JPS5984587A - 位置センサ - Google Patents
位置センサInfo
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- JPS5984587A JPS5984587A JP57194629A JP19462982A JPS5984587A JP S5984587 A JPS5984587 A JP S5984587A JP 57194629 A JP57194629 A JP 57194629A JP 19462982 A JP19462982 A JP 19462982A JP S5984587 A JPS5984587 A JP S5984587A
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- transparent conductive
- film
- substrate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier
- H10F30/2235—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier the devices comprising Group IV amorphous materials
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明ｔ、よ、ｐ−１−ｎ構造を有するアモルファス
シリコン薄膜の光電効果に着目して構成された光ビーム
検出用位（はセンサに関する。
シリコン薄膜の光電効果に着目して構成された光ビーム
検出用位（はセンサに関する。
ここでアモルファス半導体とは、液体および気体を除く
物質であって、結晶学的に３次元的周期性を示さない半
導体をさす。すなわち、不規則、非晶質状のもので、Ｘ
線回折波形で特定しうる回折ピークを持たない半導体を
呼ぶこととする。
物質であって、結晶学的に３次元的周期性を示さない半
導体をさす。すなわち、不規則、非晶質状のもので、Ｘ
線回折波形で特定しうる回折ピークを持たない半導体を
呼ぶこととする。
従来、光ビームの位置を検出する方法としてはｐ−１−
ｎ”構造を有する結晶半導体が用いられできた。すなわ
ち、ｐ層を抵抗層とし、ｐ−ｉ接合間に形成される空乏
層に元ビームが入射されることによシ発生した光１１１
流を、ｐ層に設けられた一対の各とシ出し電にｉを通じ
てとり出す。この時、各とり出し′１（を極と共通型、
極間とに流れる各５’ａｔＭ流の大きさは、各とシ出し
電極からのそれぞれの距離の長°さに逆比例するので、
各党電流の大きさを測定することによ）、光ビームの入
射位置を検出することができる。このｐ−１−ｎ＋構造
の結晶半導体を用いる方法では、（１）市純度結晶半導
体基板を必要とする （２）検出位置の４゛８度を高め
るには、ｊ”７Ｊ ’Ｍ制御された拡散技術を必袂とす
る 等により高度の半導体プロセス技術を貴し、更に製
品の歩留りもノ１ツく、その紹果高価格であるといつ欠
点を有していた。史に、拡散層上に設けられたパシベー
ション膜中に含まれる可動イオン等により、使用時、出
力抵抗が大きく変動するという欠点ヲ治していた。しか
しながら、光電効果を利用したｐ−１−ｎ”（１ｑ造の
結晶半導体を用いた位置センサは（１１アナログ型であ
ること （２）走査形位置センサと比較してｉｔ；＋、
ｉボ応・答ヤ４：を有すること （３）化列処理回路
が簡単であること 等の幾多の長所を有してお９、安価
で高性能なアナログ検出型位１ｔセンサへのす望は多い
。
ｎ”構造を有する結晶半導体が用いられできた。すなわ
ち、ｐ層を抵抗層とし、ｐ−ｉ接合間に形成される空乏
層に元ビームが入射されることによシ発生した光１１１
