JPS5911548A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
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- JPS5911548A JPS5911548A JP57119772A JP11977282A JPS5911548A JP S5911548 A JPS5911548 A JP S5911548A JP 57119772 A JP57119772 A JP 57119772A JP 11977282 A JP11977282 A JP 11977282A JP S5911548 A JPS5911548 A JP S5911548A
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- light
- light emitting
- emitting point
- laser
- semiconductor laser
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0656—Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単−縦モード半導体レーザを用いた光ピツクア
ップ装置に関するものである。
ップ装置に関するものである。
従来から、単−縦モード半導体レーザでは、素子端面か
ら放射でれた光が外部の反射面で反射して出射端面へ帰
還すると、一定電流でレーザ素子を駆動しても光出力が
変動し、信号再生などの場合にはこれが光雑音となって
良好な信号を検出することが困難となることが知られて
いる。
ら放射でれた光が外部の反射面で反射して出射端面へ帰
還すると、一定電流でレーザ素子を駆動しても光出力が
変動し、信号再生などの場合にはこれが光雑音となって
良好な信号を検出することが困難となることが知られて
いる。
このため、光通信や光デイスク再生装置など半纏体レー
ザを光学情報処理に利用する場合には、帰還光による半
導体レーザ雑音の発生を防ぐために偏光分離などの手段
によって半導体レーザ素子へ極力光が戻らないようにし
ていた。しかし、帰還光量を完全に零にすることは実際
には不可能であり、また光学部品の精度、組立精度など
のばらつきによって半導体レーザへの帰還光量が出射光
量の０．１％程度になると、光雑音が急激に増加してし
まう。したがって半導体レーザへの帰還光量を極力少な
くして半導体レーザの光雑音を抑制する使用法は、部品
精度や組立精度が非常に厳しく々るという欠点があった
。
ザを光学情報処理に利用する場合には、帰還光による半
導体レーザ雑音の発生を防ぐために偏光分離などの手段
によって半導体レーザ素子へ極力光が戻らないようにし
ていた。しかし、帰還光量を完全に零にすることは実際
には不可能であり、また光学部品の精度、組立精度など
のばらつきによって半導体レーザへの帰還光量が出射光
量の０．１％程度になると、光雑音が急激に増加してし
まう。したがって半導体レーザへの帰還光量を極力少な
くして半導体レーザの光雑音を抑制する使用法は、部品
精度や組立精度が非常に厳しく々るという欠点があった
。
第１図（ａ）は従来の光デイスク再生用ピックアップ光
学系の基本構成を示したものである。半導体レーザ１の
発光点８から放射されたレーザ光をカップリング２で平
行光として、開光プリズム３および１／４波長板４を通
過させた後、絞りこみレンズ５によりディスク上の反射
面６上で光ス、ｊｆット９に絞りこむ。この反射面から
の反射光は再び絞りこみレンズ５および１／４ｅ長板４
を通過し、偏光プリズム３によって横にけりだされて光
検出器７に達して電気信号に変換される。
学系の基本構成を示したものである。半導体レーザ１の
発光点８から放射されたレーザ光をカップリング２で平
行光として、開光プリズム３および１／４波長板４を通
過させた後、絞りこみレンズ５によりディスク上の反射
