JPS5986692A - 炭化水素の水素化転化方法および装置 - Google Patents

炭化水素の水素化転化方法および装置

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JPS5986692A
JPS5986692A JP58186649A JP18664983A JPS5986692A JP S5986692 A JPS5986692 A JP S5986692A JP 58186649 A JP58186649 A JP 58186649A JP 18664983 A JP18664983 A JP 18664983A JP S5986692 A JPS5986692 A JP S5986692A
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catalyst
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デイデイエ・ビシヨフ
ジエラ−ル・クルトウ−ズ
ピエ−ル・ルナ−ル
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IFP Energies nouvelles
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    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G49/00—Treatment of hydrocarbon oils, in the presence of hydrogen or hydrogen-generating compounds, not provided for in a single one of groups C10G45/02, C10G45/32, C10G45/44, C10G45/58 or C10G47/00
    • C10G49/10—Treatment of hydrocarbon oils, in the presence of hydrogen or hydrogen-generating compounds, not provided for in a single one of groups C10G45/02, C10G45/32, C10G45/44, C10G45/58 or C10G47/00 with moving solid particles
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/08—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with moving particles
    • B01J8/12—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with moving particles moved by gravity in a downward flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G49/00—Treatment of hydrocarbon oils, in the presence of hydrogen or hydrogen-generating compounds, not provided for in a single one of groups C10G45/02, C10G45/32, C10G45/44, C10G45/58 or C10G47/00
    • C10G49/002—Apparatus for fixed bed hydrotreatment processes

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
  • Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は以下に説明するように固定床または移動床での
流体仕込物の接触処理(または水素化処理)、さらに詳
細には炭化水素の脱金属、脱硫、水素化処理および転化
または水素化転化の方法および装置に関する。
本発明は例えば重質原油に由来する留出物、炭化水素の
常圧蒸留または減圧蒸留の残油の如き液体仕込物の接触
処理に特に応用し得るものであるが、これらの処理は、
一般に、固体の触媒床上で水素および/または水素に富
む混合ガスの存在下で行われるものであり、触媒は粒子
(押出し成形触媒、各種の形状の粒、球等・・・・・・
)として用いられている。
19− このような接触処理に際しては、触媒毒の存在、コーク
スの形成、あ、る秤の金属の沈積等・・・・・・による
、触媒のしばしば急速な不活性化が認められる。
この不活性化のために、触媒床の全部または一部に頻繁
な取替えが必要となる。
本発明の方法においては、触媒の反応器外への取出しは
順次行なわれる。「漸次」という言葉は下記のように触
媒を取出しうるという意味である。
0あるいは定期的に、例えば1/10〜10日の頻度で
一度に一部、例えば触媒の総量の0゜5〜15%しか取
出さない。必要に応じてそれ以上の触媒を取出してもよ
い。例えば触媒の総量の100%までずなわち触媒全部
を取出してもよい。
−21−”t+ 20− 触媒の取出し頻度はもつとずっと速くてもよい(例えば
分または秒のオーダーで)。その場合取出される量の割
合を減じる。
0あるいは連続して。