流を、ｐ層に設けられた一対の各とシ出し電にｉを通じ
てとり出す。この時、各とり出し′１（を極と共通型、
極間とに流れる各５’ａｔＭ流の大きさは、各とシ出し
電極からのそれぞれの距離の長°さに逆比例するので、
各党電流の大きさを測定することによ）、光ビームの入
射位置を検出することができる。このｐ−１−ｎ＋構造
の結晶半導体を用いる方法では、（１）市純度結晶半導
体基板を必要とする （２）検出位置の４゛８度を高め
るには、ｊ”７Ｊ ’Ｍ制御された拡散技術を必袂とす
る 等により高度の半導体プロセス技術を貴し、更に製
品の歩留りもノ１ツく、その紹果高価格であるといつ欠
点を有していた。史に、拡散層上に設けられたパシベー
ション膜中に含まれる可動イオン等により、使用時、出
力抵抗が大きく変動するという欠点ヲ治していた。しか
しながら、光電効果を利用したｐ−１−ｎ”（１ｑ造の
結晶半導体を用いた位置センサは（１１アナログ型であ
ること （２）走査形位置センサと比較してｉｔ；＋、
ｉボ応・答ヤ４：を有すること （３）化列処理回路
が簡単であること 等の幾多の長所を有してお９、安価
で高性能なアナログ検出型位１ｔセンサへのす望は多い
。
以上の点に鑑み、本発明では、新軍子材料であるアモル
ファスシリコン薄；（Ｑと透明、専’ＩＩＩ ｌ摸との
有する互の長所を生かした新しい構造の光電効果形位１
１′ｆセンザを提供ぜんとするものである。
ファスシリコン薄；（Ｑと透明、専’ＩＩＩ ｌ摸との
有する互の長所を生かした新しい構造の光電効果形位１
１′ｆセンザを提供ぜんとするものである。
第１図および第２図は、本発明による一次元位１「Ｘ、
センサの一実施例の構成を示す図で、第１図に・１）面
図を、；Ｉ４２図に第１図の線Ｘ−Ｋにおける断面図を
示す。図中１はｄ、明絶縁性基板、２は透明導電膜、３
，４．５はそれぞれｐ層、ｉ層、０層からなるアモルフ
ァスシリコン薄膜、６Ａ、６１３は透明導電膜の両端部
に接して設けられた一対の電極、７はオーミック性を有
する共通電極、酷は位置センサを示す。−次元用位置セ
ンサは、通常ビーム径が１００μｍ前後の光ビームの位
置検出に用いられるので、細長い形状のものが使用され
、検出部のたて方向、よこ方向の各長さはそれぞれ５〜
１５胴。
センサの一実施例の構成を示す図で、第１図に・１）面
図を、；Ｉ４２図に第１図の線Ｘ−Ｋにおける断面図を
示す。図中１はｄ、明絶縁性基板、２は透明導電膜、３
，４．５はそれぞれｐ層、ｉ層、０層からなるアモルフ
ァスシリコン薄膜、６Ａ、６１３は透明導電膜の両端部
に接して設けられた一対の電極、７はオーミック性を有
する共通電極、酷は位置センサを示す。−次元用位置セ
ンサは、通常ビーム径が１００μｍ前後の光ビームの位
置検出に用いられるので、細長い形状のものが使用され
、検出部のたて方向、よこ方向の各長さはそれぞれ５〜
１５胴。
１〜２間である。位置上ンサ胚は、透明絶縁性基板１と
、基板上に設けられた透明導１１Ｌ膜２、透明ｒ５４
’山５膜２上に設けられたｐ−１−ｎ構造を有するアモ
ルファスシリコン薄膜３，４，５、透明導電膜２の両端
部に接しで設けられた一対の７ｔｉ、 （途６Ａ 、
６ Ｂおよびアモルファスシリコン薄膜上に設けられた
オーミック性共通′ａモ極７とから構成される。矢印に
示される光ビームが基板１方向から入射した場合、光ビ
ームは透明基板１および透明導電膜２を経て、アモルフ
ァスシリコン＃１１０ ：’３ ＋ ４ ＋ ５に到達
する。ｐ−１−ｎ構造のアモルファスシリコン薄膜には
、空乏層が形成されて陸り、光ヒーム＆、１：空乏層で
吸収され、光’ｔｉｔ効果によシ入躬エネルギーに対応
した５（： ｆｌｃ流が発生する。タン５乏層で発生し
た）’Ｃ； ’ｆｉｔ ｌｆｒ、は、ｄｚ明導′「）Ｌ
