JPS5983327A

JPS5983327A - 光電変換装置

Info

Publication number: JPS5983327A
Application number: JP57192476A
Authority: JP
Inventors: Chushiro Kusano; 忠四郎草野; Yoshio Ishioka; 石岡　祥男; Yoshinori Imamura; 今村　慶憲; Yukio Takasaki; 高崎　幸男; Hirobumi Ogawa; 博文小川; Tatsuo Makishima; 牧島　達男; Tadaaki Hirai; 忠明平井; Eiichi Maruyama; 丸山　「えい」一
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1982-11-04
Filing date: 1982-11-04
Publication date: 1984-05-14
Also published as: EP0108385A1; US4556817A; DE3372040D1; EP0108385B1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、高速度電子ビームで走査する新しい方式の単
管カラー撮像管に関するものである。

〔従来技術〕

単一の撮像管よシ各色信号を得る方法として現在実用さ
れているものは、大きく次の三つに分けることができる
。

（１）三電悼分離方式（２）周波数分離方式（３）位相分離方式（１）の方式は透明電極をストライプ状にして、互いに
独立した三つの信号電極から赤、緑、青の色信号を得る
方式で、カメラの信号処理回路系が簡単、色再現性、動
作安定性が良い反面、ターゲット構造が複雑、各信号電
極間でクロストークを生じやすい、等の欠点があった。

（２）の方式は、交差形ストライプフィルタを用いて三
原色信号を空間周波数の領域で多重する方式である。こ
の方式は、感度、解像度が高いという長所を持っている
が、回路が複雑なため動作が不安定、解像力の高い撮像
管が必要である、そして偏向の車線性によって色むらを
生じゃすい、等の短所が指摘されている。

（３）の方式は、撮像管からの出力信号に色分離用のイ
ンデックス信号を重畳し、それをもとに各色信号を得る
方式で、例えばストライプ状の透明電極によってインデ
ックス信号を得るようなものがある。この方式は、各色
信号間にクロストークが無い、（２）の方式に比べ色再
現性が良い、等の特徴を持つが、透明電極を加工しなけ
ればならず、（２）の方式に比べ１光の利用率が悪く、
感度が低くなるという欠点があった。

また、現在の単管カラー撮隊管は全て、低速度の電子ビ
ームで走査する方式（以下ＬＰ方式と記す）を用いてい
るため、共通して次のような問題点を抱えていた。一つ
は残像が長く、特に色残像を生じやすいことと、今一つ
は、ビームベンディングによって画像の歪み、色むらを
生じやすいことなどである。

一方、上記問題点の中で、ＬＰ方式に伴う残像、ビーム
ベンディングの問題に関しては、高速度の電子ビームで
走査する方式を用いると七によシ、これらを改善できる
ことが知られているが（例えば特許公開昭５４−４４４
８７号）、この方式では２次電子の再分布によって偽信
号が発生するという欠点があった。

このため、メツシュ電極をターゲットに直接つけること
によりこれを改善する方法が提案されているが、新たに
メツシュによるビートの発生、解像度の劣化等の問題点
を生じており、十分な特性が得られていない。

〔発明の目的〕

本発明はこれまでの単管カラー撮像管の新しい方式全提
供するものである。これまでの方式においてみられた２
次電子の再分布による偽信号の発生を防止し得るし、更
にインデックス信号を得ることも可能にする。

〔発明の概要〕

本発明の撮像管は次の様な構造のターゲットを有する。

そしてこのターゲットを高速度電子ビーム′で走査する
ことによって上述の目的を達し得る。

分光透過率の異なる複数のストライプフィルタの組を循
環的に透光性基板上に配列し、この上部に少なくとも透
明導電膜と、光導電体層と、２次電子を放出するための
層とを具備し、電子ビーム走査側表面に上記ストライプ
状・ｆルタの組に対向してストン・イブ状電極を有する
ターゲットを有する単管カラー撮保管である。高速度電
子ビームでの走査は前記ストライプ状電極と交差する方
向になされる。