新鮮触媒を反応器の土部に導入する。反応器の下から上
へ進む混合流体の形の仕込物と水素とを共に注入するシ
ステムが本発明の対象である。
本発明による方法および本発明による装置は、クラッキ
ング、水素化クラッキング、水素化改質、芳香族炭化水
素製造、パラフィン族、ナフテン族または芳香族炭化水
素の異性化の各反応器の仕込物の注入および触媒粒子の
取出しゃ、水素添加、水素化処理、脱水素、アルキル化
、アルキル転移、水素化開環、水素化脱アルキルの諸反
応、水素化ビスブレーキング(hyd rOV i S
22− cor6duction )処理等・・・・・・にもま
た適しているが、これらの反応器においてはこれに注入
された仕込物とガスが下から上へと進むものである。
一般に液体とガスの混合物である流体仕込物を触媒粒子
のはいっている反応器または囲域の下部に設けたディス
トリビューション装置によって、この反応器または囲域
内へ導入する。これは仕込物の処理後反応器(あるいは
、本明細書においては以下適宜に1反応器」と称する囲
域)の上部から排出されるまで触媒と向流で下から上へ
(“upflow”上行流)循環する。重力による触媒
の流れは触媒床の規則的降下を確実に行なうが、一方流
体什込物の上行循環によって特に滞留時間の調整が容易
になり、かつ床の圧縮解除のコントロールが確実に行な
われる。
さらには仕込物および触媒の向流循環によって強電の接
触転化を達成しうる。その理由は、反応器の頂部に導入
された新鮮触媒が、はとんど転化された(すなわち転換
が難しい化合物を本質的に含む)仕込物を処理し、一方
反応器の底部では使用済触媒が新鮮な(すなわち転換が
容易な化合物に富む)仕込物を処理するので、このため
転化の第一二F程を効果的に行なうことができるからで
ある。その結果、反応器内における触媒の組織的な使用
、特に反応器の下部において触媒のコークス化のおそれ
を減じる、より適度な温度で、並流型循環におけるより
規則的な触媒床の温度分布が生じる。
米国特許第3.826,737号により、移動床での接
触転化方法が知られている。しかしながらこの方法はよ
り詳しくは、触媒と液体仕込物の並流循環に適している
。この場合この仕23− 込物は、触媒の排出用円錐の下部に配置してあり、触媒
床を支えている円筒形のグレーディングを通して反応器
の基部より排出される。
このような方法は、反応器の底部より排出される液体仕
込物が触媒粒子をこのグレーティングに押付け、このた
めにグレーティングが詰まるおそれがあるという不都合
を示すものである。
その際、この触媒床の若干の部域の閉塞を伴なって、触
媒内における流体の不規則な配分、触媒床の流れにくさ
、ならびに触媒床中の動きを阻止された粒子と拘束を受
けていない粒子および拘束を受けていな“い触媒粒子と
液体仕込物排出用グレーティングの間の摩擦による触媒
床の浸食の増大がその結果生じる。本発明の目的は上記
の不都合をなくする技術を提供することである。この技
術は、本発明の対象たる種々の配25− 24− 置に従って、反応器の断面上に配分された複数のオリフ
ィスを経て、触媒床を支える壁の下に液体およびガスを
注入するものである。
さらに詳細には、(粉末状の固体粒子を概ね閉鎖された
空間より漸次取出し)、前記空間に液体とガス(一般に
水素)より成る流体仕込物を導入する方法によって、こ
の結果が得られるのである。前記の概ね閉鎖された空間
は実質的には細長い実質的に垂直な回転体(volum
e  dar6vo l u目on)の形態を有してお
り、固体粒子は囲域の上部に導入され、前記囲域内を1
−から手へ進んだ後に該囲域の下部において漸次取出さ
れ、二方では流体仕込物が前記囲域の下部において少な
くとも一部、一般に連続して導入され、前記囲域内を下
からトヘ進lυだ後に上部から取出される方法において
、固体粒子が反応器26− の形状による形、一般に逆円錐または逆角錐、換言すれ
ば、その頂点が下方に向けられている円錐または角錐の
形態を有する少なくとも1つの朝顔形の帯域の下端から
漸次取出され、該頂点には固体粒子の排出に適当な大き
さの1個の開1]部が穿ってあり、前記の朝顔形の帯域
の壁は実質的にnつ規則的に不連続、すなわち固体粒子
が前記壁を通過するのを阻止するに足るだけ小さいが、
流体仕込物の上行流が穿孔を通過するのを可能にするに
足るだけの大きさを各々が有する、規則的に間隔を置い
た、少なくとも数個の穿孔が散在している方法であって
、流体仕込物が、本発明に独特の特殊な形状を有し、前
記壁の下方に位置する少なくとも1個のディストリビュ
ーション帯域によって、前記囲域の下部に注入されるこ
とを特徴とする方法である。
−例として、第1の型のディストリビコーシ」ン帯域は
一般に、例えば、反応器の中に入り込む時には実質的に
水平または垂直である1木の主管路で出来ており、前記
管路は場合によっては少なくとも1本の]〕ルボー管と
なり、その末端(すなわち注入端)が、次いで、触媒床
を支える朝顔形の帯域の壁の下で実質的に垂直になるも
のである。次に、この注入端は複数の分校(あるいはス
ポーク)にさらに細かく分かれるが、これは例えば(少
なくとも3本の分校あるいはスポークを有する)星形に
配列され(円環式ディストリビューション装置および配
管網型)、各々の分校は分校の全長に沿って(壁に面し
て、または反対側に、あるいは分校側に)適切に配置し
た数個のオリフィスを備えており、このオリフィスを経
て混合流体が、むらのない触27− 媒体を得ることを目的としてすなわち、均一にこれをW
I概して注入されるものである。
本発明は先ず第1図〜第4図によって例示される。第1
