JPS5988888A - 光帰還型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
光帰還型半導体レ−ザ装置Info
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- JPS5988888A JPS5988888A JP57199215A JP19921582A JPS5988888A JP S5988888 A JPS5988888 A JP S5988888A JP 57199215 A JP57199215 A JP 57199215A JP 19921582 A JP19921582 A JP 19921582A JP S5988888 A JPS5988888 A JP S5988888A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- light
- optical
- noise
- laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信や光ディスク等の光源として用いる光帰
還型半導体レーザ装置に関する。
還型半導体レーザ装置に関する。
従来例の構成と問題点
半導体レーザを光通信用光源として用いるに際し、例え
ば半導体レーザとファイバとを結合する場合、半導体レ
ーザからの出射光の一部がファイバ端面からの反則によ
り半導体レーザへ帰還することが半導体レーザの発振特
性の不安定性や雑音増加をひき起こす原因と考えられて
いる。そのため現在は半導体レーザへ戻り光が帰還する
ことを防止する目的でアイソレータが使用されている。
ば半導体レーザとファイバとを結合する場合、半導体レ
ーザからの出射光の一部がファイバ端面からの反則によ
り半導体レーザへ帰還することが半導体レーザの発振特
性の不安定性や雑音増加をひき起こす原因と考えられて
いる。そのため現在は半導体レーザへ戻り光が帰還する
ことを防止する目的でアイソレータが使用されている。
すなわち光通信の分野では半導体レーザへの戻り光は不
要なものと考えられている。また半導体レーザの他の利
用分野として光ディスクを考えた場合、やはり光ディス
ク而からの反射光が半導体レーザへ帰還された時、雑音
増加となることが指摘されている。ただし戻り光を積極
的に自己結合効果として利用する方式があるが、このよ
うな方式でも半導体レーザへの戻り光が不安定なため、
半導体レーザの発振特性も不安定でありＳ／Ｎ比が悪く
実用域に達していない。
要なものと考えられている。また半導体レーザの他の利
用分野として光ディスクを考えた場合、やはり光ディス
ク而からの反射光が半導体レーザへ帰還された時、雑音
増加となることが指摘されている。ただし戻り光を積極
的に自己結合効果として利用する方式があるが、このよ
うな方式でも半導体レーザへの戻り光が不安定なため、
半導体レーザの発振特性も不安定でありＳ／Ｎ比が悪く
実用域に達していない。
以上のように従来では半導体レーザから出射したレーザ
光が戻り光として半導体レーザへ帰還すると、発振特性
の不安定化をひき起こし、寸だ雑音も増加してしまうと
考えられ、戻り光を有効に制御したり利用する方法は明
確にされていない。
光が戻り光として半導体レーザへ帰還すると、発振特性
の不安定化をひき起こし、寸だ雑音も増加してしまうと
考えられ、戻り光を有効に制御したり利用する方法は明
確にされていない。
発明の目的
本発明は半導体レーザからの出射光の一部を戻り光とし
て半導体レーザに帰還した時、半導体レーザの発振モー
ドの安定な縦横単一化を図ると共に半導体レーザへの反
射雑音の影響を受けないような光学系を有する光帰還型
半導体レーザを提案することを目的とする。
て半導体レーザに帰還した時、半導体レーザの発振モー
ドの安定な縦横単一化を図ると共に半導体レーザへの反
射雑音の影響を受けないような光学系を有する光帰還型
半導体レーザを提案することを目的とする。
発明の構成
ここでは半導体レーザの戻り光による発振不安定化や雑
音増加などの問題点を解決する為に講じた手段及びその
作用を示す。本発明においては半導体レーザと半導体レ
ーザの外部に配置した反射機能を有する光学素子よりな
る。ここで言うところの反射機能を有する光学素子とは
平面鏡、凹面鏡２回折格子、レンズ、ファイバなど何ら