面６上で光ス、ｊｆット９に絞りこむ。この反射面から
の反射光は再び絞りこみレンズ５および１／４ｅ長板４
を通過し、偏光プリズム３によって横にけりだされて光
検出器７に達して電気信号に変換される。
従来、この揮の光ピツクアップ装置では１／４波長板４
と偏光プリズム３の組みあわせによって、原理上はディ
スクからの反射光が半導体レーザへは戻らないようにし
ている。すなわち、第１図（ｂ）に示す如く、直線偏光
している半導体レーザからの出射光は偏波面を１／４波
長板の結晶軸に対して４５°の角度をなして入射させる
ことによシ、１／４波長板通過後のレーザ光は円偏光に
なる。
と偏光プリズム３の組みあわせによって、原理上はディ
スクからの反射光が半導体レーザへは戻らないようにし
ている。すなわち、第１図（ｂ）に示す如く、直線偏光
している半導体レーザからの出射光は偏波面を１／４波
長板の結晶軸に対して４５°の角度をなして入射させる
ことによシ、１／４波長板通過後のレーザ光は円偏光に
なる。
このレーザ光が反射面で反射し、再び１／４波長板を通
過すると、最初の偏光方向とは偏波面が９０°回転した
直７腺ｌＶなる。９０°偏光方向が異なる光は偏光プリ
ズムを透過せずに反射するために、半導体レーザへは戻
らなくなる。しかし、光学部品の精度、組立精度または
光学的異方性（複屈折）などにより微少ではあるが発光
点８にレーザ光が帰還することは避けられない。たとえ
ば第１図（ａ）でディスクの反射面６からの反射光が偏
光プリズム３で光検出器７へ最大に導かれるように調整
したとき、光検出器側と半導体レーザへ分配でれる比率
を２００対１、半導体レーザ１とカップリングレンズ２
の結合効率η、すなわち半導体レーザの前方に出射はれ
た全光量に対するカップリングレンズ通過後の光量比を
２５％、反射面の反射率を８０％そして、光ビームが絞
り込みレンズを往復する際の光効率を８０％とすると、
半導体レーザの前方への出射光の０．０８〜０．１％程
度の光が発光点８ａへ戻ることになる。この程度の戻υ
光量によっても単−縦モード半導体レーザは光雑音を発
生して信号再生を妨害する。
過すると、最初の偏光方向とは偏波面が９０°回転した
直７腺ｌＶなる。９０°偏光方向が異なる光は偏光プリ
ズムを透過せずに反射するために、半導体レーザへは戻
らなくなる。しかし、光学部品の精度、組立精度または
光学的異方性（複屈折）などにより微少ではあるが発光
点８にレーザ光が帰還することは避けられない。たとえ
ば第１図（ａ）でディスクの反射面６からの反射光が偏
光プリズム３で光検出器７へ最大に導かれるように調整
したとき、光検出器側と半導体レーザへ分配でれる比率
を２００対１、半導体レーザ１とカップリングレンズ２
の結合効率η、すなわち半導体レーザの前方に出射はれ
た全光量に対するカップリングレンズ通過後の光量比を
２５％、反射面の反射率を８０％そして、光ビームが絞
り込みレンズを往復する際の光効率を８０％とすると、
半導体レーザの前方への出射光の０．０８〜０．１％程
度の光が発光点８ａへ戻ることになる。この程度の戻υ
光量によっても単−縦モード半導体レーザは光雑音を発
生して信号再生を妨害する。
本発明の目的は単−縦モード半導体レーザの光雑音の発
生を抑制し、良好なＳ／Ｎを有する光ピツクアップ装置
を提供することにある。
生を抑制し、良好なＳ／Ｎを有する光ピツクアップ装置
を提供することにある。
前述のとおシ、屈折率導波型の半導体レーザにおいては
、素子への帰還光量が光雑音レベルに密接に関係してい
る。
、素子への帰還光量が光雑音レベルに密接に関係してい
る。
出願人がいろいろな半導体レーザで帰還光量と光雑音の
関係を詳しく測定したところ、雑音レベルは帰還光量に
対して単調増加ではなく、ある帰還光量においてピーク
をもつという事実を発見した。この−例を第２図に示す
。横軸は帰還光量率すなわち半導体レーザの端面あたり
の全出射光量に対する素子発光点への帰還光量の割合を
示す。
関係を詳しく測定したところ、雑音レベルは帰還光量に
対して単調増加ではなく、ある帰還光量においてピーク
