JPS5986272A - 光検知半導体装置の製造方法 - Google Patents
光検知半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5986272A JPS5986272A JP57196372A JP19637282A JPS5986272A JP S5986272 A JPS5986272 A JP S5986272A JP 57196372 A JP57196372 A JP 57196372A JP 19637282 A JP19637282 A JP 19637282A JP S5986272 A JPS5986272 A JP S5986272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- lead
- light emitting
- light receiving
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、発光素子と受光素子を有した光検知半導体装
置の製造方法の改良に関する。
置の製造方法の改良に関する。
周知の如く、発光素子から光を発しこれを検出する物体
で反射させ、反射光を受光素子で受は光信号を電気信号
に変換し伝達させる光検知半導体装置が知られている。
で反射させ、反射光を受光素子で受は光信号を電気信号
に変換し伝達させる光検知半導体装置が知られている。
従来、かかる光検知半導体装置例えば反射型センサーは
、第１図に示す如く製造されていた〇まず、内部を２つ
のチャンバー１．１に区切られかつ各チャンバー１．１
の底部に夫々カソードリード、γノードリード挿入用の
貫通穴２゜２を設けたセラミックステム３を用意し、こ
れをステム千ヤック（図示せず）にセットする。
、第１図に示す如く製造されていた〇まず、内部を２つ
のチャンバー１．１に区切られかつ各チャンバー１．１
の底部に夫々カソードリード、γノードリード挿入用の
貫通穴２゜２を設けたセラミックステム３を用意し、こ
れをステム千ヤック（図示せず）にセットする。
つづいて、前記セラミックステム３のチャンバー１ 、
１０）夫々の貫通穴２，２にカソードリード４，４、ア
ノードリード（図示せず）を挿着する。なお、これらカ
ソードリード４．４、アノードリードは夫々前記貫通穴
２．２の穴径よりも大きい円柱状の頭部を有し、これら
頭部がセラミックステム３の底部に係止されている。
１０）夫々の貫通穴２，２にカソードリード４，４、ア
ノードリード（図示せず）を挿着する。なお、これらカ
ソードリード４．４、アノードリードは夫々前記貫通穴
２．２の穴径よりも大きい円柱状の頭部を有し、これら
頭部がセラミックステム３の底部に係止されている。
次いで、前記カソードリード４．４に発光素子５、受光
素子６をマウントした後、これら発光素子５、受光素子
の表面とアノードリードとを夫々ボンディングワイヤ（
図示せず）で電気的接続を行う。次に、前記セラミック
ステム３の各チャンバー１，１内に注射器等を用いて例
えばエポキシ樹脂を注入した後、高温でこの樹脂を硬化
し、球抜き処理を施して透明な樹脂体７゜７を夫々形成
する。更に、カソードリード４゜４、アノードリードを
夫々半田浴で処理して所望の反射型センサーを製造する
。
素子６をマウントした後、これら発光素子５、受光素子
の表面とアノードリードとを夫々ボンディングワイヤ（
図示せず）で電気的接続を行う。次に、前記セラミック
ステム３の各チャンバー１，１内に注射器等を用いて例
えばエポキシ樹脂を注入した後、高温でこの樹脂を硬化
し、球抜き処理を施して透明な樹脂体７゜７を夫々形成
する。更に、カソードリード４゜４、アノードリードを
夫々半田浴で処理して所望の反射型センサーを製造する
。
しかじなフ）（ら、前述した製造方法は以下に示す欠点
をもっていた。
をもっていた。
（１） セラミックステム３をステムチャツクヘセッ
トする工数を必要とするとともに、セラミックステム３
は個々の製品別に成形されたものを用いるため製品のコ
ストが高くなる。
トする工数を必要とするとともに、セラミックステム３
は個々の製品別に成形されたものを用いるため製品のコ
ストが高くなる。
（２） 発光素子５、受光素子６のカソードリード４
，４へのマウント作業及び発光素子５、受光素子６への
ボンディング作業博１セラミックステム３の各チャンバ
ー１．１内で行うため、マウント作業、ボンディング作
業性が悪Ｇ）。
