JPS5987849A - 金属突起物付テ−プキヤリアの製造方法 - Google Patents
金属突起物付テ−プキヤリアの製造方法Info
- Publication number
- JPS5987849A JPS5987849A JP57196963A JP19696382A JPS5987849A JP S5987849 A JPS5987849 A JP S5987849A JP 57196963 A JP57196963 A JP 57196963A JP 19696382 A JP19696382 A JP 19696382A JP S5987849 A JPS5987849 A JP S5987849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- plating
- tape carrier
- metallic
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/099—Connecting interconnections to insulating or insulated package substrates, interposers or redistribution layers
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子組立のための金属突起物付テープ
キャリアの製造方法に関するものである。
キャリアの製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、金属突起物付テープキャリアの製造方法は、第１
図に示すようにガラスなどの絶縁物１の上に蒸着やメッ
キで金属膜２を形成し、この金属膜２の一部を残し、メ
ッキ用レジスト３を金属膜２上に形成したのち、メッキ
用レジスト３が形成されていない金属膜面に金属突起物
４をメッキ等により形成して、この金属突起物４をテー
プキャリア５のリード６に熱圧着して金属突起物４のみ
をリード６に接合していた。ところが、この方法では絶
縁物１上に金属膜２を形成するのに時間がかかるという
問題や、金属膜２が剥離することがしばしばあった。ま
た金属突起物４をリード６に接合するときに、金属膜２
が剥離することもあった。さらに、金属突起物４を電解
メッキ法で形成する場合、金属膜２の膜厚が薄いために
メッキ電流を大きくすることができず、金属突起物４の
形成に時間がかかった。
図に示すようにガラスなどの絶縁物１の上に蒸着やメッ
キで金属膜２を形成し、この金属膜２の一部を残し、メ
ッキ用レジスト３を金属膜２上に形成したのち、メッキ
用レジスト３が形成されていない金属膜面に金属突起物
４をメッキ等により形成して、この金属突起物４をテー
プキャリア５のリード６に熱圧着して金属突起物４のみ
をリード６に接合していた。ところが、この方法では絶
縁物１上に金属膜２を形成するのに時間がかかるという
問題や、金属膜２が剥離することがしばしばあった。ま
た金属突起物４をリード６に接合するときに、金属膜２
が剥離することもあった。さらに、金属突起物４を電解
メッキ法で形成する場合、金属膜２の膜厚が薄いために
メッキ電流を大きくすることができず、金属突起物４の
形成に時間がかかった。
従来例のもう一つの例を第３図に示す。金属基板７上に
一部分を露出させてメッキ用レジスト３を形成したのち
、露出した金属基板７上に金属突起物４を形成し、この
金属突起物４をリード６に接合していた。ところが、こ
の方法では金属突起物４をテープキャリア５のリード６
に接合するとき、ボニディングツールの熱が金属基板に
吸収されてボンディングツールの温度が下がるという問
題があった。
一部分を露出させてメッキ用レジスト３を形成したのち
、露出した金属基板７上に金属突起物４を形成し、この
金属突起物４をリード６に接合していた。ところが、こ
の方法では金属突起物４をテープキャリア５のリード６
に接合するとき、ボニディングツールの熱が金属基板に
吸収されてボンディングツールの温度が下がるという問
題があった。
発明の目的
本発明は、このような従来の欠点を除去するものであり
、製造プロセスを簡素化するとともに、金属突起物をフ
ィルムキャリアのリードに接合するとき絶縁基板が断熱
材としての効果を示し、ボンディングツー／Ｌ／の加熱
を効果的に行うことのできる金属突起物付テープキャリ
アの製造方法を提供するものである。
、製造プロセスを簡素化するとともに、金属突起物をフ
ィルムキャリアのリードに接合するとき絶縁基板が断熱
材としての効果を示し、ボンディングツー／Ｌ／の加熱
を効果的に行うことのできる金属突起物付テープキャリ
アの製造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、絶縁基板の一主面に金属箔を張合せ、金属箔
面にメッキ用レジスト膜を形成する。そのとき、多数の
微小窓をメッキ用レジスト膜に設けて金属箔面の一部分
を露出させておく。この金属箔の露出面に金属突起物を
形成したのち、この金属突起物をテープキャリアのリー
ドに接合する工程からなり、絶縁基板上への金属箔の形
成が短時間ででき、絶縁基板と金属箔との密着強度も優
れ、金属突起物を電解メッキ法で形成するときに太きな
電流を流すことができ（そのため金属突起物を短時間で
形成できる。）絶縁基板の断熱効果のためにボンディン
グツールの加熱温度を低くすることができ、製造上きわ
めて有利である。
面にメッキ用レジスト膜を形成する。そのとき、多数の
微小窓をメッキ用レジスト膜に設けて金属箔面の一部分
を露出させておく。この金属箔の露出面に金属突起物を
形成したのち、この金属突起物をテープキャリアのリー
ドに接合する工程からなり、絶縁基板上への金属箔の形
成が短時間ででき、絶縁基板と金属箔との密着強度も優
れ、金属突起物を電解メッキ法で形成するときに太きな
電流を流すことができ（そのため金属突起物を短時間で
形成できる。）絶縁基板の断熱効果のためにボンディン
グツールの加熱温度を低くすることができ、製造上きわ
めて有利である。
なお、金属箔を使用しているため、ボンディング時に箔
が剥離することはない。
が剥離することはない。
実施例の説明
以下本発明の第一の実施例を図面を参照して説明する。
