JPS599093A - 通電画像記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、通電画像記録材料の画像形成方法に関するも
のであり、詳細には、特定の還元可能な金属化合物を含
有している通電画像記録材料に電荷流入させることによ
って、潜像を形成させ、形成された潜像を現像する方法
におりる電荷注入方式に関するものである。

近年において新規な画隊記録プロセスの開発ならびに従
来の両像記録プロセスの改良に関し、大きな研究開発の
努力が払われている。

特定の画像記録材料の内部に電流を通過させることによ
って、その画像記録材料に画像を形成させる画像形成プ
ロセスは公知であり、これに関しては種々の研究がある
が熱現像材料を用いたものとして、特開昭５１−６３６
２１号に記載されている方法がある。

それによれば熱現像画像記録相月を強い′電界のもとに
おき電荷をこの記録材料層の厚み方向に像状パターンに
従って貫通せしめて潜像を形成させ、しかる後、均一に
加熱することによって、画像をを得ることができる。

しかしながら、特開昭５１−１−５３６２１号に記載の
方法は該記録材料の面に直角に電荷を貫通させるため、
作用電極および対電極を該記録材料層の両面に而してそ
れぞれ接触せしめ該記録桐材と心気的に接続良せる必要
がある。

従って、実際の記録装置においては、装宥中に設けられ
た対電極に画（象記録相料を載１べし、作用電極で画像
記録方法を走査することによ−）で、通電記録すること
となり記録用のＺ１電極及び作用′曲極から成る電極対
は、装置中に大きな部位を占めることとなる。更にまた
、この方式によれば実質上絶縁性の画像形成層および／
あるいは、支持体層を貫通して電荷を通過させるために
数ＫＶの低圧を必要としている。

そのため、一方Ｃはこのような商市圧を必要とぜず、よ
り１戊社圧で潜像形成かり能な画像形成飼料に関する研
死開発が行なわれてきた。例えば特開昭５３−２３６３
５号に記載されているように、画像記録桐料として、直
元可能な金属化合物と共にベンズトリアゾール誘導体を
含有させて、繭重記録１鐸の゛４電注をあげ、更にこれ
を、長面が４妊注の支持体（−クリとして酸化インジウ
ムをポリエチレンテレフタレートフィルム上に蒸着した
もの）に担持させることにより低電圧で画像記録を可能
にした技術がある。このものは作用電極あるいは対電極
としＣ作動する支持体＆面の導電性１脅が支持体および
画像記録層との間に位置するため、これと電気的接続を
得ることが容易でないという欠点を有している。

ここで、本発明において用いられている「作用電極」な
らびに「対電極」なる用語は、記録層に含まれている金
属塩を電気的に還元して、電極一記録層界面に潜像を形
成するとき、潜像が形成される側の電極を作用電極、こ
れに対向する電極を対電極とよぶ。

以上述べたように従来の方法に於ては電極対設置に不都
合があるので画像記録材料あるいは、画［象記録材料中
に設置された電極との電気的接続に関し又は、より平易
に【−気菌接続をとり得る改良が望まれている。

従って、本発明の目的は、通電画ｒ象記録材料にＪＩ屯
により満像を形成させる際に、より簡潔に該記録材料内
に通電ぜせる方法を提供することにある。

また本発明の曲の目的は熱現像性通゛６両１沫記録材料
に通電によりａ［象を形成させる際に装置及び操作的に
簡便に且つ該記録材料の形態に左右されることなく自由
に該記録材料の通′准画像記録層内に通電する方法を提
供することにある。

本発明の目的は、支持体上に還元可能な金属化合物を含
有する画像記録層を有する画像記録材料の該画像記録層
に像様に電荷を注入して潜像を作り、熱現像を行なう画
像記録方法において、作用電極および対電極を該画像記
録層の同一面側に配置層することを特徴とする通電画像
記録方法によって達成することができる。

問本発明に用いられる通電路画像記録材料或は熟現像性
通電画像記録材料は公知の該記録材料に採用されている
記録材料要素層の層構成に準じて構成される。

また本発明の実施態様として、上記還元可能な金属化合
物としては有機銀塩であることが好しく、また、上記画
像記録層に有機銀塩、還元剤および結合剤を含有するこ
とが好しい。捷／こ前記作用電極および対電極は、前記
画像記録層に関し、支持体とは反対側に位置させること
が好しい。

次に本発明の詳細な説明する。＋発明は曲′酸画像記録
相料に電荷を像様に通電し潜像を形成させ画像を生成す
る画像形成方法に属するが、従来の方法が、作用電極と
対電極を通電画像記録材料の通電画像記録層（以後単に
記録層と称する）の厚みを間に挾んで該記録層の両側に
対時させ、電荷を記録層の厚み方向に貫通させて与えて
いたことを排し、本発明は前記両電極を該記録層の同一
面側に近接並置して電荷が注入され適数させられる面に
夫々接触せしめ、該近接並置した両電極と記録層とが連
なった通電路を開通さぜ、該部位の記録層に電荷を通過
させて潜像を形成することから成るものであって更に熱
現像性通電画像記録材料へも流用できるものであり、通
電記録装置の簡易化、通電路像紀録口料の形態、用途の
自由化、生産性の向上に絶大な効果を発揮するものであ
る。

即ち本発明の利点として記録層と電極との１に気菌接続
を容易に得ることができること、必要ならば、通電記録
装置中に両電極を組込むことができ、その際、電極およ
びその電気的接続部分が簡易、小型化、低電圧化される
ことがあげられる。

更に別の利点は、通電路像記録材料において、基本的に
は支持体と記録層との間に作用電極あるいは対電極とし
て作動する導電性層が不溶となることである。もちろん
必要とあら歯、導電性層を支持体と記録層との間に設け
ることも可能である。

本発明の方法は万能型であり、しかも簡単である、本発
明の方法は、通電により潜像を形成し、熱現像により潜
像を可視化する熱現像性通電画像記録材料において、ま
た公知な球々の通電画像記録材料に適用できる。

通電により通電面像記録拐料に心浄を作るだめの様々な
装置が開発されてきたが本発明の方法１はこれらの装置
４に簡単に適用することができる。このような装置には
、帯電せしめたステンシル針又はスクリーングリッド調
整放電装置等が挙げられる。

本発明の方法は、また通電感Ｂを上昇させるような種々
の方法との組合せが可能である。このような列として、
特願昭５７−５９９７号記載の熱暁滓性通電画ｒ象記録
材料への訓電時に該記録層を高温にすることにより通′
屯感ＩＷを上昇せしめる方法、あるいＩｉまた、昭和５
７年５月６日付特計出願（発明の名称「両１（４）形成
方法」）に８己１戒され−Ｃいる熟視（象性通電画鐵記
録月利への通電時に両像記録層の含水率を平衡時のそれ
より高めることにより、通電感度を上昇せしめる方法等
である。

また本発明の画像形成方法には光導電体を用い−Ｃ通電
感度を上げることができる。光２４電体は無殿光導眠体
もしく（は有機光導電体のいずれであっても良い。光導
電体を組み合わせたものも捷だ有利に用いることができ
る。

本発明は、これらの公知な画像形成カ法に南効に適用で
きる。本発明の可能な実施形態としては、電極形状、お
よびその数によらず、また列記方法以外の方法において
も通電面像紀録杓利の四−面側に作用電極及び対電極か
ら成る電極対を接触ぜしめる方法によって実施できる。

これらの方法は、電極を該記録材料に単に接触せしめる
方法あるいはムばね等で押圧する方法等があるが、該記
録（４料とそれぞれの′電極との接触方法は当該技術分
野で公知の種々の方法が可能であり、又、これらを組合
わせて用いることも可能である。

尚本発明に於て通電画像記録材料及び熱現像性通電画像
記録材料は以後特別に区別する必要のない場合は共に単
に記録材料と略称する。また同様に両記録材料の通電画
像記録層も既に述べたように単に記録層と略称する。

本発明の方法に用いられる記録用電極の好ましい実施形
態は、少なくとも１つの作用電極と、少くとも１つの対
電極を同一平面上に有していて、記録材料に対し、一方
の面側に同時的な接触を可能としたものである。