以下、具体例をもって本発明を詳述する。

〔発明の実施例〕

第１図は本発明の撮像管の動作原理を説明するだめの概
略図である。１は透光性基板で、その上に色分解用のス
トライプフィルタ２を形成する。

３は薄い透光性の絶縁層、４は透明導電膜で出力端子１
５に接続される。５は光導電体層で、ストライプフィル
タ２を通過した光を吸収し、電子−子ビーム９で走査さ
れる側にストライプ状の絶縁層１３を介してストライプ
状の電極６を形成し、ソノストライプの方向が、ストラ
イプフィルタ２と平行、且つ電子ビーム９の走査方向と
交差するように配置する。このストライプ電極６は出力
端子１６を介して外部に取シ出される。

なお、２次電子放出層は、動作時のメツシュ電圧、すな
わち０．１〜２．ＯｋＶで加速された走査電子に対して
、２次電子放出比が１以上であり、かつ、電気抵抗が１
０１０Ω−ｍ以上で、耐電子衝撃性にすぐれていること
が必要である。これらの条件を満たす材料としては、酸
化物、又は弗化物があ択特に、ＭｇＯ，Ｂ　ａＯ。

ＣｅＱ２＋Ｎ　ｂ２０ｓ　、Ａｄ２ｅ３＋Ｓ　１０２．
　Ｍｇ　ＦｚｓＣｅ　Ｆ４１　ＡｔＦ３等望が良い。膜厚は３Ｒｍから３Ｑｎｍの範囲が△ましい。

以上に述べた撮像管ターゲットを動作する場合、透明導
電膜４にカソード７に対して通常１００Ｖ以上の高い正
の電圧を印加して、一般にターゲットの２次電子放出比
（以下δと略す）が１以上になる様にして使用する。こ
の時、ターゲットの走査面上に形成されたストライプ電
極６０屯位を透明電極４よシもさらに高く々るように設
定する。

このような状態で電子ビーム足査を行うと、光導ＴＦメ
タ−ット表面は、２次電子１０を放出してストライプ電
極６の電位に平衡し、透明電極４に対して正の電位を取
るようになる。したがって光導電体層５にかかる電界は
ＬＰ方式に比べて逆向きになり、光によって生じた電子
−正孔対のうち電子が走査側へ流れるため、走置面電位
はＬＰ方式とは逆に負の方向に下降することになる。次
にこれを電子ビーム９で走査することにより光像の強度
に応じた表面電位下降分を負荷抵抗１１を通して信号と
して取り出す仕組みになっている。このような方式を高
速度電子ビーム走査負帯電（ＨＮ　）動作方式と呼ぶ。

発明者らは、他に先がけて水素を含有した非晶質シリコ
ンを用いてＨＮ方式の単管カラー撮像管を製作し、その
動作を見切に検討した結果、高速度電子ビーム走査方式
の特長を損うことなしに、先に述べたＬＰ方式の単管カ
ラー撮像管における問題点を解決できるような方式を見
いだした。

次に本発明の撮イイ；管ターゲットの構造に関して更に
詳しく説明する。ターゲットの構造としてはストライプ
フィルタの組に対向して設けたストライプ電極を有する
外は高速度電子ビーム走査負帯電動作方式のものと基本
的に同様である。第２図は、撮像管ターゲットの代表的
−例の断面図である。通常のターゲットと同様にガラス
等の透光性基板ｌ上にストライプフィルタ２は、例えば
赤色光（Ｒ光）のみ透過させる線状フィルタ２Ｒ，緑色
光（Ｇ光）のみ透過させる線状フィルタ２Ｇ。

