JPS599100B2 - バブルドメインメモリ装置 - Google Patents
バブルドメインメモリ装置Info
- Publication number
- JPS599100B2 JPS599100B2 JP51087272A JP8727276A JPS599100B2 JP S599100 B2 JPS599100 B2 JP S599100B2 JP 51087272 A JP51087272 A JP 51087272A JP 8727276 A JP8727276 A JP 8727276A JP S599100 B2 JPS599100 B2 JP S599100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble domain
- memory device
- magnetic field
- domain memory
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバブルドメインメモリ装置に係るもので、詳し
くは大容量の前記バブルドメイン装置の簡便な構造に関
するものである。
くは大容量の前記バブルドメイン装置の簡便な構造に関
するものである。
従来技術におけるバブルドメインメモリ素子（以下素子
と称す）その製造技術からして１個の素子にｌ６ｋｂｉ
ｔ程度の記憶容量しか得ることができなかつた。
と称す）その製造技術からして１個の素子にｌ６ｋｂｉ
ｔ程度の記憶容量しか得ることができなかつた。
そのために大容量のバブルドメイン装置を得るには、複
数個の素子を平面状に配列させて、この外周に巻軸方向
が互いに直交する２個のコイルを配置して回転磁界を得
ていた。このため、多くの素子が配列された広い部分を
一様な均一磁界で履うために大形のコイルが必要であつ
た。このコイルには１００ｋＨ２程度の交流を印加して
回転磁界を得ているが、コイルが大きなために大きな出
力が得られるトランジスターが要求されさらにそのトラ
ンジスターの耐電圧も高くなり、駆動回路に要求される
条件は非常に難かしい内容であつた。また、読み出しの
ための待ち時間を短かくするためには回転磁界の周波数
を高くすればよいが、大出力を要する条件下で３００ｋ
Ｈ２もしくはそれ以上の周波数を得ることは非常に困難
であつた。また、多数個の素子を回転磁界内に配置する
ときに、素子の相互の水平および方向が正確に整つてい
ないと読み出し信号に不要な雑音が重なつて検出される
欠点もあつた。本発明は、このような従来技術における
色々の欠点を改良し、大容量でしかも小形のバブルドメ
インメモリ装置を提供するものである。
数個の素子を平面状に配列させて、この外周に巻軸方向
が互いに直交する２個のコイルを配置して回転磁界を得
ていた。このため、多くの素子が配列された広い部分を
一様な均一磁界で履うために大形のコイルが必要であつ
た。このコイルには１００ｋＨ２程度の交流を印加して
回転磁界を得ているが、コイルが大きなために大きな出
力が得られるトランジスターが要求されさらにそのトラ
ンジスターの耐電圧も高くなり、駆動回路に要求される
条件は非常に難かしい内容であつた。また、読み出しの
ための待ち時間を短かくするためには回転磁界の周波数
を高くすればよいが、大出力を要する条件下で３００ｋ
Ｈ２もしくはそれ以上の周波数を得ることは非常に困難
であつた。また、多数個の素子を回転磁界内に配置する
ときに、素子の相互の水平および方向が正確に整つてい
ないと読み出し信号に不要な雑音が重なつて検出される
欠点もあつた。本発明は、このような従来技術における
色々の欠点を改良し、大容量でしかも小形のバブルドメ
インメモリ装置を提供するものである。
以下本発明の詳細な図をもちいて説明する。第１図は素
子の平面図であり、素子１は基板にオルソフエライトの
膜が被着してあり、また、その表面に磁気バブルをトラ
ツプするパターン（図示せず）があり、さらに接続端子
２などがある。
子の平面図であり、素子１は基板にオルソフエライトの
膜が被着してあり、また、その表面に磁気バブルをトラ
ツプするパターン（図示せず）があり、さらに接続端子
２などがある。
第２図はポリイミドフイルム３の表面に化学エツチング