図および第1A図は所謂星形のゲイストリビュージョン
装置を少なくとも1個有する本発明による第1の装置を
それぞれ軸方向の断面図および横断面図として示すもの
である。
第2図〜第4図は流体仕込物の導入手段のその他種々の
実施方式を示すものであり、その目的は同様にガス・液
体の一層効果的な分散を達成することである。
第1図は例えば固定床または移動床としての触媒による
処理装置の第1の実施方式を図式化して示すものである
。
反応器(1)は放射型または軸型であってもよいが、(
新品あるいは再生の)新鮮触媒の漸28− 次の導入手段を上部に備えているが、同手段は触媒粒子
を流し込んでこれを固定または移動触媒床(3)に供給
する管路(2)として図式化しである。
触媒は反応器内を重力によって流れ、取出し用漏斗(5
)を介して反応器の下部において管路(4)から漸次排
出される。この取出用漏斗は図面ではグレーティングと
いう形で現われている。この漏斗はここでは逆円錐の形
であって従って管路(7)によってグレーティングまた
は漏斗(5)の高さより下方に注入された少なくとも液
体およびガス仕込物を通過させるが、触媒粒子を通過さ
せないグレーティング(5)の孔のあいた空間より成る
穿孔(6)を備えている。
円錐の軸(あるいは漏斗が角錐型の場合はその軸)が円
錐の母線の1つ(あるいは角錐の稜の1つ)を成す角α
は一般に10〜80°、好ましくは20〜50°である
。従って2つの相(液相および気相)より成る流体仕込
物は少なくとも1個のディストリビューション帯域によ
って反応器(1)の下部に入れられるが、これには(水
平、斜め、または垂直の、あるいはいずれかの適当な方
式、例えばある種の工業用反応器においては垂直の)デ
ィストリビューション管路(7)が備えである。管路(
7)は少なくとも1本の垂直の注入端(8)に仕込物を
供給し、これから、反応器(1)の横断図である第1A
図に示すように、星形に配置した管(または分校)〈9
)が放射状に出ている。
第1A図においては、星形部(10)の各々の分校(9
)には、流体仕込物の反応帯域内への注入用にオリフィ
ス(12)  (穴またはスリットあるいは同じ型の穿
孔)が設【プである。
2相(液相および気相)より成る流体仕込物は反応器内
を触媒と向流で十Rした後、反応器の上部において、管
路(11)として示しである収集および排出手段を介し
て排出される。この手段は、例えば、排出管路に連結し
た収集管より成る熊手の形態を有している。
第1図においては、管路(7)と注入端(8)と分校(
9)の全体を以て示しであるディストリビューション装
置(複数備える場合あり)は、実質的に水平の星形にな
っている。この第1図の場合においては、それぞれの分
枝(9)のオリフィス(12)第1A図参照)は所要の
口径を有し、適切に配分しである(下方、高所および側
方において、流量の値の開きが大きい場合に31− もガスと液体の一層効果的な拡散を確実に行なうように
なっている)。
第2図、第3図および第4図において、ここでは水平に
なっている送入用の管路(7)と少なくとも1本の垂直
な注入端(8)と様々の形状の分校(9)とがはっきり
と区別される。この分校(その傾斜は水平線に対して、
例えば、0〜60″の間に含まれておればよい)は、あ
るいは第2図における如く傾斜した分校を有する星形(
またはコラモリ傘の骨をひつくり返した形)か、あるい
は第3図における如(波形の分校を有する星形のいずれ
かを示している。第4図は分校(9)のオリフィス(1
2)の考えられる位置を示すものである。これらオリフ
ィス(12)は第1図におけるグレーティングまたは壁
(5)の表面の一切の個所で穿孔(6)によ32− って流体の小滴を触媒物質中に均質に浸入せしめるべく
、流体のこれらの小滴を様々の方向(第1図、第1A図
、第2図、第3図および第4図のすべてにおいて矢印(
13)を以て示しである)に送出す目的を有するもので
ある。
ディストリビューション装置の星形は、3.4.5.6
.7.8本・・・・・・またはそれ以、トの分校あるい
はスポークを備えていてもよい。
第5図および第5A図は、触媒の排出が複数の取出し用
漏斗によって行なわれる実行方式を図式的に示す。これ
ら第5図および第5A図には、反応、器(1)の底部と
漏斗(5)のみが示され、第5図には一本だけの注入端
と一本だけの管(7)が示されている。断面図である第
5A図はこのように4個の漏刈を示す。軸方向断面図で
ある第5図では、これらのうちの2個だけが見えている
。
取出用漏斗(4)の数は、反応器の形状、製作上の力学
的応力および反応器の各区域を横切る触媒粒子について
希望する進路の不変性に左右される。
このような取出し方式によって、触媒の流量を流体仕込
物の流量とは関係なく容易に調節することができるし、
触媒の連続取出しく移動床)あるいは不連続すなわち(
周期的)取出しを随意に実施することができる。
水沫の今一つの改良は下記を特徴としている。
すなわち、ディストリビューション帯域(星形または然
らず)を経て注入した混合流体は、触媒床を支える1個
または複数の漏斗に向って進行し、この漏斗に達する前
に、第6図に示す1つの空間(18)をまず通る。この
空間の上部には混合流体の気相の大部分を通過せしめる
に足るだけ大きいが、混合流体の液相の大部分の通過を
阻止するに十分なだけ小さいオリフィスが設けてあり、
前記の空間(18)を通る穿孔を画する垂直の壁が空間
(18)を貫通している。混合流体は前記空間(18)
の内部で一方では気相に、他方では液相に分かれるよう
になり、気相の大部分はこの空間(18)の前記の上部