かの反射機能をもつもののことである。第１図に半導体
レーザ、レンズ、平面鏡よりなる光帰還型半導体レーザ
の構成例を示す。
音増加などの問題点を解決する為に講じた手段及びその
作用を示す。本発明においては半導体レーザと半導体レ
ーザの外部に配置した反射機能を有する光学素子よりな
る。ここで言うところの反射機能を有する光学素子とは
平面鏡、凹面鏡２回折格子、レンズ、ファイバなど何ら
かの反射機能をもつもののことである。第１図に半導体
レーザ、レンズ、平面鏡よりなる光帰還型半導体レーザ
の構成例を示す。
半導体レーザ１の片側の共振器端面２内の発光部３から
出射したレーザ光４がレンズ５によりコリメートされ平
行光６となり、この平行光が反射体７（ここでは平面鏡
とした）で反射され、その反射光８が再びレンズ５を通
過し結像され半導体レーザ１へ帰還される。本発明者ら
の非常に詳細な実験によると、戻り光８がレンズ５で半
導体レーザ１の共振器端面２に結像して光帰還される時
、その共振器端面２上の光帰還位置により、半導体レー
ザの特性が大きく異なることが明らかになった。半導体
レーザの発光位置に対して戻り光の位置を変化させるに
は反射体７を調整することにより容易行なえる。
出射したレーザ光４がレンズ５によりコリメートされ平
行光６となり、この平行光が反射体７（ここでは平面鏡
とした）で反射され、その反射光８が再びレンズ５を通
過し結像され半導体レーザ１へ帰還される。本発明者ら
の非常に詳細な実験によると、戻り光８がレンズ５で半
導体レーザ１の共振器端面２に結像して光帰還される時
、その共振器端面２上の光帰還位置により、半導体レー
ザの特性が大きく異なることが明らかになった。半導体
レーザの発光位置に対して戻り光の位置を変化させるに
は反射体７を調整することにより容易行なえる。
実施例の説明
第２図に本発明の内容を明らかとする本発明者らの行な
った実験光学系を示す。
った実験光学系を示す。
また第３図には、第２図の光学系を用いた実験の結果を
示す。第２図において、半導体レーザ９の共振器片端面
１ｏ上にある発光部１１から出射したレーザ光１２はレ
ンズ１３でコリメートされて平行光１４となり、これが
平面鏡１５で反射され、その反射光１６が再びレンズ１
３を通過し半導体レーザ９へ戻り光として帰還される光
学系が基本構成であり、これは第１図で示した光学系と
同等である。この時、Ｗ面鏡１５の設置角度を変化させ
ることにより、半導体レーザ９の片端面１０上への光帰
還位置を変化させた時に、半導体レーザ９の特性を観察
するために４つの光学系が付加されている。
示す。第２図において、半導体レーザ９の共振器片端面
１ｏ上にある発光部１１から出射したレーザ光１２はレ
ンズ１３でコリメートされて平行光１４となり、これが
平面鏡１５で反射され、その反射光１６が再びレンズ１
３を通過し半導体レーザ９へ戻り光として帰還される光
学系が基本構成であり、これは第１図で示した光学系と
同等である。この時、Ｗ面鏡１５の設置角度を変化させ
ることにより、半導体レーザ９の片端面１０上への光帰
還位置を変化させた時に、半導体レーザ９の特性を観察
するために４つの光学系が付加されている。
まず第一に、半導体レーザの出射端面１０における近視
野像及び反射戻り光位置をモニターする光学系があり、
半導体レーザ光１４の一部を半透鏡１７により反射光１
８として取り出し、望遠光学系を構成するレンズ１９に
より、半導体レーザ端面１ｏを拡大してテレビカメラ２
０上に結像し、その像ヲモニターテレビ２１により観察
する。このような光学系を付加することにより、従来不
明確であった半導体レーザへの反射戻り光の位置を明確
に知ることが可能となる。
野像及び反射戻り光位置をモニターする光学系があり、
半導体レーザ光１４の一部を半透鏡１７により反射光１
８として取り出し、望遠光学系を構成するレンズ１９に
より、半導体レーザ端面１ｏを拡大してテレビカメラ２
０上に結像し、その像ヲモニターテレビ２１により観察
する。このような光学系を付加することにより、従来不
明確であった半導体レーザへの反射戻り光の位置を明確
に知ることが可能となる。
第二に、半導体レーザ発光位置と空間的に一対一に対応
する位装置にピンホールを有した検知器を６１、−、、
’ 配置することにより、半導体レーザ発光部への戻り光量
を定量的にモニターする。すなわち反射戻り光１６の一
部を半透鏡１７の裏面を用いてレーザ光２２を取り出し
