JPS5984586A - 薄膜太陽電池の連続製造装置 - Google Patents
薄膜太陽電池の連続製造装置Info
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- JPS5984586A JPS5984586A JP57194757A JP19475782A JPS5984586A JP S5984586 A JPS5984586 A JP S5984586A JP 57194757 A JP57194757 A JP 57194757A JP 19475782 A JP19475782 A JP 19475782A JP S5984586 A JPS5984586 A JP S5984586A
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- film forming
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/137—Batch treatment of the devices
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は簿膜太陽電池の多量生産に好適な薄膜太陽電池
の連続製造装置に関するものである。
の連続製造装置に関するものである。
一般に〒：、γ膜太陽電池は、半導体薄膜を利用した光
電変換素子で構成され、例えば電卓、腕時計。
電変換素子で構成され、例えば電卓、腕時計。
電子ゲーム等の電源として広く用いられている。
そして、この半導体膜としては通常非晶質シリコン（以
下ａ −８ｉという）が使用され、代表的な素子構造は
第１図に要部断面図で示すような構成を有している。同
図において、１は基板、２は下部Ｋｇ、３はｐ型ａ−８
ｉ、４はｉ ％ ａ −８ｉ 。
下ａ −８ｉという）が使用され、代表的な素子構造は
第１図に要部断面図で示すような構成を有している。同
図において、１は基板、２は下部Ｋｇ、３はｐ型ａ−８
ｉ、４はｉ ％ ａ −８ｉ 。
５はｎ型ａ−８ｉ、５は上部電極である。なお、ｐ型ａ
−ｓｔ３とｎ型ａ −８ｉ ｓとの位置は逆であっても
良い。
−ｓｔ３とｎ型ａ −８ｉ ｓとの位置は逆であっても
良い。
このように構成される薄膜太陽電池は、通常基板１には
例えば透光性ガラス板等のｊ２光性絶縁体基板が用いら
れ、下部電極２には例えばスパッタリング、真空蒸着法
等によシ形成された酸化インジウム、酸化すず等の透明
導電Ｂヶが用いられる。
例えば透光性ガラス板等のｊ２光性絶縁体基板が用いら
れ、下部電極２には例えばスパッタリング、真空蒸着法
等によシ形成された酸化インジウム、酸化すず等の透明
導電Ｂヶが用いられる。
また、ｐ型ａ−８ｉ３．ｉ型ａ−８ｉ４．ｎ型ａ−８ｉ
５は、通常シラン（ＳｉＨ＋）と適量のアルゴン（Ａｒ
）または水素（Ｈ２）とを含む減圧雰囲気中でプラズマ
ＣＶＤ法によシ形成され、ｐ型ａ−８ｉ３の形成時には
シボラン（１３１１−（６）、ｎ、型ａ ｓ＋５の形成
時にはホスフィン（ＰＨｓ ）がドーピングガスとして
少量添加される。さらに上部’Ｅｉｂ極６には例えばス
パッタリング、真空蒸着法などにより形成されたアルミ
ニウム、クロｌｘ 、ステンレス等の金ＭＷが用いられ
る。
５は、通常シラン（ＳｉＨ＋）と適量のアルゴン（Ａｒ
）または水素（Ｈ２）とを含む減圧雰囲気中でプラズマ
ＣＶＤ法によシ形成され、ｐ型ａ−８ｉ３の形成時には
シボラン（１３１１−（６）、ｎ、型ａ ｓ＋５の形成
時にはホスフィン（ＰＨｓ ）がドーピングガスとして
少量添加される。さらに上部’Ｅｉｂ極６には例えばス
パッタリング、真空蒸着法などにより形成されたアルミ
ニウム、クロｌｘ 、ステンレス等の金ＭＷが用いられ
る。
また、このように第１９成されるｉ■ｊ（ぐ太１ｉ；
’＃ｌｉ、７１３１を製作するには、例えばスパッタリ
ング装置を用いて、基板１」二に下部電極２を形成した
後、この基板１を大気中に取り出し、プラズマＣＶＤ装
置に搬入して下部電極２」二にｐｆｉａ−８ｉ３．ｉ型
ａ −８ｔ４ 、 ｎ型ａ−８＋５をＩｔｌ’ｊ次積層
して形成する。次にこの基板１をスパッタリング’Ａ
