JPS5983189A - 液晶電気光学装置の製造方法 - Google Patents
液晶電気光学装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非線型な電圧−電流特性（Ｖ−Ｉ特性）を有す
る非線型素子によって駆動性能を向上させた液晶電気光
学装置の製造方法に関する。
る非線型素子によって駆動性能を向上させた液晶電気光
学装置の製造方法に関する。
非線型素子（バリスタ、ダイオード、金属−絶Ｈ体−金
属素子（（以稜Ｍ工Ｍ素子と略称する））。
属素子（（以稜Ｍ工Ｍ素子と略称する））。
放電管等）と液晶！＠光学装置を和み合わせることＫよ
って従来より多桁の駆動が実覗これることが知られてい
る。これによって多用の情＠全表示できる液Ａ表示装置
や、より＃Ｉ密なパターンを可能とする光スィッチ等が
実現きれる。このように多大な利点を有する常体光学装
置であるが、非線型素子を設置することに伴い、従来の
液晶層り光学装置にはみられない様りな間Ｐｆ１が現わ
れている。
って従来より多桁の駆動が実覗これることが知られてい
る。これによって多用の情＠全表示できる液Ａ表示装置
や、より＃Ｉ密なパターンを可能とする光スィッチ等が
実現きれる。このように多大な利点を有する常体光学装
置であるが、非線型素子を設置することに伴い、従来の
液晶層り光学装置にはみられない様りな間Ｐｆ１が現わ
れている。
そｈ ｆ以下に挙げる。
（１） 非線型素子を均質Ｋかつ欠陥を締めて低いレ
ベルに抑晃、大面積圧製作する技術。
ベルに抑晃、大面積圧製作する技術。
（２）鳴動における液晶層と非絢型素子性能との電気回
路的なマツチング。
路的なマツチング。
（３）非線型素子の安定性、信頼性
いずれも重要な問題であるが、液晶パネルを完成した場
合、著しく表示品位を４１１５のｌ’を画素欠陥である
。この画才欠陥を生じる原因を調べると次のように分類
謬れた。
合、著しく表示品位を４１１５のｌ’を画素欠陥である
。この画才欠陥を生じる原因を調べると次のように分類
謬れた。
（１） 非線型素子製作工程での断線、短絡（２）
液晶パネル組立工程での非線型素子の機械的破壊、静
電気による破壊 （３） 液晶個人以後、非線型素子の静電気による破
壊 また欠陥数から晃た場合、静電気圧よる破壊が多くの割
合を占めていた。この原因は主に製造工程中に矛・うた
。従来の製造方法は、第１図に示すように非線型素子を
設ｉｔこれた基板１が製作きれ次に対向基板２とスペー
サー３を介して組立てられる。そして液晶が封入孔５か
ら封入され、外部接続端子４が駆動回路に接続される。
液晶パネル組立工程での非線型素子の機械的破壊、静
電気による破壊 （３） 液晶個人以後、非線型素子の静電気による破
壊 また欠陥数から晃た場合、静電気圧よる破壊が多くの割
合を占めていた。この原因は主に製造工程中に矛・うた
。従来の製造方法は、第１図に示すように非線型素子を
設ｉｔこれた基板１が製作きれ次に対向基板２とスペー
サー３を介して組立てられる。そして液晶が封入孔５か
ら封入され、外部接続端子４が駆動回路に接続される。
しかしながら、この方法によると一方の基板の外部接続
端子が治具を通じて接地状態となワている時に、人体等
から靜Ｍりを受けると非線型素子が破壊これてしまう。
端子が治具を通じて接地状態となワている時に、人体等
から靜Ｍりを受けると非線型素子が破壊これてしまう。
これは次のように理解きれる。
液晶パネルの一１ｉｉｌ！、分の等価回路は、第２図の
ように、非線型素子６、液晶層の等価容ＩＮ ＯＬＯと
液晶層の等価抵抗ＲＬｏで構成されている。いまこの両
端に電圧Ｖが印加されると、第３図に示寸ように、Ｖが
印加をれた瞬間、非線型素子に７戸；寸ぺて印加さ引、
る。この電圧のために非線型素子は但抵抗、つまりスイ
ッチがＯＮした状態となり。
ように、非線型素子６、液晶層の等価容ＩＮ ＯＬＯと
液晶層の等価抵抗ＲＬｏで構成されている。いまこの両
端に電圧Ｖが印加されると、第３図に示寸ように、Ｖが
印加をれた瞬間、非線型素子に７戸；寸ぺて印加さ引、
