17443883 A JP17443883 A JP 17443883A JP S5981852 A JPS5981852 A JP S5981852A
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- Japan
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- ion implantation
- ring
- implantation device
- cylindrical member
- beam element
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- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は一般に半導体ウェーツーｒにイオンを移植す
る装置、特にイオン移植を実施する材料上の表面電荷を
中性化する装置に関する。
る装置、特にイオン移植を実施する材料上の表面電荷を
中性化する装置に関する。
イオン移＃Ｌζご用いるイオンビームは、正味正電荷を
含むイオンから成る。このような電荷の存在は、小量の
原子は電子装置によって容易に、極めでオｎ密に測定で
きるからこの方法には一般（こ有用である。半導体の製
造において、イオン移植対象物は殆んどの場合、低導区
体であるソリコン又は他の材料のウエーファが用いら３
するから、正電荷が対象物の表面に生成する傾向がある
。対象物の表面へのこのような電荷の生成は、この対象
物を１９ｉ用不能にさせる。
含むイオンから成る。このような電荷の存在は、小量の
原子は電子装置によって容易に、極めでオｎ密に測定で
きるからこの方法には一般（こ有用である。半導体の製
造において、イオン移植対象物は殆んどの場合、低導区
体であるソリコン又は他の材料のウエーファが用いら３
するから、正電荷が対象物の表面に生成する傾向がある
。対象物の表面へのこのような電荷の生成は、この対象
物を１９ｉ用不能にさせる。
この問題Ｏこ対づ−る従来の対抗手段に（１は移植装置
のファラデインリンダに隣接して配置さ３″した高温フ
ィラメントを使用する装置が含まれる。この装置耀にお
いて、１次電子はファラデインリンダの１方の側の孔を
通ってフィラメントから流動し、次いてシリンダの反対
側を打ち、これにより鉢エネルギの２次電子を多量に発
生し、その大部分はイオンビームの空間′４荷を中性化
する。この装＠は有効に機能するが、別個のフィラメン
トと比較的大きい作用供給電源を必要とする。高温フィ
ラメントが設けられるから、対象物を汚染する傾向があ
る。
のファラデインリンダに隣接して配置さ３″した高温フ
ィラメントを使用する装置が含まれる。この装置耀にお
いて、１次電子はファラデインリンダの１方の側の孔を
通ってフィラメントから流動し、次いてシリンダの反対
側を打ち、これにより鉢エネルギの２次電子を多量に発
生し、その大部分はイオンビームの空間′４荷を中性化
する。この装＠は有効に機能するが、別個のフィラメン
トと比較的大きい作用供給電源を必要とする。高温フィ
ラメントが設けられるから、対象物を汚染する傾向があ
る。
この発明の目的は、最小の付加構成要素上作用供給電源
を必要さするイオン移植対象物上の電荷を中性化する装
置を提供するにある。
を必要さするイオン移植対象物上の電荷を中性化する装
置を提供するにある。
上記目的を達成するために、この発明はイオンビー１１
の走査経路内の対象物の近くに配置された負バイアス電
極を提供する。これにより多量の２次電子が造られ、こ
れは次にこの電極をバイアス電界によって対象物に向け
て指向され、これにより対象物【・こ生成しようとする
正電荷を中性化する。
の走査経路内の対象物の近くに配置された負バイアス電
極を提供する。これにより多量の２次電子が造られ、こ
れは次にこの電極をバイアス電界によって対象物に向け
て指向され、これにより対象物【・こ生成しようとする
正電荷を中性化する。
特に、この発明は対象物に隣接するファラデイー７リン
グ内に収納されたリングを含む。このファラデインリン
ダは測定その他の目的のために−４５Ｖ、（！ニー９０
Ｖ、の間の負電位に維持され、従って、シリンダと接触
するリングは、ウエーファ（こ隣接する端部へ内方に傾
斜する内角をもち、これにより、リングを打つ走査ビニ
ムから生ずる入射イオン当りの２次電子量を増大する。
グ内に収納されたリングを含む。このファラデインリン
ダは測定その他の目的のために−４５Ｖ、（！ニー９０
Ｖ、の間の負電位に維持され、従って、シリンダと接触
するリングは、ウエーファ（こ隣接する端部へ内方に傾
斜する内角をもち、これにより、リングを打つ走査ビニ
ムから生ずる入射イオン当りの２次電子量を増大する。
この発明の他の目的および利点は附図を参照しての以下
の説明から明らかになるであろう。
の説明から明らかになるであろう。
第１図に、イオン移植装置ＩＯを示す。イオン供給源１
２からのイオンは、加速塔１６を通って配向される前に
解析用磁石１４によって再配向される。次にイオンビー
ム１７は、レンズシステム１８を通り、対象ウエーファ
２４が受入れられる末端部２２に入る前（こ一連の走査
板２ｏおよび２１を通過する。イオン移植装置１ｏ自身
は当技術分野において６才公知であるからそれについて
更に詳細な説明は省略する。
２からのイオンは、加速塔１６を通って配向される前に
解析用磁石１４によって再配向される。次にイオンビー
ム１７は、レンズシステム１８を通り、対象ウエーファ
２４が受入れられる末端部２２に入る前（こ一連の走査
板２ｏおよび２１を通過する。イオン移植装置１ｏ自身
は当技術分野において６才公知であるからそれについて
更に詳細な説明は省略する。
側２図（・こおいて、末端部２２内にはウェーファ２４
が支持板２６上に取付けられ、このウェーファは一般に
４５Ｖ、というようなファラデインリンダ２８ζこ対し
比較的低い正電位に維持される。イオンビーム１７は、
図示のようｌこ対象物を実際に打つ１次ビーム要素１７
ａと、普通は対象物を打たない比較的少数の走査要素１
７ｂから成る。
が支持板２６上に取付けられ、このウェーファは一般に
４５Ｖ、というようなファラデインリンダ２８ζこ対し