、これをレンズ２３でピンホール２４上に結像し、その
直後に配置された検知器２６で検出する（ここではシリ
コンピンホトダイオードを用いた）。このような光学系
を付加することにより従来半定量的に求められていた半
導体レーザへの帰還光量を定量的におさえることが可能
となる。
する位装置にピンホールを有した検知器を６１、−、、
’ 配置することにより、半導体レーザ発光部への戻り光量
を定量的にモニターする。すなわち反射戻り光１６の一
部を半透鏡１７の裏面を用いてレーザ光２２を取り出し
、これをレンズ２３でピンホール２４上に結像し、その
直後に配置された検知器２６で検出する（ここではシリ
コンピンホトダイオードを用いた）。このような光学系
を付加することにより従来半定量的に求められていた半
導体レーザへの帰還光量を定量的におさえることが可能
となる。
第三として、分光器を用いて発振縦モードスペクトルを
観察する。平行光とされた半導体レーザ光１４の一部を
半透鏡２６によりレーザ光２７として取り出し、レンズ
２８により単一モードファイバ２９に結合する。ファイ
バ２９を導波したレーザ光は分光器３ｏの出射スリット
位置に配置されたテレビカメラ３１により検出され、モ
ニタテレビ３２により、スペクトルの変化が観察される
。
観察する。平行光とされた半導体レーザ光１４の一部を
半透鏡２６によりレーザ光２７として取り出し、レンズ
２８により単一モードファイバ２９に結合する。ファイ
バ２９を導波したレーザ光は分光器３ｏの出射スリット
位置に配置されたテレビカメラ３１により検出され、モ
ニタテレビ３２により、スペクトルの変化が観察される
。
第四番目として、半導体レーザ出力の変化及び雑音スペ
クトル特性を観察する。すなわち半導体レーザ光１４の
一部を半透鏡３３によりレーザ光３４を取り出し、レン
ズ３５により検知器３６上に結像する。ここでは検知器
３６としてシリコンアバランシェホトダイオードを用い
た。検出された信号は増１１１器３７で増巾された後、
スペクトルアナライザ３８により雑音スペクトルが観察
される。
クトル特性を観察する。すなわち半導体レーザ光１４の
一部を半透鏡３３によりレーザ光３４を取り出し、レン
ズ３５により検知器３６上に結像する。ここでは検知器
３６としてシリコンアバランシェホトダイオードを用い
た。検出された信号は増１１１器３７で増巾された後、
スペクトルアナライザ３８により雑音スペクトルが観察
される。
以上のように基本光学系以外に４つの光学系を付加する
ことにより、１）光帰還位置を明確におさえ、１１）半
導体レーザへの帰還光量を定量的にモニターＬ １ｉｉ
） 半４体レーザの縦モードスペクトル、及びｉｖ）半
導体レーザの出力及び雑音スペクトルを観察することが
可能となるわけである。
ことにより、１）光帰還位置を明確におさえ、１１）半
導体レーザへの帰還光量を定量的にモニターＬ １ｉｉ
） 半４体レーザの縦モードスペクトル、及びｉｖ）半
導体レーザの出力及び雑音スペクトルを観察することが
可能となるわけである。
以下に第２図に示した光学系による実験結果を示すが、
実験においては、まず光帰還位置を変化させるために平
面鏡１６の設置角度を変化させ、また帰還光量を変化さ
せるために、アッテネータ３９を用いた。第３図に半導
体レーザ出射端面パターン、発振縦モードスペクトル及
び雑音スペクトルの様子を示すが、（、）光帰還がない
時、（ｂ）発光中心部へ光帰還した時、（ｃ）発光中心
部に隣接したクラッド層へ光帰還した時である。またこ
こで示すデータは（、）の光帰還のない時にスレッショ
ルド電流Ｉｔｈが２４ ｍＡの埋め込み型半導体レーザ
を用いたもので、駆動電流はＩｔｈの１．２５倍で実験
を行なった。光帰還がない時に、第３図（ａ−１）で示
すような近視野像をもつ半導体レーザの発振スペクトル
は、（−−２）のように縦モードの単一性は強いが、い
くつかの副モードを有している。
実験においては、まず光帰還位置を変化させるために平
面鏡１６の設置角度を変化させ、また帰還光量を変化さ
せるために、アッテネータ３９を用いた。第３図に半導
体レーザ出射端面パターン、発振縦モードスペクトル及
び雑音スペクトルの様子を示すが、（、）光帰還がない
時、（ｂ）発光中心部へ光帰還した時、（ｃ）発光中心
部に隣接したクラッド層へ光帰還した時である。またこ
こで示すデータは（、）の光帰還のない時にスレッショ