第４図に示すように絶縁基板１に接着剤８を介して金属
箔９を張合せる。この金属箔９の上にメッキ用レジスト
膜３を形成する。その際、金属突起物４を取付けるだめ
の微小窓１ｏをメッキ用レジスト膜３に形成する。この
微小窓１０に金属突起物４をメッキ、蒸着等により形成
したのち、この金属突起物４をテープキャリア６のリー
ド６に張合せる。
箔９を張合せる。この金属箔９の上にメッキ用レジスト
膜３を形成する。その際、金属突起物４を取付けるだめ
の微小窓１ｏをメッキ用レジスト膜３に形成する。この
微小窓１０に金属突起物４をメッキ、蒸着等により形成
したのち、この金属突起物４をテープキャリア６のリー
ド６に張合せる。
このようにすれば、絶縁基板上に容易に金属層を設ける
ことができ、著しく工程の時間短縮が可能となる。
ことができ、著しく工程の時間短縮が可能となる。
第２の実施例は、第６図に示すように絶縁基板１に接着
剤８を介して金属へ９を張合せ、この金属箔９上にメッ
キ用レジスト膜３を形成する。その際、金属突起物４を
取付けるだめの微小窓１０をメッキ用レジスト膜３に形
成する。この微小窓１０の部分の金属箔９を接着剤８ま
で達しないようにエツチングして穴１１をあけて、この
穴１１に金属突起物４をメッキ等で形成して、この金属
突起物４をテープキャリア５のリード６に接合する。
剤８を介して金属へ９を張合せ、この金属箔９上にメッ
キ用レジスト膜３を形成する。その際、金属突起物４を
取付けるだめの微小窓１０をメッキ用レジスト膜３に形
成する。この微小窓１０の部分の金属箔９を接着剤８ま
で達しないようにエツチングして穴１１をあけて、この
穴１１に金属突起物４をメッキ等で形成して、この金属
突起物４をテープキャリア５のリード６に接合する。
発明の効果
以上のように本発明は、絶縁基板上に接着剤を介して金
属箔を形成するため、金属層の形成が短時間ででき、金
属突起物を電解メッキで形成するときに大きな電流を流
すことができ、また接着剤と絶縁基板が断熱材としての
効果を示すためにボンディングツールの加熱温度を必要
以上に上げる必要がないため製造上有利である。
属箔を形成するため、金属層の形成が短時間ででき、金
属突起物を電解メッキで形成するときに大きな電流を流
すことができ、また接着剤と絶縁基板が断熱材としての
効果を示すためにボンディングツールの加熱温度を必要
以上に上げる必要がないため製造上有利である。
第１図、第２図、および第３図は従来の金属突起物付基
板および金属突起物付テープキャリアの断面図、第４図
および第６図はそれぞれ本発明の実施例の金属突起物付
基板の断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・金属膜、３・
・・・・・メッキ用レジスト膜、４・・・・・・金属突
起物、６・・・・・・テーク。 キャリア、６・・・・・・リード、７・・・・・・金属
基板、８・・・・・・接着剤、９・・・・・・金属箔、
１０・・・・・・微小窓、１１・・・・・・穴。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ４ 第２図 第３図 第４図
板および金属突起物付テープキャリアの断面図、第４図
および第６図はそれぞれ本発明の実施例の金属突起物付
基板の断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・金属膜、３・
・・・・・メッキ用レジスト膜、４・・・・・・金属突
起物、６・・・・・・テーク。 キャリア、６・・・・・・リード、７・・・・・・金属
基板、８・・・・・・接着剤、９・・・・・・金属箔、
１０・・・・・・微小窓、１１・・・・・・穴。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ４ 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ぐし 絶縁基板の一主面に金属箔を接着剤に張合せ、前記金属
箔面にメッキ用レジスト膜を多数の配列された微小窓を
残して形成し、上記微小窓に金属突起物を形成し、この
あとテープキャリアのリードに上記金属突起物を熱によ
多接合する工程からなり、前記接着剤を断熱層とした金
属突起物付テープキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196963A JPS5987849A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 金属突起物付テ−プキヤリアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196963A JPS5987849A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 金属突起物付テ−プキヤリアの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987849A true JPS5987849A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16366552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196963A Pending JPS5987849A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 金属突起物付テ−プキヤリアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287136A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57196963A patent/JPS5987849A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287136A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
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