膜層２を介しで、各とり川し電極６Ａ、６Ｂでとりださ
れ、各と９出し電極６Ａ、６Ｂと共通電極７間とに流れ
る。この場合、とり出し電極６Ａと共通型（印７との間
に流れる′４流へととり出しｎｔ極６Ｂと共通′電極７
との間に流れる電流工、との和は光電離１．．に等し、
い。この場合、電流工いおよび電流ＩＢの大きさは、光
’＋４１．Ｍｌｒ、の発生した位置から各とり出し１１
１枠６Ａ、６Ｂ３間の各抵抗イ１＋ｊ’、 Ｒ，、Ｒ２
での大きさに対比、し、次の関係がある。
、基板上に設けられた透明導１１Ｌ膜２、透明ｒ５４
’山５膜２上に設けられたｐ−１−ｎ構造を有するアモ
ルファスシリコン薄膜３，４，５、透明導電膜２の両端
部に接しで設けられた一対の７ｔｉ、 （途６Ａ 、
６ Ｂおよびアモルファスシリコン薄膜上に設けられた
オーミック性共通′ａモ極７とから構成される。矢印に
示される光ビームが基板１方向から入射した場合、光ビ
ームは透明基板１および透明導電膜２を経て、アモルフ
ァスシリコン＃１１０ ：’３ ＋ ４ ＋ ５に到達
する。ｐ−１−ｎ構造のアモルファスシリコン薄膜には
、空乏層が形成されて陸り、光ヒーム＆、１：空乏層で
吸収され、光’ｔｉｔ効果によシ入躬エネルギーに対応
した５（： ｆｌｃ流が発生する。タン５乏層で発生し
た）’Ｃ； ’ｆｉｔ ｌｆｒ、は、ｄｚ明導′「）Ｌ
膜層２を介しで、各とり川し電極６Ａ、６Ｂでとりださ
れ、各と９出し電極６Ａ、６Ｂと共通電極７間とに流れ
る。この場合、とり出し電極６Ａと共通型（印７との間
に流れる′４流へととり出しｎｔ極６Ｂと共通′電極７
との間に流れる電流工、との和は光電離１．．に等し、
い。この場合、電流工いおよび電流ＩＢの大きさは、光
’＋４１．Ｍｌｒ、の発生した位置から各とり出し１１
１枠６Ａ、６Ｂ３間の各抵抗イ１＋ｊ’、 Ｒ，、Ｒ２
での大きさに対比、し、次の関係がある。
Ｉｔ２
Ｉ＝−Ｉ。 （１）
Ｒ，＋ １ζ２
１匂
ＩＢ＝ Ｉｏ （２）■も、→
〜１ｔ２ Ｉｔ、、１煽は、それぞれの電極６Ａ、６Ｂから光ビー
ム入射位１ｉ’ｊ 寸での各距離に比例する。従って、
■い、Ｉ１゜の大きさを測定することにより、つＹＳビ
ーム入射位１１′（は検出される。空乏層内でのツ（、
吸収を効率よく行うためアモルファスシリコンｉ＋’ｉ
膜における９層３、ｉ層４お・よび１層５の各膜厚（ｒ
Ｊ−−！１（１０Ａ 、 ０．５〜２ｔｘｍ、〜５００
Ａに段目される。
〜１ｔ２ Ｉｔ、、１煽は、それぞれの電極６Ａ、６Ｂから光ビー
ム入射位１ｉ’ｊ 寸での各距離に比例する。従って、
■い、Ｉ１゜の大きさを測定することにより、つＹＳビ
ーム入射位１１′（は検出される。空乏層内でのツ（、
吸収を効率よく行うためアモルファスシリコンｉ＋’ｉ
膜における９層３、ｉ層４お・よび１層５の各膜厚（ｒ
Ｊ−−！１（１０Ａ 、 ０．５〜２ｔｘｍ、〜５００
Ａに段目される。
本実施例では、光ビーム検出部と各とり出し電極とが分
離ｊ７た構迅となっている惨め、光ビームが検出部から
それて、と９出し電極上に入射された場合は、光ビーム
位置を検知することができない。
離ｊ７た構迅となっている惨め、光ビームが検出部から
それて、と９出し電極上に入射された場合は、光ビーム
位置を検知することができない。
第３図および第４図は、上記の問題を解決した位置セン
サの一実施例の構成を示す図で、第３図は平面図、第４
図は、第３図の線”ｘ−Ｘにおける断面を示す図である
。本実施例による位１′白゛センサ８Ｂでは、各とり出
し電４Ｔｈ６Ａ、６Ｂに光ビームが入射された場合でも
、光’ｆＩ５：流兄生用ア発生ファスシリコン薄膜層が
各とり出し電４参６Ａ、６Ｂと透明導′ｉ１ｊ’膜２と
の間にそれぞれ形成きれており、光ビームの入射により
光電離１゜′が発生する。この時・発生するｊ（： ｆ
ｉｔ流値１゜′は、検出部につ°０ビームが入射された