る。この電圧のために非線型素子は但抵抗、つまりスイ
ッチがＯＮした状態となり。
液晶層に充Ｎ、 ？開始する、こう［て液晶層の電圧が
上昇する。次に両端の油圧が下がると、非線型素子の印
加電圧■８１．が低下し、高抵抗、つま幻スイッチがＯ
ＦＦ した状態となり、液晶層の電圧ＶＬＯけ液晶層内
部で放電することによってのみ低下する。この動作から
理解されるように、非線型素子によりマ駆動性能を上げ
るためには、非線型素子が液晶層の短価抵抗ＲＬＣをは
ζんでスイッチングをすることが必要である。これによ
りすみやかな書き込みと、十分長い電圧の保持が行なわ
れるのである。以上は、非線型素子によって駆動付卯が
上がるｆｆｆｉ崩な説明であるが、非線型素子の破壊は
雷ＥＥ、 Ｖが非線型素子の耐圧を越えた時に生じるも
のである。宵、圧″Ｘ７が非常型素子に初期的にかかる
の１−１．第３図に示すように動作上不可避である。
上昇する。次に両端の油圧が下がると、非線型素子の印
加電圧■８１．が低下し、高抵抗、つま幻スイッチがＯ
ＦＦ した状態となり、液晶層の電圧ＶＬＯけ液晶層内
部で放電することによってのみ低下する。この動作から
理解されるように、非線型素子によりマ駆動性能を上げ
るためには、非線型素子が液晶層の短価抵抗ＲＬＣをは
ζんでスイッチングをすることが必要である。これによ
りすみやかな書き込みと、十分長い電圧の保持が行なわ
れるのである。以上は、非線型素子によって駆動付卯が
上がるｆｆｆｉ崩な説明であるが、非線型素子の破壊は
雷ＥＥ、 Ｖが非線型素子の耐圧を越えた時に生じるも
のである。宵、圧″Ｘ７が非常型素子に初期的にかかる
の１−１．第３図に示すように動作上不可避である。
ところで人体の持つ静電、気は１０００〜５ｏｏｏ ｖ
位でを）る。これ≠（非線型素子に印加されるのである
から、破壊づれるの４当然とも言える。
位でを）る。これ≠（非線型素子に印加されるのである
から、破壊づれるの４当然とも言える。
マルチプレックス駆動の液晶パネルは、画素７１１．９
をトポロジー的にみた場合、第４図忙示す立体回路を成
している。非線型素子を付した場合も同様であり、第４
図の画素インピーダンスｚ７を第３図の等価回路に置き
拶えた形となる。
をトポロジー的にみた場合、第４図忙示す立体回路を成
している。非線型素子を付した場合も同様であり、第４
図の画素インピーダンスｚ７を第３図の等価回路に置き
拶えた形となる。
いまＸ電接８の中からＸｊ、Ｙ電ｆＦ９の中からＹｊを
選び、この両端から入た等価回路を描いたものが第５図
である。容［１１０Ｃ１ｉ、ｉはｘｉ’４ｔｉｉ、Ｙｊ
電榛間の電給間容量である。ここでＣ１１ｊ Ｖｉ、一
画素分の電接間容量ｆ Ｃｏとすると、 ２ ０ＺＺｊ＝２ Ｎ−１０ｏ ” ”” （’ １（
ＮはＸｉ椿及びＹ電極の数） 画素ザイズを０．５ ｊ！ｄ 、 ＤｉＪ口率を９５％
と設定したパネルでは、Ｃ！ｏ＝０．４ＰＦ 、Ｎ＝１
［１０で０１ｉｊ＝２０ＰＦ となる。−ｊＬ−ｄＸ
ｉ宵極上、Ｙｊ電俸上の−ｊ 他画素、（Ｎ−１）−はＸｉ 、 ｙｊＮ、極いずれＫ
も関係しない他画素の等価インピータンスを表わしてい
る。従って第５図の回路に人体の等価容Ｊｔ ＣＭ １
１（数１００ＰＦ）Ｋ数に’ Ｖの帯電をしているのと
等価な静電気を加えると、ｃ／１ｊ＝２０ＰＦであるの
で、ダンスには、瞬時的にｖＩＫｖが加えられることに
なる。単位画素当り最も高電圧がかかるのけ、もちろん
画素（ｉ、ｉ＞であり、画素（ｉ、ｊ＞の非線型素子が
破壊きれ、静電便は中和される。多量の電荷が蓄積され
ている場合は、他画素とりわけ、Ｘ１■、Ｙｊ軍価上の
画素の非＃型素子も破壊される。
選び、この両端から入た等価回路を描いたものが第５図
である。容［１１０Ｃ１ｉ、ｉはｘｉ’４ｔｉｉ、Ｙｊ
電榛間の電給間容量である。ここでＣ１１ｊ Ｖｉ、一
画素分の電接間容量ｆ Ｃｏとすると、 ２ ０ＺＺｊ＝２ Ｎ−１０ｏ ” ”” （’ １（
ＮはＸｉ椿及びＹ電極の数） 画素ザイズを０．５ ｊ！ｄ 、 ＤｉＪ口率を９５％
と設定したパネルでは、Ｃ！ｏ＝０．４ＰＦ 、Ｎ＝１
［１０で０１ｉｊ＝２０ＰＦ となる。−ｊＬ−ｄＸ