比較的低い正電位に維持される。イオンビーム１７は、
図示のようｌこ対象物を実際に打つ１次ビーム要素１７
ａと、普通は対象物を打たない比較的少数の走査要素１
７ｂから成る。
図示の実施例において、この発明はファラデインリンダ
２８と組合わされて示され、該シリンダは支持板２６に
対し比較的低い負・電位に卒１１持され、かつ通常対象
物からの２次放射を収容するのに用いられる。
２８と組合わされて示され、該シリンダは支持板２６に
対し比較的低い負・電位に卒１１持され、かつ通常対象
物からの２次放射を収容するのに用いられる。
この発明によれば、金属リング３ｏは、プリンダ内に取
付けらＩ９７、かつこれと′底気的に接融する０作用に
ついて述べわ、は、走査ビーム要Ｒｉ ７１）が負にバ
イアスさ眉、たリング３０を打つと、２次電子が発生さ
れで、これｊｌ＠３２で示すように正ζこ電荷された対
象物表面に向けて配向されて、この電荷を中性化する。
付けらＩ９７、かつこれと′底気的に接融する０作用に
ついて述べわ、は、走査ビーム要Ｒｉ ７１）が負にバ
イアスさ眉、たリング３０を打つと、２次電子が発生さ
れで、これｊｌ＠３２で示すように正ζこ電荷された対
象物表面に向けて配向されて、この電荷を中性化する。
２次電子流を測定するためにこの回路内Ｏこメーク３４
が挿設される。
が挿設される。
図示の実施例１こおいて、ファラデイソリング（オー
４５ Ｖ、てバイアスされた状態て示さ１する０しかし
実際の電圧は重要ではなく、かつ、シリンダに加えられ
る電位はこの目的のために−１０■、程度の低い値をと
り得ることが考えられる。また、リング３０は取付を容
易（こするためζこファラデイシリンダ２８のようなシ
リンダ内に取付けることが好適であるが、リングは、対
象物に対し負電位に維持される限り、対象物２４と分離
しかつ隣接して取付けることができる。
４５ Ｖ、てバイアスされた状態て示さ１する０しかし
実際の電圧は重要ではなく、かつ、シリンダに加えられ
る電位はこの目的のために−１０■、程度の低い値をと
り得ることが考えられる。また、リング３０は取付を容
易（こするためζこファラデイシリンダ２８のようなシ
リンダ内に取付けることが好適であるが、リングは、対
象物に対し負電位に維持される限り、対象物２４と分離
しかつ隣接して取付けることができる。
この発明の１態様によれは、リング３０の内側面３６は
好適実施例において示すようにビームの中心線と成る角
をなす。この傾斜面は対象物に向けて２次電子を放射す
る効果をもち、Ｃのによ）この発明の中性化効果を高め
るのに用いられ、１代い入射角は２次電子量を増大する
が、リングと対象物間には反対電荷状態が存在するから
、電子（４主、として対象物に向って配向され、従って
、ヒ−１・線に対する内側面３６の角度の値と方向を含
、（Ａ゛リング実際の形態は重要ではない。
好適実施例において示すようにビームの中心線と成る角
をなす。この傾斜面は対象物に向けて２次電子を放射す
る効果をもち、Ｃのによ）この発明の中性化効果を高め
るのに用いられ、１代い入射角は２次電子量を増大する
が、リングと対象物間には反対電荷状態が存在するから
、電子（４主、として対象物に向って配向され、従って
、ヒ−１・線に対する内側面３６の角度の値と方向を含
、（Ａ゛リング実際の形態は重要ではない。
櫂１図は、この発明を含むイオン移（直装向ＣＪ）・ｔ
！“Ｃ要平面図、第２図はこの発明を含む第１図の装置
＜ｔの部分の概要を示す部分切断拡大図である。 １０：イオン移植装置 １２：イオン供給源 １４：解析用磁石 １６：加速基 １７：イオンビーム １７ａ：１次ビーム要素 １７ｂ＝走査ビーム要素 １８：レンズシステム ２０．２１：走査板 ２２：末端部 ２・１：ウエーファ ２６：支持板 ２８：ファラデイシリンダ ３０：金属リング ３２：電子線 ３７にメーク ３６：内側面
！“Ｃ要平面図、第２図はこの発明を含む第１図の装置
＜ｔの部分の概要を示す部分切断拡大図である。 １０：イオン移植装置 １２：イオン供給源 １４：解析用磁石 １６：加速基 １７：イオンビーム １７ａ：１次ビーム要素 １７ｂ＝走査ビーム要素 １８：レンズシステム ２０．２１：走査板 ２２：末端部 ２・１：ウエーファ ２６：支持板 ２８：ファラデイシリンダ ３０：金属リング ３２：電子線 ３７にメーク ３６：内側面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イオン供給源（１２）と、前記供給源からイオンを
抽出して前記イオンをビーム（１７）に形成する装置！
（１４，１６，１８，２０，２１）と、前記ビームの経
路内に配置された対象物（２４）と、前記対象物に向け
て電子を配向する装置を含み、前ｎＣ配向装置が前記対
象物の上流にかつ前記ビームに対しこれを囲む関係をも
って配置さ２１．る金属リング（３０）と、前記リング
を負電位に電気的【こバイアスする装置を含むことを特
徴とするイオン移植装置（１０）。 ２、 前記ビーム（１７）が、前記対象物と交差する１
次ビーム要素（１７ａ）と、対象物の外側縁を越えて先
広がる走査ビーム要素（１７ｂ）を含み、前記リングが
前記走査ビーム要素の経路内に配置され、これにより前
記走査ビーム要素が前記リングを」１つて前記対象物に
向けて２次電子（３２）を発生する特許請求の範囲第１
項記載のイオン移植装置。 ３、 前記リングが対象物に隣接して内方へ傾斜する内
側面（３６）を含む特許請求の範囲第２項記載のイオン
移植装置。 ４ 前記イオン移植装置が前記対象物の上流に配置され
たファラデイシリンダ（２８）を含み、前記リングが前
記ファラデイシリンダ内に配置された特許請求の範囲上
記各項０い１、ずれか１項記載のイオン移植装置。 ５、 イオン供給源（１２）と、前記供給源からイオン
を抽出して前記イオンをビーム（１７）に形成する装置
（１４，１６，１８，２０，２１，）と、前記ビームの
経路内に配置された対象物（２４）と、前記対象物の上
流の前記ビームと平行なその軸線をもって配置さＩｔた
円筒形部材（２８）を含み、前記円筒形部材が前記対象
物に対し負電位に′電気的にバイアスされ、前記円筒形
部材内に収納されかつ前記対象物に最も近い円筒形部材
の末端に又は末端近くζこ配置されかつ前記円筒形部材