及び青色光（Ｂ光）のみ透過させる線状フィルタ２Ｂが
互いに隣接して配列され、それらの組が周期的に順次形
成されている。フィルタとしてはこれまでに知られてい
る有機樹脂層′を用いたもの、或いは無機物を用いたた
とえば干渉フィルタでも良い。一方スドライブ電極６は
、ストライプフィルタ２とは反対側の光導電体層５のビ
ーム走査面状に形成され、その間隔はストライプフィル
タ２の各組（２Ｒ，２Ｇ、２Ｂ）の周期に同期するよう
にしている。このストン・イブ電極６は透光性である必
要はなく、導電性の高い材料であれば良く、例えば金属
材料（例示すればＣｒ　−Ａ　ＩＩ積層Ｃｒ。

Ｃｒ−Ａｔ積層ｖＭｏ等）で形成することができる。ス
トライプ電極６の厚さとしてはおおむね１０００人〜１
μｍ程度を用いる。更に厚くても良いが、製造しずらく
且所期の目的に特に利点はない。第゛２図においては、
ストライプフィルタの２几と２’Ｈの境界にストライプ
電極６が一致して形成されているが、必ずしもそうであ
る必要はない。要はストライプフィルタの組とストライ
プ電極６とが同期して配列されていることが重要である
。

また、絶縁膜１３は、”’　”０２　ｅ　Ｓ　”３Ｎ４
１　Ａｚ２０３等が用いられ、絶縁機能をはたせば良い
のでおおむね１０００人〜２μｍの範囲を用いている。

これ以上の厚さでも良いが特に利点はない。

なお第２図において、ストライプフィルタ２と透明電極
４の間に透光性の絶縁層３を介在させた場合を示したが
、ストライプフィルタ２に、直接透明電極４を形成して
も良い。この場合には光学的なりロストークが少なくな
υ、良好な色再現性をイ）することかできる。なお、こ
の絶縁膜３としては通常薄板ガラス（厚さはおおむね２
０〜３０μｍ）を用いている。

第２し１のような（ｈ゛・成のもとで、ストライプフィ
ルタ２を通過した光によって光導電体層５で発生した電
荷は、を子ビーム走査により、透明電極２に接続された
負荷抵抗１１（第１図参照）を通して、第３図に示すよ
うな、ストライプフィルタ２の周期に対応した波形の映
像信号が得られる。この信号は第１図の回路系によって
例えば次のように処理される。負荷抵抗１１全通して得
られた映像信号は前置増巾器１８に入力され、更にプロ
セス増巾器１９を経て色分離用のスイッチング回路２１
に入力される。

一方、第２図において電子ビーム９の走査方向を、スト
ライプフィルタ２及びストライプ電極６と交差するよう
に、矢印１７の方向になるように設定する。この時、を
子ビーム９はストライプ電ｔ！！６を通過しながら走査
するので、抵抗１２からはストライプ電極６の周期に対
応して、映像信号を含まない第３図に示すような波形の
信号が得られる。この信号は色分離用のインデックス信
号として使用することができる。第１図に示すように抵
抗１２を通して、映像信号とは全く独立に得らｎるイン
デックス信号は、パルス増巾６２０によって増巾、整形
され、色分離用のスイッチング回路２１に入力される。

スイッチング回路２１において１、インデックス信号図
をもとに、ストライプフィルタ２の各ストライプ（２Ｒ
，２Ｇ、２Ｂ）に同期するようにスイッチングして、プ
ロセス増巾器１９からの映像信号を色別に分離し、’ｉ
６号処理回路２２によってカラーテレビジョン信号を得
る。

本発明のようにインデックス１ｈ号を映像（ｍ号とは全
く別に独立して・酊る方式は、本発明の撮像管の梠造な
らひに方式において初めて実現できるものである。ＬＰ
方式では、走査面にランディングする電子ビームの速度
は零に近いため、走査面の電位分布によって電子ビーム
は影響を受けやすい。