このような画像記録方法においては、任意個数の作用電
極とつい電極との組合せ、およびそれらの種々の形状の
組合わせが可能であり、当該技術分野で公知の技術が適
用できる。但し、作用電極と対電極との間隔は、使用す
る記録材料およびその構成あるいは極間電圧により、上
限及び上限が設定されることは自明のことであろう。即
ち電極間の距離は、使用する電極間電圧による空間放電
を可能とする距離以Ｆであってはならないし、その電圧
は記録材料において潜像が形成されるに十分な電流が得
られるだけの電圧を必要とする。更にまた、記録層に対
する上積層即ち電極側に保護層等が設けられるときその
保護層の厚み方向の比抵抗は記録層の層方向の抵抗に比
し、十分に小さくなければならず、このとき上積層の層
方向の比抵抗は、記録層の層方向のそれに比し、十分に
犬きくなければならない。このように電極間距離は、記
録材料の作動抵抗並びに電極間の作動電圧に厳密に均合
うことが必要である。

尚前記した上積層及び記録層の比抵抗の制御は上積層の
素材と厚みを制御することによって充分に達成すること
ができる。

次に本発明に係る記録材料に用いられる水利について説
明する。

本発明に係る記録材料においては多数の還元可能な金属
化合物が有効に用いられる。代表的な金属化合物は有機
銀塩であり、このような有機銀塩としては無色、白色ま
たは淡色の銀塩であって、好ましくは潜像の存在下に温
度８０’Ｃ以上、好ましくは１００℃以上に加熱された
ときに還元剤と反応して銀像を生ずるものである。

本発明の画像形成方法における熱現像性通電画像記録材
料に用いられる有機銀塩としては、特公昭４３−４９２
号、同４４−２６５８２号同・１５−１．８４１６号、
同４５］２７（，１（１号、同４．５２２１８５弓、特
開Ｉｔｓ４９５２６２６号、同５２−３］７２８吋、１
１１１５２−１３７３２１号、同５２−１４１２２２冴
、同５３−３６２２４号、同５３３７６１０弓、米国特
許第３、３３０、６３３号、同第４，１６８，９８０号
゛ｑの各公報」・・よひ明細書中に記載されている化合
物、すなわち脂肪族カルボン酸の銀塩、例えばラウリン
酸銀、ミリスチン酸銀、パルミチン酸銀、ステアリン酸
銀、アラキドン酸銀、ベヘン酸銀など、芳香族カルボン
酸の銀塩、例えば安息外酸銀、フタル酸銀など、イミノ
基を有する有機化合物の銀塩、例えばベンゾトリアゾー
ル銀、サッカリン銀、フタラジノン銀、フタルイミド銀
など、メルカプト基またはチオン基を有する化合物の銀
塩、例えば２−メルカプトベンゾオキサゾール銀、メル
カプトオキサジアゾール銀、２−メルカプトベンゾチア
ゾール銀、２−メルカプトベンゾイミダゾール銀、３−
メルカプト−４−フェニル−１，２，４−トリアゾール
銀、その曲４−ヒドロキシ−６−メチル−１゜３．３ａ
＋７−テトラザイデン銀、５−メチル−７＝ヒドロキシ
−１，２，３，４，６−ペンタザインデン銀などが挙げ
られる。中でも例えばベンゾトリアアゾール類の銀塩の
ようなイミノ基を有する銀塩が好ましい。

ベンゾトリアゾール類の銀塩としては、１９すえばベン
ゾトリアゾール銀、例えばメチルベンゾトリアゾール銀
、ようなアルキル置換ベンゾトリアゾール銀、例えばブ
ロムーベンゾトリアゾール銀、クロルベンゾトリアゾー
ル銀のようなハロゲン置換ペンゾトリアゾール銀、列え
ば５−アセトアミドベンゾトリアゾール銀のようなアミ
ド置換ベンゾトリアゾール銀が挙げられ、また、書き一
般式〔■〕で表わされるニトロベンゾトリアゾール用お
よび下記一般式〔１■〕で表わされるベンゾトリアゾー
ル類が有利に使用できる。

式中、Ｒ１はニトロ基を表わし、Ｒ２およびＲ３は同一
でも異なっていてもよく、各々ハロゲン原子（（タリえ
ば塩素、臭素、沃素）、ヒドロキン基、スルホ基もしく
はその塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩、アンモニ
ウム塩）、カルボキシ基もしくはその塩（例えばナトリ
ウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩）、ニトロ基、ノ
アノ基、またはそれぞれ置換基を有してもよいカルバモ
イル基、スルファモイル基、アルキル基（例えばメチル
基、エチル基、プロピル基）、アルコキノ基（例えばメ
トキシ基、エトキシ基）、アリール基（例えばフェニル
基）もしくはアミン基を表わし、ｍは０〜２、ｎはＯ〜
１の整数を表わす。また、前記カルバモイル基の置換基
としては、例えばメチル基、エチル基、アセチル基等を
挙げることができ、スルファモイル基の置換基としては
、例えばメチル基、エチル基、アセチル基等を挙げるこ
とができ、アルキル基の置換基としては、例えばカルボ
キシ基、エトキシカルボニル基等を、アリール基の置換
基としては、例えばスルホ基、ニトロ基等を、アルコキ
ノ基の置換基としては、例えばカルボキシ基、エトキシ
カルボニル基を、およびアミノ基の置換基としては、例
えばアセチル基、メタンスルホニル基、ヒドロキシ基を
各々挙げることができる。

前記一般式〔■〕で表わされる化合物は少なくとも一つ
のニトロ基を有するベンゾトリアゾール誘導体の銀塩で
あり、その具体例としては、以下の化合物を挙げること
ができる。

例えば４−ニトロベンゾトリアゾール銀、５−ニトロベ
ンゾトリアゾール銀、５−ニトロ−６−クロルベンゾト
リアゾール銀、５−ニトロ−６−メチルベンゾトリアゾ
ール銀、５−ニトロ−６−メトキシベンゾトリアゾール
銀、５−ニトロ−７−フェニルベンゾトリアゾール銀、
４−ヒドロキシ−５−ニトロベンゾトリアゾール銀、４
−ヒドロキシ−７−ニトロベンゾトリアゾール銀、４−
ヒドロキシー５．７−ジニトロベンゾトリアゾール銀、
４−ヒドロキシ−５−ニトロ−６−クロルベンゾトリア
ゾール銀、４−ヒドロキシ−５−ニトロー６−メチルベ
ンゾトリアゾール銀、４−スルホー６−ニトロベンゾト
リアゾール銀、４−カルボキシ−６−ニトロベンゾトリ
アゾール銀、５−カルボキシ−６−ニトロベンゾトリア
ゾール銀、４−カルバモイル−６−ニトロベンゾトリア
ゾール銀、４−スルファモイルー６−ニトロベンゾトリ
アゾール銀、５−カルボキシメチル−６−ニトロベンゾ
トリアゾール銀、５−ヒドロキシカルボニルメトキシ−
６−ニトロベンゾトリアゾール銀、５−ニトロ−７−シ
アノベンゾトリアゾール銀、５−アミノ−６−ニトロベ
ンゾトリアゾール銀、５−ニトロ−７−（ｐ−ニトロフ
ェニル）ベンゾトリアゾール銀、５．７−ジニトロー６
−メチルベンゾトリアゾール銀、５．７−ジニトロ−６
−クロルベンゾトリアゾール銀、７−ジニトロ−６−メ
トキシベンゾトリアゾール銀などを挙げることができる
。

式中、Ｒ４はヒドロキシ基、スルホ基もしくはその塩（
例えばナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩）、
カルボキシ基もしくはその塩（例えばナトリウム塩、カ
リウム塩、アンモニウム塩）、置換基を有してもよいカ
ルバモイル基および置換基を有してもよいスルファモイ
ル基を表わし、Ｒ５はハロゲン原子（例えば塩素、臭素
、沃素）、ヒドロキシ基、スルホ基もしくはその塩（例
えばナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩）、カ
ルボキシ基もしくはその塩（例えばナトリウム塩、カリ
ウム塩、アンモニウム塩）、ニトロ基、シアノ基、また
は、それぞれ置換基を有しでもよいアルキル基（例えば
メチル基、エチル基、プロピル基）、アリール基（例え
ばフェニル基）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エ
トキシ基）もしくはアミノ基を表わし、ｐは０〜２の整
数を表わす。