法で形成された導体リード４を素子１に接続した図であ
る。そしてリード両端部４ａ，４ｂはポリイミドフイル
ムから片持状に突出していて−端４ａは素子１の接続端
子２と、他端４ｂは図示しないパツケージの接続部と接
続される。第３図は回転磁界発生用の第１のコイル５で
、加熱接着形の接着剤が塗布された被覆銅線５ａで形成
されている。第４図は第２図のリード４がとりつけられ
た素子１に第３図の第１のコイル５を組み込んだ状態を
示す。第５図は第４図のリード４の部分を第１のコイル
５上に折り曲げた状態を示す。第６図は第５図に示した
第１のコイル５が組み込まれリード４が折り曲げられた
上に第２のコイル６を組み込んだ状態を示す。第７図は
第６図のように組み上げたのちに、ＤＩＬ（デユアルイ
ンライン）形のパツケージ７にとりつけた状態を示す一
部切欠の上面の図であり、このパツケージ７の両側には
ピン８が配列され、パツケージ内においてピン８の接続
部９はさきに６図に示すように組み上げた構造物のその
リード４の一端４ｂと電気的に接続する。またこのパツ
ケージ７の中には回転磁界の軸方向にバイアス磁界を与
えるマグネツト１０があり、マグネツト１０の両極から
ヨーク１１が突出している。第８図は第７図に示したバ
ブルメモリ装置の側面の図であり、第９図は他の実施例
の一部切欠の側面の図である。また第１０図は第９図の
上面の図である。他の実施例ではマグネツト１０および
ヨーク１１がパツケージ７の外部にとりつけられていて
素子１の特性に応じてバイアス磁界の強さを変更するこ
とを目的としたものである。つぎに本発明の内容をバブ
ルドメインメモリ装置の製造工程に沿つて説明を行なう
。
法で形成された導体リード４を素子１に接続した図であ
る。そしてリード両端部４ａ，４ｂはポリイミドフイル
ムから片持状に突出していて−端４ａは素子１の接続端
子２と、他端４ｂは図示しないパツケージの接続部と接
続される。第３図は回転磁界発生用の第１のコイル５で
、加熱接着形の接着剤が塗布された被覆銅線５ａで形成
されている。第４図は第２図のリード４がとりつけられ
た素子１に第３図の第１のコイル５を組み込んだ状態を
示す。第５図は第４図のリード４の部分を第１のコイル
５上に折り曲げた状態を示す。第６図は第５図に示した
第１のコイル５が組み込まれリード４が折り曲げられた
上に第２のコイル６を組み込んだ状態を示す。第７図は
第６図のように組み上げたのちに、ＤＩＬ（デユアルイ
ンライン）形のパツケージ７にとりつけた状態を示す一
部切欠の上面の図であり、このパツケージ７の両側には
ピン８が配列され、パツケージ内においてピン８の接続
部９はさきに６図に示すように組み上げた構造物のその
リード４の一端４ｂと電気的に接続する。またこのパツ
ケージ７の中には回転磁界の軸方向にバイアス磁界を与
えるマグネツト１０があり、マグネツト１０の両極から
ヨーク１１が突出している。第８図は第７図に示したバ
ブルメモリ装置の側面の図であり、第９図は他の実施例
の一部切欠の側面の図である。また第１０図は第９図の
上面の図である。他の実施例ではマグネツト１０および
ヨーク１１がパツケージ７の外部にとりつけられていて
素子１の特性に応じてバイアス磁界の強さを変更するこ
とを目的としたものである。つぎに本発明の内容をバブ
ルドメインメモリ装置の製造工程に沿つて説明を行なう
。
本発明は素子１、リード４、第１のコイル５、第２のコ
イル６、およびマグネツト１０付ヨーク１１、パツケー
ジ７が主要な構成物である。素子１には接続端子２が配
置されている。この接続端子２はＡｌあるいはＮｉの導
体上にＣｕ，Ａｕ，Ｎｉなどから成るバンブ状の形状で
あつて、リード４に施されたＡｕ，ｓｎ，Ｎｌなどのメ
ツキ層の部分とが位置あわせされて熱圧着に１より接続
される。第２図はリード４が素子１に接続された状態を
示す図であつてポリイミドフイルム３に敷設されたリー
ド４の端部４ａ，４ｂはポリイミドフイルム３の端部か
ら突出していて、一方は素子１の接続端子２に前述のよ
うな方法で接続されている。一方、他端は、パツケージ
７に組み込んだ際にパツケージ７の接続部９に連結され
る。リード４が接続された後に回転磁界発生用の第１の
コイル５がとりつけられる。この第１のコ，イル５は熱
軟化性の接着剤が絶縁皮膜の上面に塗布された通称ハイ