場合に発生する光’ＴｆＴ、流１１α１ｏより大きくな
るように設Ｈ１されゐ。又、この位１謀センザにおいて
（σ」１、共１丙’ｔｉｒ、極７と各とり出し電４６６
Ａ、６Ｂとの間に流れる表１１１１電流の太き坏が暗’
！］、ＩＪｉｉ’、の大きさ■。以下になるＪ：１）に
設６−１される。
サの一実施例の構成を示す図で、第３図は平面図、第４
図は、第３図の線”ｘ−Ｘにおける断面を示す図である
。本実施例による位１′白゛センサ８Ｂでは、各とり出
し電４Ｔｈ６Ａ、６Ｂに光ビームが入射された場合でも
、光’ｆＩ５：流兄生用ア発生ファスシリコン薄膜層が
各とり出し電４参６Ａ、６Ｂと透明導′ｉ１ｊ’膜２と
の間にそれぞれ形成きれており、光ビームの入射により
光電離１゜′が発生する。この時・発生するｊ（： ｆ
ｉｔ流値１゜′は、検出部につ°０ビームが入射された
場合に発生する光’ＴｆＴ、流１１α１ｏより大きくな
るように設Ｈ１されゐ。又、この位１謀センザにおいて
（σ」１、共１丙’ｔｉｒ、極７と各とり出し電４６６
Ａ、６Ｂとの間に流れる表１１１１電流の太き坏が暗’
！］、ＩＪｉｉ’、の大きさ■。以下になるＪ：１）に
設６−１される。
第５図および第６図は本発明による二次元位置センサの
一実施例の構成を示す図で、２１５５図に平面図を、第
６図に第５図の線ｘ−ｘ’における断面図を示す。図中
１０は透明絶縁性基板、１１ｉ、Ｊ：透明導′１↓イ膜
、１２ 、１３ 、１４はｐ−１−ｎ構造を有するアモ
ルファスシリコン薄膜、１５Ａ、１５１３，１５Ｃ，１
５Ｄは５透明導１）、膜の端部に接して設けられた各と
り出し電極、１６は共１１Ｔ１電極、■は位１づ、セ／
すをそｈぞれ示す。透明’Ｓ ’ＨＩ：膜１１と共通’
ｆｉ（４ｉｆｉ？ １６間に設けられたｐ−１−ｎ構造
を有するアモルファスシリコンＨＩ ＩＩ＜Ｗ １２
、１３ 、 ｔ４ＫｆＪ：空乏層が形成され、空乏層に
光ビームが入射されると光電効果によシ入射エイ・ルギ
ーに応じた光電流■１が発生する。この電流の太ききは
、おのおの対向して配置１５さ：Ｌしたｘ １１１１お
よびｙ１油の各と９出し電極１５Ａ、１５１３．］、５
Ｃ，１５Ｄからの距離に逆比例して、各とり出し′ｉ１
．Ｌ極と共通’ｉｉｉ ４’Ｊ＜間とに流れる電流ｉＡ
。
一実施例の構成を示す図で、２１５５図に平面図を、第
６図に第５図の線ｘ−ｘ’における断面図を示す。図中
１０は透明絶縁性基板、１１ｉ、Ｊ：透明導′１↓イ膜
、１２ 、１３ 、１４はｐ−１−ｎ構造を有するアモ
ルファスシリコン薄膜、１５Ａ、１５１３，１５Ｃ，１
５Ｄは５透明導１）、膜の端部に接して設けられた各と
り出し電極、１６は共１１Ｔ１電極、■は位１づ、セ／
すをそｈぞれ示す。透明’Ｓ ’ＨＩ：膜１１と共通’
ｆｉ（４ｉｆｉ？ １６間に設けられたｐ−１−ｎ構造
を有するアモルファスシリコンＨＩ ＩＩ＜Ｗ １２
、１３ 、 ｔ４ＫｆＪ：空乏層が形成され、空乏層に
光ビームが入射されると光電効果によシ入射エイ・ルギ
ーに応じた光電流■１が発生する。この電流の太ききは
、おのおの対向して配置１５さ：Ｌしたｘ １１１１お
よびｙ１油の各と９出し電極１５Ａ、１５１３．］、５
Ｃ，１５Ｄからの距離に逆比例して、各とり出し′ｉ１
．Ｌ極と共通’ｉｉｉ ４’Ｊ＜間とに流れる電流ｉＡ
。
’Ｂ＋’Ｃ＋ＩＬｌの認オロに等しい。従って、各と９
出し電極から得られる出力信号を用いて、光ビームの入
射エネルギーの太きさおよＯ・入射位置を検出すること
ができる。
出し電極から得られる出力信号を用いて、光ビームの入
射エネルギーの太きさおよＯ・入射位置を検出すること
ができる。
次に、位置センサの製造方法に関して述べる。
；ＩＴＪ常、測定対象となる元ビームの波長入は５００
０Ｘ〜５ｏｏｏＸの範囲にあるので、透明絶縁性基板と