また、前記Ｒ４におけるカルバモイル基の置換基として
は、例えばメチル基、エチル基、アセチル基等を挙げる
ことができ、スルファモイル基の置換基としでは、例え
ばメチル基、エチル基、アセチル基等を挙げることがで
きる。さらに前記Ｒ′におけるアルキル基の置換基とし
ては、例えばカルボキシ基、エトキノカルボニル基等を
、アリール基の置換基としては、例えばスルホ基、ニト
ロ基等を、アルコキシ基の置換基としては、例えばカル
ボキシ基、エトキシカルボニル基等を、およびアミノ基
の置換基としては、例えばアセチル基、メタンスルホニ
ル基、ヒドロキシ基等を各々挙げることができる。

前記一般式〔１１〕で表わされる有機銀塩の具体定とし
ては、以下の化合物を挙げることができる。

例えば４−ヒドロキンベンゾトリアゾール銀、５−ヒド
ロキシベンゾトリアゾール銀、４−スルホベンゾトリア
ゾール銀、５−スルホベンゾトリアゾール銀、ベンゾト
リアゾール銀−４−スルホン酸ナトリウム、ベンゾトリ
アゾール銀−５−スルホン酸ナトリウム、ベンゾトリア
ゾール銀−４−スルホン酸カリウム、ベンゾトリアゾー
ル銀−５−スルホン酸カリウム、ベンゾトリアゾール銀
−４−スルホン酸アンモニウム、ベンゾトリアゾール銀
−５−スルホン酸アンモニウム、４−カルボキシベンゾ
トリアゾール銀、５−カルボキシベンゾトリアゾール銀
、ベンゾトリアゾール銀−４−カルボン酸ナトリウム、
ベンゾトリアゾール銀−５−カルボン酸ナトリウム、ベ
ンゾトリアゾール銀−５−カルボン酸カリウムム、ベン
ゾトリアゾール銀−５−カルボン酸カリウム、ベンゾト
リアゾール銀−４−カルボン酸−アンモニウム、ベンゾ
トリアゾール銀−５−カルボン酸アンモニウム、５−カ
ルバモイルベンゾトリアゾール銀、４−スルファモイル
ベンゾトリアゾール銀、５−カルボキシ−６−ヒドロキ
シベンゾトリアゾール銀、５−カルボキシ−７−スルホ
ベンゾトリアゾール限、４−ヒドロキシ−５−スルホベ
ンゾトリアゾール銀、４−ヒドロキシ−７−スルホベン
ゾトリアゾール銀、５，６−ジカルボキシベンゾトリア
ゾール銀、４＋６−ジヒドロキシベンゾトリアゾール銀
、４−ヒドロキシ−５−クロルベンゾトリアゾール銀、
４−ヒドロキシ−５−メチルベンゾトリアゾール銀、４
−ヒドロキシ−５−メトキシベンゾトリアゾール銀、４
−ヒドロキシ−５−ニトロベンゾトリアゾール銀、４−
ヒドロキシ５７アノベンゾトリアゾール帳、４−ヒドロ
キシ−５−アミノベンゾトリアゾール銀、４−ヒトＤキ
シ−５−アセトアミドベンゾトリアシール％Ｎ、４−ヒ
ドロキシ−５−ペンセンスルホンｆミド′＼ンゾトリア
ゾール銀、４−ヒドロＡ・シー５−ヒドロキン力ルホニ
ルメトキシベンゾトリアゾール！に４ｃＮ４−ヒドロキ
シ−５−エトキシカルボニルメトキシベンゾトリアゾー
ル銀、４−ヒドロキノ−５−カルボキシメチフレベンゾ
トリアゾール：（’Ｊ、４−ヒドロキシ−５−エトキゾ
カルボ−ルメチルベンゾトＩＪ−ｆソー＋１’ｍＪ、４
−ヒドロキシ−５−フェニルベンゾトリアシーｊし銀、
４−ヒドロキシー５−（ｐ−ニトロフェニル）ベンゾト
リーＪ”ソー１し４Ｌ４−ヒドロキ７５−（ｐ−スルホ
ノエニル）ぺ／ソトリアゾール銀、４−スルホ−５−ク
ロルベンゾトリアソーラレ銀、４−スルホ−５−メチル
ベンゾトリアソー１しくｍ、４−スルホ−５−メトキシ
ベンゾトすｒゾール銀、４−スフレホー５−フアメペン
ゾトリアゾール味、４−スルホ−５−’アミノベンゾト
リーアシ−１し銀、４−スルホ−５−アセトアミトヘン
ソトリアゾール＞Ｌ４−スルホ−５−ベンゼンスルホン
アミドベンゾトリｆシー！し銀、４−スルホホー５−ヒ
ドロキシカルボニルメトキンベンゾトリアゾール銀、４
−スルホ−５−エトキゾヵルボニルメトキシベンシトリ
アゾール銀、４−ヒドロキン−５−カルボキシベンゾト
リアゾール銀、４−スルホル５−カルボキシメチルベン
ゾトリアゾール４＋、！、４−スルホ−５−エトギノカ
ルボニルメチルベンソトリアゾール銀、４−スルホ−５
−フェニルヘ／ソトリアソー！し銀、４−スルホホー５
−（ｐ−ニトロフェニル）ベンゾトリアゾール・限、４
−−スルホ５（ｐ−スルポノエニル）ベンツ゛トリアシ
ールｊ銀、４−スルホ−５メ１・キ７−６−クロルヘン
ソトリアゾール＠Ｌ４スルホ−５−り［ｌルー６−カル
ボキシベンゾ）ＩＩ７ゾール銀、４−カルボキシ−５−
クロルベンゾトリアゾール味、４−カルボキシ−５−メ
チルベンゾトリアゾール銀、４−カルボキシ−５−ニト
ロペンゾトリアゾール銀、４−カルボキシ−５−アミノ
ベンゾトリアゾール銀、４−カルボキシ−５−メトキシ
ベンゾトリアゾール銀、４−カルボキシ−５−アセトア
ミドベンゾトリアゾール銀、４−カルボキシー５−エト
キシカルボニルメトキシベンゾトリアソール銀、４−カ
ルボキシー５−カルホキジメチルベンゾトリアシール鏝
、４−カルボキシ−５−フェニルベンゾトリアシーＩＬ
／鎖、４−カルボキシ−５−（ｐ−ニトロフェニル）ベ
ンゾトリアシール銀、４−カルボキシ−５−メチルーア
ースルホベンゾトリアゾール銀などを挙げることができ
る。これらの化合物は檗独で用いでも、２種−ξ自販上
を組合せて用いてもよい。

非感光性であり明室処理が１１］能であるという長所を
失うが１１丁視光線に１１８丸し、しかも間流にも感応
する還ｊＣす能な金属塩を上述のような可視光線に感光
しない金ｖ、１’４の代りとして、１だ、そのような金
属塩と組み合わせて１更用することができる。

画１少記録相料中に例えば感光性の塩類、例えば写真用
ハロゲン化銀を含む感光性の銀塩をき有することができ
る。ここで有用なハロゲン化銀には、ＰＩＪえば塩化銀
、臭化銀、沃臭化銀、塩臭沃化銀、沃化銀あるいはその
混は物が含捷れる。感光性ハロゲン化銀は、し１１えげ
米国特許第３，４５７，０７５号に記載されているよう
な手法に従って電荷感応性の材料中で現場で調製するこ
ともできる。ちるいは感光性ハロゲン化銀を記録材料の
その池の成分とは別個に調製し、引き続いて所望の時間
にその池の成分と一諸に混合することも可能である。

感光性のハロゲン化銀としては粗粒子でもよ＜ｔｉ粒子
でもよいが、微粒子ハロゲン化銀が特に有効である。写
真用ハロゲン化銀は写真技術分野において用いられてい
る公知な任意の方法により調製することができる。

