JPH02238641A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH02238641A
JPH02238641A JP1060015A JP6001589A JPH02238641A JP H02238641 A JPH02238641 A JP H02238641A JP 1060015 A JP1060015 A JP 1060015A JP 6001589 A JP6001589 A JP 6001589A JP H02238641 A JPH02238641 A JP H02238641A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （概要〕 半導体ウェハを個々の半導体チップ（ダイ）に分割する
ダイシング及び半導体チップをステージにろう付けする
グイボンディング方法に関し，背面に金属層のない半導
体チップのダイボンディングを可能にして，半導体装置
製造の簡易化とコスト低減を目的とし， 導電性接着剤，金属層，　ＵＶテープが順に積層された
３層フィルムの導電性接着剤面に半導体ウェハを貼り付
ける工程と，該３層フィルムを加熱して該導電性接着剤
をキュアする工程と，該ＩＪＶテープを厚さ方向に全部
切断しないで該ウェハ及び該金属層をグイシングし，背
面に金属層を被着した個々のチップに分割する工程と，
該チップをステージ上にボンディングする工程とを有す
るように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り，特に半導体ウェ
ハを個々の半導体チップ（ダイ）に分割するダイシング
及び半導体チップをステージにろう付げするダイボンデ
ィング方法に関する。
ダイシング及びグイポンディング工程は半導体装置の組
み立て工程の出発点であり，その合理化が望まれている
。
〔従来の技術］ 第４図は従来例によるダイシング及びグイホンディング
工程の流れ図である。
従来法は．まず背面に半田に対して濡れ性の良い金属層
を形成した半導体ウェハをＵＶテープ（紫外線照射によ
り接着力を失う性質を持つ接着剤を塗布した樹脂フィル
ム）に貼り付け，ダイシングソーによりグイシングし．
次に紫外線をＵｖテープに照射して．チップをグイコレ
ソトでつかんでテープより剥離している。
この後，半導体チップは，　Ａｇペーストを塗布したス
テージ（表面に濡れ性の良い金属メッキ層を被着してい
る）上にグイボンディングされる。
第５図は従来のダイポンディング状態を説明する断面図
である。
図において，１は半導体チップ　２はチップを搭載する
ステージ，３はチップ背面の金属層，４は半田，５はス
テージのメンキ層である。
〔発明が解決しようとする課題〕
このように従来は．半導体チップを半Ｈ］によってステ
ージに付けるために，蒸着又はスパンタ法により，半田
に対して濡れ性の良い金属層をチンプ裏面に形成してい
る。
この金属層の形成には蒸着又はスパッタ等の工数と材料
費がかかり，コストの増加を招くので簡便でコストの安
い方法が望まれる。
本発明は背面に金属層のない半導体チップのグイポンデ
ィングを可能にして，半導体装置製造の簡易化とコスト
低減を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題の解決は，導電性接着剤，金属層，　ＵＶテー
プが順に積層された３層フィルムの導電性接着剤面に半
導体ウェハを貼り付ける工程と，該３層フィルムを加熱
して該導電性接着剤をキュアする工程と，該ＵＶテープ
を厚さ方向に全部切断しないで該ウェハ及び該金属層を
グイシングし，背面に金属層を被着した個々のチップに
分割する工程と，該チップをステージ上にボンディング
する工程とを有する半導体装置の製造方法により達成さ
れる。
〔作用］ 第１図は本発明に使用する貼り付け用３層フィルムの断
面図である。
本発明は，導電性接着剤６，金属層７，ＵＶテープ８か
らなる３層フィルムに背面に金属層のない半導体ウェハ
を貼り付けて，導電性接着剤をキュアした後ダイシング
することにより，チップ背面に半田接合が可能な金属層
を形成することができ，この後従来とほぼ同し工程でグ
イボンディングができるようにしたものである。
（実施例〕 第２図は本発明によるダイシング及びダイボンディング
工程の流れ図である。
従来例と相違する点は．ウェハに背面金属層のないもの
を使用したことと，貼り付けフィルムに３層フィルムを
用いたたことと，３層フィルムの導電性接着剤をキュア
する加熱工程を有することで，その他は従来工程と全く
同じである。