しては、これらの波長光に対して透過性を示す絶縁基板
、例えばコーニング７０５９や石英、溶融石英、サファ
イヤ等が用いられる。十分に基板洗浄を行なりｔ；後、
透明導電膜２を真空蒸着法やスパン゛り法を用いて堆積
さぜる。透明４亀膜材料としてはＩ 、Ｔ、Ｏ膜や８１
１０２膜を用いる。透明導電膜は、光透過性ｒ示すとと
もにシート抵抗値が１〜１００ ＫｆＶｒ３のものを用
いる。又、アモルファスシリコン薄膜の堆積時に３００
℃〜３５０℃の高温に責らされても特性変化を示さない
様に、４００ ’Ｃ前後で熱処理°、を行うことを特徴
・とする。続けて５ｉｔ（４あるいはＳｉＦ４のベース
ガスにＨ８又はＨ２希釈のＢ２Ｈ６，ＰＨ３，心Ｈ３な
どのドーパントガスを添加した混合ガスを用いグロー放
電分解により、ｐ１冑３，１１會４ 、 ｎＪ脅５を順
次堆積させる。この場合、ｉ層のバンドギャップ間に存
在する局在準位密度は小さい程、空乏層幅を拡げること
ができ、し、たがって光センサとしての検出感度を高め
ることができる。ＳｉＦ’４をベースガスとした弗素系
ガスを用いて作成した弗素入９アモルファスシリコン劫
：膜におケルバンドギャップ間の局在準位密度は〜］
０１６ｃｍ−３ｅＶ−’と小さイ＋７）テ、ｉ １％を
構成するアモルファスシリコン薄膜としては最適である
。通常ｐ層はＢ、ｎ層は１）あるいはＡ８をドープする
ことにょシ作成される。
０Ｘ〜５ｏｏｏＸの範囲にあるので、透明絶縁性基板と
しては、これらの波長光に対して透過性を示す絶縁基板
、例えばコーニング７０５９や石英、溶融石英、サファ
イヤ等が用いられる。十分に基板洗浄を行なりｔ；後、
透明導電膜２を真空蒸着法やスパン゛り法を用いて堆積
さぜる。透明４亀膜材料としてはＩ 、Ｔ、Ｏ膜や８１
１０２膜を用いる。透明導電膜は、光透過性ｒ示すとと
もにシート抵抗値が１〜１００ ＫｆＶｒ３のものを用
いる。又、アモルファスシリコン薄膜の堆積時に３００
℃〜３５０℃の高温に責らされても特性変化を示さない
様に、４００ ’Ｃ前後で熱処理°、を行うことを特徴
・とする。続けて５ｉｔ（４あるいはＳｉＦ４のベース
ガスにＨ８又はＨ２希釈のＢ２Ｈ６，ＰＨ３，心Ｈ３な
どのドーパントガスを添加した混合ガスを用いグロー放
電分解により、ｐ１冑３，１１會４ 、 ｎＪ脅５を順
次堆積させる。この場合、ｉ層のバンドギャップ間に存
在する局在準位密度は小さい程、空乏層幅を拡げること
ができ、し、たがって光センサとしての検出感度を高め
ることができる。ＳｉＦ’４をベースガスとした弗素系
ガスを用いて作成した弗素入９アモルファスシリコン劫
：膜におケルバンドギャップ間の局在準位密度は〜］
０１６ｃｍ−３ｅＶ−’と小さイ＋７）テ、ｉ １％を
構成するアモルファスシリコン薄膜としては最適である
。通常ｐ層はＢ、ｎ層は１）あるいはＡ８をドープする
ことにょシ作成される。
グロー放電分解は、真空容器内に上′記混合ガスを導入
し、容器内圧力を０．５〜２ ｔｏｒｒ前後に調整し、
アノード・カソード間に直Ｍｆ、電界又は高周波電界を
印加［７て行う。この時、基板１はアノード又はカソー
ド上に配置され、ヒータによ、９２００℃〜４００℃に
加熱される。共通電極材料としてはＡＡ、ＮｉＣ。
し、容器内圧力を０．５〜２ ｔｏｒｒ前後に調整し、
アノード・カソード間に直Ｍｆ、電界又は高周波電界を
印加［７て行う。この時、基板１はアノード又はカソー
ド上に配置され、ヒータによ、９２００℃〜４００℃に
加熱される。共通電極材料としてはＡＡ、ＮｉＣ。
／ＡｕをＩＴＪい、真空蒸着法又はスパッタ法を用いて
堆積させる。パターニングはメタルマスク法あるいはフ
ォトエツチング技術を用いて行なわれる。
堆積させる。パターニングはメタルマスク法あるいはフ
ォトエツチング技術を用いて行なわれる。