これら感光性銀塩ならびに感電１生、限１語形成成分Ｖ
ま、４４ｔ々の方を去において組合せで１史用でき、１
小用１１１ｖユ有機／′１１２銀塩１モルに対して１・
（＼）を性、−４鳴杉成成分０．００１モル〜０．３モ
ルの範囲であり、好ましくは０．０１モル〜０．３モル
である。

本発明の画鐵形成方法に係る記録材料に用いられる還元
剤として（，ｉ、フェノ−ルム１（例えばｐ−フェニル
フェノール、ｐ−メトキシフェノール、２．６−ジーｔ
、ｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、Ｎ−メチル−ｐ−
アミノフェノール等）、スルホンアミドフェノ−ル類（
例えば４−ベンゼンスルホンアミトフェノール、２−ベ
ンゼンスルボンアミドフェノール、２．６−ジクロロ−
４−ベンゼンスルホンアミドフェノール、２，６−ジプ
ロモー４−（ｐ−）ルエンスルホンアミト）フェノール
等）、またはポリヒドロキノベンゼン１臼（１伺えばハ
イド！コキノン、ｔｅｔｒ−ブチルハイドロキノン、２
．６−ジメチルハイドロキノン、クロロハイドロキノン
、カルボキシハイドロギノン、カテコール、３−カルボ
キシカテコール等）、ナフ）−＋し類（１！ｉＩＪえば
α−ナフトール、β−ナフトール、４−アミノナフトー
ｆし、４−メトキシナフトール等、ヒドロキシビナフチ
ル類およびメチレンビスナ７ト−ルＭ（ｌ（’Ｕえば１
．１−ジヒドロキシ−２゜２′−ビナフチル、６，６′
−ジブロモ−２，２′−ジヒドロキシ−１，１’−ビナ
フチル、６，６′−ジニトロ−２，２′−ジヒドロキシ
−１，１−ビナフチル、４，４′−ジメトキシ−１，１
′−ジヒドロキシ−２，２’−ビナフチル、ビス（２−
ヒドロキシ−１−ナフチル）メタン等）、メチレンビス
フェノール類（１り１１えば１，１−ビス（２−ヒドロ
キシ−３，５−ジメチルフェニル）３，５，５）リメチ
ルヘキザン、■、１−ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅ
ｔｒ−ブチル−５−メチルフェニル）メタン、１．１−
ビス（２−ヒドロキ７−３．５−ジーｔｅｔｒ−ブチル
フエニル）メタン、２．６−メチレンビス（２−ヒドロ
キシ−３ｔｅｔｒ−プヂｔシー５−メチルフェニル）−
４−メチルフェノール、α−フェニル−α、α−ビス（
２−ヒドロキシ−３，５−ジーｔθｒｔ−ブチルフェニ
Ｊし）メタン、α−フ、［ニルーα、α−ビス（２−ヒ
ドロキン−３−１０ｒｔ−ブチル−５−メチレン、ニル
）メタン、１．１−ビス（２−ヒドロキシ３＋５−ジメ
チルフェニル）−２−メチルプロパン、Ｉ、１．５．５
−テトラキス（２−ヒドロキ’／−：（、５ジメチルフ
ェニル）−２，４−エチルペンタン、２．２−ビス（４
−ヒドロキ７−３．５−ジメチルフェニル）プロパン、
２．２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル−５−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）プロパン、２．２−ビス（４−
ヒト「Ｊキノ−；う。

５−ジーｔｅｒｔ−ブチルフェニル）プロパン等）、ア
スコルビン酸類、３−ピラゾリドン類、ピラゾリンｆ、
、シヒ゛ラン°ロン夷自、ヒドラゾン類貞およびバラフ
ェニレンジ゛アミン類があけられる。

壕だ、ヒドラゾン類およびパラフ丁ニしンジアミン類を
還ＩＣ剤として用いる。鴨合（（は、オく国特Ｉト第：
１，５３１，２８６号、同第３，７６４．：３２８号、
特１４ｒ］昭５６−２７１３２号、同５６２５７４２号
等の６明、Ｙ（１１’、ｉＪおよび公報にｉ己１１父さ
れているようなフェノール系、ナフトール系化合物およ
びピラゾロン、ピラノｒｒｌ−リアゾール、インダゾー
ル、ピラゾロベンズイミダゾール、ピラゾリン゛、ｑの
活性メチレンを有する化合物と併用することによって色
壜画［象を得ることができる。

これら還元剤は、単独或いは２抽う」ｊ以り組合せて用
いることもできる。還元剤の使用１１１は、使用される
有機酸銀塩の１１１【類、感光ゼ↓銀塩の種類およびそ
の叱の添加剤の種類などに依存するが、高嵩は有機酸銀
塩１モルに対して０．０５モル〜１０モルの範囲であり
、好ましくは０．１モル−３モ１１／である。

本発明に用いられる記録材料には、上記成分以外に必要
に応じ各種添加剤を添加することができる。例えば現像
促進削としては米［１曳１特許嶋３，２２０．８４６号
、同第３，５３１，２８５号、同第４，０１２．２６０
号、同第４．０６０，４２０刊、同第４，０８８．４９
６号、同第４，２０７．３９２号各明ｉ：ｌＩ＋、書ま
たはリサーチ・ディスクロージャー１ｆｉ７３３、同１
５７３４、同１５７７６等に記載されたアルカリ土類金
属！ｔ、ｌＪλト昭５４］２７００号公報記載の干」（
幾改、ネ２国特ｉ’ｌ第３、に６７、９５９秤量ｆＹ＋
ｌｌｌ州記・或の−ＣＯ−、−８ｏ２−、−８ｏ−基を
有する月−水性庫１′４：暦媒化合物、米１−１１特許
り”、３，４３８，７７６号明秤量、ｌｌｌ４１ｉ記載
のメルトフォーマー、＊：同時ｄ［第３，６６６．４７
７−秤量＋”１ｌｌｌ書、特開昭５１−１９５２５号公
報に記載のポリアＩｌｚギレングリコール類等がある。

また色調剤としては、例えば科開昭４６−４９２８号、
同４６６＋）７７号、同４９−５０１９号、同４９−５
０２０号、同４９−９１２１５号、同４９−１０７７２
７号、同５０−２５２４号、同５０−６７１３２号、同
５０−６７６４１号、同５０−１．１４２１．７号、同
５２−３３７２２号、回５２−９９８１３号、同５３−
１０２０号、同５３５５１１５号、同５３−７６０２０
号、同５３−１２５０１４号、同５４１５６５２３号、
同５４−１５６５２４号、同５４１５６５２５号、同５
４１５６５２６号、同５５４０６０号、同５５−４０６
１号、同５５．３２０１５号等の公Ｙ１長ならびに西独
特ＷＦ第２，１４０，４０６号、同第２、１４７、０６
３号□、同第２，２２０，６１８号、米国特許第３、０
８０、２５４号、同第３．８／１７，６１２号、同＠３
．７８２，９４１号、同第３，９９４，７３２号、同第
４，１２３，２８２号、同第４，２０１．５８２号等の
各間ａｔａに記載されている化合物であるフタラジノン
、フタルイミド、ピラゾロン、キナゾリノン、Ｎ−ヒド
ロキシナフタルイミド、ベンツオキ田ジン、ナフトオキ
サジンジオン、２．３−ジヒドロ−フタラジンジオン、
２．３−ジヒドロ−１，３−オキサジン−２，４−ジオ
ン、オキシピリジン、アミノピリジン、ヒドロキシキノ
リン、アミノキノリ／、インカルボスチリル、スルホン
アミド、２Ｈ−１，３−ベンゾチアジン−２，４−（３
１（）ジオン、ベンゾトリアジン、メルカプトトリアゾ
ール、ジメルカプトテトラザペンタレン、フタ−し酸、
ナフタル酸、フタルアミン酸等があり、これらの１つ捷
たはそれ以上とイミダゾ−ｔし化合物との混合物、壕だ
フタル酸、ナツタｒし酸等の酸寸たは酸無水物の少なく
とも１つおよびフタラジン化合物の混合物、さらにはフ
タラジンとマレイン酸、イタコン酸、キノリン酸、ゲン
チシン酸等の組合せ等を挙げることができる。