のオリフィスを通って前記漏斗に到達し、液相の大部分
は前記空間を通過している前記垂直壁の画する前記穿孔
を通って進行した後、且つ触媒床のあらゆる高さで均一
かつ規則的な接触を作り出し、流量の値の開きが大きい
場合にもガスと液体の一層効果的な分散を確保するため
に気相の大部分と(空間の前記上部の前記オリフィスの
上方において)再度混合してから、前記漏斗に35− 到達する。
従ってこの装置の改良は流量の値の開きがさらに大きい
場合にも、触媒床を通る流体のさらに一層一様な分散を
達成することを可能にする。
この改良は、第6図に示す通りであって、反応器(1)
内に、触媒床を支えるグレーティング(5)(触媒は管
路(4)によって取出す)と送入用の管路(7)との間
に(円板(8)として図示しである)星形または然らざ
るディストリビューション帯域の注入端と(ディストリ
ビューション帯域から)導入した流体の液相の大部分を
通過せしめなくするのに十分なだけ小さく、かくて流体
の気相の大部分しか通過せしめない穿孔(20)を有す
る追加のグレーティング(14)  (あるいはその他
のあらゆる同様な手段)を配置するものである。連続し
た(すなわち穿36一 孔がないまたは通し目がない)例えば煙突の形をした実
質的に垂直の壁あるいは障壁(15)が、このグレーテ
ィング(14)の下にグレーティング(14)に支持さ
れて概ね規則的に配置してあり、(かつその下端が反応
器内において十分に低(、概ねディストリビューション
帯域の注入端(8)よりは高い位置にあって)、こうし
て区画(18〉と垂直筒(19)を画している。流体の
ガス部分は、液相と気相の蓄積および分離帯域(22)
を通過した後、空間(18)およびオリフィス(20)
を通って大部分がグレーティング(5)に到達する(矢
印(17) )。プレートまたはじゃま板(21)が垂
直筒(19)の下端の下方に(およびディストリビュー
ション装ばの高さの上方に)備えてあり、ディストリビ
ューション帯域(8)によって注入され、その進路が矢
印(13)を以て具体的に示しである混合流体が区画(
18)内に溜って液体とガスの蓄積帯域(22)を作り
出すようにし、液体の大部分は垂直筒(19〉を通って
吸込まれる(進路は矢印(16)を以て示しである)。
従って、上に説明した改良は流体仕込物のミキサーと分
散器の役を果すものである。
第6図の装置はさらに改良しうる。実際その進路を矢印
(17)によって示しであるガスは、1個または複数の
漏斗(5)の壁と反応器(1)が画する角度βの方向に
進み、蓄積される傾向があることが注目された。気体が
漏斗の上部へ移動することを避けるため、かつ従って触
媒床の全断面にわたるガスと液体の配分を改善するため
、(前記空間の上部のオリフィスから来る)気相を、平
行なかつ実質的に垂直なあるいは斜めのあるいは一部重
直一部斜めの、亙いに連絡していない複数の細長い帯域
を通って進ませる。
従ってこのため、気体粒子は1個または複数の漏斗下で
、コントロールされた進行を行なわざるを得なくなる。
第7図はこの改良を示ず。ここでは第6図のあらゆる付
属部品が見られる。
さらには垂直障Wl(23)によって分【プられた複数
の垂直な細長い帯域が示されている。第7図の右側の部
分ではこれらの[?の下端がすべて同じ高さである。こ
れらの下端は第7図の左側の部分では異なる高さである
。障壁の長さとその高さは主としてディストリビューシ
ョン帯域の形状による。第7A図は非限定的な例として
、ここではハニーカム形の室または管または蜂の果状で
あるこれらの障壁(23)の構成する方法を示す。これ
らの管の上部をグレーティング・39− 漏斗(5)のすぐ近くに好ましくはこのグレーティング
・漏斗と接触させて配置する。第7B図は、下部におい
て垂直で、反応器を支えるグレーティング(5)の付近
では斜めである障壁(23)を示す。
本発明に適合する方法および装置の別の改良であって、
これもまた液体仕込物のミキサーの役目を果すものは第
8図または第9図に例示するようなものである。(第9
図においては触媒取出用の管路(4)は示していない。
)この方法は、星形または然らざるディストリビューシ
ョン帯域によって注入した混合流体を、ディストリビュ
ーション帯域の間に相互に並置し且つ同帯域と触媒床を
支える1個または複数の漏斗との間に設けた複数のハニ
ーカム層に通して進行せしめるものである。この方法は
触媒床にお41− 40− ける仕込物の規則的かつ均一な分配を生ぜしめ、流量の
値の開きが大きい場合にガスと液体の一層効果的な分散
を確実に行なうことを目的としている。
第8図または第9図を参照して説明づる。星形または然
らざる(例えば、第9図における如く、”brise 
−jet u式(噴流アダプター)、すなわち矢印(2
5)が示す如く、噴流を敗らせて雨のようにする少なく
とも1枚の小さい板あるいはプレート(21)を上方に
備えた複数のオリフィスを有する注入管路型)のディス
トリビューション装置(7)(8)によって、反応器(
1)内のグレーティング(5)およびそれの穿孔(6)
に向って注入した流体を、それ自身がプレート形または
反応器の形状に応じて種々の形(例えば円筒形または方
形等・・・・・・)のハニ42− −カム層の形をしており、相互に締付けである一連のプ
レート(24)の構成要素で出来ている。
1種のワツフル焼型の如きハニーカムすなわちプレート
全体(26)を通して循環せしめる。普通は、各々の構
成要素は表面に凹凸があり、あるいは筋がはいった、も
しくは溝のある(英語の慣用語は’corrugati