，４へのマウント作業及び発光素子５、受光素子６への
ボンディング作業博１セラミックステム３の各チャンバ
ー１．１内で行うため、マウント作業、ボンディング作
業性が悪Ｇ）。
（３） セラミックステム３の各チャンバー１゜１へ
の樹脂を注射器等で注入した後、そのまま高温で硬孔し
球抜きを行って樹脂体７．７を形成するため、樹脂体７
．７の表面の平坦度が得にくい。したがって、光信号を
電気信号へ変換する効率にバラツキを生じ易い。
の樹脂を注射器等で注入した後、そのまま高温で硬孔し
球抜きを行って樹脂体７．７を形成するため、樹脂体７
．７の表面の平坦度が得にくい。したがって、光信号を
電気信号へ変換する効率にバラツキを生じ易い。
（４）１個のセラミックステム３で発光素子側と受光素
子側から夫々２本のカソードリード４、アノードリード
計４本のリードがセラミックステム３の外側に突出して
いるため、４本のリードが半田浴での処理時に互いに接
近し、からみが発生する恐れがあり、作業性が悪い。
子側から夫々２本のカソードリード４、アノードリード
計４本のリードがセラミックステム３の外側に突出して
いるため、４本のリードが半田浴での処理時に互いに接
近し、からみが発生する恐れがあり、作業性が悪い。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、製造コスト
を低減するとともに、作業性を向上しかつ光信号を電気
信号へ変換する効率のバラツキの少ない光検知半導体装
置の製造方法を提供することを目的とするものである。
を低減するとともに、作業性を向上しかつ光信号を電気
信号へ変換する効率のバラツキの少ない光検知半導体装
置の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、発光素子と受光素子をリードフレームの複数
対のリード部に交互にマウントした後、前記発光素子、
受光素子を夫々ワイヤボンディングし、更に少なくとも
前記発光素子、受光素子を夫々透明な樹脂体で気密封止
し、しかる後この透明な樹脂体と前記リード部の一部を
。
対のリード部に交互にマウントした後、前記発光素子、
受光素子を夫々ワイヤボンディングし、更に少なくとも
前記発光素子、受光素子を夫々透明な樹脂体で気密封止
し、しかる後この透明な樹脂体と前記リード部の一部を
。
前記樹脂体の発光面、受光面が夫々露出するように遮光
性樹脂体で封止することによって、製造コストの低減、
作業性の向上及び光信号を電気信号に変換する効率のバ
ラツキの阻止を図ったものである。
性樹脂体で封止することによって、製造コストの低減、
作業性の向上及び光信号を電気信号に変換する効率のバ
ラツキの阻止を図ったものである。
以下、本発明を反射型センサーに適用した場合について
第２図（ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。
第２図（ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。
〔１〕まず、支持枠１１とこの支持枠１ノに直交する複
数対のリード部１２からなるリードフレーム１３を用意
した。なお、リード部１２は。
数対のリード部１２からなるリードフレーム１３を用意
した。なお、リード部１２は。
カソードリードとなるリード端子１４とアノードリード
となるリード端子１５とからなる。また、支持枠１１の
所定箇所にはマウント、ボンディングをする時自動送り
するための貫通穴１６００．が設けられている。つづい
て、カソードリードとなるリード端子１４．１４の先端
面に夫々発光素子１７、受光素子１８を交互にマウント
した。次いで、発光素子１７、受光素子１８の夫々の表
面とアノードリードとなるリード端子１５．１５の先端
面とをボンディングワイヤ１９１，１９．により電気的
接続を行った。更に、金型を用いて前記発光素子１７と
ボンディングワイヤ１９．とリード端子１４．１５の一
部、受光素子１８とボンディングワイヤ１９゜とリード
端子１４．１５の一部を夫々例えばエポキシ樹脂で気密
封止した後、高温でエポキシ樹脂を熱硬化して透明な樹
脂体２０．．２０．を形成した。なお、この際、樹脂体
２０．．２０．の発光面２１３、受光面２１．は同一レ
ベルでかつ平坦化されている（第２図（ａ）図示）。
となるリード端子１５とからなる。また、支持枠１１の
所定箇所にはマウント、ボンディングをする時自動送り
するための貫通穴１６００．が設けられている。つづい