−またさらにプｊブリ防止ｉ’＋ｌＩとしｃ−＋ｔ、１
、列えは４づ公明４７−１１１１３号、特開昭４９−９
０１１８号、同４９−１０７２４号、同４９９７６１３
号、同５０−１（ｌＩ（１１９号、１ＴｊＪ４９−１３
０７２０号、同５〇−１２３３３１号、同５１−４７４
１９号、同５１’、）７４３５号、同５１−７８２２７
号、同５１−１０４３３８吋、同５３１９８２５号、同
５３−２０９２３号、同５１−５０７２５号、同５１−
３２２：う号、同５］−４２５２９号、同５］−８１１
２４号、同５４−５１８２１号、同５５−９３１４９号
等の公報、ならびに、英国特許第１．４５５，２７１号
、水田特許第３，８８５，９６８号、同第３．７００．
４５７号、同第４，１３７，０７９号、同第４，１３８
，２６５号、西独時π（−第２，６１７，９０７号等の
各間＃Ｉｔｌ＊に記載されている化合物である第２水銀
塩、酸化剤（例えばＮ−・・ロゲノアセトアミド、Ｎ−
ハロゲノコノ・り憫イミド、句塩末酸およびその塩類、
無機過酸化物、祠イｌｉ：Ｃ酸塩等）、酸およびそのＭ
Ａ（１＋ｌＪえばスルフィン酸、ラウリン酸リチウム、
ロジン、ジテル′くン酸、チオスフレホン酸等）、イオ
ウ含有１１・、合物（レリえばメルカブト化合物故出性
化合物、チオウランル、ジスルフイド、イオウ単体、メ
ルカプ）−１、２、４−トリアシール、チアゾリンチオ
ン、ポリスルフィド化合物等）、その（ＩＭ、オキサシ
リ／、１，２．４−トリアゾール、フタルイミド等の化
合物があげられる。

才だ安定剤として特に処理後のプリントアウト防止４り
を併用してもよく、例えば特開昭４８−４５２２８号、
同５０−１１９６２４号、同５０−１２０３２８号、同
５３−４６０２０号公報等に記載の）・ロゲン化炭化水
素類、具体的にはテトラブロムブタン、トリブロムエタ
ノール、２−ブロモ−２−）ＩＪルアセトアミド、２−
ブロモ−２−トリルスルホニルアセトアミド、２−トリ
プロモメチルスルホニルヘンゾチアゾール、２．４−ビ
ス（トリブロモメチル）−６−メチルトリアジンなどが
４りけられる。

また特公昭４６−５３９３号、特開昭５０−５４３２９
号、同５０７７０３４号谷公報記載のように含イオウ化
合物を用いて後処理を行ってもよい。

さらには、米国特許第３．３０１，６７８号、同第３、
５（１（５、・１１ト１号、同第３、８２４、］（１３
吋、同第３．８．４４，７８８シ弓青明１１．１１１書
に１．己載のイノチウロニウノ・糸スタビライ１ノーブ
リノノーザー、ま／こ米国慣Ｃ「第３，６６９，６７０
号、同第／１，０１２，２６０号、同第４．Ｏ’６０，
４２０号明秤量ＩＩＩ＋！４に記載されたアクチベータ
ースタビライザーブレカーヤー等をａ有してもよい。

本発明における記録杓料には、粕汁？１すさらにト記成
分以外に必要に応じて、分）”ＥＦＶ４感染料、・・レ
ーン−Ｊン防止染料、プリントアウト防止剤、非水銀系
カブリ防止剤、螢光増白剤、硬膜１１す、帯電防止剤、
可塑剤、延１良剤、等各伸の貢加ｈ１［、塗イ［Ｊ助剤
等を除加することができる１、 −また、通１に感度を」ニ昇させるために特開厩（５３
−２３６３５号に開示されているようにＬ記結合削中に
ベンゾトリアゾールまたはベンツ゛トリアゾール訪導体
を含有させることができる。さらにまた、特開昭５３−
１４８４５０号に開示されているように記録層の電気抵
抗を低下させるためにフェノール１透導体を添卯するこ
とができる。

さらに寸だ、熱児像性がμｓれ、かつ低′＋ｂ：ＩＪＥ
で潜（＆形成が凸丁能な繭重形成口料としてヂ側エーテ
ル化合物を含有させることができる。

本発明の画像形成方法における記録月利に用いられる結
合剤は、記録層を構成する他の成分を包含し、それらを
層状に、かつこれを支持体に対して強固に接着して］呆
存しうる成分であって、実質的には皮膜形成能を有する
高分子物質である。この結合剤は疎水性（親油性または
親有機性）物質であ一〕でも親水性物質であってもよく
、−また好−ましくばその電気化抵抗が室温（約１（１
°Ｇから杓４０℃寸での温度範囲）で約１０５Ω・Ｉ”
１ｎ以上のものである。電気比抵抗が裕しく大きい結合
剤を用いる用台には、当然通電性層の電気叱１」（杭が
＋ｔ％くなるために通電効率がわるくなる。

本発明に係る記録口料に好適な結合剤の上相としては、
きわめて広範な皮膜形成性亮分子吻賀から顆択される多
くのものがあり、例えばゼラチン、ゼラヂン詩導体、コ
ロイド状アルブミン、カゼイン、アルギン酸およびその
誘４体、デギストラン（′）ごときボリザソカライド、
アラビアゴムなどのごとき天然物員から製造される本４
番１１９すえば硝酸セルローズ、メチルセルローズエエ
チｔレセルローズ、フ゛チルセルローズ、１１１：酸１
！＋レローズ、酪１翼セルローズ、プロピオン酸セルロ
ーズ、酢酸プロピオン酸セルローズ、酢酸自古ｒ實セル
ローズ、自１・１″賀フタル酸セルローズ、ヒドロキシ
エチルセルローズ、カルボキシメチルセルローズ、ペン
ジルセルローズなどのセルローズｒＡ４％体；ポリ−ア
クリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアフレキルアクリレ
ート、ポリアルキフレメタクリレート、ポリアリールメ
タクリレート、ポリアリールメタクリレート、ポリス１
１／ホアルギルアクリレート、ポリスルホアルキルメタ
クリレート、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミ
ドなどのごときアクリル酸、メタクＩＪｒし酸、アクリ
ル酸アルキルエステル、メタクリル酸ｆＦレキルエステ
ル、アクリル酸スルホアルキルエステル、メタクリル酸
スルホアルキルエステＦし、アクリルアミド、メタクリ
ルアミドなどｆ’Ｑｉ破体とスルホリマー；ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリスチ
レ／、（ポリビニルホＩＬ７マールやポリビニルプナラ
ールのごとキ）ポリビニル−ｒセタール、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン
、ポリビニルアクリルアミドなどのようなビニルノｌ（
を有する化合物を単鼠体とスルホリマー；ポリブタジェ
ン、ポリイノプヂレン、塩素化ゴトなどのような合成ゴ
ム系ポリマー；ポリエチレン、ポリエチレングリコール
、ポリエヂレンオギ７ド、ポリアミド、テルペン樹脂；
塩化ビニルー酢酸ビニルコポリマー、臨死ビニルー酢酸
ビニルーマレイン酸タボリマー、ブタジエ／−スチレン
コポリマー、メヂルビニルエーテルー無水マレイ／酸コ
ポリマー、エチレングリコ−？シーイソフタルＨ−テレ
フタル酸タポリマー、１．４−シフ［Ｊヘギザンジカル
ボン酸−イソフタル酸−７クロヘキ′／レンビスメタノ
ールタボリマー、１．４−／クロヘキザンジカルボン酸
−２，２，４，４−テトラメチルシクロブタン−１，３
−ジオールタボリマー、エビクロルヒドリンービスフェ
ノールコホリマーなどのごとき２種以上の単量体を用い
た多元重合あるいは多元総重合によるポリマーなど多く
の素材がある。これらの結合剤の素材は、その物質、重
合度あるいは補助剤などによって得られる被膜の物性が
異なるので、所望の物性を得るために２種以上の素材を
併用することも可能である。