ons” )プレートの形をしており、(第10図中に
示す如く)リブを有している。全く同一のあるいは異な
るプレートを、下部より上部に至る複雑な(第8A図お
よび第9A図に例示)連続した進行路を作り出すように
配列し、混合流体が多数のオリフィスを通って上部に現
われ、かくてグレーティング漏斗(5)を通って触媒床
の全断面に一様に到達することを可能にする。
第9A図に示す如く、各々の構成要素またはプレートに
おいて、流体の道筋または進路は何度も2本の新しい道
筋に分かれ、この新しい道筋が今度は流体の他の進路に
分かれて行くのである。
プレートの全般の外観は第10図に見られるようなもの
であるが、これは適宜の金属または合金あるいはプラス
チック材を以て製作しである。市販のものもある(例え
ばS LJ L Z E R”)。
本発明による方法および装置のもう1つの改良は、(a
)混合流体がこれを経て到着する例えば垂直または水平
な何らかの管路および(b)朝顔形帯域の下に配置され
た囲域より成る少なくとも1つのYイストリビュージョ
ン帯域を用いることである。この囲域の下部は、前記朝
顔形帯域の軸と実質的に同じ袖を有する細長いお43− よび垂直な室の形を有する。前記囲域の上部は、この帯
域に平行な前記朝顔形帯域全体の下に延びている朝顔形
帯域の形をしている。このようにして漏斗の回りにおお
いを形成している。第11図はこのタイプのディストリ
ビューション装置の実行方法を例証している。流体が、
グレーティング漏斗に組入れられている2重壁の空間を
通って反応器(1)内に導入されるかのように、すべて
が行われる。仕込物は従来の管(7)を経て導入される
(これはあらゆる適当な方法で配置されていてもよい。
ある種の工業用反応器においては多(の場合、水平また
は垂直である)。垂直な管路は漏斗・グレーティング(
5)と同じ軸を有する管(8)である。この管は、その
上部において穴あき漏斗(5)の付近でかつこの漏斗(
5)の下に配置された244一 つ目の漏斗(28)を形成するように開いている。
図面には示されていないが内部の乱流発生器により、仕
込物が穴あき壁(5)を通って触媒床のあらゆる断面に
達することができ、触媒床の入口で液体とガスの良好な
分散を達成することができる。
上に説明した如く、本発明による方法および装置°にお
いては、触媒床における反応の発熱性を制御するために
、一般には冷水素および/さらにはまた適切に選択した
液体例えば、液体仕込み物と同種の液体を以て、例えば
反応帯域の入口あるいは出口において、さらにはまた触
媒床の間で(なぜならば記載した方法および装置は積重
ねた触媒床にも有効であるから)また1つまたは該触媒
床のそれ自体の真中でも同様に、クウェンチ(急冷また
は冷却)を行なうことも可能であるが、この後者の場合
、このようなりウエンチを実施するのに用いる流体(例
えば冷水素または冷液体)を、第1図〜第4図の場合に
先に説明した形式の星形または菱形あるいは円筒形の少
なくとも1個のディストリビューション帯域を用いて注
入するのが適切であることが立証されているが、この際
菱形または円筒形のディストリご1−ジョン装置の間の
乱流、従ってクウェンチの効率を向上せしめるように、
これらを適切な間隔を置くものとする。その他如何なる
形でも、触媒の運動に逆らうことのない形状を用いれば
よいであろう。第12図には床(3)の中の漏斗・グレ
ーティング(5)を通って仕込物を注入する(矢印(1
3))ための星形装置((7)(8))が見られ、従っ
てクウェンチを行なうための2個の星形装置((29)
(30))も備わっている。流出物は管路(11)から
取出される。
【図面の簡単な説明】
第1図は水素化転化装置のIi直直面面図第1A図は第
1図の装置の水平断面図、第2図、第3図および第4図
はディストリビューション装置の変形を示す垂直断面図
、第5図、第6図および第7図は水素化転化装置の下部
の垂直断面図、第5A図は第5図の装置の水平断面図、
第7Δ図はハニーカム層を示す概略図、第78図は第7
図の部分拡大図、第8図、第9図は水素化転化装置の下
部の垂直断面図、第8A図は第8図の部分拡大図、第9
A図は流体流れの概略図、第10図はプレートの概略図
、第11図は水素化転化装置の下部の垂直断面図、第1
2図は水素化転化装置の垂直断面図である。 47− (1)・・・反応器、(2)・・・管路(触媒導入手段
)、(3)・・・触媒床、(4)・・・管路(開口)、
(5)・・・グレーティング(取出し用漏斗)、(6)
・・・穿孔(穿孔またはスリット)、(7)・・・ディ
ストリビューション管路(流体導入手段)、(8)・・
・注入端(流体導入手段)、(9)・・・分枝、(10
)・・・星形部、(11)・・・管路(流体排出手段)
、(12)・・・オリフィス、(13)・・・矢印、(
14)・・・グレーティング、(15)・・・壁または
障壁、(16)・・・矢印、(11)・・・矢印、(1
8)・・・空間(区画)、(19)・・・垂直筒、(2
0)・・・穿孔、(21)・・・じゃま板、(22)・
・・蓄積帯域、(23)・・・垂直障壁、(24)・・
・プレート、(25)・・・矢印、(26)・・・プレ
ートの全体、(27)・・・プレート、(28)・・・
漏斗、<29)  (30)・・・星形装置。 以  上 48− 特開昭59−86692 (15) 第12図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) 触媒粒子の固定床または移動床の形で用いられ
    る固体触媒の存在下における炭化水素の水素化処理また
    は水素化ビスブレーキングまたは水素化転化方法であっ