ホン線であり、あらかじめ所定の形状に巻いた後に成形
と通電加熱を経て、第３図に示すような形状になつてい
る。これを第２図に示したリード付きの素子１に組み込
む。この状態を第４図に示す。素子１の部分が第１のコ
イル５で覆われる。つぎにリード４のポリイミドフイル
ム３を折り曲げて第５図に示すように加工する。，この
あと回転磁界発生用の第２のコイル６をとりつけると第
６図に示すような形になる。リード４は第１のコイル５
と第２のコイル６の間から出ている。このように組み上
げたものをパツケージ１の中に収納する。第７図はパツ
ケージに収納する方法を示す一例であり、ＤＩＬ形のパ
ツケージ内に収納した内部構造を示す。パツケージ７の
両側面には第８図でもわかるように導体のピン８が列設
されていて、その端部はパツケージ内部に入り込んでい
て接続部９になつている。このパツケージ７の内部には
回転磁界の軸方向に与えるバイアス磁界を発生させるマ
グネツト１０およびヨーク１１が配置してある。さきに
組み立・てた素子１に接続されているリード４および第
１のコイル５と第２のコイル６の端部はそれぞれパツケ
ージの接続部９に接続される。このようにしてバブルド
メインメモリ装置は出来上る。第９図及び第１０図は本
発明の他の実施例を示すものであり、パツケ・−ジ７の
外部からバイアス磁界を与えるヨーク１１およびマグネ
ツト１０がとりつけられている。パツケージ７にはマグ
ネツト１０を挿入する部分に切欠部１２がある。またネ
ジ１３でヨーク１１をパツケージ７に固定している。本
発明の効果は従来の構造に対して多くの特徴をもつ。構
造上の大きな効果としては、コイルが素子に直接とりつ
けられているので小形の為、所要電流が少なくてよく、
駆動回路が簡単になつたことである。また、素子の配置
は回転磁界面と同一面内に設置せぬと読みとり信号に雑
音が重なるが、本発明ではコイルが巻き上げた後に成形
されているのでコイル内に素子を挿入すればコイルの磁
界方向と素子の表面とが完全に一致して雑音の発生を最
小限に留めることができる。また、従来技術にあつては
素子の配線をワイヤーボンデイングで行なつていたが、
リードの経路が機械的に同一形状とならないので、２本
の電線に励起される電圧に差が生じて雑音の原因になつ
ていた。しかし本願ではポリイミドフイルムのパターン
による導体を使用しているので導体の形状を電気回路の
輪環において２本の導体の形状を同じにすることが簡単
にできる。このためこの２本の導体に励起される電圧は
同じであり、読み出し信号に雑音が入ることが非常に少
なくなる効果がある。また素子と導体との接続は導線を
使用しない方式であつて、多点同時接続のできることも
当然であり工数低減の効果がある。さらにまた、他の実
施例で述べた構造に関してはバイアス磁界を与えるマグ
ネツトカ哨由に交換できるので、素子の特性に応じてマ
グネツトを選ぶことができ、駆動時における使用条件を
有利に設定する効果がある。このように本願は従来の方
式による装置と比較すると多くの効果を持つ優れたもの
である。
イル６、およびマグネツト１０付ヨーク１１、パツケー
ジ７が主要な構成物である。素子１には接続端子２が配
置されている。この接続端子２はＡｌあるいはＮｉの導
体上にＣｕ，Ａｕ，Ｎｉなどから成るバンブ状の形状で
あつて、リード４に施されたＡｕ，ｓｎ，Ｎｌなどのメ
ツキ層の部分とが位置あわせされて熱圧着に１より接続
される。第２図はリード４が素子１に接続された状態を
示す図であつてポリイミドフイルム３に敷設されたリー
ド４の端部４ａ，４ｂはポリイミドフイルム３の端部か
ら突出していて、一方は素子１の接続端子２に前述のよ
うな方法で接続されている。一方、他端は、パツケージ
７に組み込んだ際にパツケージ７の接続部９に連結され
る。リード４が接続された後に回転磁界発生用の第１の
コイル５がとりつけられる。この第１のコ，イル５は熱
軟化性の接着剤が絶縁皮膜の上面に塗布された通称ハイ
ホン線であり、あらかじめ所定の形状に巻いた後に成形
と通電加熱を経て、第３図に示すような形状になつてい
る。これを第２図に示したリード付きの素子１に組み込
む。この状態を第４図に示す。素子１の部分が第１のコ
イル５で覆われる。つぎにリード４のポリイミドフイル
