JPS5989409A - 気相反応用反応性気体 - Google Patents
気相反応用反応性気体Info
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- JPS5989409A JPS5989409A JP57199896A JP19989682A JPS5989409A JP S5989409 A JPS5989409 A JP S5989409A JP 57199896 A JP57199896 A JP 57199896A JP 19989682 A JP19989682 A JP 19989682A JP S5989409 A JPS5989409 A JP S5989409A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、１モノ保以下の酸素または酸化物の混入し
たシランに、フッ素またはフッ化水素をシランに対し帆
１〜２０チ、好ましくは１〜１０％の温度に混入せしめ
た反応性気体であることを目的としている。
たシランに、フッ素またはフッ化水素をシランに対し帆
１〜２０チ、好ましくは１〜１０％の温度に混入せしめ
た反応性気体であることを目的としている。
この発明は、かかるフッ素またはフッ化水素（以下単に
フッ素という）を混入させたシランをプラズマ気相法（
ｐ ｃ Ｖ Ｄという）寸たは減圧気相法（ＩＪＰＣＶ
Ｄという）により、基板の被形成面上に非単結晶半導体
膜を形成せしめたことを目的とする０ こノ発明は、アモルファスまたは結晶性が一部寸たは全
部に含む非単結晶半導体であって、かかる半導体中に酸
化物特に酸化珪素（Ｓ ｉ Ｏ，一般にはＳ ｉ Ｏ，
）が混入して、その電気伝導度および５ｉ−ＯＨ結合が
混入して電気伝導度の特性劣化をおこすことを防ぐこと
により、高電気伝導度を有しかつ特性の劣化をともなわ
ない半導体を形成することを目的としている。
フッ素という）を混入させたシランをプラズマ気相法（
ｐ ｃ Ｖ Ｄという）寸たは減圧気相法（ＩＪＰＣＶ
Ｄという）により、基板の被形成面上に非単結晶半導体
膜を形成せしめたことを目的とする０ こノ発明は、アモルファスまたは結晶性が一部寸たは全
部に含む非単結晶半導体であって、かかる半導体中に酸
化物特に酸化珪素（Ｓ ｉ Ｏ，一般にはＳ ｉ Ｏ，
）が混入して、その電気伝導度および５ｉ−ＯＨ結合が
混入して電気伝導度の特性劣化をおこすことを防ぐこと
により、高電気伝導度を有しかつ特性の劣化をともなわ
ない半導体を形成することを目的としている。
従来かかる気相法（Ｐ ＣＶ ＤまたはＬＰＯＶＤ法を
総称する）においては、反応装置のごく微量酸素のリー
クによる反応炉内への混入、ステンレス酸等内壁に付着
している水、酸素との反応による酸化珪素の発生および
かかる酸化珪素の１耳コン半導体膜への混入によシその
電気特性が十分なものではなかった。
総称する）においては、反応装置のごく微量酸素のリー
クによる反応炉内への混入、ステンレス酸等内壁に付着
している水、酸素との反応による酸化珪素の発生および
かかる酸化珪素の１耳コン半導体膜への混入によシその
電気特性が十分なものではなかった。
加えて高圧容器（ボンベともいう）中にシランを充填す
る際、この初期のボンベ内に残存する吸着水により、ボ
ンベ内では酸化珪素が発生し、このボンベ内に残存する
酸化珪素極微粉もシランとともに反応炉内を飛翔して、
シリコン半導体中に酸化物または水酸化物を作ってしま
っていた。そしてこの酸化物および水酸化物はその混入
酸素が一般的ニ１０〜３Ｘ１０ ｃｒｒ；’も半導体
中に混入してしまい、結果として０．１〜２％もの濃度
になってしまっていた。さらにその伝導か十分でないと
ともに前記した装置のリーク等によりさらに多くの酸素
がシリコン半導体中に混入してしまっていた。
る際、この初期のボンベ内に残存する吸着水により、ボ
ンベ内では酸化珪素が発生し、このボンベ内に残存する
酸化珪素極微粉もシランとともに反応炉内を飛翔して、