ルド電流Ｉｔｈが２４ ｍＡの埋め込み型半導体レーザ
を用いたもので、駆動電流はＩｔｈの１．２５倍で実験
を行なった。光帰還がない時に、第３図（ａ−１）で示
すような近視野像をもつ半導体レーザの発振スペクトル
は、（−−２）のように縦モードの単一性は強いが、い
くつかの副モードを有している。
また雑音スペクトル特性は（ａ−３）に示すように平担
である。このような特性の半導体レーザに（ｂ−１）の
ように発光の中心部ヘレーザ光を帰還するとスペクトル
は必ず（ｂ−２）で示すようなマルチモード発振となり
、また雑音スペクトルにおいては（ｂ−３）で示すよう
な反射雑音が観察される。（ｂ−３）においては約３０
０１１４に反射雑音ピークを有するが、これは第２図で
示した半導体レーザ端面１０と反射鏡１６間の距離が約
６０（７）であり、この距離をρで表わした時、Ｃ／２
２（Ｃは光速）に対応するものである。またこの時光帰
還のない時の半導体レーザ出力に対して、発光部への帰
還光量比は−４，６ｄＥであり、スレッショルド電流は
光帰還のない時に２４ｍＡであったものが１８．５ｍＡ
に低下している。
である。このような特性の半導体レーザに（ｂ−１）の
ように発光の中心部ヘレーザ光を帰還するとスペクトル
は必ず（ｂ−２）で示すようなマルチモード発振となり
、また雑音スペクトルにおいては（ｂ−３）で示すよう
な反射雑音が観察される。（ｂ−３）においては約３０
０１１４に反射雑音ピークを有するが、これは第２図で
示した半導体レーザ端面１０と反射鏡１６間の距離が約
６０（７）であり、この距離をρで表わした時、Ｃ／２
２（Ｃは光速）に対応するものである。またこの時光帰
還のない時の半導体レーザ出力に対して、発光部への帰
還光量比は−４，６ｄＥであり、スレッショルド電流は
光帰還のない時に２４ｍＡであったものが１８．５ｍＡ
に低下している。
上記とほぼ同等の条件、すなわち帰還光量比を−ａ、ｏ
ｄＢとし、帰還位置を（Ｃ−１）Ｔ示すようにクラッド
層へずらすと、スレッショルド電流が１８．０ ｍＡで
あることから、この場合も光帰還の効果があることは明
らかであるが、にもかかわらず、縦モードスペクトルは
（Ｃ−２）に示すように副モードの極めて抑圧された単
一モード発振となり、また（Ｃ−３）で示す如く、通常
観測される反射雑音は全く現われなくなる。また反射雑
音について特に詳しいデータを第４図に示す。これは第
３図の（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）について約３０
０Ｍ近傍における半導体レーザの相対雑音強度を示した
図である。（、）光帰還のない時に比べて（ｂ）の発光
中心部へ帰還した時には約１５ｄＢ程度雑音は増加して
しまうが、（Ｃ）のようにクラッド層へ光帰還を行なう
と、半導体レーザの出力増加の為むしろ約６１０７、−
ジ ｄＢ程度改善される。
ｄＢとし、帰還位置を（Ｃ−１）Ｔ示すようにクラッド
層へずらすと、スレッショルド電流が１８．０ ｍＡで
あることから、この場合も光帰還の効果があることは明
らかであるが、にもかかわらず、縦モードスペクトルは
（Ｃ−２）に示すように副モードの極めて抑圧された単
一モード発振となり、また（Ｃ−３）で示す如く、通常
観測される反射雑音は全く現われなくなる。また反射雑
音について特に詳しいデータを第４図に示す。これは第
３図の（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）について約３０
０Ｍ近傍における半導体レーザの相対雑音強度を示した
図である。（、）光帰還のない時に比べて（ｂ）の発光
中心部へ帰還した時には約１５ｄＢ程度雑音は増加して
しまうが、（Ｃ）のようにクラッド層へ光帰還を行なう
と、半導体レーザの出力増加の為むしろ約６１０７、−
ジ ｄＢ程度改善される。
すなわち従来では、半導体レーザへの光帰還は常に半導
体レーザの発光中心部へ行なわれており、そのため、雑
音増加を引き起こしたり、またその帰還位置が明確にお
さえられていないため、その発振特性が不安定であった
のであるが、本発明のように、半導体レーザへの戻り光
の帰還位置の中心を発光位置の中心と一致させることな
く近接するように帰還することで、非常に安定した、縦
単一モード発振を行ない、雑音が全く増加しない半導体
レーザ光源を得ることができるのである。
体レーザの発光中心部へ行なわれており、そのため、雑