をもつという事実を発見した。この−例を第２図に示す
。横軸は帰還光量率すなわち半導体レーザの端面あたり
の全出射光量に対する素子発光点への帰還光量の割合を
示す。
縦軸はレーザ光を光検出器で観測した場合、直流出力を
１とした時の帯域幅ＩＨｚあたりの相対雑音強度を表わ
す。言い換えれば相対雑音強度１ｏ−１ｍとは１０ＫＨ
２帯域幅で測定した場合のＳ／Ｎ９０ｄＢに相当する。
１とした時の帯域幅ＩＨｚあたりの相対雑音強度を表わ
す。言い換えれば相対雑音強度１ｏ−１ｍとは１０ＫＨ
２帯域幅で測定した場合のＳ／Ｎ９０ｄＢに相当する。
測定は５００ＫＪ４Ｚの帯域で、屈折率導波型の単−縦
モード半導体レーザを光出力３ｍＷ一定の１ま素子温度
を２０Ｃ〜６０Ｃまで変化させて行ない、第２図はその
時の最大雑音レベルをプロットしたものである。
モード半導体レーザを光出力３ｍＷ一定の１ま素子温度
を２０Ｃ〜６０Ｃまで変化させて行ない、第２図はその
時の最大雑音レベルをプロットしたものである。
この結果によれば、雑音のピークは帰還光量率が０．１
％付近にあり、これ以上帰還光量率を増加させると雑音
は逆に減少する。このため、帰還光量率を少々くするの
ではなく、１％以上まで増加させ、ピークの右側で半導
体レーザを使用することにより、雑音の発生を小さくす
ることができる。
％付近にあり、これ以上帰還光量率を増加させると雑音
は逆に減少する。このため、帰還光量率を少々くするの
ではなく、１％以上まで増加させ、ピークの右側で半導
体レーザを使用することにより、雑音の発生を小さくす
ることができる。
第３図（ａ）および（ｂ）に０．１％帰還および２％帰
還時に、横軸に温度をとった場合の相対雑音強度の変化
のようすを示す。２％程度の光帰還により雑音強度の変
動が０．１％帰還時に比べ１０ｄＢ以上小さく彦９、雑
音低減に効果のあることがわかる。
還時に、横軸に温度をとった場合の相対雑音強度の変化
のようすを示す。２％程度の光帰還により雑音強度の変
動が０．１％帰還時に比べ１０ｄＢ以上小さく彦９、雑
音低減に効果のあることがわかる。
この雑音の低減効果はレーザへ光帰還によってレーザ光
のコヒーレンシイが低下することによるものと考えられ
る。
のコヒーレンシイが低下することによるものと考えられ
る。
以上のような光帰還によシ半導体レーザの光雑音を低減
させることを目的として、以前出願人はレーザ光を射出
された点と同一の発光点に戻す構造をもった光ピツクア
ップ装置を提案した。
させることを目的として、以前出願人はレーザ光を射出
された点と同一の発光点に戻す構造をもった光ピツクア
ップ装置を提案した。
本発明は、これに対し、通常２つの発光点をもつ半導体
レーザにおいて射出された発光点とは異なるもう一方の
発光点ヘビーザ光を注入することをｔ￥ｊ徴としている
。なお注入光量は単一発光点あたりの全射出光量に対し
て１％相当以上が適当である。
レーザにおいて射出された発光点とは異なるもう一方の
発光点ヘビーザ光を注入することをｔ￥ｊ徴としている
。なお注入光量は単一発光点あたりの全射出光量に対し
て１％相当以上が適当である。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第４図はレーザ光の発光点への注入を半透過鏡１１ａお
よび反射鏡１３ａ、１３ｂ、および１３ｃを用いて行な
っている実施例である。半導体レーザ１の一方の発光点
８ａから射出されたレーザ光はコリメートレンズ２ａに
より平行光となシ、半透過鏡１１ａに入射し、ディスク
の反射面６方向へ向かう光束と反射鏡１３ｃへ向かう光
束に分けられる。ディスクの方向へ向かった光は、第１
図の従来のピックアップと同様に偏光プリズム３および
１／４波長板４を通過後、絞シこみレンズ５によりディ
スク６上で光スポット９を形成する。
よび反射鏡１３ａ、１３ｂ、および１３ｃを用いて行な
っている実施例である。半導体レーザ１の一方の発光点
８ａから射出されたレーザ光はコリメートレンズ２ａに