ｉ宵極上、Ｙｊ電俸上の−ｊ 他画素、（Ｎ−１）−はＸｉ 、 ｙｊＮ、極いずれＫ
も関係しない他画素の等価インピータンスを表わしてい
る。従って第５図の回路に人体の等価容Ｊｔ ＣＭ １
１（数１００ＰＦ）Ｋ数に’ Ｖの帯電をしているのと
等価な静電気を加えると、ｃ／１ｊ＝２０ＰＦであるの
で、ダンスには、瞬時的にｖＩＫｖが加えられることに
なる。単位画素当り最も高電圧がかかるのけ、もちろん
画素（ｉ、ｉ＞であり、画素（ｉ、ｊ＞の非線型素子が
破壊きれ、静電便は中和される。多量の電荷が蓄積され
ている場合は、他画素とりわけ、Ｘ１■、Ｙｊ軍価上の
画素の非＃型素子も破壊される。
従来の製作方法によると、このように外部接続端子から
静電気を拾い易く、非線型素子の破壊が多数発生した。
静電気を拾い易く、非線型素子の破壊が多数発生した。
本発明はこのような欠点を除去したもので、その目的は
外部接続端子間を接続することにより、＃電気の高電圧
が非線型素子に印加されるのを防止し、欠陥の少ない液
晶電気光学装置を実現する容易な製造方法を提供するこ
とにある。
外部接続端子間を接続することにより、＃電気の高電圧
が非線型素子に印加されるのを防止し、欠陥の少ない液
晶電気光学装置を実現する容易な製造方法を提供するこ
とにある。
以下、実施例をあげ本発明の詳細な説明する。
第６図は外部接続端子間を導電コム１３付のクリツプ１
２ではζ入、液晶封入工程以後を行なった例を示してい
る。非線型素子側基板１と対向基板２の外部接続端子８
を接続している。
２ではζ入、液晶封入工程以後を行なった例を示してい
る。非線型素子側基板１と対向基板２の外部接続端子８
を接続している。
第７図は外部接続端子間を金の蒸着１１ｉ１６で接続し
パネル組立て工稈以砕を行−た例を示している。外部接
続端子８け前もってＮｉメッキとハンダの１ｊ包メツキ
を施これ、その上に金の接続用蒸着膜１４が付設きれて
いる。この状態でパネル艇１立てされ、液晶封入がばれ
る。次に駆動回路とパネルが接続これるが、接続用テー
プ１５（ポリイミドテープに銅ハクが配置されている）
を端子に密着はせ、上部から加熱する。この時ハンダが
溶はテープと端子が接続されると同時に、金の接続用蒸
着環１６けハンダに吸収きれ、接続ζノ１．てぃた端子
ｔｉｅ ｉ−を切り離きれる。
パネル組立て工稈以砕を行−た例を示している。外部接
続端子８け前もってＮｉメッキとハンダの１ｊ包メツキ
を施これ、その上に金の接続用蒸着膜１４が付設きれて
いる。この状態でパネル艇１立てされ、液晶封入がばれ
る。次に駆動回路とパネルが接続これるが、接続用テー
プ１５（ポリイミドテープに銅ハクが配置されている）
を端子に密着はせ、上部から加熱する。この時ハンダが
溶はテープと端子が接続されると同時に、金の接続用蒸
着環１６けハンダに吸収きれ、接続ζノ１．てぃた端子
ｔｉｅ ｉ−を切り離きれる。
第６図、第７図に示す実施例では外部Ｍ ！ ；４Ｍ子
は、全部もしく１−ｔＸ端子間、Ｙ端子間で接続きれて
いる。この等価回路を描いたものが第８図である。全画
素数をＮ２コ（Ｘ電極、Ｙ電棲共にＮ本）とすると、第
２図圧水す一画素分の等価回路のインピーダンスｚｕ、
番なるインピーダンス１８となり、一画素分のＷ棒間容
咽ＣＯけ、Ｎ２倍されて電葎間容僧Ｃ！ｔ１７となって
いる。Ｘ電極とＹ電極を破線に示すよらに接続した場合
が第６図に示す実施例を表わしている。いまことで、数
ＫＶＩＣ帯電した人体の等価＠険１１と等価な静電気を
Ｘ電極とＹ［極間に加えたどする。破線で示すように、
Ｘ電極、Ｙ電極間を接続してあれば、電荷はすべて破線
の回路を通して流れるため、当然非線型素子に電圧１ｄ
まったくかからない。このため破壊は生じない。次ＫＸ
電極、Ｙｌｉ、棒間を接続していないｔＲ７図の実施例
の場合を考える。人体の等価容量１１は数１００ＰＦで
あ抄、電極間容量Ｃ４１７は、Ｎ ＝ １００、（！ｏ
＝０．４ＰＦ とすると４０００ ＰＦ程度となり、人
体の等価８部Ｃｕより１桁大きい。このため、ＸＹＴＩ
Ｌｉ間に数ＫＶ印加されたとしても、そ０Ｍ の瞬間 に低下し、この場合１／’２０の数１０