フォトエツチング法の、１ツ力合、アモルファス薄膜の
エッチャントとしては、Ｈ１ｉ’とｌｌＮＯ３の混合液
や、前記の混合液に、ヨウ素を酢酸で溶がした溶液を添
加したものが使われる。最後にパシベーション膜で出力
端を除いて素子表面を覆う。パシベーション膜としては
、低温プラズマＣＶＤ法を用いて作成されたＳｉｏ２膜
又は５ｉａＮ４膜を用いる。
エッチャントとしては、Ｈ１ｉ’とｌｌＮＯ３の混合液
や、前記の混合液に、ヨウ素を酢酸で溶がした溶液を添
加したものが使われる。最後にパシベーション膜で出力
端を除いて素子表面を覆う。パシベーション膜としては
、低温プラズマＣＶＤ法を用いて作成されたＳｉｏ２膜
又は５ｉａＮ４膜を用いる。
以上の説明においてアモルファスシリコン？ＩＩＸ Ｍ
の構造としてはｐ−１−ｒ１構造のものについて行なっ
てきたが、ｎ−１−ｐ構造でも上記の機能は満足される
。
の構造としてはｐ−１−ｒ１構造のものについて行なっ
てきたが、ｎ−１−ｐ構造でも上記の機能は満足される
。
次一本発明の効果を述べる。
（１）膜厚が１μｍ前後のｐ−１−ｎ構造のアモルファ
スシリコン薄膜を検出部に用いたので、高性能で安価な
位置センサを構成できる。
スシリコン薄膜を検出部に用いたので、高性能で安価な
位置センサを構成できる。
（２）抵抗層として透明導電膜を用いたので、温度変化
やバイアス電圧の変動による抵抗値のドリフトの発生し
ない位置センサを構成することができる。
やバイアス電圧の変動による抵抗値のドリフトの発生し
ない位置センサを構成することができる。
（３）パシベーション膜と光検出部を構成するアモルフ
ァスシリコン薄膜との間にＴＭ、極用金属薄膜が設けら
れているので、パシベーションＩＩ中の可動イオンや水
分子によるアモルファスシリコン薄膜への汚染がないの
で特性の安定した位置センサを構成することができる。
ァスシリコン薄膜との間にＴＭ、極用金属薄膜が設けら
れているので、パシベーションＩＩ中の可動イオンや水
分子によるアモルファスシリコン薄膜への汚染がないの
で特性の安定した位置センサを構成することができる。
（４）結晶半導体を用いた位寵゛センサでは精密制御さ
れた拡散技術や、高純開基板を必要とするので価格が高
いという欠点があるが、本発明による位１１ｔセンザは
検出部にアモルファスシリコン簿膜を用いたので、低価
格で製作できる。
れた拡散技術や、高純開基板を必要とするので価格が高
いという欠点があるが、本発明による位１１ｔセンザは
検出部にアモルファスシリコン簿膜を用いたので、低価
格で製作できる。
以北述べたように本発明による位置センサは従来のもの
よりも幾多の利点を有してい２）。
よりも幾多の利点を有してい２）。
第１図および第２図は本発明による位置センサの一実施
例の構成を示す図で、第１図は平面図、第２図は第１図
の線ｘ −ｘ’における断面を示ず図；第３図および第
４図は本発明による位置センサの他の一実施例の構成を
示す図で、第３図は平面図、第４図は第３図の線ｘ −
ｘ’における断面を示゛す図１第５図および第６図は本
発明による二次元用位置センサの一実施例の構成を示す
図で第５図は平面図、第６図は第５図のＡ？ｊ Ｘ −
Ｘ’における断面を示す図。 図ｍ１中１，１０は各透明絶縁基板、２．’１１は各透
明導電膜、３．４．５および１２，１３．１４はｐ−１
−ｎ構造の各アモルファスシリコン薄膜、６Ａ、６Ｂ、
１５Ａ、１５’Ｂ。 １５Ｃ，１５Ｄは各と９出し１を極、７，１６は共通電
極、８Ａ 、 ８８ 、１７は各位置センサである。 代理人 弁理士 小池龍太部 ／ ４
例の構成を示す図で、第１図は平面図、第２図は第１図
の線ｘ −ｘ’における断面を示ず図；第３図および第
４図は本発明による位置センサの他の一実施例の構成を
示す図で、第３図は平面図、第４図は第３図の線ｘ −