より平行光となシ、半透過鏡１１ａに入射し、ディスク
の反射面６方向へ向かう光束と反射鏡１３ｃへ向かう光
束に分けられる。ディスクの方向へ向かった光は、第１
図の従来のピックアップと同様に偏光プリズム３および
１／４波長板４を通過後、絞シこみレンズ５によりディ
スク６上で光スポット９を形成する。
ディスクからの反射光は再び１／４波長板を通過するこ
とによシ光の偏光方向が最初とは９０’変化して主光検
出器７の方向へけりだされ、主光検出器によシディスク
上の情報が電気信号に変換される。一方、半透過鏡１１
ａにより反射鏡１３ｃの方向へ反射てれた光束は、反射
鏡１３ｃ、１３ｂ。
とによシ光の偏光方向が最初とは９０’変化して主光検
出器７の方向へけりだされ、主光検出器によシディスク
上の情報が電気信号に変換される。一方、半透過鏡１１
ａにより反射鏡１３ｃの方向へ反射てれた光束は、反射
鏡１３ｃ、１３ｂ。
１３ａの順にリレーされ、レンズ２ｂにより絞りこ°ま
れて、半導体レーザのもう一方の発光点８ｂに注入され
る。一方、発光点８ｂから射出されたレーザ光は、レン
ズ２ｂにより平行光となり、反射鏡１３ａ、１３ｂ、１
３ｃによるリレーによって半透過鏡１１ａにより、レン
ズ２ａ方向とモニタ用光検出器１２の方向への光束に分
離される。
れて、半導体レーザのもう一方の発光点８ｂに注入され
る。一方、発光点８ｂから射出されたレーザ光は、レン
ズ２ｂにより平行光となり、反射鏡１３ａ、１３ｂ、１
３ｃによるリレーによって半透過鏡１１ａにより、レン
ズ２ａ方向とモニタ用光検出器１２の方向への光束に分
離される。
レンズ２ａに入射したレーザ光は絞りこまれて、発光点
８ａに注入てれる。以上のように光学系を構成すること
により、発光点８ａからのレーザ光を８ｂに、発光点８
ｂからのレーザ光を８３に各各注入でき、レーザ雑音の
低減効果を得ることができる。ここで例えばレンズ２ａ
および２ｂと半導体レーザ１との結合効率が双方とも２
５％、半透過鏡の反射率と透過率が各々共に５０％であ
る場合には、発光点８ａおよび８ｂには各発光点の発光
光量に対して約１２％程度の光が注入されることになる
。半透過鏡１１ａおよび反射鏡１３ａ。
８ａに注入てれる。以上のように光学系を構成すること
により、発光点８ａからのレーザ光を８ｂに、発光点８
ｂからのレーザ光を８３に各各注入でき、レーザ雑音の
低減効果を得ることができる。ここで例えばレンズ２ａ
および２ｂと半導体レーザ１との結合効率が双方とも２
５％、半透過鏡の反射率と透過率が各々共に５０％であ
る場合には、発光点８ａおよび８ｂには各発光点の発光
光量に対して約１２％程度の光が注入されることになる
。半透過鏡１１ａおよび反射鏡１３ａ。
１３ｂ、１３ｃの反射率を変化させることにより、注入
光量を変化させ、また、ディスクへの信号光量を増加さ
せることも可能であるが、注入光量は１％以上とするこ
とが必要である。
光量を変化させ、また、ディスクへの信号光量を増加さ
せることも可能であるが、注入光量は１％以上とするこ
とが必要である。
なおモニタ用光検出器１２はレーザ１の発光量をモニタ
して光出力を一定に保つための自動出力制御（ＡＤＣ）
用に用いるものである。
して光出力を一定に保つための自動出力制御（ＡＤＣ）
用に用いるものである。
本実施例では比較的少ない部品構成によって実現でき、
かつ光の利用効率も比較的高くできるという利点がある
。
かつ光の利用効率も比較的高くできるという利点がある
。
第５図は光学系を２枚の反射鏡１３ａ、１３ｂ。
および半透過鏡１１ｂおよび１／２波長板１０などによ
って構成している実施例である。
って構成している実施例である。
発光点８ａから射出されたレーザ光は第１図の光学系と
全く同様にディスク６で反射し、１／４波長板４によっ
て偏光方向が変化し、偏光プリズム３によって横にけり
だされる。この光束は半透過＠ｌｌｂに入射し、一部は
そのまま透過して主光検出器７へ導かれ、ディスク上の
情報が電気信号に変換される。一方、半透過鏡１１ｂで
反射された光束は１／２波長板１０によって光の偏光方