て、カソードリードとなるリード端子１４．１４の先端
面に夫々発光素子１７、受光素子１８を交互にマウント
した。次いで、発光素子１７、受光素子１８の夫々の表
面とアノードリードとなるリード端子１５．１５の先端
面とをボンディングワイヤ１９１，１９．により電気的
接続を行った。更に、金型を用いて前記発光素子１７と
ボンディングワイヤ１９．とリード端子１４．１５の一
部、受光素子１８とボンディングワイヤ１９゜とリード
端子１４．１５の一部を夫々例えばエポキシ樹脂で気密
封止した後、高温でエポキシ樹脂を熱硬化して透明な樹
脂体２０．．２０．を形成した。なお、この際、樹脂体
２０．．２０．の発光面２１３、受光面２１．は同一レ
ベルでかつ平坦化されている（第２図（ａ）図示）。
〔１１〕次に、前記樹脂体２０１．２０．及びリード部
１２．１２の一部を、前記発光面２１１、受光面２１．
が露出するように例えばエポキシ樹脂で気密封止した後
、高温で熱硬化して遮光性樹脂体２２を形成した（第２
図（ｂ）図示）。つづいて、リードフレーム１３を半田
浴で処理した。
１２．１２の一部を、前記発光面２１１、受光面２１．
が露出するように例えばエポキシ樹脂で気密封止した後
、高温で熱硬化して遮光性樹脂体２２を形成した（第２
図（ｂ）図示）。つづいて、リードフレーム１３を半田
浴で処理した。
次いで、前記支持枠１１、リード端子１４゜１５を適宜
切断してカソードリード２３，２３、アノードリード２
４，２４を形成して所望の反射型センサーを製造した（
第２図（Ｃ）図示）。なお、こうした反射型センサーに
ついては機能試験が行われる。
切断してカソードリード２３，２３、アノードリード２
４，２４を形成して所望の反射型センサーを製造した（
第２図（Ｃ）図示）。なお、こうした反射型センサーに
ついては機能試験が行われる。
しかして１本発明によれば以下に示す種々の効果が挙げ
られる。
られる。
（１） リードフレーム１３を用いることにより。
従来の如くセラミックステムをステムチャツクヘセット
する工数を必要とせず、ステムチャックも不要であるた
め、作業時間の短縮と製品コストの低減を１７すること
かできる。
する工数を必要とせず、ステムチャックも不要であるた
め、作業時間の短縮と製品コストの低減を１７すること
かできる。
（２） リードフレーム１３のリード端子１４゜１４
に発光素子１７、受光素子１８をマウントしたり、ボン
ディングワイヤ１９．．１９．をボンディングする工程
を、従来の如くセラミックステムのチャンバー内で行わ
ず、外界で行うことができるため、マウント作業性、ボ
ンディング作業性がよい。
に発光素子１７、受光素子１８をマウントしたり、ボン
ディングワイヤ１９．．１９．をボンディングする工程
を、従来の如くセラミックステムのチャンバー内で行わ
ず、外界で行うことができるため、マウント作業性、ボ
ンディング作業性がよい。
（３）透明な樹脂体２０ｍ、 ２０．を金型を用いて樹
脂成形するため、従来と比べ該樹Ｂｒ￥体２１ｍ。
脂成形するため、従来と比べ該樹Ｂｒ￥体２１ｍ。
２１、の発光面２ハ、受光面２１．をより均一に平坦化
でき、もって光信号を電気信号へ変換する効率のバラツ
キを押えることができる。また、同様な理由により、作
業の合理化を図ることができる。
でき、もって光信号を電気信号へ変換する効率のバラツ
キを押えることができる。また、同様な理由により、作
業の合理化を図ることができる。
（４）リード端子１４．ＩＳの半田処理を、各リード端
子１４．１５が支持枠１１に一体化したリードフレーム
１３の状態で行うため、処理時にリード端子１４．１５
がからむことなく作業性が良い。
子１４．１５が支持枠１１に一体化したリードフレーム
１３の状態で行うため、処理時にリード端子１４．１５
がからむことなく作業性が良い。
なお、上記実施例では透明な樹脂体や遮光性樹脂体の材
料としてエポキシ樹脂を用いたが。
料としてエポキシ樹脂を用いたが。
これに限らず、例えばシリコーン等を用いても同様な効
果を期待できる〇 〔発明の効果〕 以上詳述した如く本発明によれば、製造コストの低減、
作業性の向上並びに祉産性を図ることがてきるとともに
、光信号を電気信号に変換する効率のバラツキを阻市し
た高性能の反射型セン→Ｊ゛−等の光検知半導体装置を
製造し得る方法を提供できるものである。
果を期待できる〇 〔発明の効果〕 以上詳述した如く本発明によれば、製造コストの低減、
作業性の向上並びに祉産性を図ることがてきるとともに