音増加を引き起こしたり、またその帰還位置が明確にお
さえられていないため、その発振特性が不安定であった
のであるが、本発明のように、半導体レーザへの戻り光
の帰還位置の中心を発光位置の中心と一致させることな
く近接するように帰還することで、非常に安定した、縦
単一モード発振を行ない、雑音が全く増加しない半導体
レーザ光源を得ることができるのである。
第５図に本発明の一実施例として光ファイバと結合した
半導体レーザモジュールを示す。半導体レーザ４ｏの片
側共振器端面４１内にある発光位置４２から出射したレ
ーザ光４３はレンズ４４でコリメートされ平行光４５と
なり平面鏡４６により反射される。この時平行光４５と
平行な半導体レーザ４０の光軸４７と、平面鏡４６によ
る反射光４８は平行にならないように平面鏡４６をセッ
トする。反射光４８はレンズ４４により収れん光４９表
なりＪ（揚器端面４１土の、発光位置４２と１は異なる
位置５０に結像される。このように戻り光を半導体レー
ザへ帰還することにより、縦１ｊ、 −モード発振しか
つ反射雑音をもたない光源となるわけで、半導体レーザ
モジー−ルとするために、もう一方の共振器端面５１か
らの出射レーザ光５２をテーパ先球加工を行なったファ
イバ５３で結合を行なう。
半導体レーザモジュールを示す。半導体レーザ４ｏの片
側共振器端面４１内にある発光位置４２から出射したレ
ーザ光４３はレンズ４４でコリメートされ平行光４５と
なり平面鏡４６により反射される。この時平行光４５と
平行な半導体レーザ４０の光軸４７と、平面鏡４６によ
る反射光４８は平行にならないように平面鏡４６をセッ
トする。反射光４８はレンズ４４により収れん光４９表
なりＪ（揚器端面４１土の、発光位置４２と１は異なる
位置５０に結像される。このように戻り光を半導体レー
ザへ帰還することにより、縦１ｊ、 −モード発振しか
つ反射雑音をもたない光源となるわけで、半導体レーザ
モジー−ルとするために、もう一方の共振器端面５１か
らの出射レーザ光５２をテーパ先球加工を行なったファ
イバ５３で結合を行なう。
発明の効果
以−にのように本発明による光帰還型半導体レーザ装置
は、従来のように発光中心位置へ光を帰還すると発生す
る反！？１′雑音を全く持たずに、捷だ一般に戻り光に
より引き起こされる７、４モード等の発振特性の不安定
もなく、極めて安定な縦単一モード発振スペクトルを有
する光源となるのである。
は、従来のように発光中心位置へ光を帰還すると発生す
る反！？１′雑音を全く持たずに、捷だ一般に戻り光に
より引き起こされる７、４モード等の発振特性の不安定
もなく、極めて安定な縦単一モード発振スペクトルを有
する光源となるのである。
このような光源は通常の光通信用の光源として、例えば
雑音の影響の大きいアナログ伝送用に用いるなり、光ヘ
テロゲイン検波を行なう際の信号光源２局部発振光源と
して使用することも考えられる。また光ディスクにおい
て反射戻り光にＪ：すＳｌＮ比が劣化してしすうような
光学系への光源としても適応出来るものである。
雑音の影響の大きいアナログ伝送用に用いるなり、光ヘ
テロゲイン検波を行なう際の信号光源２局部発振光源と
して使用することも考えられる。また光ディスクにおい
て反射戻り光にＪ：すＳｌＮ比が劣化してしすうような
光学系への光源としても適応出来るものである。
第１図は光帰還型半導体レーザの構成を示す図、第２図
は本発明の有効性を示すために行なった実験光学系の概
略図、第３図は第２図の光学系を用いて戻り光の帰還位
置を変化させた時の半導体レーザの特性を示す図、第４
図は半導体レーザの相対雑音強度の戻り光帰還位置依存
性を示す図、第５図は光帰還型半導体レーザを用いた本
発明の一実施例の光通信用モジー−ルの概略図である。 ９・・・・・・半導体レーザ、１ｏ、５１・・・・・・
半導体レーザ共振器端面、１１・・・・・・半導体レー
ザ発光部、１２．４３．５２・・・・・・出射レーザ光
、１３・・・・・・コリメート用レンズ、１４・・・・
・・レーザ光、１６１４６・・・・・反射体（ここでは
平面鏡）、１６・・・・・・戻り光（反射光）、１７，
２６．３３・・・・・・半透鏡、１８゜２２．２７・・
・・・・レーザ光。 化１里人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
３図 第４図 す昂偵驚だ、蔓ｒヒ（ｄＢ］ 第５図