    て、この方法は実質的に垂直の細長い回転体の形を実質
    的に有する反応帯域内で行なわれ、固体粒子が反応帯域
    の上部に導入され、前記帯域内を上から下へ進んだ後に
    逆円錐または逆角錐、換言すればその頂点が下方に向け
    られている円錐または角錐の形態を有する朝顔形帯域の
    下端から漸次取出され、該頂点には固体粒子の排出に必
    要な大きさの少なくとも1個の開口が穿ってあり、前記
    朝顔形帯域の壁には実質的かつ一様に不連続、換言すれ
    ば固体粒子が前記壁を通過するのをtlll +l: 
    するのに十分なだけ小さいが、炭化水素の液体仕込物と
    水素とより成る混合流体の上行流がこれらの開口を通過
    するのに十分なだけの大きさを有する規則的に間隔をお
    いた少なくとも数個の開口が散在しており、液体仕込物
    と水素が触媒床を支える1個または複数の朝顔形帯域の
    下に配置された少なくとも1個のディストリビューショ
    ン帯域を用いて混合して導入され、液体仕込物と水素が
    前記ディストリビューション帯域と触媒床を下から−F
    へ通過し、前記ディストリビューション帯域が複数の注
    入帯域またはオリフィスを有しており、液体とガスより
    成る反応流出物が反応帯域の土部において取出される方
    法、(2) 反応帯域が細長い円筒形を特する特許請求
    の範囲第(1)項記載の方法。 (3) 実質的に垂直の細長い回転体の形を実質的に有
    する反応帯域内で行なわれ、固体粒子が反応帯域の上部
    に導入され、前記帯域内を上から下へ進んだ後に逆円錐
    または逆角錐、換言すればその頂点が下方に向けられて
    いる円錐または角錐の形態を有する朝顔形帯域の下端か
    ら漸次取出され、該頂点には触媒粒子の排出に必要な大
    きざの少なくとも1個の開口が穿ってあり、前記朝顔形
    帯域の壁は実質的かつ一様に不連続、換言すれば触媒粒
    子が前記壁を通過するのを阻止するのに十分なだけ小さ
    いが、混合流体の上行流がこれらの開口を通過するのに
    十分なだけの大きさを右する規則的に間隔をおいた少な
    くとも数個の開口が散在しており、処理すべき炭化水素
    の液体仕込物と気体水素とから成る前記液体が触媒床を
    支える1個または複数の朝顔形帯域の下に配置された少
    なくとも1個のディストリビューション帯域を用いて導
    入され、各ディストリビューション帯域は一般に主管路
    より成り、反応帯域の内部に位置する少なくとも一端を
    有し、前記管路の前記端部は(反応帯域の内部および前
    記朝顔形帯域の下で)実質的に垂直で星形に配置された
    複数の分校に別れており、各分校はこれを経て流体の一
    部が注入されるいくつかのオリフィスを備えている方法
    であって、触媒粒子の固定床または移動床の形で用いら
    れる固体触媒の存在下における、特許請求の範囲第(1
    )項または(2)項記載の方法。 (4) 星形の分校が実質的に水平である、特許請求の
    範囲第(3)項記載の方法。 (5) 前記分校が傾斜しており、傾斜角が水平3− 線に対して約O〜40’の間に含まれている、特許請求
    の範囲第(3)項記載の方法。 (6) 前記分枝が波形である、特許請求の範囲第(3
    )項記載の方法。 (7) 少なくとも一部がディストリビューション帯域
    によって注入された流体が触媒床を支える1個または複
    数の朝顔形帯域に向って進行し、朝顔形帯域に達する前
    に、まず1つの空間を通り、この空間の上部には流体の
    気相の大部分を通過せしめるに足るだけ大きいが、流体
    の液相の大部分の通過を阻止するに足るだけ小さいオリ
    フィスが設番プであり、前記の空間を通って開口を画す
    る垂直の壁が前記空間を通過しており、流体が前記空間
    の内部で一方では気相に、他方では液相に分かれるよう
    になされ、気相の大部分が前記空間の前記上部の前記オ
    リフィスを通5− 4− って前記壁に達し、液相の大部分が前記空間を画する前
    記壁の間を通って進行した後、かつ気相の大部分と(前
    記空間の前記」一部の前記オリフィスの上方において)
    再度混合してから、朝顔形帯域に達する、特許請求の範
    囲第(1)項または(2)項に記載の方法。 (8) その他に気相と液相が、互いに連絡していない
    平行な細長い複数の帯域を通って、前記空間の上部と朝
    顔形帯域の間を進む、特許請求の範囲第(7)項記載の
    方法。 (9) 流体が1個または複数のディストリピコ−ジョ
    ン帯域から注入された後、反応帯域のうちの一部分の断
    面上に、かつ一方では1個または複数のディストリビュ
    ーション帯域と他方では触媒床を支える朝顔形帯域との
    間に配置されている複数のハニーカム層を通って進行す
    る、−〇− 特許請求の範囲第(1)項または(2)項記載の方法。 (10)  流体が(a )反応帯域の内部のこの反応
    帯域の下部に流体を運ぶ管路を通り、かつ(b)前記朝
    顔形帯域の下に配置された囲域を通って進行してこの反
    応帯域に導入され、前記囲域の上部もまた朝顔形の帯域
    の形を有し、従ってこの朝顔形帯域は、流体が触媒床に
    おいて前記朝顔形帯域のあらゆる地点に達しうるように
    してこの帯域と平行に前記朝顔形帯域全体の下に延びて