シリコン半導体中に酸化物または水酸化物を作ってしま
っていた。そしてこの酸化物および水酸化物はその混入
酸素が一般的ニ１０〜３Ｘ１０ ｃｒｒ；’も半導体
中に混入してしまい、結果として０．１〜２％もの濃度
になってしまっていた。さらにその伝導か十分でないと
ともに前記した装置のリーク等によりさらに多くの酸素
がシリコン半導体中に混入してしまっていた。
本発明はかかる特性低下および劣化の主原因である酸素
をとシ除くことを目的としている。
をとシ除くことを目的としている。
そのため本発明はシラン（Ｓ１ａやのモノシランまたは
Ｓ ｉ ｎ ＨＬ、、、 ｎ２２のポリシラン）中にフ
ッ素または純水素の気体を混入せしめ、このフッ素によ
りシラン中の脱水を行なわしめ、反応生成物である非単
結晶シリコン中ＫＳｉＯｘまたはＳ ｉ（ＯＨ）、で表
わされる酸化珪素または水酸化珪素を除去せしめること
を特徴としている。
Ｓ ｉ ｎ ＨＬ、、、 ｎ２２のポリシラン）中にフ
ッ素または純水素の気体を混入せしめ、このフッ素によ
りシラン中の脱水を行なわしめ、反応生成物である非単
結晶シリコン中ＫＳｉＯｘまたはＳ ｉ（ＯＨ）、で表
わされる酸化珪素または水酸化珪素を除去せしめること
を特徴としている。
即ち、酸素の電気Ｐｉ 、１１度が３．０であるのに対
し、それより大きい３．５の電気１’ｉＬｉ度を有する
フッ素を適量添加せしめることにより、脱水反応（脱酸
素反応と変えてもよい〕を行なわしめることを目白りと
している。
し、それより大きい３．５の電気１’ｉＬｉ度を有する
フッ素を適量添加せしめることにより、脱水反応（脱酸
素反応と変えてもよい〕を行なわしめることを目白りと
している。
以下に図面に従ってその実施例を示す。
実施例１
第１図は本発明に用いられたＰＣ！ＶＤ装置の概要を示
す。
す。
図面において被形成面を有する基板（１）は２捷い対を
なし、各対を離間（３〜１０ｃｍ）ｊ；て反応性気体の
流れにそうようにしてホルダーα９）Ｋ保持されている
。反応炉（２）は上部下部に赤外線ヒータ（礼（９）を
有し、基板（１）を加熱している。反応性気体はふき出
し口（３）より排気口（８）Ｋ上方より下方に基板表面
れ、基板の近傍の空間で反応性気体をプラズマ化して被
形成面上に非単結晶半導体膜を形成している。
なし、各対を離間（３〜１０ｃｍ）ｊ；て反応性気体の
流れにそうようにしてホルダーα９）Ｋ保持されている
。反応炉（２）は上部下部に赤外線ヒータ（礼（９）を
有し、基板（１）を加熱している。反応性気体はふき出
し口（３）より排気口（８）Ｋ上方より下方に基板表面
れ、基板の近傍の空間で反応性気体をプラズマ化して被
形成面上に非単結晶半導体膜を形成している。
反応炉の出し入れは予備室を有し、炉内に大気が混入す
るのを防いでいる。即ち基板ホルダーは予備室α・に配
置し、バルブ（ハ）を開は真空ポンプ（ハ）によシ真空
にした後、反応炉内にゲート弁を開けて導入せしめる。
るのを防いでいる。即ち基板ホルダーは予備室α・に配
置し、バルブ（ハ）を開は真空ポンプ（ハ）によシ真空
にした後、反応炉内にゲート弁を開けて導入せしめる。
ドーピング系（イ）は流量計０″Ｉ）、バルブθ→を有
している。
している。
この図面では水素希釈のジボランＱ］）、水素希釈のフ
オスヒンＱ→、水素またはへリュームのキャリアガス（
ハ）を有している。シランはボンベ＠ニ充填され、圧力
調整器（ハ）をへてバルブ（ハ）よりＨｘｚニー；され
ている。
オスヒンＱ→、水素またはへリュームのキャリアガス（
ハ）を有している。シランはボンベ＠ニ充填され、圧力
調整器（ハ）をへてバルブ（ハ）よりＨｘｚニー；され
ている。
かかるＰＣＶＤ装置において、電気エネルギ（４）を加
えない場合はＬＰＯＶＤとなる。
えない場合はＬＰＯＶＤとなる。
かくして反応炉を真空引をし、十分配管を含めて真空引
（ＩＸＩＯｔｏｒｒ以下）をした後、フッ素の混入した
シランを（ハ）より反応炉内に導入した。
（ＩＸＩＯｔｏｒｒ以下）をした後、フッ素の混入した
シランを（ハ）より反応炉内に導入した。