仮にストライプ電極６の電位を六ソード電位と同電位に
設定すると、光照射時には走糞面電位が上昇しストライ
ブ電＋Ｍ電位よシ高くなるので電子ビームはストライプ
電極６にランディングせず、インデックス信号を得るこ
とはできない。逆にストライプ電極６をカソード電位よ
シ高くすると、電子ビームはストライプ電極６の電位に
よって曲げられて・ターゲツト面を走査せず、映像信号
が得られないことになる。従ってＬＰ方式では本発明の
ターゲット構造を適用することができない。

第４図に映像信号、インデックス信号及び分解された各
色イー号の波形の関係について一例を示す。

同図においてＶは、ストライプフィルタ２を通過した光
に対する映像信号で、電子ビーム走査により端子１５を
通じて得られる信号波形、■は高速度電子ビーム走査に
よってストライプ電極６から得るインデックス信号の波
形である。映像信号図Ｖは、第１図の前置増巾器１８、
プロセス増巾器１９ｆｆ：通じて色分離用のスイッチン
グ回路において、インデックス信号工によって、例えば
第４図における几、Ｇ１およびＢの如き波形に、即ち各
各ストライプフィルタ２几、２Ｇ、２Ｂに対応した各色
信号に分離される。このように分離された色信号は、信
号処理回路を通じて、例えばＮ　’Ｌ’　Ｓ　Ｃ方式の
カラーテレビジョン信号を得ることができる。

以上本発明における色分解の方法について述べたが、こ
れは−例にすぎず、重要なことは撮像管ターゲットのビ
ーム走査面に形成されたストライプ状の電極から高速度
電子ビーム走査によって、映像を含まないインデックス
信号を得、これを用いて色分解用のストライプフィルタ
を通過した光で生じた映像信号を各ストライプフィルタ
に対応した色信号に分解することである。

次にターゲットの製造方法を略述する。

第２図を用いて製法の例を説明する。

薄板ガラス基板３上に、酸化スズを主体とする透明導電
膜４を形成する。次に高周波スパッタ装置において、タ
ーゲットに高純度ｓｉを使用し、これと相対して前記基
板を設置する。装置内をＩＸ　１０−６Ｔｏｒｒ以下の
高真空に排気した後、アルゴンおよび水素の混合ガスを
導入して装置内を５　Ｘ　１０−’　〜５　Ｘ　１０−
３Ｔｏｒｒ　ノ圧カにする。混合ガス中の水素の濃度は
３０〜６５％とする。基板温度’（ｃ１５０ｃ〜３００
ｃに設定した後、反応性スパッタリングを行ない、透明
導電膜の形成された基板１上に膜厚約０．５〜４μｍａ
−Ｂ　ｉ　：Ｈ膜５を堆積する。次に別の高周波スパッ
タ装置において、ターゲットに高純度ｃｅｏ、を使用し
、それと相対してａ−８ｉ：Ｈ膜を堆積した前記基板を
設置する。装置内をｌ　Ｘ　Ｉ　Ｑ”６Ｔｏｒｒ以下の
高真空にした後、アルゴンを導入して５　Ｘ　１０−’
〜５　Ｘ　Ｉ　Ｆ３’Ｊ’０ｒｒ（７）圧力にし、基板
温度を１００ｃ〜２００ｒＫ設定してスパッタリングを
行う。このようにして酸化セリウムから成るＭ、２３を
約５１１ｎ〜３Ｑｎｍの厚さまで、ａ−８ｉ：Ｈ膜の上
に堆積し、これを２次電子放出層とする。

次に所定位１４にストライプ状にＳｉｏ２膜１３全１３
し、更に５ｉｏ２膜１３上にスライプ状金属電極、たと
えばｃｒ　−Ａ　ｌｌ二層膜を形成する。

こうして準備した基体の薄板ガラスを所定の厚みに研磨
する。一方、透光性基板（たとえばガラス基板）ｌ上に
色フィルタ（たとえばゼラチン・フィルタ）を所定位瀘
に配列した基板を準備し、前述の薄板ガラス基板３とは
シ合わせターゲットが完成する。勿論、透光性基板１上
に各要素を順次積み上げても良い。