６電気的に接触されている金属リング（３ｏ）を有する
ことを特徴とするイオン移植装置。 ６ 前記ビーム（１７）が前記対象物と交差する１次ビ
ーム要素（１７ａ）と、前記対象物から十分に磁石７る
ように先広がる走査ビーム要素（］、 ７ ｂ ）を含
み、前記リングが前記先広がり走査ビーム要素の経路内
に配置され、それにより前記リングをバイアスする電界
によって前記対象物に向って配向される２次電子を発生
する特許請求の範囲第５項記載のイオン移植装置。 ７ 前記リングが対象物に隣接して内方へ傾斜する内側
面（３６）を含む特許請求の範囲第６項記載のイオン移
植装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US42632682A | 1982-09-29 | 1982-09-29 | |
| US426326 | 1982-09-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981852A true JPS5981852A (ja) | 1984-05-11 |
Family
ID=23690327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174438A Pending JPS5981852A (ja) | 1982-09-29 | 1983-09-22 | イオン移植装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0104818A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5981852A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154447A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-09 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ウエハ−の帯電抑制装置 |
| US5293508A (en) * | 1991-10-16 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion implanter and controlling method therefor |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2602051B1 (fr) * | 1986-07-23 | 1988-09-16 | Cameca | Procede et dispositif pour la decharge d'echantillons isolants lors d'une analyse ionique |
| DE3734442A1 (de) * | 1987-10-12 | 1989-04-27 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren und vorrichtung zur bestrahlung grosser flaechen mit ionen |
| EP0491311B1 (en) * | 1990-12-17 | 1996-08-14 | Applied Materials, Inc. | Ion implanting apparatus and method |
| JP3054302B2 (ja) * | 1992-12-02 | 2000-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム |
| KR100412354B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 이온주입장치 |
| US7928413B2 (en) | 2008-01-03 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Ion implanters |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1366023A (fr) * | 1963-05-02 | 1964-07-10 | Csf | Perfectionnements aux dispositifs de propulsion à faisceau ionique neutralisé |
| JPS5826441A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン注入装置 |
| JPS5871546A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置 |
-
1983
- 1983-09-08 EP EP83305234A patent/EP0104818A3/en not_active Withdrawn
- 1983-09-22 JP JP58174438A patent/JPS5981852A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154447A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-09 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ウエハ−の帯電抑制装置 |
| US5293508A (en) * | 1991-10-16 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion implanter and controlling method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0104818A2 (en) | 1984-04-04 |
| EP0104818A3 (en) | 1985-10-23 |
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