温度を２５０°Ｃ１反応炉内圧力をＯ，１ｔｏｒｒとし
、電気エネルギとして１ａｗを加えた。基板はここでは
１０ ｃ ｍｂが１６まい４ｃｍの間隙をへて配置され
ている。
、電気エネルギとして１ａｗを加えた。基板はここでは
１０ ｃ ｍｂが１６まい４ｃｍの間隙をへて配置され
ている。
シランを３０ｃｃ／９でフッ素／シランを５係とすると
フッ素ｕ１．５ｃｃＺ分とする）を導入した。
フッ素ｕ１．５ｃｃＺ分とする）を導入した。
すると反応炉内では第２図に示される反応式がおこり、
結果として形成される非単結晶半導体中に酸素はｌＸｌ
０ ｃｍ以下、好まし７くは１×１０〜ｌＸｌ０
ｃｍ Ｋまで下げることができた。これを赤外線吸収ス
ペクトルまたは工ＭＡ（イオン・マイクロφアナライザ
）により検出せしめた。
結果として形成される非単結晶半導体中に酸素はｌＸｌ
０ ｃｍ以下、好まし７くは１×１０〜ｌＸｌ０
ｃｍ Ｋまで下げることができた。これを赤外線吸収ス
ペクトルまたは工ＭＡ（イオン・マイクロφアナライザ
）により検出せしめた。
４止１暮水卓。
第２図においてＩつ／Ｉ本ｔｔＡ’ （３０）（３１）
である。結果として非単結晶シリコンが水素を含有して
、また一部には従来のフッ素を含有して形成せしめるこ
とができた。
である。結果として非単結晶シリコンが水素を含有して
、また一部には従来のフッ素を含有して形成せしめるこ
とができた。
この時一般にフッ素がない場合、式（３２）、（３段、
（３すの反応もおき、結果としてこの反応生成物中にＳ
ｉＯよ（一般的には５ｉＣ１ｘ）が混入してしまう。加
えて式（３３）（３４）の中途の反応がおきるため、５
ｉ−ＯＨ） も同時に多量に混入してしまうことが判明した。
（３すの反応もおき、結果としてこの反応生成物中にＳ
ｉＯよ（一般的には５ｉＣ１ｘ）が混入してしまう。加
えて式（３３）（３４）の中途の反応がおきるため、５
ｉ−ＯＨ） も同時に多量に混入してしまうことが判明した。
しかしこの反応式に式（３１）Ｋ示される如くフッ素を
混入ぜしめると、フッ素またはフッ化水素は式（３５）
（３６）に示される如く、Ｓｉｎ、を脱水せしめ、珪
素の酸化物または水酸化物の反応を禁止することができ
ることがわかった。
混入ぜしめると、フッ素またはフッ化水素は式（３５）
（３６）に示される如く、Ｓｉｎ、を脱水せしめ、珪
素の酸化物または水酸化物の反応を禁止することができ
ることがわかった。
さらにこの反応はＳ １％を反応性気体として用いるの
ではなく、フッ素（りまたはフッ化水素（ＨＦ）である
ことが重要であシ、シラン系の１〜３０Ｗのは式（３５
）（３６）より明らかに化学的に安定なＳ １％は二次
生成物であることより明らかである。
ではなく、フッ素（りまたはフッ化水素（ＨＦ）である
ことが重要であシ、シラン系の１〜３０Ｗのは式（３５
）（３６）より明らかに化学的に安定なＳ １％は二次
生成物であることより明らかである。
かくしてフッ素またはフッ化水素を添加することにより
、反応生成物中に酸化物または水酸化物素の添加範囲は
第３図に示す曲線（３ηに囲まれた斜線領域（３８）が
最適であった。
、反応生成物中に酸化物または水酸化物素の添加範囲は
第３図に示す曲線（３ηに囲まれた斜線領域（３８）が
最適であった。
は脱酸素反応を期待することができなかった。またフッ
素の添加量を２０チ以上にすることも可能であるが、あ
まり多いと配管系または反応炉がエツチングされやすく
、その結果金属不純物が入りやすいプ杜め２０％壕で好
ましくは１〜ｌｏ係が最適であった。
素の添加量を２０チ以上にすることも可能であるが、あ
まり多いと配管系または反応炉がエツチングされやすく
、その結果金属不純物が入りやすいプ杜め２０％壕で好
ましくは１〜ｌｏ係が最適であった。
この反応生成物を作る温度も２５０”Ｏではなく１５０
〜３００’Ｃにおいてはこの４１九′が好ましがった。
〜３００’Ｃにおいてはこの４１九′が好ましがった。
しかし５００〜’７００”Ｃと高温になると、単なるＬ
ＰＯＶＤでよく、電気エネルギは不要であった。