本発明に係る記録材料に用いることのできる光導電体と
しては、約２０μｍより短い波長の電磁波の照射により
光電導を示す物質の単結晶もしくはウェハーをそのまま
用いることもできるし、史にこれらの画質から成る層あ
るいはこれらの物質を含む層を例えばＩｎ２Ｏ，、Ｓｎ
Ｏ，、Ａｕ＋Ａｇ、ＰｔおよびＰｔｉなどで形成される
導電性層上に真空蒸着法、イオンプレーティング法、ス
パッタリング法および任意の塗布方法によって薄膜とし
て形成したものも用いることができる。

更に画像形成の立場からは、その光半導体は二次元的面
積の大きいものが良い。特に薄嘆化し７た半導体が好ま
しいが、これに限定されるものではなく、その厚みも好
ましくは２ｍｍ以下、更に好ましくは１０μｍ〜５００
Ｘ程度の中から任時に選択し出る。

本発明の方法に有用な無機光導電体の例としては、以下
のものが挙けられる。

シリコン、ゲルマニウム、セレン等の単体元素；酸化亜
鉛、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化カド
ミウム、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、酸
化カドミウム、酸化バリウム、硫化バリウム、セレン化
バリウム、テルル化バリウム、酸化水銀、硫化水銀、セ
レン化水銀、テルル化水銀等の■−■表化合物；ヒ素化
アルミニウム、アルミニウムアンチモナイド、窒化カリ
ウム、リン化カリウム、ヒ素化ガリウム、ガリウムアン
チモナイド、リン化インジウム、ヒ泰化インジウム、イ
ンジウムアンチモナイド、窒化ホウ素、リン化ホウ素、
ヒ素化ホウ素、アンチモン化ホウ素等の■−Ｖ族化合物
；硫化ガリウム、セレン化ガリウム、酸化インジウム、
硫化インジウム、セレン化インジウム等の■〜ｖｌ族化
合物；またカーボランダム、酸化チタン、酸化スズ、硫
化スズ、酸化鉛、硫化鉛およびこれらの二種以上の半導
体を組合わせたものが望ましい。

これらの半導体のりｔ結晶であっても良いが、必ずしも
弔結晶である８費は無く、多結晶であ−っても無定型（
アモルファス）状態であっても良い。

また、これらの半導体はそれ目身で単一膜″を形成する
ものであ、ｌＬば、その膜を用いても良いが、成膜性を
有しない場合には半導体を有機結合材中に分散しても良
い。

また、有機光導電体としては、例えばポリビニルカルバ
ゾール／トリニトロフルオレノン光導電体、および例え
ば衣国特許第３，６１５，４１４号に記載されているよ
うな凝集体タイプのイ１機光４電体が挙げられる。その
画像記録技術の分野において公知の多くの有機光導電体
が有利に用いられる。

最適な光導電体の選択は、例えば通電画像記録材料の詳
細、記録層の電荷感応性、所望とする電気抵抗、側光手
段、処理条件、その態のいろいろな因子に依存する。従
って画像形成に用いられる条件に最も肩出な性質を示す
ような光導電体選択することが好ましい。

例えば、本発明の画ｒ象形成方法をｌ侍開昭５４−１０
６２２９号に記載されているような、いわゆる光スイツ
チング効果を利用して商感度化する方法に適用する場合
、光導電体としで用いられる半導体のうちより好ましい
ものとしてｔま、電界丁゛で多数電荷を容易に移動し得
、また光凰子照射により自由電荷を生成する効率の高い
ものが良い。この性質を更に規定すれば比抵抗がはＩｆ
、＋（１５〜１０１°Ω・α、より好且しくはほぼ］０
４〜Ｊ０６Ω・閑、または禁制帯幅０．１〜６θ■、よ
り好１しくは帆３〜４θＶの範囲にある半導体である。

この条件を満たす光導電体としては、無機光導電体が有
利である。また上記の比抵抗の条件ｔｌＮ４足しない無
機光導電体にはドナーあるいはアクセプター性不純物原
子をドープするか、もしくは格子欠陥によって′電子あ
るいは正札の多数ギヤリアを発生させたｎ型あるいはＰ
型の光４＋Ｍ体を月４いることができる。しかし、上記
の比抵抗および禁制帯幅の条件を満足する範囲であれば
、他の光導電体を用いることができることは言うまでも
ない。

この光スイッチング効果を利用して高感度化する方法に
本発明の方法を適用する場合の光導電体の具体例として
は、ｎ−Ｃｄ５、ｎ−ＣｄＳｅ、ｎＣｄＢ（−ｙ。

ＢＧｚ、ｎＣｄＳ１−３（ＴｅＸ、Ｏｄ、Ｓｅ１−ｘＴ
ｅＸ、ＺｎＸＣｄｌ−Ｘ５゜Ｃ（ｉＳｘＯ、−ｘなどが
挙げられる。

まだ、この光スイッチング効果を利用して高感度化する
か法に本発明の方法を適用する場合に有利な通電画像記
録材料としては、通電時に常温・常湿の平衡計水率より
も高い含水率にされた状態で画像記録層中を少なくとも
電流が通じうる抵抗値、すなわち比抵抗がｌ０１１Ω・
ｃｍ以下、好ましくは１０８Ω・ｃｍ以下、特に好まし
くは１０６Ω・ｍ以Ｆであることが必要である。

本プロ明の画像形成方法において用いられる記、緑４Ａ
料には、広範囲の支持体を用いることができる。

一般的な支持体としては、硝酸セルロースフイルム、ポ
リ（エチレンテレフタレート）フィルムのようなフィメ
レム又は、樹脂状材料およびガラス、低、金属板などが
用いられる他、高知の多くの材料を用いることができる
。これらのうちプラスチックフィルム、ガラス、紙など
のように絶縁性の合＋支持体は、表面が導電性であるこ
とが好ましい。

この表面が導電性である支持体としては、プラスチック
クイルムやガラス板のような基板材料上に導電性被膜を
設けたものや金属板のごとき基板材料自体が導電性であ
るものなどがあり、紙などはいずれの態様にも加工でき
るので、そのような加工紙も上記の支持体として用いる
ことができる。

基板材料としては上記の諸例のほか、公知の多くの材料
を利用することができる。そしてプラスチックフィルム
やガラス板などの基板材料の表面に導電性を付与する方
法としてかよ、基板相別と而に金属箔膜を積層したり、
真空蒸着、陰極スパッタリング、イオンブレーティング
あるいは無電解メッキなどの手段によって金鴎の被膜を
形成させたり、あるいはＩｎやＳｎの場合のようにそれ
らの被膜を同様に形成せしめたのち、その被膜を酸化し
てＩｎ２ｏ、やＳｎＯ２の導電性被膜とすることもてき
る。これらの被膜はｎやＳｎなとの水溶性塩の水溶液を
基板材料上に塗布して乾固させ、さらに基板材料を加熱
してＩｎｔＯｓ膜やＳｎ０２１膜とすることも占〈から
行なわれている方法でりる。１ｎ２０．やＳｎＯ２の被
膜は透明で導電性であり、本発明の通電性材料の支持体
として最も好ましいものでめる。

金属材料としては金、白銀、銀、アルミニウムやニッケ
ルなども好ましい。支持体として利用しうる市販品とし
ては「ネサガラス」（商品名）がある。紙などの基板月
相は、その上に後述のごとく設けられる通電性材料の組
成物が内部に侵み込んで導電性となったものなどでもよ
い。

本発明の方法に係る記録材料の層溝成において、特開昭
５４−９６０５３号に６己載されているよりな記録層上
に積層した保護層を有利に１史用することができる。こ
こで反則する保護層は、本発明の方法における記録材料
の所望とする電荷感応性および画像形成の性質に対して
不利な影響を及ぼさないということが車費である。この
ような保一層は露光および処理の前後において市械の焼
き付けお上び摩擦カブリの形式を軽減することができる
。