以上によシ作られた光導電ターゲットは月Ｎ方式の電子
銃と結合させ、管内を真空排気、封止し、ＨＮ動作方式
の光導電形撮低管を得る。

以下にターゲット構造の別な例を１況明する。

第５図は、ストライプフィルタ２の各々（２Ｒ２２Ｇ、
２Ｂ）の１Ｊが互いに異なシ、且つストライプ電極６が
、ストライプフィルタ２の各組と同期してはいるが、境
界ではなく−っのフィルタの間、例えば２　Ｈの間に形
成された場合のターゲット構造の一例である。この時、
電子ビーム走査によって第６図に示すようなストライプ
フィルタ２に応じた映像１ぎ号が端子１５から得られ、
またストライプ電極６からのインデックス信号が端子１
６を通じてイ（１らオＬる。これらの信号から、例えば
第１図に示した回路系を用いてカラーテレビジョン信号
を得ることができる。この例のようにストライプフィル
タ２の各々の巾を変えることにょシ、撮像管の色信号の
相対強度を任意に設計することができる。例えば、光導
電体層５がＢ光に対して低い感度を持つ場合には、スト
ライプフィルタ２の中で、Ｂ光のみを透過する線状フィ
ルタ２Ｂの巾に２Ｒ，２Ｇに比べて広く形成することに
より、Ｂ光に対する感度の高い撮像管を得ることができ
る。丑だ本発明のように走査面上にストライプ電極６を
形成した場合、ビーム走査面上でストライプ電極６が覆
った部分に蓄積された信号電荷は、電子ビーム走査によ
って取り切れず、その部分の感度は低下する。このよう
な場合にもストライプ電極６に対応したストライプフィ
ルタ、例えば第５図の２１（、の巾を広くすることにょ
シ感度低下をネｔｌｉ供することができる。

第７図の例では、ストライプ電極６を、光導電体層５か
ら絶縁するだめのストライプ状の絶縁層１３が、透明導
電膜４に直接形成されており、ストライプ電極６と透明
導電膜４との間の光導電体層を除き、絶縁層１３ｆ：介
在させた場合の例を示している。ターゲット構造をこの
ようにすることにより、ストライプ電極６の部分におい
て、電子−正孔対の生成、及び電荷の蓄積がなくなシ、
残像、クロストークを改善することができる。

と第養図の例では、透明導電膜４のストライプ電極６に対
応した領域を除去し、且つ、ストライプ電極６を直接光
導電体層５に形成するようにしたターゲット構造を示し
ている。この時、ストライプ電極６に対応した光導電体
層には、電界が印加されず、信号電荷は生成されないた
め、実質的にストライプ電極６が光導電体層から絶縁さ
れたととになり、前の例と同様の効果を得ることができ
る。なお、第８図においてストライプ電極６と光導電体
層５の間に絶縁層を介在しても同様の効果が得られるこ
とは言うまでもよい。

第９図の例においては、ストライプ電、極６に対応した
透明導′山膜４の部分に、直接ストライプ状の絶縁層１
３を形成し、ストライプ電極６を直接光導電体層５に形
成した例を示す。この場合、ストライプ電極極６と絶縁
層１３の間の光導電体層には電界がかからず、信号電荷
は生成されず、前の例と同様の効果を得るととができる
。

以上述べた例においては、ストライプフィルタ１が赤、
緑、青の場合を説明してきたが、黄色。

シアン、マゼンタ等の補色、及び白色のフィルタを組み
合わせたストライプフィルタを用いても本発明が有効で
あることは言うまでもない。

従来、ＬＰ方式では電子ビームの集束や、偏向の一様性
を良くするために、ターゲットに近接させてフィールド
メツシュ電極が設けられている。

これに対して本発明では、透明電極４に１００Ｖ以上の
高い正の電圧を印加するため、フィールドメツシュｔよ
必ずしも必要ではなく、除去した状態においても良好寿
撮像管性を得ることができる。