ム３を折り曲げて第５図に示すように加工する。，この
あと回転磁界発生用の第２のコイル６をとりつけると第
６図に示すような形になる。リード４は第１のコイル５
と第２のコイル６の間から出ている。このように組み上
げたものをパツケージ１の中に収納する。第７図はパツ
ケージに収納する方法を示す一例であり、ＤＩＬ形のパ
ツケージ内に収納した内部構造を示す。パツケージ７の
両側面には第８図でもわかるように導体のピン８が列設
されていて、その端部はパツケージ内部に入り込んでい
て接続部９になつている。このパツケージ７の内部には
回転磁界の軸方向に与えるバイアス磁界を発生させるマ
グネツト１０およびヨーク１１が配置してある。さきに
組み立・てた素子１に接続されているリード４および第
１のコイル５と第２のコイル６の端部はそれぞれパツケ
ージの接続部９に接続される。このようにしてバブルド
メインメモリ装置は出来上る。第９図及び第１０図は本
発明の他の実施例を示すものであり、パツケ・−ジ７の
外部からバイアス磁界を与えるヨーク１１およびマグネ
ツト１０がとりつけられている。パツケージ７にはマグ
ネツト１０を挿入する部分に切欠部１２がある。またネ
ジ１３でヨーク１１をパツケージ７に固定している。本
発明の効果は従来の構造に対して多くの特徴をもつ。構
造上の大きな効果としては、コイルが素子に直接とりつ
けられているので小形の為、所要電流が少なくてよく、
駆動回路が簡単になつたことである。また、素子の配置
は回転磁界面と同一面内に設置せぬと読みとり信号に雑
音が重なるが、本発明ではコイルが巻き上げた後に成形
されているのでコイル内に素子を挿入すればコイルの磁
界方向と素子の表面とが完全に一致して雑音の発生を最
小限に留めることができる。また、従来技術にあつては
素子の配線をワイヤーボンデイングで行なつていたが、
リードの経路が機械的に同一形状とならないので、２本
の電線に励起される電圧に差が生じて雑音の原因になつ
ていた。しかし本願ではポリイミドフイルムのパターン
による導体を使用しているので導体の形状を電気回路の
輪環において２本の導体の形状を同じにすることが簡単
にできる。このためこの２本の導体に励起される電圧は
同じであり、読み出し信号に雑音が入ることが非常に少
なくなる効果がある。また素子と導体との接続は導線を
使用しない方式であつて、多点同時接続のできることも
当然であり工数低減の効果がある。さらにまた、他の実
施例で述べた構造に関してはバイアス磁界を与えるマグ
ネツトカ哨由に交換できるので、素子の特性に応じてマ
グネツトを選ぶことができ、駆動時における使用条件を
有利に設定する効果がある。このように本願は従来の方
式による装置と比較すると多くの効果を持つ優れたもの
である。
第１図はバブルドメイン素子の一例を示す平面図、第２
図は素子にリードをとりつけた状態を示す図、第３図は
回転磁界を発生させるコイルの一例を示す図、第４図、
第５図、第６図及び第７図は本発明のバブルドメイン装
置を組み立てる様子を示す説明の図、第８図は本発明の
バブルドメインメモリ装置の一実施例を示す側面の図、
第９図，第１０図は本発明の別の実施例を示す図である
。 １・・・・・・素子、２・・・・・・接続端子、３・・
・・・・ポリイミドフイルム、４・・・・・・リード、
５・・・・・・第１のコイル、６・・・・・・第２のコ
イル、７・・・・・・パツケージ、８・・・・・・ピン
、９・・・・・・接続部、１０・・・・・・マグネツト
、１１・・・・・・ヨーク、１２・・・・・・切欠部分
、１３・・・・・・ネジ。
図は素子にリードをとりつけた状態を示す図、第３図は
回転磁界を発生させるコイルの一例を示す図、第４図、
第５図、第６図及び第７図は本発明のバブルドメイン装
置を組み立てる様子を示す説明の図、第８図は本発明の
バブルドメインメモリ装置の一実施例を示す側面の図、
第９図，第１０図は本発明の別の実施例を示す図である
。 １・・・・・・素子、２・・・・・・接続端子、３・・
・・・・ポリイミドフイルム、４・・・・・・リード、
５・・・・・・第１のコイル、６・・・・・・第２のコ
イル、７・・・・・・パツケージ、８・・・・・・ピン
、９・・・・・・接続部、１０・・・・・・マグネツト