保護層＆ｉ結合剤として有用な１神類もしくはそれ以上
の重合体から構成することができる。これらの重合体は
本発明における記録材料に含まれるその他の成分との相
溶性を有しているものでなくてはならず、また潜像を現
像するのに有用な処理温度に耐え得るものでなければな
らない。また前記したようにその厚みについては電気比
抵抗の血から適当な厚みに規制しなければならない。

本発明の方法に用いられる記録材料においてはｌＦ！ｆ
開昭５３−２３６３５号、同５３−１３３０４１号、同
５３−１４４７５３号、同５３−１４８５０号、同５４
−１０１３３３号等に記載されているように、特開昭５
４１０６２２９号に記載された方法、すなわち導電性の
高い記録材料と光導電体とを組み合わせ、いわゆる光ス
イツチング効果を用いて系の感度を上昇させるため、あ
るいは電流を調節するために光導電体層を記録層に接し
て設けることもできる。

例えば記録層に接して電極対に接触する七積層として設
けた場合には、作用′電極と走査方向に同幅でかつ接触
面方向にだけ光を放射することの可能なシールドされた
電極を用い。像様に露光された面を作用電極を先導とし
て走介することによって効率よくまた改造力に有利に像
様に潜像を形成させることができる。また記録層に接し
て下積層として設けた場合には、Ｌ面またはＦ面から均
−裏光捷たは像様露光を辱えることによって導電性層を
形成することが可能で、支持体に通電敏を上げる好しい
手段として導電性層を予め設ける必要がなく、糸の感度
を上げ、電流を低減することができる。

従って光導電体を適宜選択することによっているいろな
露光装置を使用することができる。このような露光装置
には、例えばタングステンランプ、ギセノンランプ、ヘ
リウムネオンレーザー、赤外線、そしてＸ線が含まれる
。露光源としてはそれにより発生せしめられる輻射線に
光導電体が感応するようなものであれば、どのような輻
射線諒でも１史用することができる。

本発明の方法に用いられる記録材料に用いられる組成物
の層を構成する各種の成分は水浴液の形で、また有機溶
媒と混合して、もしくはバインダーへの分散物として調
製することができる。

また、このような塗布液は写真技術の分野において公知
ないろいろな技法を１史用することによ−って塗布する
ことができる。例えば浸漬偵布法、エアーナイフ波覆法
、流し塗り法、あるいは米国特許第２，６８１，２９４
号に記載されている型式のポツパーを使用した押し出し
塗布法等が含まれる。

必要に応じて、この技術分野において公知な手法によっ
て２つもしくはそれ以上の層を同時に塗布することもで
きる。

記録材料の全体的な熱現１家は多数の公知方法に従って
達成することができる。列えは記録材料を加熱プラテン
上に載置すること、記録材料を加熱ローラー間に通すこ
と、あるいは例えば加熱ランプ、極超短波装置、超音波
装置等からの放射エネルギーを記録材料に適用すること
があげられる。

また、乾式ではないが、加熱した本゛誓的に不ｌ古性な
液体中に記録要素を浸漬することもあげられる。

所望とする現像画像を形成せしめるために有効な温度は
一般に８０〜約２５０℃の範囲に含まれ、好ましくは１
００〜１８０℃である。最適な温度範囲はいくつかのフ
ァクター、例えば所望とする画像、特定な記録材料を構
成する成分等に応じて選ばれる。

全体的な加熱を行なう場合に安する時間は一般に約（）
、１〜１２０秒間の範囲が好捷しい。記録材料を加熱す
る場合、金属化合物と還元剤とが画像領域において反応
して、その金朔化合物が対応する遊離の今頃に変化する
。このようｖｃＬで作られた遊離の金属は先に商用され
た′電流をＩＪＪ祝化する。

次に絵付図面を参照としながらこの発明の詳細な説明す
る。

第１ａ図およびｂ図には本発明の有効な実施態様のひと
つの態様が示されている。第１ａ図は、加熱現像可能な
潜像の形成を示しており、第１ｂ図には、加熱現像を示
している。この態様おいて、記録材料の支持体Ｉ５の上
面に記録層１０が設置されている。記録層１０には電極
である金属針１６゜１７によって選択的に電流が流され
る。金属針１６゜ｄ、接地され、金属針１７に電源Ｊ８
により正電圧が印加いれ金属針１６と１７の接触せしめ
られた１記録層領域（動車領域）において電流が流れそ
の通電領域において、特には金属針１６の接触せしめら
れた部位において集中的に現像可能なパターン、即ら潜
像ｌが形成される。記録層の通電領域において、針によ
り形成される電荷密度は記録層１０において可視像を形
成するに十分である必要がなく、潜像を形成するに十分
であれば良い。

記録材料にｒ象様に電荷パターンを流し、満像ｌを形成
させる際に、電極対を記録層に関して一方の面側から接
触せしめ記録材料との電気的接続を容易にするという本
発明の目的は、上述の如く、容易に達成される。

すなわち、この通電の際に記録材料の記録層の側から作
用電極１６ならびに対電極■７を同時的に接触させるこ
とにより記録材料との電気的接続が容易に得られ、記録
材料中の記録層と支持体との間に設けた導電性層を作用
電極あるいは対電極として用いる方法に比して、導電性
層上の記録層を剥離し導電性層を露出させる手間もなく
、また記録材料の表裏両面に夫々設けた作用電極ならび
に対電極によって電気的接続を得る方法に比して、装置
に占める電極部位の高が小さくですむこと、および低電
圧で良いことの利点が得られた。また、本開明の方法に
よれば、導電性層を含まない記録材料においても画像を
得ることができた。

このよりに、本発明の方法が廟幼であることが示される
。

欠いて記録４２狛中に形成された＋ｉＩを熱により＋ｉ
Ｊ硯化する過程について第１ｂ図を用いて説明する。通
電により記録層中に形成された漕Ｉｍｌを現１家するた
めに、その記昼要素を移動して加熱プラテン２（）に接
触させ加熱する。固ここで１中用する加熱プラテン２０
には記録層１０全体を実質的に均一に加熱する１動きが
ある。加熱プラテン２（丹ま潜ぼの現昨を行うために記
録要素の平担な表面のいずれか一方を接触させることも
可能である。潜像が可視化されるまで記録要素を加熱し
た後、その記録要素を直ちに移動して加熱プラテン加と
の接触ケ止めさせる。これらの操作により通電によって
記録層中に形成された潜像ｌは可視化され画暉Ｉを与え
る。

また以上の説明によって通電画像記録方法において記録
層１０に電荷を注入するための技法の一例を記載したが
本発明の方法では当該技術分野において一般Ｖこ知られ
ている種々の技法を用いることも勿論可能である。これ
らの公知な技法には、しＵえば静′亀的に帯′亀させた
ステンシルを記録層１ｏに接触せしめること、そして記
録層１０に電子ビームを走査させることが含まれる。

オたさらに、以上の説明においては記録材料中に通電に
より形成されたａ像を熱現像する技法の特別の一列を示
したけれども、本発明における熱現像方法としては当該
技術分野において一般に知られている種々の技法を用い
ることも勿論可能である。これらの公知な技法には例え
ば熱ローラ−、熱グレート等電熱ヒーターにする方法、
あるいは赤外線ランプ、キセノンランプ等幅射勝による
方法、あるいは化学反応熱による方法、あるいは摩擦熱
による方法、あるいはかかる記録材料に通電により形成
された潜像を変化させないような方法で電流を流し、そ
の際発生するジュール熱を用いる方法等種々の方法が可
能であり、これらを単独あるいは、阻み合わせて用いる
ことができる。また、当該技術分野において一般に知ら
れてい熱現像の方法は、いずれも本発明の方法に有効に
用いることができる。

第２ａ図、第２ｂ図、には本発明の曲のり様が示されて
いる。第２ａ図は本発明の方法である電を極の配置およ
び加熱現像可能な潜像ｌの形成を示しており第２ｂ図は
加熱現隙し画像１の生成を示している。