Ｗｔ、に搬入して上部電極６を形成して素子を完成する
。
’＃ｌｉ、７１３１を製作するには、例えばスパッタリ
ング装置を用いて、基板１」二に下部電極２を形成した
後、この基板１を大気中に取り出し、プラズマＣＶＤ装
置に搬入して下部電極２」二にｐｆｉａ−８ｉ３．ｉ型
ａ −８ｔ４ 、 ｎ型ａ−８＋５をＩｔｌ’ｊ次積層
して形成する。次にこの基板１をスパッタリング’Ａ
Ｗｔ、に搬入して上部電極６を形成して素子を完成する
。
しかしながら、このような製造方法によると、下部電極
２とａ −Ｓ ｉ層との界面およびａ −８ｉ）（弓と
上部電極６との界面が大気にさらされるために素子特性
に悪影響をおよばずのみならず、スパッタリング装置ｔ
ｊ−とプラズマＣＶＤ装置との間の基板１の移し替え１
両者の装置の排気等に多大な時間を要し、ｌｉ産性に問
題があった。
２とａ −Ｓ ｉ層との界面およびａ −８ｉ）（弓と
上部電極６との界面が大気にさらされるために素子特性
に悪影響をおよばずのみならず、スパッタリング装置ｔ
ｊ−とプラズマＣＶＤ装置との間の基板１の移し替え１
両者の装置の排気等に多大な時間を要し、ｌｉ産性に問
題があった。
このような問題を改善したものとしては、第２図に要部
断面図で示すような薄膜太陽電池の連続製造装置が近年
発明者らによって提案されている。
断面図で示すような薄膜太陽電池の連続製造装置が近年
発明者らによって提案されている。
すなわち、同図において、１０は例えばステンレス板材
によって形成された真空容器、１１は例えば長尺のステ
ンレス薄板がフリーロール１２にロール巻きされかつ矢
印入方向に巻き出される可撓性基板（以下基板と称する
）であシ、この基板１１はａ −８ｉ層形成面上に例え
ば高分子樹脂膜またはＳ ｉＯｚ膜などの電気的絶縁性
を有する絶縁膜が予め被着形成されている。１３は基板
１１を収納配置■するローディング４ｔ）、 ｌ ４は
基［１１上に前記下部電極２を形成する第１の成膜槽、
１５はその蒸発源、１６は独立した排気系を有する第１
の中間（・ｊ９．１７ ｒ、Ｊ：基板１１のＹｌｌ；記
下部【電極２上に前記ｐ型ａ ８１３ 、１３．’ジ
ａｓｔ４およびｎ型ａ−８ｉ ５からなるａ −Ｓ ｉ
層を形成する第２の成膜槽、１８はその成膜用電極、１
９ｒよ独立した排気系を有する第２の中間槽、２０は基
板１１の前記ａｓ１層上前記上部電極６を形成する第３
の成膜槽、２１はその蒸発源、２２は」二部電極６が形
成された基板１１を駆動用ロール２３で矢印入方向に巻
き取って格納するアンローディング槽、２４は各種１３
，１４，１６，１７，１９，２０．２２にそれぞれ独立
して結合されて所定の真空度に減圧させる真空ポンプ、
２５は各種１３，１４．１６．１？、１９，２０．２２
の隣接する各隔壁の所定位置に設けられて基板１１を連
続的に通過させるスリットである。
によって形成された真空容器、１１は例えば長尺のステ
ンレス薄板がフリーロール１２にロール巻きされかつ矢
印入方向に巻き出される可撓性基板（以下基板と称する
）であシ、この基板１１はａ −８ｉ層形成面上に例え
ば高分子樹脂膜またはＳ ｉＯｚ膜などの電気的絶縁性
を有する絶縁膜が予め被着形成されている。１３は基板
１１を収納配置■するローディング４ｔ）、 ｌ ４は
基［１１上に前記下部電極２を形成する第１の成膜槽、
１５はその蒸発源、１６は独立した排気系を有する第１
の中間（・ｊ９．１７ ｒ、Ｊ：基板１１のＹｌｌ；記
下部【電極２上に前記ｐ型ａ ８１３ 、１３．’ジ
ａｓｔ４およびｎ型ａ−８ｉ ５からなるａ −Ｓ ｉ
層を形成する第２の成膜槽、１８はその成膜用電極、１
９ｒよ独立した排気系を有する第２の中間槽、２０は基
板１１の前記ａｓ１層上前記上部電極６を形成する第３
の成膜槽、２１はその蒸発源、２２は」二部電極６が形
成された基板１１を駆動用ロール２３で矢印入方向に巻
き取って格納するアンローディング槽、２４は各種１３
，１４，１６，１７，１９，２０．２２にそれぞれ独立
して結合されて所定の真空度に減圧させる真空ポンプ、
２５は各種１３，１４．１６．１？、１９，２０．２２
の隣接する各隔壁の所定位置に設けられて基板１１を連
続的に通過させるスリットである。