この点は工業上の大きな利点の一つである。

透明電極側ならびにビーム走査側からの、電子および正
孔の注入を阻止した構造にすることが望ましい。上記目
的を達成する方法としては、ヘテロ接合特性を逆バイア
スにして用いるか、ｐ−ｎ接合特性の逆特性を用いると
５とができる。特にストライプ電極からの正孔注入はイ
ンデックス信号の雑音と々るので、極力抑制する構造に
した方が良い。第２図の例では、光導電体層５とストラ
イプ電極６との間を電気的に絶縁する目的で絶縁層１３
を設けている。

本発明においては光導電体層５については特に材料を限
定はされない、通常の光導型彫撮像管に適用可能で、ビ
ーム走査側が動作時にδが１以上になるような薄層で形
成されていれば良い。ただ、前述の例で説明したように
、光導電体層５の上にストライプ電極６を形成しなけれ
ば々らず、化学的エツチングやプラズマエツチングなど
の加工プロセスに適合する材料であることが望ましい。

発明者らは水素を含有した非晶質シリコンを用いて本発
明の撮像管ターゲットを製作した結果、水素を含有した
非晶質シリコン（ａ−８ｉ：Ｈと略記する。）が加工プ
ロセスに極めて良く適合し、且つ特に良好な撮像特性を
維持できることを見いだした。

ａ　Ｓ’：Ｈ光導電膜はＳｉ板をターゲットにしてアル
ゴンと水素の混合ガス雰囲気中での反応性スパッタリン
グ法や、少なくとも５ｊＨ４’ｆｆｉ含有する雰囲気ガ
ス中でのグロー放電ＣＶＤ法等により得ることが出来る
。ａ−ｆ３ｉ：Ｈ膜の光学的禁制帯［Ｉ］は、作成時の
基板温度、水素ガス含有量、ならびにＳ　ｊ　Ｆ”４　
、０ｅＨ４等の不純物ガス量によって大巾に変えること
が出来るが、本発明に用いられるａ−８ｉＨ）ｌ膜の禁
制帯巾は１．４ｅＶから２、２　ｅ　Ｖの範囲にあるこ
とが望ましい。何故ならば、１．４ｅＶ、ｌ：、９小さ
くなると、暗抵抗が下シすぎて解像度が悪くなったり、
不必要な近赤外感度に感ＦＷ金有する恐れがあり、また
逆に２．２ｅＶ以上では赤色光感度が低下するためであ
る。最も望ましいの１Ｉｉｉ、　６　ｅ　Ｖから２．Ｏ
ｅＶの範囲である。

ａ−８ｉＨＨ光導電膜の膜厚は、光の吸収係数と要求す
る撮像管の分光感度から逆算して決めれば良い訳である
が、通常、０．２μｍから１０μｍまでの範囲が適当で
、動作電圧、作成時間、面欠陥の発生確率等を考慮する
と、０，５μｍから４μｍの範囲が望ましい。

