JPS6266231A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS6266231A JPS6266231A JP60207097A JP20709785A JPS6266231A JP S6266231 A JPS6266231 A JP S6266231A JP 60207097 A JP60207097 A JP 60207097A JP 20709785 A JP20709785 A JP 20709785A JP S6266231 A JPS6266231 A JP S6266231A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示素子、特に非線型素子を用いた液晶表
示素子の電極構造に関する。
示素子の電極構造に関する。
本発明は非線型素子を用いた液晶表示素子の電極構造に
おいて、信号を印加する電極の信号印加端子と表示部分
との間の抵抗を高く設定した事により、製造中外部から
加わる静電気によって起こる非線型素子の破壊を防ぐよ
うにしたものである〔従来技術〕 従来、非ｍ型素子を用いた液晶表示素子においては、Ｓ
より ８４ Ｄ工Ｇ］ｎＳＴ ３０４〜３８７．
５２４〜３２５ページ、工１１！ＥＸ Ｔｒａｎｏ
ＩＩ！ １ ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ、Ｉ！ｔＤ
−５０゜５５２（１９８３）等に記述があるが、信号電
極自体の構造には特に言及はなく、信号電極の抵抗につ
いては表示がムラにならない程度に低ければよいと考え
られていた。
おいて、信号を印加する電極の信号印加端子と表示部分
との間の抵抗を高く設定した事により、製造中外部から
加わる静電気によって起こる非線型素子の破壊を防ぐよ
うにしたものである〔従来技術〕 従来、非ｍ型素子を用いた液晶表示素子においては、Ｓ
より ８４ Ｄ工Ｇ］ｎＳＴ ３０４〜３８７．
５２４〜３２５ページ、工１１！ＥＸ Ｔｒａｎｏ
ＩＩ！ １ ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ、Ｉ！ｔＤ
−５０゜５５２（１９８３）等に記述があるが、信号電
極自体の構造には特に言及はなく、信号電極の抵抗につ
いては表示がムラにならない程度に低ければよいと考え
られていた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕従来より非
線型素子を用いた液晶表示素子では非線型素子の異状（
不良）による画素の欠陥が歩留り低下、ひいてはコスト
アップの大きな原因となりていた。この非線型素子の異
常の原因としては素子パターンの形状不良等、プロセス
中に発生するものの他に、製造中、特に外部のドライバ
一部分との接続等の時、電極に印加される静電気によっ
て非線型素子の特性が異常となる事例があげられた。そ
こで本発明はこのような問題点を解決するもので、その
目的とするところは非線型素子を用いた安価な液晶表示
素子を提供する所にある〔問題点を解決するための手段
〕 本発明の液晶表示素子は信号を印加する電極の電気抵抗
が入力端子と画素への入力部分との間で他の部分に対し
て高くなっている事を特徴とする〔作用〕 本発明の上記の構成によれば信号を印加する電極の抵抗
部分とその部分より画素例の電極のもつ浮遊容ｉｉ（画
素部分の容量や対向電極との間に形成される容量）がい
わゆる０８回路を形成し、急峻なパルス状の静電気が電
極の端子に印加された時、画素の非線型素子にかかる電
圧を低くシ、非線型素子の破壊を防ぐ。
線型素子を用いた液晶表示素子では非線型素子の異状（
不良）による画素の欠陥が歩留り低下、ひいてはコスト
アップの大きな原因となりていた。この非線型素子の異
常の原因としては素子パターンの形状不良等、プロセス
中に発生するものの他に、製造中、特に外部のドライバ
一部分との接続等の時、電極に印加される静電気によっ
て非線型素子の特性が異常となる事例があげられた。そ
こで本発明はこのような問題点を解決するもので、その
目的とするところは非線型素子を用いた安価な液晶表示
素子を提供する所にある〔問題点を解決するための手段
〕 本発明の液晶表示素子は信号を印加する電極の電気抵抗
が入力端子と画素への入力部分との間で他の部分に対し
て高くなっている事を特徴とする〔作用〕 本発明の上記の構成によれば信号を印加する電極の抵抗
部分とその部分より画素例の電極のもつ浮遊容ｉｉ（画
素部分の容量や対向電極との間に形成される容量）がい
わゆる０８回路を形成し、急峻なパルス状の静電気が電
極の端子に印加された時、画素の非線型素子にかかる電
圧を低くシ、非線型素子の破壊を防ぐ。
本発明の１実施例として、非線型素子に金属（Ｍｅｔａ
ｌ）−絶縁物（工ｎ５ｕｌａｔｏｒ）−金属（Ｍｅｔａ
ｘ）の三層構造からなる、いわゆるＭ工Ｍ素子を用いた
液晶表示素子をもとに説明する。本実施例ではＭ工Ｍ素
子としてタンタル−酸化タンタル−クロムからなるもの
を用いる。
ｌ）−絶縁物（工ｎ５ｕｌａｔｏｒ）−金属（Ｍｅｔａ
ｘ）の三層構造からなる、いわゆるＭ工Ｍ素子を用いた
液晶表示素子をもとに説明する。本実施例ではＭ工Ｍ素
子としてタンタル−酸化タンタル−クロムからなるもの
を用いる。