この態様においては、第２ａ図に示す通電による潜像形
成の過程において、光導電体層３０は上記の記録材料１
０および支持体Ｉ５の間に介在するように配置される。

潜像の形成は、光導電体層３０を活性幅躬線にλ１して
透明な支持体Ｉ５を介して活性輻射線にＩＷ様露光する
ことにより行なう。

このような露光処理には活性輻射線に曝６１％された領
域において光導電性層３０の導電率を選択的に向上せし
める働きが具わっている。従って像様喀光によって記録
層１０に像様の電荷を注入することができる。すなわち
、光導電性層間を像様露光すると、光導電性）Ｐｉ３０
は光電変換素子であるので、記録層中にこの１様様露光
に対応する隊様の′電荷パターンが通電される。この像
様露光によってひきおこされた像様の通電により記録１
ｍ１０に熱現像ににより可視化される潜像が形成される
。すなわち、第１ａ図の説明の通電に相当する過程が光
導電体層に対するｒ象様蕗光であり、この過程は露光通
電と呼ぶことができる。

本発明の画［象形成方法は、特開昭５］、−６３６２１
号、同５３−２３６３５号、同５３−１３３０４１号、
同５３−１４４７５３号、同５３−１４４７５４号、同
５３−１４８４５０号、同５４−６９４３５号、同５４
−９６０５３号、同５４−９６０５４号、同５４−１０
１３３３号、回５４−１０６２２９号、同５４−１１５
２３４号、ｐｊＪ５４−１１６９２６号、同５６−２５
７４２号、同５６１３５８７１号、木目Ｉ特許第３、９
７８、３３５号、同第４，１１３゜１１８４号、同第４
，２０１．５８１号、Ｉ時ｊ組昭５７−３６８２８号等
の各公報および明、＋１Ｉｌｌ書に記載されている方法
、すなわち光・仔屯体と熱現１埃訃記碌拐料とを組み合
わせた画像形成方法に有効であり、特に有効なのは′＃
、纏奄体と熱現１家性ｌ虫屯記録層を密着させた場合で
ある。列えば特開昭５４１０６２２９号（・こ記載され
たように比抵抗か１０’Ω争α以Ｆの光導成体と熱塊像
性通′亀記録拐科とを組合わせ、いわゆる光スイツチン
グ効果を利用して高感度化する方法において有効である
。

また、本発明の画（段形成方法である記録材料に通電に
より潜像形成を行なう際にかかる記録材料の記録層の含
水率を常温、常湿の雰囲気中の平衡含水率よりも大きく
する方法は潜１埃形成時に自像記録層を加湿することが
難しい場合にはあらかじめ画［象記録層を加湿すること
によって容易に実施できる。

また記録層の温度を上げてｊｊｌｉ市ＩＩ＆度を上げる
場合には加熱プラテンに記録材料を載置する、或は通電
装置を加熱室に包含させる等の手段で容易に実施できる
。

次に実施列に基づいて、本発明を詳述するが本発明はこ
れに限定されるものではない。

実施列−１ ５−ニトロベンゾトリアシール１８．０ｇ（０，１１モ
ル）をエタノール３００ｍｅＫ溶解し、この溶液に硝酸
銀］、６．９ｊｊ（０，１０モル）を水１ｏｏｍｔｌｖ
ｃｇ解した溶液を滴下して３０分間攪拌した。生じた結
晶を濾過し、１００ｍ１のエタノールで洗浄し、２６．
４、！ｉ’の５−ニトロベンゾトリアゾール鎖を得た。

５−ニトロベンゾトリアゾール鋏１３．５＃にエタノー
ル２００ｍｌおよび１６チボリビニルブチラール水溶液
（積水化学製エスレックＷ−２０１）２５０ｄを加え別
時間ボールミルにより分散して分散液を作成した。

次にこの分散液を攪拌しつつ以Ｆの成分を順々に除却し
て塗布液を作成した。

（成分−１） アスコルビン酸（加チ水溶液）３８ｍｌ（成０−２） フタル酸（１０係メタノ一ルｍａｙ）４０・ｎｌ（成分
−３） フタラジン（２０％メタノ−ルｆ４１１’ｊ−）１５ｍ
ｌ（ｂｌｊ、分−４） ベンズトリアゾールＪＯｇ このようにして作成した塗布液をポリエチレンテレフタ
レートフィルムに塗布し記録材料の試料−１とした。

次に絶縁体上にｏ、ｓｍｍの間隔で平行に配置された１
ｍｍ×１０ｍｍの金属銅版から成る電極対に前記試料−
１を活着し、一方の銅板電極を接地し、曲刃にプラス３
００Ｖを印加して、１分間通電を行なった。

次に同じく試料−１の他の試片を電極対に密着させ、さ
らに試料の前記電極対慴六面とは反対側にアルミ箔を密
着させて、アルミ箔を接ｆ１．ＩＮｙ、Ｆｌｉｌ仮電極
の一つにプラス３００Ｖのｌ（Ｅ圧を１分間印加した。

次に上に得られた２つの試料を加熱プラテンにより１２
０℃で１０秒間熱現計象した。

この結果、アルミ箔を用い記録材料を厚み方向に貫通し
て電圧を印加した場合には画像は現われなかったが、記
録材料に対して平行に重圧を印加した場合には、画像が
青られ、このとき反射光学濃度は０．６であった。

実施し１］−２ 実施列−１と同様にして作成（、た塗布液を、アルミニ
ウム箔をラミネートしたアルペットフィルム（藤森工業
製）及び酸化インジウムを蒸着し表面比抵抗の異るニ種
のＩＴＯ蒸着導電性フィル、ム（電極グレード及び静電
グレード；ティジン製）に１ｍ″当り銀敞が帆９！ｊに
なるように塗布し、記録材料の試料−２及び試料−３，
−４をえた。

次に絶縁体上に２ｍｍの間隔で平行に配置された１０ｍ
ｍＸ１０ｍｍの２枚の金属銅版から成る電極対を夫々前
記の試料−２及び試料−３，−４に密着させ、一方の銅
板電極を接地し、他方の銅似竜極にグラス１０Ｖの′電
圧を印加し、５秒間通電した。通電の際の雰囲気は、温
度５０℃であった。通航後記録材料と銅板電極とを分離
した。

次にこれらの記録材料を加熱プラテンにより、加熱現像
した。このときの温度及び時間はそれぞれ１２０℃１０
秒であった。その結果、記録材料の接地した電極に接し
た部分に画像が現れた。これらの１又射光学濃度は０．
４〜０．７であった。

史に前記の試料−２及び試料−３，−４の端末部分の記
録層をメタノールで剥離除去した試料の記録層に前記銅
板電極を密着させ、一方露出したアルミニウム等の導電
性層を接地し、銅板電極にプラス川Ｖを印加し５秒間通
電した。このときの温度は、５０℃であった。次いでこ
れを電極から分離し、前記と同条件で加熱現像を行なっ
た。この結果、銅板電極に接した領域に、両１家が現れ
た。

反射光学濃度は０．４〜０．７の範囲にあり、本発明に
よる通電画像記録方式が形成される画像濃度において、
従来の方法と、はとんど異ならないことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図に本発明に係る】実施態様の記録材料に本発明
の１実施例により潜像を生成する場合を断面図で示しだ
。第１ｂ図は熱現像により画像を生成した該ｉ己録材刺
の断面図である。 第２ａ図及び第２ｂ図は前記とは別の実施態様の記録材
料に前記と同様の本発明を施した場合の断面図である。 １０・・・記録層、１５・・・支持体、１６・・・作用
電極、Ｊ７・・・対電極、１８・・・電源、３０・・・
光導電体層、λ）・・・加熱プラッテン、ｌ・・・潜像
、Ｉ・・・画像。 代理人楽原義美 第１ａ図 躬傅図 ６２６図 筋２６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 還元可能な金属化合物を含有する繭重記録層を支持体上
   （Ｃ有する画）象記録相料の該画像記録層に１様に電荷
   を注入してａ像を作り、熱現像を行なう画像記録方法に
   おいて、作用電極および対電極を該画像記録層の同一面
   側に配置することを特徴とする通電画像記録方法。