向を９０°変化はせて、半導体レーザ１の偏光方向と同
じ方向に戻している。１／２波長板１０を通過後の光束
は反射鏡１３ｂ、１３ａによりリレーされてレンズ２ｂ
により発光点８ｂに注入される。一方、発光点８ｂから
の光は、これと全く逆の経路、すなわち、発光点８ｂ→
レンズ２ｂ→反射鏡１３ ａ、１３ｂ−＝１／２彼長板
１０→半透過鏡→偏光プリズム→１／４波長板４→絞り
こみレンズ５→反射面６→絞シこみレンズ５→絞りこみ
レンズ４→偏光プリズム３→レンズ２ａを経て発光点８
ａへ注入される。
全く同様にディスク６で反射し、１／４波長板４によっ
て偏光方向が変化し、偏光プリズム３によって横にけり
だされる。この光束は半透過＠ｌｌｂに入射し、一部は
そのまま透過して主光検出器７へ導かれ、ディスク上の
情報が電気信号に変換される。一方、半透過鏡１１ｂで
反射された光束は１／２波長板１０によって光の偏光方
向を９０°変化はせて、半導体レーザ１の偏光方向と同
じ方向に戻している。１／２波長板１０を通過後の光束
は反射鏡１３ｂ、１３ａによりリレーされてレンズ２ｂ
により発光点８ｂに注入される。一方、発光点８ｂから
の光は、これと全く逆の経路、すなわち、発光点８ｂ→
レンズ２ｂ→反射鏡１３ ａ、１３ｂ−＝１／２彼長板
１０→半透過鏡→偏光プリズム→１／４波長板４→絞り
こみレンズ５→反射面６→絞シこみレンズ５→絞りこみ
レンズ４→偏光プリズム３→レンズ２ａを経て発光点８
ａへ注入される。
ここでレーザ１とレンズ２ａおよび２ｂの結合効率を２
５％、半透過鏡１１ｂの透過率と反射率のが各々５０％
、ディスクの反射率を８０％、絞シこみレンズ５を光束
が往復する際の効率を８０％とすると、発光点８ａおよ
び８ｂには約８％程度の光が注入きれる。なお、半透過
鏡１１ｂの透過率と反射率の比を変化させることにより
、注入光量と信号光量の比を変化させることも可能であ
る。また１／４波長板４の結晶軸と入射光の偏波面のな
す角を正規の４５°からずらすことにより、発光点８ａ
からの射出光を発光点８ａと８ｂ、発光点８ｂからの射
出光を発光点８ｂと８ａにそれぞれ撮り分けて注入する
ことも可能である。しかしいずれの場合も各発光点への
注入光量は発光点の発光量に対して１％以上とすること
が望ましい。
５％、半透過鏡１１ｂの透過率と反射率のが各々５０％
、ディスクの反射率を８０％、絞シこみレンズ５を光束
が往復する際の効率を８０％とすると、発光点８ａおよ
び８ｂには約８％程度の光が注入きれる。なお、半透過
鏡１１ｂの透過率と反射率の比を変化させることにより
、注入光量と信号光量の比を変化させることも可能であ
る。また１／４波長板４の結晶軸と入射光の偏波面のな
す角を正規の４５°からずらすことにより、発光点８ａ
からの射出光を発光点８ａと８ｂ、発光点８ｂからの射
出光を発光点８ｂと８ａにそれぞれ撮り分けて注入する
ことも可能である。しかしいずれの場合も各発光点への
注入光量は発光点の発光量に対して１％以上とすること
が望ましい。
本実施例では第４図の実施例に比べて、注入光の通る光
路長を長くとることができるため、注入光量が比較的少
なくてもレーザ光のコヒーレンシイが低下しやすぐなり
、雑音の低減効果がより著しく彦るという利点がある。
路長を長くとることができるため、注入光量が比較的少
なくてもレーザ光のコヒーレンシイが低下しやすぐなり
、雑音の低減効果がより著しく彦るという利点がある。
第６図は、偏光素子を用いず、２つの半透過プリズムｌ
ｌａ、ｌｌｂと２つの反射鏡１３ａ。
ｌａ、ｌｌｂと２つの反射鏡１３ａ。
１３ｂなどにより光学系を構成した実施例を示す。
発光点８ａからの光は、発光点８ａ→レンズ２ａ→半透
過ｆＪ１１ａ→絞りこみレンズ５→ディスク６→絞りこ
みレンズ５→半透過鏡１１ａ→牛透過鏡１１ｂ→反射鏡
１３ｂ、１３ａ→レンズ２ｂを経て発光点８ｂに注入さ
れる。なお同時に発光点８ａからの光は半透過鏡１１ａ
によって発光点８ａに帰還されるものおよび半透過鏡１
１ｂにより主光検出器７に導かれるものもある。一方、