ＰＯＶＤでよく、電気エネルギは不要であった。
シランを前記したモノシランではなく、ポリシラン（例
えばＳｊｉ穆を用いた場合はＬＰＯＶＤは３００〜５０
０ｔ′Ｃで可能であった。その際のフッ素は１〜１０％
添加することが有効であった。
えばＳｊｉ穆を用いた場合はＬＰＯＶＤは３００〜５０
０ｔ′Ｃで可能であった。その際のフッ素は１〜１０％
添加することが有効であった。
第４図はガラス基板上ＫＯ０５μの半導体層を平行電極
を設けて電気伝導度特性を調べたものである。第４図は
特に本発明方法のフッ素またはフッ化水素を添加した特
性（４４）〜０８）およびフッ素またはフッ化水素の添
加を全く行なっていない場合の特性（３９）〜（４３）
を示したものである。
を設けて電気伝導度特性を調べたものである。第４図は
特に本発明方法のフッ素またはフッ化水素を添加した特
性（４４）〜０８）およびフッ素またはフッ化水素の添
加を全く行なっていない場合の特性（３９）〜（４３）
を示したものである。
図面において領域（岬は暗伝導度を示し、１０’（−Ｑ
−Ｃｍ）のオーダの値を有している。ことＫ ＡＭＩ（
ｌｏｏｍＷ／ｃｍ’）を領域（５■にて照射すると、従
来は曲線（４０）に示す如＜ ｌＸｌ０ （ｎｃｍ）を
有しかつ２オーダと約１桁も大きく、さらに連続光の照
射にて曲線（４５）Ｋみられる如くほとんどその劣化か
みられなかった。
−Ｃｍ）のオーダの値を有している。ことＫ ＡＭＩ（
ｌｏｏｍＷ／ｃｍ’）を領域（５■にて照射すると、従
来は曲線（４０）に示す如＜ ｌＸｌ０ （ｎｃｍ）を
有しかつ２オーダと約１桁も大きく、さらに連続光の照
射にて曲線（４５）Ｋみられる如くほとんどその劣化か
みられなかった。
さらに領域（５１）においてその照射後の暗伝導度も従
来例では（３９）、（４１） ｆｆｉ １桁の劣化かみ
られるが本発明においては（４４）（４６）は偵ｌの範
囲で同一であノ つだ。
来例では（３９）、（４１） ｆｆｉ １桁の劣化かみ
られるが本発明においては（４４）（４６）は偵ｌの範
囲で同一であノ つだ。
さらに１５０”Ｏの加熱を行なうと、従来例では曲線（
４１）が（４２）となシ、→ｄ−ｔ）の特性向上変化が
あシその後領域（５つにて光照射を行なうと曲線（４３
）と曲線（４０）の如く再び劣化特性がみられる。即ち
従来例ではかくの如くに電気伝導度が（５３）Ｋ示され
る如く小さく、かつ光照射によ沙劣化特性がみられる。
４１）が（４２）となシ、→ｄ−ｔ）の特性向上変化が
あシその後領域（５つにて光照射を行なうと曲線（４３
）と曲線（４０）の如く再び劣化特性がみられる。即ち
従来例ではかくの如くに電気伝導度が（５３）Ｋ示され
る如く小さく、かつ光照射によ沙劣化特性がみられる。
しかし本発明においては、電気伝導度が（５４）の如く
大きく、かつ光照射の有無、熱アニールの有無で特性の
劣化がほとんど観察されなかった。
大きく、かつ光照射の有無、熱アニールの有無で特性の
劣化がほとんど観察されなかった。
ここに第１図に示される如くドーピング系にてホウ素を
１０〜５Ｘ’ｌＯｃｍ代表的には２×１０〜１×１０Ｃ
ｍ’混入させることによシ、このホウ素が変化をもさら
に完全に除去することができた。
１０〜５Ｘ’ｌＯｃｍ代表的には２×１０〜１×１０Ｃ
ｍ’混入させることによシ、このホウ素が変化をもさら
に完全に除去することができた。
第５図は第４図における従来例の光劣化特性（Ｐｈｏｔ
ｏ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｅｆｆｅｃｔ以下Ｐ工Ｅという、
これはステズラーロンスキ効果ともいわれている）の原
理および本発明による特性酸（の原理を示したものであ
る。
ｏ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｅｆｆｅｃｔ以下Ｐ工Ｅという、
これはステズラーロンスキ効果ともいわれている）の原
理および本発明による特性酸（の原理を示したものであ
る。
向。