〔発明の効果〕

本発明の特徴は以上にくわしく説明したように、ビーム
走査面上にストライプ電極を設け、これを高速度電子ビ
ームで走査して用いることにあり、色分離用のインデッ
クス信号が、映像信号と独立して得られるために、各色
信号をクロストークを生じることなく安定して分離でき
る。ビームベンディングが無い、色むらが無い、色残像
が無い、等の利点を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による単管カラー撮像管を説明する図、
第２図は本発明による撮像管ターゲットの−・例の断面
図、第３図は、第２図において得られる映像信号と、色
分離用インデックス信号の波形を示す図、第４図は本発
明による映像信号、ｖ１インデックス信号、Ｌ及び分離
された色信号Ｒ１Ｇ、１３の各波形を示す図、第５図は
本発明による撮像管ターゲットの一例の断面図、第６図
は第５図において得られる映像信号とインデックス信号
の波形を示す図、第７図、第８図、第９図は本発明によ
る撮像管ターゲットの例を示す断面図である。１・・・透光性基板、２・・・色分解用のストライプフ
ィルタ、２１．Ｌ、　２Ｇ、　２１３・・・赤、緑、青
の線状フィルタ、４・・・透明導電膜、５・・・光導電
体層、６・・・ストライプ電極、７・・・カノード、８
・・・集束電極、９・・・′「電子ビーム、１０・・・
２次電子、１１・・・負荷抵抗、１２・・・インデック
ス信号を得るための抵抗、１３・・・絶縁層、１４・・
・ターゲット電圧、１５・・・映像信号用端子、１６・
・・インデックス信号用の端子、１７・・・電子ビーム
の走査方向、１８・・・前置増巾器、１９・・・プロセ
ス増巾器、２０・・・パルス増巾器、２１・・・色分離
用のスイッチング回路、２２・・・カラープレビジョン
信号を得るだめの信号処理回路、Ｚ　４　　口第　５　図第　　　乙　　　　し］一一一一一一一一雫一−−−−−−−−−一一一一一第
　７　図５８８　図 ψＬ弧−視第　９　　図２バ　２ｑ　　２Ｂ第１頁の続き０発　明　者　小川博文国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番地株式会社日立製作所中央研究所内０発　明　者　牧島達男国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番地株式会社日立製作所中央研究所内０発　明　者　平井忠明国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番地株式会社日立製作所中央研究所内０発　明　者　丸山瑛− 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】１、分光透過率の異なる複数のストライプフィルタの組
を循環的に透光性基板上に配列し、この上部に少なくと
も透明導電膜と、光導電体層と、２次電子を放出するだ
めの層と、この層上に上記ストライプフィルタの組に対
応したストライプ状電極を有するターゲラトラ少なくと
も有する光電変換装置。２、前記ターゲットを前記ストライプ状電極と交差する
方向に高速電子ビームで走査することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光電変換装置。３、前記ストライプ状電極は所定形状の絶縁膜を介して
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の光電変換装置。４、ストライプ状電極下部の前記絶縁膜は前記光導電体
膜および前記２次電子を放出するための層内を貫通して
設けた溝内に設けられて成ることを特徴とする特許請求
の範囲第３項記載の光電変換装置。５、ｎｉＪ記透明拵電膜は前記ストライプ状申、極の下
部領域には存在しないことを特徴とする特許請求の範囲
第１項又は第２：ｌＪ記載の光電変換装置。６、前記透明導電膜上にストライプ状の絶縁膜が前記ス
トライプフィルタの組に対応して設けられ、この絶縁膜
を僧って光導電体膜と、２次電子を放出するだめの層と
、前記ストライプ状の絶縁膜に対応してストライプ状電
極とを有するターゲットを少なくとも有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換装置。７、前記、ターゲットを前記ストン・イブ状電極と交差
する方向に高速電子ビームで走査することを特徴とする
特許請求の範囲第６項記載の光電変換装置。８、前記光導電体膜が水素を少なくとも含有する非晶質
シリコンよシ成ることを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項、第３項、第４項、第５項、第６項、又は第
７項記載の光′ｒｔ　変換装置。９、前記ストライプ状電極よシ得られる信号をインデッ
クス信号として用い、前記透明導電膜より得られる信号
を映像信号として用いることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の光電変換装置。１ｏ、　ｐｒＪ記ターケットにおける、前記光導電体層
の透明電極側又は／及び前記光導電体層の電子ビーム走
査側から、電子および正孔の注入を阻止する構造にした
事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換装
置。