このように構成された薄膜太陽電池の連続製造装置にお
いては、長尺の基板１１を、スリット２５を通して第１
の成膜４・ハ１４．第１の中間槽１６．第２の成膜槽１
７．第２の中間槽１９および第３の成膜槽２０内を矢印
入方向に所定のピッチで連続的に搬送さぜ、第１．第２
．第３の成膜［１４，１７，２０内を所定の真空度に減
圧して保持させ、さらに第１．第２の中間槽１６．１９
内を第１．第２、第３の成ＩＫ＃ｉｙ’＋ １４ 、１
７ 、２０よシも高し゛真空度に減圧させて各成膜教ｕ
１４ 、１７ 、２０で所定の成膜を行なうことによ
って、基板１１上に下部電極’ｌ 、 ｐｌｊｌａ−８
ｉ ３ 、 ｉ型ａ−８ｉ４．ｎ型ａ−８ｉ５および
上部′１）Ｌ極６の各薄膜パターンが順次積層配置され
て薄膜太陽電池素子が連続的に形成される。
いては、長尺の基板１１を、スリット２５を通して第１
の成膜４・ハ１４．第１の中間槽１６．第２の成膜槽１
７．第２の中間槽１９および第３の成膜槽２０内を矢印
入方向に所定のピッチで連続的に搬送さぜ、第１．第２
．第３の成膜［１４，１７，２０内を所定の真空度に減
圧して保持させ、さらに第１．第２の中間槽１６．１９
内を第１．第２、第３の成ＩＫ＃ｉｙ’＋ １４ 、１
７ 、２０よシも高し゛真空度に減圧させて各成膜教ｕ
１４ 、１７ 、２０で所定の成膜を行なうことによ
って、基板１１上に下部電極’ｌ 、 ｐｌｊｌａ−８
ｉ ３ 、 ｉ型ａ−８ｉ４．ｎ型ａ−８ｉ５および
上部′１）Ｌ極６の各薄膜パターンが順次積層配置され
て薄膜太陽電池素子が連続的に形成される。
しかしながら、前記構成による連続製造装置においては
、各相１３，１４，１６，１７，１９゜２０．２２が基
板１１を通過させるスリット２５を介して真空的に継続
されているので、各成膜槽１４．１７．２０のプロセス
の調整、保守および点検等により成膜）ｌψｉ１４，１
７．２０のいずれかを大気圧に戻すと、各成膜（曹ｚ、
１７．２０の全てが大気圧に戻ってしまい、内部で積層
形成された碕膜パターンが大気に触れて不良品となると
いう問題があった。
、各相１３，１４，１６，１７，１９゜２０．２２が基
板１１を通過させるスリット２５を介して真空的に継続
されているので、各成膜槽１４．１７．２０のプロセス
の調整、保守および点検等により成膜）ｌψｉ１４，１
７．２０のいずれかを大気圧に戻すと、各成膜（曹ｚ、
１７．２０の全てが大気圧に戻ってしまい、内部で積層
形成された碕膜パターンが大気に触れて不良品となると
いう問題があった。
したがって本発明は、前述した問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、薄膜太陽電池素
子の不良発生が極めて少なく、高品質の薄膜太陽電池が
生産性良く得られる薄膜太陽電池の連続製造装置を提供
することにある。
ものであり、その目的とするところは、薄膜太陽電池素
子の不良発生が極めて少なく、高品質の薄膜太陽電池が
生産性良く得られる薄膜太陽電池の連続製造装置を提供
することにある。
このような目的を達成するために本発明は、成膜４”、
ＩＪ相互間に真空遮断弁を設けたものである。以下図面
を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
ＩＪ相互間に真空遮断弁を設けたものである。以下図面
を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
２合、３図は本発明による薄膜太陽電池の連続製造装（
１′ｔの一例を示す留部断面構成図であり、第２図と同
記号は同一要素と在るのでその説明は省略する。同図に
おいて、ローディング４曹１３２ｗ、１の中間（ＩＩ’
ｉ １６ 、第２の中間穂１９およびアンローディング
槽２２にはスリット２５を開閉させて第１の成膜槽１４
．第２の成膜槽１７およびｈ′５３の成膜ｉ１’＋ ２
０相互間の真空度を保持させる真空遮断弁２６がそれぞ
れ設けられている。
１′ｔの一例を示す留部断面構成図であり、第２図と同
記号は同一要素と在るのでその説明は省略する。同図に
おいて、ローディング４曹１３２ｗ、１の中間（ＩＩ’