第１図は本発明の液晶表示素子の１実施例を示す。透明
基板上の電極構造の模式図で、１は信号印加端子となる
タンタル膜、２は入力端子と画素との間につくられた抵
抗（酸化メンタルでオオワれたタンタルよりなる）、３
は略して示されたＭ工Ｍ素子、４は画素を形成する透明
電極である。
基板上の電極構造の模式図で、１は信号印加端子となる
タンタル膜、２は入力端子と画素との間につくられた抵
抗（酸化メンタルでオオワれたタンタルよりなる）、３
は略して示されたＭ工Ｍ素子、４は画素を形成する透明
電極である。
第２図は従来例における電極構造模式図である。
第３図は第１図、第２図におけるＭ工Ｍ素子３の部分の
拡大図で５は酸化タンタルでおおわれたメンタルの電極
、６はクロムの電極パターンである、＠４１１は第３図
を１点鎖ｌｓ７でカットした場合の断面の模式図で８は
透明基板、９はタンタル、１０は酸化タンタルからなり
、９．１０で第３図−５の電極を形成している。
拡大図で５は酸化タンタルでおおわれたメンタルの電極
、６はクロムの電極パターンである、＠４１１は第３図
を１点鎖ｌｓ７でカットした場合の断面の模式図で８は
透明基板、９はタンタル、１０は酸化タンタルからなり
、９．１０で第３図−５の電極を形成している。
第５図は第１図の実施例の等価回路図で１１は入力端子
、１２が画素と入力端子の間につくられた抵抗、１５は
電極の浮遊容量、１４はＭ工Ｍ素子の抵抗で両端の電圧
によって変化する。１５はＭ工Ｍ素子の容量、１６は液
晶抵抗、１７は液晶容量で１８は対向する基板の電極と
なる。第６図は本発明の他の実施例における電極構造模
式図である。
、１２が画素と入力端子の間につくられた抵抗、１５は
電極の浮遊容量、１４はＭ工Ｍ素子の抵抗で両端の電圧
によって変化する。１５はＭ工Ｍ素子の容量、１６は液
晶抵抗、１７は液晶容量で１８は対向する基板の電極と
なる。第６図は本発明の他の実施例における電極構造模
式図である。
本発明の１実施例であるＭ工Ｍ素子を用いた液晶表示素
子を用いた実験では、第２図に示した従来構造の電極の
場合、液晶パネルを実装する事でほぼ１００％の確率で
画素欠陥が増加したが、第１図のような電極構造に変更
する事でまったく増加はみられなかりた。この時端子か
ら最初の画素までの抵抗は２００Ωから３五Ωに変って
いた。
子を用いた実験では、第２図に示した従来構造の電極の
場合、液晶パネルを実装する事でほぼ１００％の確率で
画素欠陥が増加したが、第１図のような電極構造に変更
する事でまったく増加はみられなかりた。この時端子か
ら最初の画素までの抵抗は２００Ωから３五Ωに変って
いた。
また、１００Ｐ？のコンデンサに蓄わえた電荷を端子に
放電して画素欠陥の増加をみると実施例の電極構造にか
えることでコンデンサのチャージ電圧で１．５倍程度ま
で画素欠陥が増加しなかった。
放電して画素欠陥の増加をみると実施例の電極構造にか
えることでコンデンサのチャージ電圧で１．５倍程度ま
で画素欠陥が増加しなかった。
しかし、入力端子−画素間の抵抗をさらに上げると画素
へのデータ書き込みが困難になる。また電極の膜厚を薄
くする等の方法で電極全体の抵抗を上げると表示のムラ
がめだつようになる。これらの事より抵抗値としては特
許請求の範囲第２項に記載したように１ＫΩ〜１０にΩ
程度が適当であった。また特許請求の範囲第３項にある
ように非線型素子にＭ工Ｍ素子のような絶縁層をもつ素
子を用いる場合、静電気によって絶縁層が破壊される事
が本発明の実施例のような構成をとる事で緩和される為
効果が大きい。
へのデータ書き込みが困難になる。また電極の膜厚を薄
くする等の方法で電極全体の抵抗を上げると表示のムラ
がめだつようになる。これらの事より抵抗値としては特
許請求の範囲第２項に記載したように１ＫΩ〜１０にΩ
程度が適当であった。また特許請求の範囲第３項にある
ように非線型素子にＭ工Ｍ素子のような絶縁層をもつ素
子を用いる場合、静電気によって絶縁層が破壊される事
が本発明の実施例のような構成をとる事で緩和される為
効果が大きい。
以上述べたように本発明によれば、非線型素子を用いた
液晶表示素子において、電極の入力端子と画素間の抵抗
を他の部分より高くする事で、製造中、端子よりはいる
静電気により非線型素子が破壊される事を防ぐことがで
きる。これは電極のパターン形状を変えるだけで可能な
のでまったくコストがかからず歩留りを上げる事ができ
、ひいては安価な液晶表示素子を提供できるという効果
を有する。
液晶表示素子において、電極の入力端子と画素間の抵抗
を他の部分より高くする事で、製造中、端子よりはいる
静電気により非線型素子が破壊される事を防ぐことがで
きる。これは電極のパターン形状を変えるだけで可能な
のでまったくコストがかからず歩留りを上げる事ができ
、ひいては安価な液晶表示素子を提供できるという効果
を有する。
第１図は本発明の液晶表示素子の１実施例を示す電極形
状模式図。 第２図は従来例における電極形状模式図。 第３図は実施例に用いたＭ工Ｍ素子の模式パターン図。 第４図は第３図に示したＭ工Ｍ素子の模式断面図。 第５図は実施例における電極の等価回路図。 第６図は他の実施例における電極形状模式図。 以上