即ち（Ａ）はＩ■ギｆ ｒｌ 中ｖｃＹ４との結合が
あると、この部分ではＳｉＯを作るため電気伝導を劣化
させる。このため第４図（５３）（４９）が作られる。
あると、この部分ではＳｉＯを作るため電気伝導を劣化
させる。このため第４図（５３）（４９）が作られる。
さ）
０Ｈ基によるスピン（５％（５６）を逆向きに有してい
るため、特にこの５ｉ−ＯＨＫより電気伝導に大きな変
化はない。しかし第４図曲線（４０）（４りにみられる
如く光特に紫外線照射を行なうと、その一方の５ｉ−Ｏ
Ｈ基の向きがかわる。そのグイボール（双極子）が（５
７）のように合わさり、結果として犬き販 な電子またはホールとしてのｙ乱中心がおきる。
るため、特にこの５ｉ−ＯＨＫより電気伝導に大きな変
化はない。しかし第４図曲線（４０）（４りにみられる
如く光特に紫外線照射を行なうと、その一方の５ｉ−Ｏ
Ｈ基の向きがかわる。そのグイボール（双極子）が（５
７）のように合わさり、結果として犬き販 な電子またはホールとしてのｙ乱中心がおきる。
このため電気伝導度が曲線（４０） （４りの如くにそ
の照ン 対量に従って指数関数的に減少していく。これは１５０
°Ｃ以上の熱処理で再び熱（免ＩＢ）になるため、曲線
（４３）の光照射のｈｉＡ４１ｇは（５３）Ｋ概略一致
する。
の照ン 対量に従って指数関数的に減少していく。これは１５０
°Ｃ以上の熱処理で再び熱（免ＩＢ）になるため、曲線
（４３）の光照射のｈｉＡ４１ｇは（５３）Ｋ概略一致
する。
この可逆性のくりかえしがおきるため、特性の劣化がさ
れる。このモデルは本発明人ＶＣよってなされたもので
あり、現在フィジカル・レビューもレター社に投稿中で
ある。
れる。このモデルは本発明人ＶＣよってなされたもので
あり、現在フィジカル・レビューもレター社に投稿中で
ある。
さらに本発明に示す如く、フッ素またはフッ化水素を添
加すると、第５図（Ｄ）に示す如く、酸素を全くまたは
ほとんど除去できると同時に、その珪素の不対結合手の
中和に水素およびフッ素が寄与するため、第４図（５４
）Ｋ示す如く、その電気伝導度を向上せしめるとともＫ
、Ｅ！１−ＯＨ基の可逆過でも残存する場合、第５図（
Ｅ）Ｖｃ示す如く、三（、Ｆのホウ素と５ｉ−ＯＨとが
第５図ＣＦ） Ｋ示す如く混合し、Ｂ−０−８＠合によ
り５ｉ−ＯＨ基の存在を禁止することができた。その結
果、電気特性の伝導度の向上をさらにはかることができ
た。
加すると、第５図（Ｄ）に示す如く、酸素を全くまたは
ほとんど除去できると同時に、その珪素の不対結合手の
中和に水素およびフッ素が寄与するため、第４図（５４
）Ｋ示す如く、その電気伝導度を向上せしめるとともＫ
、Ｅ！１−ＯＨ基の可逆過でも残存する場合、第５図（
Ｅ）Ｖｃ示す如く、三（、Ｆのホウ素と５ｉ−ＯＨとが
第５図ＣＦ） Ｋ示す如く混合し、Ｂ−０−８＠合によ
り５ｉ−ＯＨ基の存在を禁止することができた。その結
果、電気特性の伝導度の向上をさらにはかることができ
た。
この実施例は第１図にみられる如く、ボンベ中特にボン
ベ内でボンベとフッ素が反応しないようにその内壁にボ
ンベの金属の窒化物または窒化珪素をコーティングした
。またはステンレスボンベクハ １１ を用い、その内壁をプラズマ水素１丁およびそれに加え
てプラズマやイ（勿ＩＹ−を施したものを用いた。
ベ内でボンベとフッ素が反応しないようにその内壁にボ
ンベの金属の窒化物または窒化珪素をコーティングした
。またはステンレスボンベクハ １１ を用い、その内壁をプラズマ水素１丁およびそれに加え
てプラズマやイ（勿ＩＹ−を施したものを用いた。
かくすることにより、フッ素を０６１〜２０％、残ジシ
ランという高濃度シランを１０〜３０ Ｋ ｇ／ｃ ｒ
ｎ’の高圧で充填することができ、かつその特性も１今
以上十分安定なものであった。
ランという高濃度シランを１０〜３０ Ｋ ｇ／ｃ ｒ
ｎ’の高圧で充填することができ、かつその特性も１今
以上十分安定なものであった。
この発明において１０４１４として高圧容器内にフッ素
またはフッ化水素を混合したシランを用いた。