ｉ １６ 、第２の中間穂１９およびアンローディング
槽２２にはスリット２５を開閉させて第１の成膜槽１４
．第２の成膜槽１７およびｈ′５３の成膜ｉ１’＋ ２
０相互間の真空度を保持させる真空遮断弁２６がそれぞ
れ設けられている。
このよう力（・ｐｔ成において、第１の成膜４ＶＱ １
４ 。
４ 。
第１の中間４？”＋ １６ 、第２の成膜槽１７．第２
の中１１旧ｓ”１１９および第３の成１喚１’：’＋
２０内に各スリット２５を通して配置された長尺の基板
１１は、まず、各真空遮断弁２Ｂを閉じ、各第１．第２
．第３の成＋１！″Ｉ： ：ｌ曹１４，１７．２０およ
び各第１．第２の中間槽１６，１９を所定の真空度に保
持させて各成膜槽１４，１７．２０で所定の成膜を行な
った後、各真空遮断弁２６を開放し、基板１１を矢印入
方向に所定のピッチで搬送させた後、さらに各真空遮断
弁２６を閉じ、各成膜ヤｉｆ（１４、１７、２０で所定
の成膜を行なう動作をｊ臓次岨絖的に行なうことによっ
て基板１１上に薄膜太陽電池素子が連続的に形成される
。
の中１１旧ｓ”１１９および第３の成１喚１’：’＋
２０内に各スリット２５を通して配置された長尺の基板
１１は、まず、各真空遮断弁２Ｂを閉じ、各第１．第２
．第３の成＋１！″Ｉ： ：ｌ曹１４，１７．２０およ
び各第１．第２の中間槽１６，１９を所定の真空度に保
持させて各成膜槽１４，１７．２０で所定の成膜を行な
った後、各真空遮断弁２６を開放し、基板１１を矢印入
方向に所定のピッチで搬送させた後、さらに各真空遮断
弁２６を閉じ、各成膜ヤｉｆ（１４、１７、２０で所定
の成膜を行なう動作をｊ臓次岨絖的に行なうことによっ
て基板１１上に薄膜太陽電池素子が連続的に形成される
。
このような（１ｑ成によれば、各成膜１４，１７゜２０
のいずれかにおいてプロセスの調整、保守および点検等
を行なう場合、その成膜１ｔ＝の両端側に位置する１ｃ
空遮断弁２６を閉じることによシ、他の成膜槽の成膜雰
囲気に何ら影響を与えることなく、その成＋＋＜ｈ ｓ
・：＞のみを大気圧に決して作条することができるので
、不良品の発生は大気圧に戻した成膜槽で形成された薄
膜パターンを有する薄膜太陽電池素子のみとなる。した
がって、不良品の発生を極小に抑えることができる。
のいずれかにおいてプロセスの調整、保守および点検等
を行なう場合、その成膜１ｔ＝の両端側に位置する１ｃ
空遮断弁２６を閉じることによシ、他の成膜槽の成膜雰
囲気に何ら影響を与えることなく、その成＋＋＜ｈ ｓ
・：＞のみを大気圧に決して作条することができるので
、不良品の発生は大気圧に戻した成膜槽で形成された薄
膜パターンを有する薄膜太陽電池素子のみとなる。した
がって、不良品の発生を極小に抑えることができる。
杷４図（ａ） 、 （ｂ）は前述した真空遮断弁２６の
一例を示す要部縦断面図、横断面図であシ、前述の図と
同記号は同一要素となるのでその説明は省略する。同図
において、３０は基板１１を通過させるスリット状の開
口を有する可（・；・１叶体であ勺、この可撓性体３０
はゴム等の弾力性を有する厚肉のパルプで形成されてい
る。３１は町−に、・性体３０を固定する押え台、３２
は矢印Ｂ−Ｂ’方向に可動させて用律゛、性体３０の開
口ｆ ｔ’ｉｉ４放または閉塞させる可動板、３３は一
端が可動板３２に連糸シされてこの可！１（〕ｌ板３２
を矢印Ｂ−Ｂ’方向に７１４１’；（ＩＪさせるネジ棒
であり、このネジ棒３３は真空容器１０の外部側他瑞に
縁作ハンドル３４．真空容器１０との境界にシャフト部
３３ａ、真空容器１０内にネジ部３３Ｉ）をそれぞれ有
し操作ハンドル３４を回！ＩｒＪｊさぜることによって
ｔＮｔｌ記可動板３２をＢ −Ｂ’力方向移動させる。
一例を示す要部縦断面図、横断面図であシ、前述の図と
同記号は同一要素となるのでその説明は省略する。同図
において、３０は基板１１を通過させるスリット状の開
口を有する可（・；・１叶体であ勺、この可撓性体３０
はゴム等の弾力性を有する厚肉のパルプで形成されてい
る。３１は町−に、・性体３０を固定する押え台、３２
は矢印Ｂ−Ｂ’方向に可動させて用律゛、性体３０の開
口ｆ ｔ’ｉｉ４放または閉塞させる可動板、３３は一
端が可動板３２に連糸シされてこの可！１（〕ｌ板３２