    いる、特rfFa求の範囲第(1)〜(3)項のうちの
    いずれか1項記載の方法。 (11)1種の気体または液体流体による少なくとも1
    回のクウェンチ(冷却)が固定または移動触媒床の内部
    において実施され、クウェンチ用流体が、実質的に垂直
    であり、星形に配置した複数の分校に分かれた末端を反
    応帯域の内部に有する主管路より一般に成るfイストリ
    ピコ−ジョン帯域を用いて導入され、各々の分校が各分
    校に沿って規則正しく配置された数個のオリフィスを備
    えており、(大部分が分校の下部に配置しである)これ
    らのオリフィスによって流体が触媒床の内部に注入され
    る、特許請求の範囲第(1)項〜(10)項のうちのい
    ずれか1項記載の方法。 (12)  1基の反応器(1)と、反応器の−F部へ
    の新鮮触媒の導入手段(2)と、頂点が下に向っており
    、その頂点の周囲に使用流触媒を反応器外に排出するの
    に十分な大きざの開口(4)を備えた円錐形または角錐
    形の少なくとも1個の取出し用漏斗(5)を有する、こ
    の反応器の下部J:りの使用洛触媒の排出手段と、反応
    器の7− 下部への流体の導入手段(7)と、反応器の上部よりの
    処理済流体の排出手段(11)とを備える装置において
    、 (a )  少なくとも、前記取出し用漏斗(5)の高
    さ全体上に実質的に配分した穿孔またはスリット(6)
    を備えた壁を有する取出し用漏斗(5〉であって、前記
    の穿孔の大きさが触媒粒子の前記壁を通しての透過を阻
    止するに十分なだけ小ざいが、流体仕込物の上行流の前
    記壁を通しての通過を可能にするのに十分なだけ大きい
    ものと、 (b)  ガスと液体より成る1つの流体の少なくとも
    1つのディストリビューション装置であって、該ディス
    トリビューション装置が、反応器の内部に入込んだ後に
    、少なくとも一端を以て終る管路(7)を備えており、
    取出し用漏斗8− の下にある前記末端(または注入端) (8)が実質的
    に垂直であって、星形の配列の少な(とも3本の分校(
    9)のビームまたは同等の装置に分裂し、各々の分校が
    該分校の長さの少なくとも一部上に配分された穿孔また
    はスリットを備えており、前記流体がこれによって注入
    されるもの とを組合「て備えていることを特徴とする、炭化水素の
    水素化転化装置。 (13)  分校が実質的に水平である、特許請求の範
    囲第(12)項記載の装置。 (14)  分校が傾斜しており、傾斜角が水平線に対
    して0〜60’の間に含まれるものである、特許請求の
    範囲第(12)項記載の装置。 (15)  分校が波形である、特許請求の範囲第(1
    2)項記載の装置。 (16)  穿孔またはスリットの大部分が分校の下面
    、上面および側面に配置しである、特許請求の範囲第(
    12)項記載の装置。 (17)  1基の反応器(1)(第6図参照)と、反
    応器の上部への新鮮触媒の導入手段と、頂点が下に向っ
    ており、その頂点の周囲に使用済触媒を反応器外に排出
    するのに十分な大きさの開口(4)を備えた円錐形また
    は角錐形の少なくとも1個の取出し漏斗(5)を有する
    、この反応器の下部よりの使用済触媒の排出手段と、反
    応器の下部への液体とガスより成る流体の導入手段(7
    )と、反応器の上部よりの流体の排出手段とを備える装
    置において、 (a )  少なくとも、前記取出し用漏斗(5)の高
    さ全体上に実質的に配分した穿孔またはスリット(6)
    を備えた壁を有する取出し用漏斗(5)であって、前記
    の穿孔の大ぎさが触媒粒子の前記壁を通しての通過を阻
    止するに十分なだけ小さいが、流体仕込物の」上行流の
    前記壁を通しての通過を可能にするのに十分なだけ大き
    いものと、 (b)  反応器の下部への流体の導入手段(7)(8
    )および反応器上部への処理済流体仕込み物の排出手段 (c)  漏斗(5)と流体の導入手段(7)(8)と
    の間に配置された下記装置: (α) 流体の液相の大部分の通過を阻止するのに十分
    なだけ小さく、流体の気相の大部分しか通過せしめない
    穿孔(2o)を有する1枚のグレーティング(14) 
     (またはこれに相当する一切の手段)と、 (β) 連続しており、実質的に垂直の壁また11− は障IM(15)であって、グレーティング(14)に
    支持され、その下端が反応器内において流体の導入手段
    (7)(8)より一般に上方の高さに位置しており、こ
    れらの壁または障壁がかくて区画(18)および垂直筒
    (19)を画しているものと、(γ)垂直筒の末端の下
    に配置したプレートまたはじゃま板(21)を組合わせ
    て備えていることを特徴とする、炭化水素の水素転化装
    置。 (18)  その他に(第7図)、グレーティング(1
    4)と1個または複数の漏斗(5)との間に配置された
    、実質的に垂直または斜めの、または一部垂直、一部斜
    めの互いに連絡していない平行で細長い複数の室(23
    )を含む特許請求の範囲第(17)項記載の装置。 (19)  1基の反応器(1〉 (第9図参照)と、
    =12− 反応器の上部への新鮮触媒の導入手段と、この反応器の