状模式図。 第２図は従来例における電極形状模式図。 第３図は実施例に用いたＭ工Ｍ素子の模式パターン図。 第４図は第３図に示したＭ工Ｍ素子の模式断面図。 第５図は実施例における電極の等価回路図。 第６図は他の実施例における電極形状模式図。 以上
Claims (3)
- （１）ａ）２枚の透明基板の間に液晶が封入されていて
、 ｂ）少なくとも一方の前記透明基板の内側には信号を印
加する信号電極と、前記信号電極と２端子非線型素子を
介して接続されている多数の透明電極が形成され、 ｃ）対向する基板の透明電極との間でマトリクス状に画
素を形成している液晶表示素子において、 ｄ）信号を印加する電極の電気抵抗が、入力端子と画素
の入力部分との間で、電極の他の部分に対して高くなっ
ている事を特徴とする液晶表示素子。 - （２）入力端子と画素への入力部分の間の抵抗が１ＫΩ
以上、１０ＫΩ以下である事を特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の液晶表示素子。 - （３）非線型素子が、絶縁物の層をもつ事を特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207097A JPS6266231A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207097A JPS6266231A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266231A true JPS6266231A (ja) | 1987-03-25 |
Family
ID=16534149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207097A Pending JPS6266231A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5212573A (en) * | 1988-11-18 | 1993-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Input protection circuit of electro-optical device |
| US5373377A (en) * | 1992-02-21 | 1994-12-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal device with shorting ring and transistors for electrostatic discharge protection |
| US5652632A (en) * | 1994-09-30 | 1997-07-29 | Nec Corporation | LCD apparatus having electrostatic breakdown preventing configuration capable of testing each pixel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599959A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Seiko Epson Corp | マトリツクスアレ−基板 |
| JPS5983189A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP60207097A patent/JPS6266231A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599959A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Seiko Epson Corp | マトリツクスアレ−基板 |
| JPS5983189A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5212573A (en) * | 1988-11-18 | 1993-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Input protection circuit of electro-optical device |
| US5373377A (en) * | 1992-02-21 | 1994-12-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal device with shorting ring and transistors for electrostatic discharge protection |
| US5652632A (en) * | 1994-09-30 | 1997-07-29 | Nec Corporation | LCD apparatus having electrostatic breakdown preventing configuration capable of testing each pixel |
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