を矢印Ｂ−Ｂ’方向に７１４１’；（ＩＪさせるネジ棒
であり、このネジ棒３３は真空容器１０の外部側他瑞に
縁作ハンドル３４．真空容器１０との境界にシャフト部
３３ａ、真空容器１０内にネジ部３３Ｉ）をそれぞれ有
し操作ハンドル３４を回！ＩｒＪｊさぜることによって
ｔＮｔｌ記可動板３２をＢ −Ｂ’力方向移動させる。
３５はネジ棒３３のネジ部３３ｂを支持する４１１ｒネ
ジ部を有する支持台、３６はネジ棒３３と真空容器１０
との間に介在されて真空容器１０内の気密を保持させる
０ １Ｊング、３７Ｃ」、押え台３１．可掃性体３０−
２および支持台３５を支持する支持板、３８は可撓性体
３０を固定する固定金具である。
ジ部を有する支持台、３６はネジ棒３３と真空容器１０
との間に介在されて真空容器１０内の気密を保持させる
０ １Ｊング、３７Ｃ」、押え台３１．可掃性体３０−
２および支持台３５を支持する支持板、３８は可撓性体
３０を固定する固定金具である。
また、前述した可伊性体３０は、第５図に要部拡大断面
図で示すように可社性体３ｏの開口内には基板１１と接
触する対向面に半球状の中錯部ａｏａ、ａｏｂから在る
１対の減圧室３０Ａが複数組設けられている。
図で示すように可社性体３ｏの開口内には基板１１と接
触する対向面に半球状の中錯部ａｏａ、ａｏｂから在る
１対の減圧室３０Ａが複数組設けられている。
このように構成された真空遮断弁２６によれば、真空遮
断弁２６を閉じる場合には、操作ハンドル３４を例えば
右回転方向に回動させることによって、可動板３２が矢
印１３′方向に移動し、可撓性体３０が押し潰されて基
板１１は開口内で圧縮密着されて気密が維持される。こ
の場合、気密部分から漏れる空気は、気密４３１５分の
画側の圧力差と空気の通る隙間の大きさとによって決定
されるので、開口内の圧縮密着面に複数組の減圧室３０
Ａを設けたことによって、遮断された成、ｌＩｇ ４１
＋−の圧力差を階段的に減少させることができるので、
圧力差の減少から幼気の流れ量が減少し気密維持性能を
顕著に向上させることができる。
断弁２６を閉じる場合には、操作ハンドル３４を例えば
右回転方向に回動させることによって、可動板３２が矢
印１３′方向に移動し、可撓性体３０が押し潰されて基
板１１は開口内で圧縮密着されて気密が維持される。こ
の場合、気密部分から漏れる空気は、気密４３１５分の
画側の圧力差と空気の通る隙間の大きさとによって決定
されるので、開口内の圧縮密着面に複数組の減圧室３０
Ａを設けたことによって、遮断された成、ｌＩｇ ４１
＋−の圧力差を階段的に減少させることができるので、
圧力差の減少から幼気の流れ量が減少し気密維持性能を
顕著に向上させることができる。
なお、前述した実施例において、真空遮断弁２６は、可
撓性体３０の開口内に半球状の中空部３０ａ、３０ｂか
らなる１対の減圧室３０Ａを設けた場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、開口内
が平面平担構造であっても前述と同様に成膜４ｉｉｌＩ
相互間の気密遮断が可能であることは勿論のことである
。まだ、前記実施例では基板１１を所定のピッチ搬送さ
せた後、各真空遮断弁２６を閉じ、各成膜槽１４，１７
．２０で所定の成膜を順次繰返し連続的に行なう場合に
ついて説、明したが、各真空遮断弁２６を開放状、慄に
保持し、基板１１を連続的に搬送し、各成膜（・１）１
４．１７．２０の成膜相宿４極１５，１８．２１を鼎株
的に！ｌ＋Ｊ＋作させて所定の成＋１１Ｊを連続、的に
行ない、各真空遮断弁２６はプロセスの調整、保守及び
点検作業等の場合に基板１１の搬送を停止させてＮｊ１
１作させれは、他の成膜４・υに何ら影響をＪｊえるこ
となく、その成膜佇ノのみの作業をうることか可能であ
ることは勿論のことである。
撓性体３０の開口内に半球状の中空部３０ａ、３０ｂか
らなる１対の減圧室３０Ａを設けた場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、開口内
が平面平担構造であっても前述と同様に成膜４ｉｉｌＩ
相互間の気密遮断が可能であることは勿論のことである
。まだ、前記実施例では基板１１を所定のピッチ搬送さ