Ｃｕ ＋ Ｏ４ 〜数１００ｖが非線型素子に印加されるだけとなる。
は、全部もしく１−ｔＸ端子間、Ｙ端子間で接続きれて
いる。この等価回路を描いたものが第８図である。全画
素数をＮ２コ（Ｘ電極、Ｙ電棲共にＮ本）とすると、第
２図圧水す一画素分の等価回路のインピーダンスｚｕ、
番なるインピーダンス１８となり、一画素分のＷ棒間容
咽ＣＯけ、Ｎ２倍されて電葎間容僧Ｃ！ｔ１７となって
いる。Ｘ電極とＹ電極を破線に示すよらに接続した場合
が第６図に示す実施例を表わしている。いまことで、数
ＫＶＩＣ帯電した人体の等価＠険１１と等価な静電気を
Ｘ電極とＹ［極間に加えたどする。破線で示すように、
Ｘ電極、Ｙ電極間を接続してあれば、電荷はすべて破線
の回路を通して流れるため、当然非線型素子に電圧１ｄ
まったくかからない。このため破壊は生じない。次ＫＸ
電極、Ｙｌｉ、棒間を接続していないｔＲ７図の実施例
の場合を考える。人体の等価容量１１は数１００ＰＦで
あ抄、電極間容量Ｃ４１７は、Ｎ ＝ １００、（！ｏ
＝０．４ＰＦ とすると４０００ ＰＦ程度となり、人
体の等価８部Ｃｕより１桁大きい。このため、ＸＹＴＩ
Ｌｉ間に数ＫＶ印加されたとしても、そ０Ｍ の瞬間 に低下し、この場合１／’２０の数１０
Ｃｕ ＋ Ｏ４ 〜数１００ｖが非線型素子に印加されるだけとなる。
こうして破壊ヶ避けることができる。また同様な理由か
ら、非線型素子側の外部接続端子だけを接続した場合、
対向基板側の外部接続端子だけｆ接続した場合も、非線
型素子にかかる電圧を低下はせることができる。しかし
こ〕１．らの場合、電葎開容邦が西方接続した場合に比
べ、人体の等価容量をより大きく上回ることができない
ので、効果は低下してしまう。しかし実施上部イψであ
るという第１−１点も有している。
ら、非線型素子側の外部接続端子だけを接続した場合、
対向基板側の外部接続端子だけｆ接続した場合も、非線
型素子にかかる電圧を低下はせることができる。しかし
こ〕１．らの場合、電葎開容邦が西方接続した場合に比
べ、人体の等価容量をより大きく上回ることができない
ので、効果は低下してしまう。しかし実施上部イψであ
るという第１−１点も有している。
このように短絡、もしくは電極間容量による静電りの吸
収を行なえるように、外部接続端子間を接Ｈした工程を
採用することにより、静電気による非線型素子の破壊を
皆無、もしくは棲めて少ない個数に抑えることが可能と
なった。本発明の要旨は、上述のように短絡もしくは′
出椿間客量による静電気の吸収であるので、外部ｍｔ＆
端子の接続方法は本実施例に何ら限定されるものではな
い。
収を行なえるように、外部接続端子間を接Ｈした工程を
採用することにより、静電気による非線型素子の破壊を
皆無、もしくは棲めて少ない個数に抑えることが可能と
なった。本発明の要旨は、上述のように短絡もしくは′
出椿間客量による静電気の吸収であるので、外部ｍｔ＆
端子の接続方法は本実施例に何ら限定されるものではな
い。
以上、本発明によれば非線型素子を用いた液晶電気光学
装置に特有な、静電気による非線型素子の破壊による欠
陥を防止することができ、表示品位の高い液晶電気光学
装置を実現できる。また、欠陥数が減ることで、製造に
おける歩留りの飛閲前向上が企ねる。
装置に特有な、静電気による非線型素子の破壊による欠
陥を防止することができ、表示品位の高い液晶電気光学
装置を実現できる。また、欠陥数が減ることで、製造に
おける歩留りの飛閲前向上が企ねる。
本発明は大情報準を仰り＃ルッーとのできる非線型素子
を用いた液晶Ｎ集光学装置の分野に画期的な製造方法を
提供するもの−である。
を用いた液晶Ｎ集光学装置の分野に画期的な製造方法を
提供するもの−である。
第１図は従来の製造工程を示すものである。
１・・・・・・非線型素子側基板
２・・・・・・対向基板
３・・・・・・スペー９−
４・・・・・・外部接続、端子
５・・・・・・液晶封入孔
ｆ４２図は一画素分の等価回路である。
６・・・・・・非線型素子
ｍ３図Ｖｉ市圧Ｖが印加これた時の、上から順に印加電