は本発明の有効性を示すために行なった実験光学系の概
略図、第３図は第２図の光学系を用いて戻り光の帰還位
置を変化させた時の半導体レーザの特性を示す図、第４
図は半導体レーザの相対雑音強度の戻り光帰還位置依存
性を示す図、第５図は光帰還型半導体レーザを用いた本
発明の一実施例の光通信用モジー−ルの概略図である。 ９・・・・・・半導体レーザ、１ｏ、５１・・・・・・
半導体レーザ共振器端面、１１・・・・・・半導体レー
ザ発光部、１２．４３．５２・・・・・・出射レーザ光
、１３・・・・・・コリメート用レンズ、１４・・・・
・・レーザ光、１６１４６・・・・・反射体（ここでは
平面鏡）、１６・・・・・・戻り光（反射光）、１７，
２６．３３・・・・・・半透鏡、１８゜２２．２７・・
・・・・レーザ光。 化１里人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
３図 第４図 す昂偵驚だ、蔓ｒヒ（ｄＢ］ 第５図
Claims (1)
- 半導体レーザからの出射レーザ光の少なくとも一部が、
前記半導体レーザの外部に配置した反射器端面での前記
出射レーザ光の発光位置の中心と、ｉ’＋ｊｌ記戻り光
の位置の中心を一致させることなく近接するように前記
戻り光を前記半導体レーザへ帰還することを特徴とする
光帰還型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199215A JPS5988888A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199215A JPS5988888A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988888A true JPS5988888A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH032353B2 JPH032353B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=16404044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199215A Granted JPS5988888A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988888A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4785462A (en) * | 1985-09-18 | 1988-11-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Dynamically one-mode semiconductor laser |
| US4789881A (en) * | 1987-04-20 | 1988-12-06 | General Electric Company | Low coherence optical system having reflective means |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57199215A patent/JPS5988888A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4785462A (en) * | 1985-09-18 | 1988-11-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Dynamically one-mode semiconductor laser |
| US4789881A (en) * | 1987-04-20 | 1988-12-06 | General Electric Company | Low coherence optical system having reflective means |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032353B2 (ja) | 1991-01-14 |
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