、１１・・・・・・ヨーク、１２・・・・・・切欠部分
、１３・・・・・・ネジ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 回転磁界により磁気バブルドメインを駆動するバブ
ルドメインメモリ装置において、バブルドメインメモリ
素子に連結される配線部材はプラスチックフィルムおよ
び該フィルム上に形成されたパターン状で可撓性のある
導体からなり、かつ該配線部材は回転磁界を得るための
互いに直交する２つのコイルが組みあわされた間隙に嵌
合されて引き出され前記コイルと前記バブルドメインメ
モリ素子の固定を行い、ＤＩＬ形のパッケージに収納さ
れ、またバイアス磁界発生用マグネットを具備すること
を特徴とするバブルドメインメモリ装置。 ２ 可撓性の導体にはＡｕ、Ｓｎ、Ｎｉ等のメッキが施
してあり、またバルブドメインメモリ素子にはＡｕ又は
Ｃｕあるいは前記導体と合金を作りやすい材料が配置し
てあり、該導体と該素子とが別体の導線を使用しないで
接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のバブルドメインメモリ装置。 ３ バブルドメインメモリを駆動させるために使用する
バイアス磁界を発生するマグネットは回転磁界発生コイ
ルの外部にそのヨークが配置されたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のバブルドメインメモリ装置。 ４ ヨークはデュアルインライン形パッケージの外にあ
り、該パッケージを挾持するような構造でとりつけられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のバ
ブルドメインメモリ装置。 ５ デュアルインライン形パッケージはバイアス磁界発
生用のマグネットを挾持する形の切欠部を有し、パッケ
ージとマグネットおよびヨークが相互に固定されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバブルドメイ
ンメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51087272A JPS599100B2 (ja) | 1976-07-23 | 1976-07-23 | バブルドメインメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51087272A JPS599100B2 (ja) | 1976-07-23 | 1976-07-23 | バブルドメインメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5313843A JPS5313843A (en) | 1978-02-07 |
| JPS599100B2 true JPS599100B2 (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=13910118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51087272A Expired JPS599100B2 (ja) | 1976-07-23 | 1976-07-23 | バブルドメインメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599100B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5751124Y2 (ja) * | 1978-08-15 | 1982-11-08 | ||
| JPS6290806U (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 |
-
1976
- 1976-07-23 JP JP51087272A patent/JPS599100B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5313843A (en) | 1978-02-07 |
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