せた後、各真空遮断弁２６を閉じ、各成膜槽１４，１７
．２０で所定の成膜を順次繰返し連続的に行なう場合に
ついて説、明したが、各真空遮断弁２６を開放状、慄に
保持し、基板１１を連続的に搬送し、各成膜（・１）１
４．１７．２０の成膜相宿４極１５，１８．２１を鼎株
的に！ｌ＋Ｊ＋作させて所定の成＋１１Ｊを連続、的に
行ない、各真空遮断弁２６はプロセスの調整、保守及び
点検作業等の場合に基板１１の搬送を停止させてＮｊ１
１作させれは、他の成膜４・υに何ら影響をＪｊえるこ
となく、その成膜佇ノのみの作業をうることか可能であ
ることは勿論のことである。
以上説明したように本発明によれば、成＋１’；！：
ｌ用相互間に真空遮断弁を設けたことによって、成膜槽
相互間で気密遮断が可能となるので、局−月１人太陽電
池素子の不良発生が棲少となり、高品質の７“刺摸太陽
電池が生産性良く得られるという極めて優れた効果を有
する。
ｌ用相互間に真空遮断弁を設けたことによって、成膜槽
相互間で気密遮断が可能となるので、局−月１人太陽電
池素子の不良発生が棲少となり、高品質の７“刺摸太陽
電池が生産性良く得られるという極めて優れた効果を有
する。
第１図は薄膜太陽電池の一例な示す四部断面図、第２区
は近年発明者等によって提茶されている薄膜太陽電池の
連続製造装置−の−例を示す要部断面構成図、第３図は
本発明による薄膜太陽電池の連続製造装置、の−例を示
す要部断面結成図、第４図（ａ） 、 （ｂ）および第
５図は第３図の真梁邦断弁の一例を示す要部拡大断面図
である。 １０・・・・真空容器、１１・・・・可接性基板（基板
）、１２・・・・フリーロール、１３・・・・ローディ
ング化、１４・・・・第１の成膜イ・１書、１５・・・
・蒸発師、１６・・・・第１の中間（・ハ、１７・・・
・第２の成膜イ・？；、１８会・・・成膜用′成極、１
９・・・・第２の中間柿、２０・−・・第３の成膜１．
’Ｉｉ、 ２１・・・・ぺ４発源、２２・・・・アンロ
ーディングＡ’：’ｙ、２３・・・φ駆動用ロール、２
４・・・・真空ポンプ、２５・・・・スリット、３０・
・・ψ司替、柱体、３０ａ＋３０ｂ・命・・中空部、３
０Ａ・・Φ・減Ｌ（−室、３１・・・・押え台、３２・
・・・可動板、３３・・・・ネジ樺、３３ａ・・・φシ
ャフト部、３３１）−−・・ネジ部、３４・＠φ―操作
１１ンドル、３５・・・・支持台、３６・・−・０リン
グ、３７・・・・支、！″１板、３８・・・・固定金具
。
は近年発明者等によって提茶されている薄膜太陽電池の
連続製造装置−の−例を示す要部断面構成図、第３図は
本発明による薄膜太陽電池の連続製造装置、の−例を示
す要部断面結成図、第４図（ａ） 、 （ｂ）および第
５図は第３図の真梁邦断弁の一例を示す要部拡大断面図
である。 １０・・・・真空容器、１１・・・・可接性基板（基板
）、１２・・・・フリーロール、１３・・・・ローディ
ング化、１４・・・・第１の成膜イ・１書、１５・・・
・蒸発師、１６・・・・第１の中間（・ハ、１７・・・
・第２の成膜イ・？；、１８会・・・成膜用′成極、１
９・・・・第２の中間柿、２０・−・・第３の成膜１．
’Ｉｉ、 ２１・・・・ぺ４発源、２２・・・・アンロ
ーディングＡ’：’ｙ、２３・・・φ駆動用ロール、２
４・・・・真空ポンプ、２５・・・・スリット、３０・
・・ψ司替、柱体、３０ａ＋３０ｂ・命・・中空部、３
０Ａ・・Φ・減Ｌ（−室、３１・・・・押え台、３２・
・・・可動板、３３・・・・ネジ樺、３３ａ・・・φシ
ャフト部、３３１）−−・・ネジ部、３４・＠φ―操作
１１ンドル、３５・・・・支持台、３６・・−・０リン
グ、３７・・・・支、！″１板、３８・・・・固定金具
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 減圧された複数の成膜槽内に長尺の可ｆ、ｊ７性基
板を搬送させ、該基板上に複数種の薄膜を順次積層して
薄膜太陽電池を形成する薄膜太陽電池の連続製造装置に
おいて、前記成膜槽相互間に、前記基板を通過させるス
リット状の開口を有する可撓性体と、前記可撓性体の開
口を開放、閉塞させる可動体とを有する真空遮断弁を設