    下部よりの使用済触媒の排出手段とを備えており、これ
    らの排出手段が、(a )頂点が下に向っており、その
    頂点の周囲に使用済触媒を反応器外に排出するのに十分
    な大きさの開口(4)を備えた円錐形または角錐形の少
    なくとも1個の取出し用漏斗(5)を有し、前記取出し
    用漏斗(5)の壁がこの漏斗の高さ全体に実質的に配分
    した穿孔またはスリット(6)を備えており、前記の穿
    孔の大きさが触媒粒子の前記壁を通しての通過を阻止す
    るに十分なだけ小さいが、流体の上行流の前記壁を通し
    ての通過を可能にするのに十分なだけ大きいものと、(
    b)反応器の下部よりの流体の導入手段(7)(8)お
    よび反応器の上部からの流体の排出手段を備えた装置に
    おいて、漏斗(5)と流体の導入手段(7)(8)との
    間に配置した、相互に締付けた数枚のプレート(24)
    であって、各卆 々のプレートが表面に凹凸を有し、または状綿のはいっ
    た(換言すればハニーカム状の)形を有して前記プレー
    トの全体く26)が多数の実質的に連続したハニーカム
    空間を構成してプレートの全体を通過する前記流体の下
    から上への進行を可能にするものを備えていることを特
    徴とする、炭化水素の水素化転化装置。 (20)  1基の反応器(1)(第11図参照)と、
    反応器の上部への新鮮触媒の導入手段と、この反応器の
    下部よりの使用済触媒の排出手段とを備えており、これ
    らの排出手段が、頂点が下に向っておりその頂点の周囲
    に使用済触媒を反応器外に排出するのに十分な大きさの
    開口(4)を備えた円錐形または角錐形の少なくとも1
    個の取出し用漏斗(5)を有し、前記取出し用漏斗(5
    )の壁がこの漏斗の高さ全体に実質的に配分した穿孔ま
    たはスリット(6)を備えており、前記の穿孔の大きさ
    が触媒粒子の前記壁を通しての通過を1g1止するに十
    分なだ(プ小ざいが、流体の上行流の前記壁を通しての
    通過を可能にづるのに十分なだけ大きいものと、反応器
    の下部よりの流体の導入手段および反応器の上部からの
    処理済流体の排出手段を備えた装置において、流体の導
    入手段が、(a )反応器(1)内へ入り込んでいる少
    なくとも1本の管(7)および(b)少なくとも1個の
    取出用漏斗(5)と共にその上部に2重壁を形成する少
    なくとも1つのおおいとを有するディストリビューショ
    ン装置より成り、このおおいが、その下部において漏斗
    ・グレーディング(5)と同じ軸を有15− する垂直で細長い管を有し、その上部において漏斗・グ
    レーティング(5)の下に配置された漏斗(28)を有
    することを特徴とする、炭化水素の水素化転化装置。 (21)  その他に1個または複数の漏斗(5)の上
    方に、少なくとも1個のディストリビューション装置を
    備えており、(クウェンチを確実に行なうための)該デ
    ィストリビューション装置が、反応器の内部の該壁の上
    方に入り込み、実質的に垂直であって、星形に配列した
    少なくとも3本の分校のビームに分裂する一端(または
    注入端)を有するパイプを備えており、各々の分校が分
    校の長さの全長上に配分された穿孔またはスリットを有
    している、特許請求の範囲第(12)項〜(16)項の
    うちのいずれか1項に記載の装置。 −17−、噌^ −16= (22)  その他に1個または複数の漏斗(5)の上
    方に、少なくとも1個のディストリ上1.−ジヨン装置
    を備えており、(クウェンチを確実に行なうための)該
    ディストリピコ−ジョン装置が、反応器の内部の該壁の
    −L方に入り込み、実質的に垂直であって、星形に配列
    した少なくとも3木の分校のビームに分裂する一端(ま
    たは注入端)を有するパイプを備えており、各々の分校
    が分校の長さの全長上に配分された穿孔またはスリット
    を有している、特許請求の範囲第(11)項または(1
    8)項 〜 に記載の装置。 (23)  その他に1個または複数の漏斗(5)の上
    方に、少な(とも1個のディストリごューション装置を
    備えており、(クラ1ンヂを確実に行なうための)該デ
    ィストリピコ−ジョン装置18− が、反応器の内部の該壁の上方に入り込み、実質的に垂
    直であって、星形に配列した少なくとも3本の分校のビ
    ームに分裂する一端(または注入端)を右するパイプを
    備えており、各々の分校が分校の長さの全長上に配分さ
    れた穿孔またはスリットを有している、特許請求の範囲
    第(19)項に記載の装置。 (24)  その他に1個または複数の漏斗(5)の上
    方に、少なくとも1個のディストリビューション装置を
    備えており、(クウェンチを確実に行なうための)該デ
    ィストリビューション装置が、反応器の内部の該壁の上
    方に入り込み、実質的に垂直であって、星形に配列した
    少なくとも3木の分校のビームに分裂するーSa(また
    は注入端)を有するパイプを備えており、各々の分校が
    分校の長さの全長上に配分された穿孔まICはスリット
    をイjしている、特許請求の範囲第(21)項に記載の
    装置。
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