ｘ’における断面を示゛す図１第５図および第６図は本
発明による二次元用位置センサの一実施例の構成を示す
図で第５図は平面図、第６図は第５図のＡ？ｊ Ｘ −
Ｘ’における断面を示す図。 図ｍ１中１，１０は各透明絶縁基板、２．’１１は各透
明導電膜、３．４．５および１２，１３．１４はｐ−１
−ｎ構造の各アモルファスシリコン薄膜、６Ａ、６Ｂ、
１５Ａ、１５’Ｂ。 １５Ｃ，１５Ｄは各と９出し１を極、７，１６は共通電
極、８Ａ 、 ８８ 、１７は各位置センサである。 代理人 弁理士 小池龍太部 ／ ４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 照射される光ビームに対して透明な絶縁性基板（１）と
； 該絶縁性基板上に形成され、前記光ビームに対して透明
な導電膜（２）と； 該導電膜上に形成されたｐ−１−ｎ又はＩトドｐ 構造
のアモルファス半ｓ体薄膜（３，４，５）と；該アモル
ファス半導体薄膜上に設けられた共通電極（７）と； 該導電膜の両端に設けられ、該共通電極との間で、前記
元ビームの照射位ＩＷに対、応した大きさの電流を取り
、出しｉ３Ｊ能とした一対の信号取り出し電極（（ｉ
、 Ｇ’）とから構成される位置センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194629A JPS5984587A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 位置センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194629A JPS5984587A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 位置センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984587A true JPS5984587A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16327689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194629A Pending JPS5984587A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 位置センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984587A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4997583A (ja) * | 1972-12-01 | 1974-09-14 | ||
| JPS5950579A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Komatsu Ltd | 半導体光位置検出器 |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57194629A patent/JPS5984587A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4997583A (ja) * | 1972-12-01 | 1974-09-14 | ||
| JPS5950579A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Komatsu Ltd | 半導体光位置検出器 |
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