けたことを特徴とする薄膜太陽電池の連続製造装置。 ２ 前記可撓性体は開口内に複数の減圧室を有すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜太陽電池
の連続製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194757A JPS5984586A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194757A JPS5984586A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984586A true JPS5984586A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16329727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194757A Pending JPS5984586A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 薄膜太陽電池の連続製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984586A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014061433A1 (ja) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 株式会社Ihi | 高温処理炉及び強化繊維の継ぎ方法 |
| EP3130690A4 (en) * | 2014-04-11 | 2017-12-27 | IHI Corporation | Vacuum processing device |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57194757A patent/JPS5984586A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014061433A1 (ja) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 株式会社Ihi | 高温処理炉及び強化繊維の継ぎ方法 |
| JP2014080307A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Ihi Corp | 高温処理炉及び強化繊維の継ぎ方法 |
| EP2907892A4 (en) * | 2012-10-15 | 2017-01-18 | IHI Corporation | High temperature treatment furnace and reinforcing fiber fastening method |
| US9695504B2 (en) | 2012-10-15 | 2017-07-04 | Ihi Corporation | High-temperature processing furnace and reinforcement fiber joining method |
| US10006119B2 (en) | 2012-10-15 | 2018-06-26 | Ihi Corporation | High-temperature processing furnace and reinforcement fiber joining method |
| EP3130690A4 (en) * | 2014-04-11 | 2017-12-27 | IHI Corporation | Vacuum processing device |
| US10443122B2 (en) | 2014-04-11 | 2019-10-15 | Ihi Corporation | Vacuum processing device |
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