圧、非線型素子にかかる電圧ＶＮＬ、液晶にかかる電圧
ｖＬ、Ｏの時間変化を示す波形である。 第４図はマルチブレヅクス駆動の液晶、Ｃネルの等価立
体回路を表わしている。 ７・・・・・・一画素の等価インピーダンス２８・・・
・・・Ｘ’Ｆｉ＊ （外部接続端子）？ ・・・・・・
Ｙ箱捧 （） 第５図はχ電極のＸｉ、Ｙ電極のＹｊ間からみた等価回
路を示す。 １０・・・・・・電椿間容量 １１・・・・・・人体の等価容１ 第６図は本発明による外部接続端子をすべて接続した場
合である。 １２・・・・・・接続用金属クリップ １３・・・・・・導筒ゴム １４・・・・・・導線 第７図は本発明による外部接続端子を片側ずつ接続した
場合である。 １５・・・・・・外部接続用テープ １６・・・・・・端子知絡用金蒸着膜 第８図は第６図、第７図のＸ［＊％Ｙ電給からみた等価
回路を示す。 １７・・・・・１１間容椴 ｃｔ 第１＠ 第２図 ＬＣ 第３図 第４図 ９ ２ ８５図
圧、非線型素子にかかる電圧ＶＮＬ、液晶にかかる電圧
ｖＬ、Ｏの時間変化を示す波形である。 第４図はマルチブレヅクス駆動の液晶、Ｃネルの等価立
体回路を表わしている。 ７・・・・・・一画素の等価インピーダンス２８・・・
・・・Ｘ’Ｆｉ＊ （外部接続端子）？ ・・・・・・
Ｙ箱捧 （） 第５図はχ電極のＸｉ、Ｙ電極のＹｊ間からみた等価回
路を示す。 １０・・・・・・電椿間容量 １１・・・・・・人体の等価容１ 第６図は本発明による外部接続端子をすべて接続した場
合である。 １２・・・・・・接続用金属クリップ １３・・・・・・導筒ゴム １４・・・・・・導線 第７図は本発明による外部接続端子を片側ずつ接続した
場合である。 １５・・・・・・外部接続用テープ １６・・・・・・端子知絡用金蒸着膜 第８図は第６図、第７図のＸ［＊％Ｙ電給からみた等価
回路を示す。 １７・・・・・１１間容椴 ｃｔ 第１＠ 第２図 ＬＣ 第３図 第４図 ９ ２ ８５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 対向する基板の少なくとも一方の基板に、非
線型な電圧−電流特性を有する素子を設置し、対向する
基板との間に液晶物質を充填して構成される液晶電気光
学装置の製造工程において、該非線型素子ｆ静置した後
、外部駆動回路に外部接続端子を接続する以前の工程中
、外部接続端子間を電気的に接続したことｆ＠徴とする
液晶電気光学装置の製造方法。 （２）該液晶電気光学装置、の製造工程において、液晶
物質の充填工程以後、外部駆動回路に外部接続端子を接
続する以前の工程中、外部接続端子間を電気的に接続し
たことを特徴とする液晶電気光学装置の製造方法。 （３） 非線型素子ｆ壱する基板の外部接続端子間を
電、体内に接続・したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第２ｆＪ４翫１載の液晶電気光学装置の製造方
法。 （４１対向する基板の外部接続端子間を電気的に接続し
たことｆ特徴とする特許請求の範囲第１項第２ 頂Ｆ載
の液晶電気光学装置の製造方法。 （５） 非線型素子を不する基板の全外部接続端子間
と対向する基板の全外部接続端子間を接続したことを特
徴とする特許請求の範囲第１〜４項５ｅ載の液晶型り光
学装置の製造方法。 （６）非線ｙＪ素子を有する基板の全外部接続端子と対
向する基板の全外部接続端子間のｔ極間容量が人体の等
価容量の１０倍以上であることを特徴とする特許請求の
範囲第１〜４項Ｆ載の液晶電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193811A JPH0629920B2 (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 液晶電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193811A JPH0629920B2 (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 液晶電気光学装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983189A true JPS5983189A (ja) | 1984-05-14 |
| JPH0629920B2 JPH0629920B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=16314153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193811A Expired - Lifetime JPH0629920B2 (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 液晶電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629920B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121080A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
| JPS6266231A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子 |
| JP2013222087A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Seiko Epson Corp | 電気泳動表示装置およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141155A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-02 | Sharp Corp | Production of liquid crystal cell |
| JPS5694764A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Protection method of semiconductor device |
| JPS57108350U (ja) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | ||
| JPS57136676A (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-23 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57193811A patent/JPH0629920B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141155A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-02 | Sharp Corp | Production of liquid crystal cell |
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| JPS61121080A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
| JPS6266231A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子 |
| JP2013222087A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Seiko Epson Corp | 電気泳動表示装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629920B2 (ja) | 1994-04-20 |
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