またはフッ化水素を混合したシランを用いた。
しかし第１図においてＱ埠よシフッ素またはフッ化水素
またはこれらを水素またはヘリュー′ｌ−によ！ｌｌＯ
，１〜１０％に希釈して導入し、（ハ）よりはシランの
み導入し、ドーピング系にて混合させてもよい。
またはこれらを水素またはヘリュー′ｌ−によ！ｌｌＯ
，１〜１０％に希釈して導入し、（ハ）よりはシランの
み導入し、ドーピング系にて混合させてもよい。
第３図の特性はかくの如くにして調べることによりさら
にその精度を向上させることができる。
にその精度を向上させることができる。
本発明においてＰまたはＮ型の不純物を０．００１チ以
上混入させない真性のシリコン被膜を示した。
上混入させない真性のシリコン被膜を示した。
しかし■価またはＶ価の不純物をｔ１コ的に導入してＰ
またけＮ型の半導体を作ることも可能である。
またけＮ型の半導体を作ることも可能である。
またＣＨ，を同時に導入して、シリコンを主成分とする
５ｉｘＯ，−べ（０りｘど１）を作ることも可能である
。
５ｉｘＯ，−べ（０りｘど１）を作ることも可能である
。
またゲルマンを導入してシリコンを主成分とするＳ １
ｘＧｅ、−、（０＜ｘイ１）を作ることも可能である。
ｘＧｅ、−、（０＜ｘイ１）を作ることも可能である。
さらに本発明の非単結晶半導体を８１層したＰ工Ｎ構造
を有した光電変換装置または１ＧＦＥＴ 、集積回路ｌ
、狛；５：、７． ％ｌ′ｙイ１４ Ａ ＩＩｎ和、高
信頼性の半導体装置を実用化することができ、その工業
的価値は犬なるものである。
を有した光電変換装置または１ＧＦＥＴ 、集積回路ｌ
、狛；５：、７． ％ｌ′ｙイ１４ Ａ ＩＩｎ和、高
信頼性の半導体装置を実用化することができ、その工業
的価値は犬なるものである。
第１図は本発明に用いたＯＶＤ装置の概要を示す。
第２図は本発明に用いられた化学反応式を示す。
第３図は本発明に必要な適量な領域を示す。
第４図は本発明および従来例の電気伝導度の変化を示す
。 第５図は本発明および従来例における結合子配位の関係
を示す。 ＳｉＨ４□ Ｓｉ ＋２Ｈ１−−−（３０，）ＳＨＨ
４＋２Ｆ２ −−−−→ ＳＨ＋Ｆ！ＨＦ −
−−（３ｒ）５１）＋４＋０２ □５ｔｏ２＋２Ｈｚ
？ −−−（３２）０２ ”２ Ｋ −一→２
ＨｔＯｔ −−−ａ５＞５ｉＨ４＋２＋２ｏ
−一→５ＩＯａ ＋ ４Ｈ２Ｔ −−−（ｔす５
ｒＯ１＋２ｆｔ”２１４＊ −一今 Ｓｚ「４↑＋
２ｌ−１２０ｊ −−−（３５）５ＨＱＬ”’ｔＨ
Ｆ −一一う Ｓ；「ｄ＋２ＨｚＯｆ −−
−Ｃ９６）累２（２） 宅３【の ａ８開Ｃｋｒ） ￥４（！ｌ イブ７ ｓ、−ｅｒ−ｓ、・ −１１−１ ゜′ ５゜ ＣＥ） （Ａ） ＣＢ） （Ｃ） ＣＤ） ＄１−Ｂ＝＄ｉ ＄１ ＣＦ） 茗５（］
。 第５図は本発明および従来例における結合子配位の関係
を示す。 ＳｉＨ４□ Ｓｉ ＋２Ｈ１−−−（３０，）ＳＨＨ
４＋２Ｆ２ −−−−→ ＳＨ＋Ｆ！ＨＦ −
−−（３ｒ）５１）＋４＋０２ □５ｔｏ２＋２Ｈｚ
？ −−−（３２）０２ ”２ Ｋ −一→２
ＨｔＯｔ −−−ａ５＞５ｉＨ４＋２＋２ｏ
−一→５ＩＯａ ＋ ４Ｈ２Ｔ −−−（ｔす５
ｒＯ１＋２ｆｔ”２１４＊ −一今 Ｓｚ「４↑＋
２ｌ−１２０ｊ −−−（３５）５ＨＱＬ”’ｔＨ
Ｆ −一一う Ｓ；「ｄ＋２ＨｚＯｆ −−
−Ｃ９６）累２（２） 宅３【の ａ８開Ｃｋｒ） ￥４（！ｌ イブ７ ｓ、−ｅｒ−ｓ、・ −１１−１ ゜′ ５゜ ＣＥ） （Ａ） ＣＢ） （Ｃ） ＣＤ） ＄１−Ｂ＝＄ｉ ＄１ ＣＦ） 茗５（］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高圧容器内に充填せしめられた１モルに以下の酸素
または酸化物の混入したシランに、フッ素またはフッ化
水素を前記シランに対し０．１〜２０係の濃度に混合せ
しめた反応性気体よりなることを特徴とする気相反応用
反応性気体。 ２、特許請求の範囲第１項において、シランはＳ Ｉ
Ｈ４またはＳ ｉ ｎ ＆、Ｊｎ ＞ ２）よりなるこ
とを特徴とする気相反応用反応性気体。 ３、特許請求の範囲第１項において、高圧容器はステン
レス−ｔたは金属望化物′または窒化珪素の内壁コーテ
ィングがなされた金属容器よシなることを特徴とする気
相反応用反応性気体０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199896A JPS5989409A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 気相反応用反応性気体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199896A JPS5989409A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 気相反応用反応性気体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989409A true JPS5989409A (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=16415402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199896A Pending JPS5989409A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 気相反応用反応性気体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989409A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107551A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Amorphous semiconductor having chemical modification |
| JPS57153428A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | High-pressure vessel for manufacturing semiconductor and its use |
| JPS57170520A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | High-pressure cylinder for fabrication of semiconductor film and its application |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57199896A patent/JPS5989409A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107551A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Amorphous semiconductor having chemical modification |
| JPS57153428A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | High-pressure vessel for manufacturing semiconductor and its use |
| JPS57170520A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | High-pressure cylinder for fabrication of semiconductor film and its application |
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