発光点８ｂからのレーザ光は逆の経路を経て一部は発光
点８ａに注入され、他の一部は主光検出器７に導かれ、
また他の一部は発光点８ｂＫ帰還される。
過ｆＪ１１ａ→絞りこみレンズ５→ディスク６→絞りこ
みレンズ５→半透過鏡１１ａ→牛透過鏡１１ｂ→反射鏡
１３ｂ、１３ａ→レンズ２ｂを経て発光点８ｂに注入さ
れる。なお同時に発光点８ａからの光は半透過鏡１１ａ
によって発光点８ａに帰還されるものおよび半透過鏡１
１ｂにより主光検出器７に導かれるものもある。一方、
発光点８ｂからのレーザ光は逆の経路を経て一部は発光
点８ａに注入され、他の一部は主光検出器７に導かれ、
また他の一部は発光点８ｂＫ帰還される。
ここで半透過鏡１１ａおよびｌｌｂの透過率と反射率が
等しく各々５０％、他の光学系の光効率は第５図の実施
例の場合と等しいものとすると、発光点８ａから射出は
れた光の約２％が発光点８ｂに注入きれ、約４％が発光
点８ａに帰還される。一方、発光点８ｂから射出された
光の約２％が発光点８ａに注入され約１％が発光点８ｂ
に帰還される。したがって双方の発光点の発光量が等し
いと仮定し、各々の発光点へ注入される光量を加えあわ
せると発光点８ａには約６％、発光点８ｂには約３％相
当の光量が注入される。
等しく各々５０％、他の光学系の光効率は第５図の実施
例の場合と等しいものとすると、発光点８ａから射出は
れた光の約２％が発光点８ｂに注入きれ、約４％が発光
点８ａに帰還される。一方、発光点８ｂから射出された
光の約２％が発光点８ａに注入され約１％が発光点８ｂ
に帰還される。したがって双方の発光点の発光量が等し
いと仮定し、各々の発光点へ注入される光量を加えあわ
せると発光点８ａには約６％、発光点８ｂには約３％相
当の光量が注入される。
本実施例では偏光素子を用いていない為、ディスクの複
屈折性によるレーザへの注入光量の変動や、光検出器へ
の信号光蓋の変動を受けにくいという利点を有する。
屈折性によるレーザへの注入光量の変動や、光検出器へ
の信号光蓋の変動を受けにくいという利点を有する。
本発明は、以上説明したように光ピツクアップ装置にお
いて、光源の半導体レーザの片方または両方の発光点か
ら射出されたレーザ光を射出された発光点とは異なるも
う一方の発光点へ注入させること罠より、半導体レーザ
のコヒーレンシイヲ低下させることができるため、半導
体レーザの光雑音を抑制させ、その結果、ディスクより
良質な信号を検出することができる。
いて、光源の半導体レーザの片方または両方の発光点か
ら射出されたレーザ光を射出された発光点とは異なるも
う一方の発光点へ注入させること罠より、半導体レーザ
のコヒーレンシイヲ低下させることができるため、半導
体レーザの光雑音を抑制させ、その結果、ディスクより
良質な信号を検出することができる。
第１図（ａ）（ｂ）は従来の光ピツクアップの構成を説
明する図、第２図は半導体レーザへの帰還光量とレーザ
雑音レベルの関係を示す図、第３図（ａ）（ｂ）は光帰
還による雑晋低減効果を示す図、第４図、第５図、第６
図は本発明の実施例を示す図である。
明する図、第２図は半導体レーザへの帰還光量とレーザ
雑音レベルの関係を示す図、第３図（ａ）（ｂ）は光帰
還による雑晋低減効果を示す図、第４図、第５図、第６
図は本発明の実施例を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、互いに反対方向にレーザ光を射出する２つの発光点
を有する単−縦モード半導体レーザと、該半導体レーザ
からの、少なくとも一方の光ビームを光分配素子を介し
て所定の反射面上に絞りこむ光学手段と、上記反射面か
らの反射光を上記光分配素子を介して受光する光検出器
とからなる光ピツクアップ装置において、上記半導体レ
ーザの少なくとも一方の発光点から射出されたレーザ光
を、所定光量だけ射出された発光点とは異なるもう一方
の発光点へ注入する光注入手段を具備することを特徴と
する光ピツクアップ装置。 ２、上記光注入手段は、単一発光点からの全射出光量の
１％以上の光量を上記発光点に注入する特許請求の範囲
第１項記載の光ピツクアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119772A JPS5911548A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119772A JPS5911548A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911548A true JPS5911548A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14769821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119772A Pending JPS5911548A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911548A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0593370A1 (en) * | 1992-10-16 | 1994-04-20 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for laser noise cancellation in an optical storage system using a front facet monitor signal |
| WO1997032373A1 (de) * | 1996-03-01 | 1997-09-04 | Agfa-Gevaert Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zum betrieb einer laserdiode |
| WO1998001858A1 (en) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Zen Research N.V. | Apparatus and methods for providing non-coherent laser illumination for multi-track reading apparatus |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP57119772A patent/JPS5911548A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0593370A1 (en) * | 1992-10-16 | 1994-04-20 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for laser noise cancellation in an optical storage system using a front facet monitor signal |
| WO1997032373A1 (de) * | 1996-03-01 | 1997-09-04 | Agfa-Gevaert Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zum betrieb einer laserdiode |
| WO1998001858A1 (en) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Zen Research N.V. | Apparatus and methods for providing non-coherent laser illumination for multi-track reading apparatus |
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