ここで貼り付け用３層フィルムは次のものを用いる。
Ｕｖテーブ８は厚さ７０μｍの透明な樹脂フィルム上に
紫外線照射により接着力を失う性質を持つ接着剤を塗布
した市販のものを用い，この上に厚さ２５〜５０μｍの
金属層７を貼り付け，その上に導電性接着剤６を厚さ２
５〜５０μｍ塗布する。
ここで，金属層７はＡｕ　（又はＡｇ，　Ｃｕ，　Ｎｉ
，　Ｐｄ等）層を用いる。
導電性接着剤６として接着剤に導電性のフィラを含んだ
Ａｇペーストを厚さ２５〜５０μｍ塗布する。
接着剤はエボキシ系以外のもので良く，フィラ材料とし
てＡｕ，　Ｃｕ，　Ｎｉ等を用い，フィラの形状は無定
形，球，繊維状のいずれでもよい。
次に１第２図の流れ図に従って実施例の工程を説明する
。
第３図（ａ）〜（ｆ）は実施例の各工程を説明する断面
図である。
第３図（ａ）　６こおいて，背面に金属層を形成してい
ない半導体ウェハ１１を．貼り付け用３層フィルムの導
電性接着剤６上に貼り付ける（第２図の工程■）。
第３図（ｂ）において，ダイシングソ−１２を用いてダ
イシングを行う。この際，最下層のＵνテープ８の一部
に食い込むまで切断する（第２図の工程■）。
ウェハ１１は個々のチソプ１に分割される。
第３図（Ｃ）において，所定の温度，例えば１５０゜Ｃ
で導電性接着剤６をキュアし（第２図の丁程■）続いて
水銀ランプにより紫外線をウェハ背面より照射してＵＶ
テーブ８の接着剤をギュアし，金属層７をＵＶテープ８
より剥離し易くする（第２図の工程■）。
この後は従来と同じ工程でダイボンディングを行う（第
２図の工程■）。
第３図（ｄ）において，　ＵＶテープ８を伸長し．ダイ
コレッ目３により目的のチップ１を真空吸引しダイボン
ダに搬送する。
第３図（ｅ）において，ダイコレッ１−１３につかまれ
たチップ１は図示されないヒーク６こより加熱されたス
テージ２のメッキ層５上に半田４によりボンディングさ
れる。
第３６（ｆ）はポンディング状態を示す断面図である。
従来例の第５図と相違する点は，実施例では千ップ１と
金属層７との間に導電性接着剤６による半田層を介在す
ることである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば，背面に金属層のな
い半導体チップのグイボンディングを可能にして，従来
と同しＡｇペースＩ・による場合も実施例のように半田
による場合にも本発明を適用でき，半導体装置製造の簡
易化とコスト低減化がはかれる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に使用する貼りイ；Ｊり用３層フイルム
の断面図， 第２図は本発明によるダイシング及びダイホンディング
工程の流れ図２ 第３図（ａ）〜（ｆ）は実施例の各工程を説明する断面
図， 第４図は従来例によるダイシング及びグイボンディング
工程の流れ図 第５図は従来のグイボンデイング状態を説明する断面図
である。 図において １ば半導体チップ ２はステージ ３はチップ背面の金属層 ４は半田 ５はステージのメッキ層 ６は導電性接着剤 ７は金属層， ８はＵＶテープ ψトＯＤ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 導電性接着剤、金属層、ＵＶテープが順に積層された３
    層フィルムの導電性接着剤面に半導体ウェハを貼り付け
    る工程と、 該３層フィルムを加熱して該導電性接着剤をキュアする
    工程と、 該ＵＶテープを厚さ方向に全部切断しないで該ウェハ及
    び該金属層をダイシングし、背面に金属層を被着した個
    々のチップに分割する工程と、該チップをステージ上に
    ボンディングする工程とを有することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0464250A (ja) * 1990-07-04 1992-02-28 Rohm Co Ltd エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法
JPH04247640A (ja) * 1991-02-04 1992-09-03 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
US5476565A (en) * 1991-12-30 1995-12-19 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film

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