、光信号を電気信号に変換する効率のバラツキを阻市し
た高性能の反射型セン→Ｊ゛−等の光検知半導体装置を
製造し得る方法を提供できるものである。
竿１図は従来の反射型のセンサーの断面図、第２図（ａ
ｌ〜（Ｃ）は本発明による反射型のセンサーを製造工橿
順に示す断面図である。 １ノ・・・支持枠、１２・・・リード部、１３・・・リ
ードフレーム、１４．１５・・・リード端子、１６・・
・１通穴、１７・・・発光素子５１８・・・受光素子。 １９１．１９．・・・ボンディングワイヤ、 ２０．
．２０ｔ・・・透明な樹脂体、２１．・・・発光面、２
１．・・・受光面、２２・・・遮光性樹脂体、２３・・
・カソードリード、 ２４・・・ｒ７・−ドリード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦矛１図
ｌ〜（Ｃ）は本発明による反射型のセンサーを製造工橿
順に示す断面図である。 １ノ・・・支持枠、１２・・・リード部、１３・・・リ
ードフレーム、１４．１５・・・リード端子、１６・・
・１通穴、１７・・・発光素子５１８・・・受光素子。 １９１．１９．・・・ボンディングワイヤ、 ２０．
．２０ｔ・・・透明な樹脂体、２１．・・・発光面、２
１．・・・受光面、２２・・・遮光性樹脂体、２３・・
・カソードリード、 ２４・・・ｒ７・−ドリード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦矛１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 発光素子と受光素子をリードフレームの複数対のリード
部に交互にマウントする工程と、前記発光素子、受光素
子を夫々ワイヤボンディングする工程と、少なくとも前
記発光素子、受光素子を夫々透明な樹脂体で気密封止す
る工程と。 この透明な樹脂体と前記リード部の一部を、前記樹脂体
の発光面、受光面７Ｊ夫々露出ずろように遮光性樹脂体
で封止する工程とを具備することを特徴とする光検知半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196372A JPS5986272A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光検知半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196372A JPS5986272A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光検知半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986272A true JPS5986272A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=16356762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196372A Pending JPS5986272A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光検知半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986272A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026654B2 (en) * | 2002-04-05 | 2006-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Package for optical semiconductor |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP57196372A patent/JPS5986272A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026654B2 (en) * | 2002-04-05 | 2006-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Package for optical semiconductor |
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